增强型网络驱动,END
1)END[英][end][美][?nd]增强型网络驱动
1.The design of END for S3C2410A platform on VxWorks基于ARM9的VxWorks增强型网络驱动设计
2.Realization theory of END in VxWorks Operating System and its architecture are analyzed.VxWorks下增强型网络驱动是一个链路层驱动程序,它通过MUX层函数与网络协议层进行通信。
3.VxWorks provide multiplexer(MUX) layer interface to achieve the development of enhanced networks driver(END).网络驱动的开发是基于VxWorks的嵌入式应用的重要组成部分;VxWorks提供了多路复用层(MUX)接口来实现增强型网络驱动(END)的开发,具有协议无关性特点,可使开发人员专注于驱动程序的开发而无需考虑上层协议的内容,利用这种方法对RTL8139网卡的END开发进行了研究;首先阐述了END的数据结构和接口函数,然后着重分析了BSP中相关文件的配置,最后对驱动的加载启动过程及数据包的存储收发过程作了介绍;对于VxWorks下基于MUX机制的其它网卡驱动的开发具有参考价值。
英文短句/例句

1.The design of END for S3C2410A platform on VxWorks基于ARM9的VxWorks增强型网络驱动设计
2.E-WDM Enhanced Windows Driver Model增强型视窗驱动程序模块
3.Click the type of the network driver to use:请选择要使用的网络驱动程序类型:
4.Research on Event-driven Wireless Sensor Network Technology;事件驱动型无线传感器网络技术研究
5.On the Enhanced LEACH Protocol for Wireless Sensor Networks;无线传感器网络增强型LEACH协议研究
6.TCP Enhancing Proxies Model Based on GEO Satellite Network基于GEO卫星网络的TCP增强代理模型
7.Harmonic analysis approach using enhanced Adaline neural network增强型Adaline神经网络谐波分析方法研究
8.The local device type and the network resource type are not the same.本地驱动器的类型跟网络资源的类型不一样。
9.EIDE enhanced Integrated Drive Electronics增强形电子集成驱动器
10.Research on High Speed Gated Image Intensifier Driving Technologies;高速选通型微光像增强器驱动技术的研究
11.Research of Question-driven FMS Web-based Instruction System;问题驱动型“柔性制造自动化”网络教学系统研究
12.Other (for example, a removable drive or network drive)其他(例如,可移动驱动器或网络驱动器)
13.Research on Geometrical Model Sharing Technologies for Internet-Driven Collaborative Design;网络驱动的协同设计几何模型共享技术研究
14.Research on Feedback Model of Task-Based Learning under the Environment of Internet;网络环境下任务驱动教学反馈模型研究
15.Event-driven Accounting Information System analysis Under network environment;网络环境下事件驱动型会计信息系统分析
16.Data Encryption on Network Based on NDIS Intermediate Driver Model基于NDIS中间层驱动的网络数据加密模型
17.Address allocation algorithm for event-based wireless sensor network事件驱动型传感器网络地址分配算法研究
18.An energy-efficient data aggregation algorithm for event-driven wireless sensor networks事件驱动型传感器网络能量有效数据融合算法
相关短句/例句

END(Enhanced Network Drvier)END(增强型网络驱动)
3)Enhanced Network Driver(END)增强网络驱动(END)
4)enhanced network driver加强型网络驱动
5)network strengthen网络增强
6)enhanced network增强网络
延伸阅读

增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路  耗尽型MOS晶体管用作负载管,增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器(图1),并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。      特点  E/D MOS电路的速度快,电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下,充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中,作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源(栅与源相连,其电压uGS=0)状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS~VDS曲线,沿纵轴翻转180o,取出其中uGS=0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载(图2)。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路,可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5~1/8。此外,由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失,最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此,比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好,为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比,E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。      结构与工艺  只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)。其中耗尽管的初始沟道,是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接,在生长多晶硅之前,需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面:引用氮化硅层实现选择性氧化,降低了场氧化层的台阶;②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子;③硅栅自对准:用多晶硅作栅,可多一层布线。结合自对准,可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。      采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路,已达到tpd≈4纳秒,功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门/毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路(见互补金属-氧化物-半导体集成电路)比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合,是超大规模集成电路技术发展的主要方向。