专利名称：一种芍药切花促成栽培方法
技术领域：
本发明涉及花卉栽培技术领域，具体的说，涉及一种芍药切花促成栽培方法。
技术背景
芍药属芍药科芍药属植物，多年生宿根草本植物，其花大色艳，花型丰富，自古以 来深受我国人民喜爱，是我国的传统名花。早在《诗经)》中就有关于芍药的记载“维士与 女，伊其相墟，赠之以芍药”，因此，芍药也是中国古代的定情之花。芍药自然花期集中在5 月份，而进行促成栽培即可使芍药提前至1 2月份开花。这期间集中了我国最重要的传 统节日——春节和备受年轻人热捧的情人节。芍药花朵硕大，姹紫嫣红，且品种名多吉祥之 意，如‘大富贵’，‘紫凤朝阳’等。人们祈盼吉祥如意的节日气氛，使其春节开花更能增加欢 快热闹，而且芍药是中国传统的定情之花，在欧美也早已多作为婚礼用花的切花栽培，将舶 来的情人节和中国传统“情花”——苟药结合起来，庆祝浪漫之日，更是充满新意。显然，有必要利用栽培技术使芍药的花期提前，一般来说影响催花质量的关键点 在于1、植株是否充分解除休眠；2、是否大量生根；3、是否满足开花条件。目前芍药催花生 产中往往因为不能完全满足上述条件而致使催花失败。另外，针对进行芍药切花的促成栽培，满足切花所需要的枝长也是极为重要的。常 规芍药切花采收的时候是在原枝基部保留3 5片叶子，用来进行光合作用。由于芍药催 花可能使植株矮化或枝叶生长不繁茂，因此如果按普通切花采收方法采切，将会有许多切 花枝长无法达到质量标准，所以常规方法不适合在切花促成栽培中使用。
发明内容
本发明的目的是提供一种芍药切花促成栽培的方法，该方法一方面克服了传统芍 药催花开花质量差的缺点，另一方面能够保证芍药切花的枝长，为芍药切花的促成栽培提 供便利。本发明所述的芍药切花促成栽培的方法以下述步骤实现选取3 4年生、花芽饱 满的芍药植株，将种苗在0 4°C下冷藏30 60天解除花芽休眠，然后在种苗根部喷液；随 后上盆，每盆浇浓度为200mg/L 500mg/L的赤霉素溶液，然后经过温室培养60 90天， 当萌芽长到5 IOcm时，适当去除无蕾芽，最后从花枝根部进行采切。所述的芍药切花促成栽培方法中，根部喷液是采用多菌灵可湿性粉剂和生根粉的 混合溶液喷淋种苗根部，该混合溶液中，多菌灵可湿性粉剂的浓度以市售的50%多菌灵可 湿性粉剂计算为500 1000mg/L ；生根粉(ABT)的浓度为100 200mg/L。所述的芍药切花促成栽培方法中，温室培养措施中，植株萌动期至萌发期，昼夜温 度分别为白天17 18°C，晚上5 6°C ；枝叶生长期、展叶期和显蕾期，为白天15 20°C， 晚上10 12°C ；透色期和开花期，为白天20 25°C，晚上14 15°C ；整个生长期湿度要 求在60% 80%之间，并用日光灯补光，早晚各补光2小时，光照500-10001UX。所述的芍药切花促成栽培方法中，所述赤霉素溶液的用量为每盆浇250ml赤霉素溶液，其中每盆栽有一个种苗；一般采用直径30cm，高度35cm的盆进行栽培。所述的芍药切花促成栽培方法中，在温室培养过程中注意浇水，浇水量为浇透水， 并保持花盆湿润，不可过干或过湿。所述的芍药切花促成栽培方法中，每株种苗含3 8个花芽。所述的芍药切花促 成栽培方法中，适当去除无蕾芽为保留2 3个无蕾芽，其它除去。所述的芍药切花促成栽培方法中，芍药为盆栽芍药。 所述的芍药切花促成栽培方法中，芍药的栽培基质可采用本领域常用的各种栽培 基质，优选的，可采用草炭珍珠岩陶粒鸡粪的体积比为3 1 0. 5 0. 5的栽培基 质。在本发明的方法中，冷藏和赤霉素的配合使用可以使植株充分打破休眠；而生根 粉对先冷藏后上盆的植株有良好的生根效果，使植株能吸收更多养分，满足芍药正常生长 的需求；温室管理以及适当的浇水可促使和保证芍药开花正常、花大色艳，另外，赤霉素也 有提高开花质量的作用；去除部分无蕾芽后，利用剩余无蕾芽发育的叶子进行光合作用，可 以为从原株基部采切切花后的母株提供营养；最后，从基部采切的切花枝长比起按常规方 法采切的切花枝长一般要长10 15cm，这在一定程度上弥补了促成栽培对芍药株高的不 良影响。利用本方法进行栽培的芍药‘大富贵’切花枝长可达55cm，花径9. 8cm ； ‘粉玉奴’ 切花枝长可达到48cm，花径10. 7cm。本发明解决了常规催花芍药对冷库面积的要求和因催花芍药植株矮小，开花质量 差而影响切花质量等问题，大大提高了切花芍药的观赏价值和商品价值，同时操作简单，成 本较低，为芍药切花的标准化生产提供了依据。
