1)nonlinear exposure非线性曝光
1.In this dissertation, the background and significance of characters of nonlinear exposure in the in-line holography for particle field was stated.本文阐述了粒子场激光同轴全息非线性曝光特性的研究背景和意义，综述了国内外粒子场激光同轴全息的研究现状和全息非线性曝光的研究现状。
英文短句/例句
1.Study on Characters of Nonlinear Exposure in In-line Holography for Particle Field;粒子场同轴全息的非线性曝光特性研究
2.The effect of nonlinear exposure on bandgap of three-dimensional holographic photonic crystal非线性曝光对三维全息光子晶体禁带特性的影响
3.Exposure,radiographic exposure曝光,射线照相曝光
4.The non-linearity of the curve in this region of low exposure gives rise to problems in the calibration of photographic materials.在低曝光量区域，曲线的非线性将给照相材料的定标带来一些问题。
5.The behaviour of an exposed and processed emulsion is very sensitive to a number of factors.曝光和冲洗后的乳胶性能对许多因素非常敏感。
6.uv proximity printer紫外线接近式曝光装置
7.x ray align and exposure equipmentx 射线对准曝光装置
8.the act of exposing film to too little light or for too short a time.胶卷曝光的光线不足或者时间太短。
9.Research on Thermal Optical Nonlinearity Induced by Nonlinear Absorption;非线性吸收诱导的热光学非线性研究
10.To expose(film)to light for too short a time or to light or radiation insufficient to produce normal image contrast.曝光不足（底片）曝光时间太短或光线太弱无法制造正常图像反差
11.organic non linear optical material有机非线性光学材料
12.Study on the Linear and Nonlinear Characteristics of GaAs Photoconductive Switches;GaAs光导开关的线性及非线性特性研究
13.deep uv projection aligner远紫外线投影曝光对准器
14.multi-exposure X-ray powder camera多次曝光X射线粉末摄影机
15.automatic X-ray exposure factor recorderX射线曝光因数自动记录器
16.Standard for-ray full view exposure technique of spherical tank球形储罐射线全景曝光技术标准
17.To be exposed to or revealed by radiation.暴露于射线被辐射发现或曝光
18.Cooling control of exposure frame. enhance accuracy of print circrit.曝光台面恒温控制、保线路精准度。
相关短句/例句
Hurter-Driffield(H-D) curve曝光特性曲线
3)non-exposed area非曝光区
4)exposure curve曝光曲线
1.The principle and method of plotting new kUP (tube voltage)T(thickness of specimen)F(focal distance) exposure curves for the use of radiographic examination of Ti with focal distances of 0412 m are described.２ｍ不同焦距、微粒胶片Ｘ射线照相用的ＫＵＰＴＦ新型曝光曲线的制作原理及方法。
5)radiographic exposure射线曝光
6)exposure characteristic曝光特性
1.At first, the exposure characteristic of this material as the media of multilevel storage is studied, and the mathematical model of multil.在研究光致变色材料曝光特性的基础上 ,提出了基于光致变色原理的多阶存储数学模型 ,该模型反映了光致变色材料吸收率与曝光量之间的非线性关系 ,为光致变色材料的多阶存储写策略的优化提供了理论依据。
延伸阅读
半导体非线性光学材料半导体非线性光学材料semiconductor nonlinear optical materials 载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