具体实施例方式以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。如无特别指明，本发明 所用的各种药品、器皿等均为市售；采用的栽培基质为草炭珍珠岩陶粒鸡粪的体积 比为3 1 0. 5 0.5的栽培基质。实施例1芍药‘大富贵’切花的促成栽培选取3 4年生、花芽饱满的‘大富贵’植株，将种苗在0 4°C下冷藏35天解除 花芽休眠，然后用含有50%多菌灵可湿性粉剂800mg/L和100mg/L生根粉ABT的混合溶液 喷淋根部；上盆，每盆1株种苗，2小时后浇透水，次日，每盆浇200mg/L赤霉素溶液250ml，温
室培养，按照芍药生长发育规律进行日常管理。所述温室培养时，植株萌动期至萌发期，昼夜温度分别为白天17 18°C，晚上5 6°C;枝叶生长期、展叶期和显蕾期，为白天15 20°C，晚上10 12°C;透色期和开花期，为 白天20 25°C，晚上14 15°C ；整个生长期湿度要求在60% 80%之间，并用日光灯补 光，早晚各补光2小时，光照500lux。当萌芽长到8cm左右时，保留2个无蕾芽，其余无蕾芽摘除，以便将花枝从根部采 切后仍有叶片进行光合作用为母根储存养分。在花蕾透色，外层花瓣松动时，将花枝从根部 进行采切。利用本方法进行栽培的芍药‘大富贵’成花率可达72%，切花枝长可达55cm，花径9. 8cm。同时，除了每盆浇100mg/L赤霉素溶液250ml之外，使用相同的步骤对‘大富贵’进 行切花促成栽培。其结果表明，使用赤霉素浓度不在本发明范围内的该对比促成栽培时，成 花率为40%，切花枝长为54cm，花径9. 4cm,其栽培效果远不如使用配方浓度范围以内的赤 霉素溶液所进行的促成栽培。另外，除了摘除无蕾芽，采切时保留下部1 2片复叶进行采切之外，使用相同的 步骤对‘大富贵’进行切花促成栽培。其结果，全部摘除无蕾芽，采切时保留下部1 2片 复叶剪取的该对比促成栽培，切花枝长仅为40. 6cm，其切花效果 远不如适当保留无蕾芽，并 最后从花枝根部进行采切所进行的促成栽培。实施例2芍药‘莲台’切花的促成栽培选取3 4年生、花芽饱满的‘莲台，植株，将种苗在O 4°C下冷藏42天解除花 芽休眠，然后用含有50%多菌灵可湿性粉剂1000mg/L和200mg/L生根粉ABT的混合溶液喷 淋根部。上盆，每盆1株种苗，2小时后浇透水，次日，每盆浇400mg/L赤霉素溶液250ml，然
后按照芍药生长发育规律进行日常管理。所述的芍药切花促成栽培方法中，温室培养措施中，植株萌动期至萌发期，昼夜温 度分别为白天17 18°C，晚上5 6°C ；枝叶生长期、展叶期和显蕾期，为白天15 20°C， 晚上10 12°C ；透色期和开花期，为白天20 25°C，晚上14 15°C ；整个生长期湿度要求在60 % 80 %之间，并用日光灯补光，早晚各补光2小时，光 照 lOOOlux。当萌芽长到5 IOcm时，保留2个无蕾芽，其余无蕾芽摘除，以便将花枝从根部采 切后仍有叶片进行光合作用为母根储存养分。在花蕾透色，外层花瓣松动时，将花枝从根部 进行采切。利用本方法进行栽培的芍药‘莲台’成花率可达95%，切花枝长可达到53. 3cm，花 径 12. 8cm。同时，除了每盆浇100mg/L赤霉素溶液250ml之外，使用相同的步骤对‘莲台’进 行切花促成栽培。其结果，使用赤霉素浓度不在本发明范围内的该对比促成栽培时，成花率 为85%，切花枝长为45. 1cm，花径12. 0cm，其栽培效果远不如使用配方浓度范围以内的赤 霉素溶液所进行的促成栽培。另外，除了全部摘除无蕾芽，采切时保留下部1 2片复叶进行采切之外，使用相 同的步骤对‘莲台’进行切花促成栽培。其结果，全部摘除无蕾芽，采切时保留下部1 2片 复叶剪取的该对比促成栽培，切花枝长仅为42cm，其切花效果远不如适当保留无蕾芽，并最 后从花枝根部进行采切所进行的促成栽培。显然，利用本发明的方法，解决了常规催花芍药对冷库面积的要求和因催花芍药 植株矮小，开花质量差而影响切花质量等问题，大大提高了切花芍药的观赏价值和商品价 值，同时操作简单，成本较低，为标准化生产提供了依据。
权利要求
一种芍药切花促成栽培的方法，其特征在于，选取3～4年生、花芽饱满的芍药植株，将种苗在0～4℃下冷藏30～60天解除花芽休眠，然后在种苗根部喷液；随后上盆，每盆浇浓度为200mg/L～500mg/L的赤霉素溶液，然后经过温室培养60～90天，当萌芽长到5～10cm时，适当去除无蕾芽、最后从花枝根部进行采切。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根部喷液是采用多菌灵可湿性粉剂和 生根粉的混合溶液喷淋种苗根部。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述混合溶液中，多菌灵可湿性粉剂的浓度 以50%多菌灵可湿性粉剂计为500 1000mg/L ；生根粉的浓度为100 200mg/L。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温室培养如下进行，植株萌动期至萌发 期，昼夜温度分别为白天17 18°C，晚上5 6°C ；枝叶生长期、展叶期和显蕾期，为白天 15 20°C，晚上10 12°C ；透色期和开花期，为白天20 25°C，晚上14 15°C。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，温室培养期间，整个生长期湿度要求在 60% 80%之间，并用日光灯补光，早晚各补光2小时，光照500-10001UX。。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述赤霉素溶液的用量为每盆浇250ml赤霉 素溶液，其中每盆栽有一个种苗。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述每株种苗含3 8个花芽。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述适当去除无蕾芽为保留2 3个无蕾 芽，其它除去。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的芍药为盆栽芍药。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，芍药的栽培基质是草炭珍珠岩陶粒 鸡粪的体积比为3 1 0.5 0.5的栽培基质。
全文摘要
本发明涉及一种芍药切花促成栽培的方法。该方法包括以下步骤选取3～4年生、花芽饱满的芍药植株，将种苗在0～4℃下冷藏30～60天解除花芽休眠，然后在种苗根部喷液；随后上盆，每盆浇浓度为200mg/L～500mg/L的赤霉素溶液，然后经过温室培养60～90天，当萌芽长到5～10cm时，适当去除无蕾芽、最后从花枝根部进行采切。本发明解决了常规催花芍药对冷库面积的要求和因催花芍药植株矮小，开花质量差而影响切花质量等问题，大大提高了切花芍药的观赏价值和商品价值，同时操作简单，成本较低，为标准化生产提供了依据。
文档编号A01G1/00GK101861822SQ20101019939
公开日2010年10月20日 申请日期2010年6月7日 优先权日2010年6月7日
发明者于晓南, 张启翔, 成仿云, 王历慧 申请人:北京林业大学