专利名称：一种勋章菊高效快速育苗方法
技术领域：
本发明涉及一种菊科植物无性繁殖的育苗方法，特别涉及一种勋章菊扦插高效快 速育苗的方法。
背景技术：
勋章菊具有四季常绿、三季现花的特性，既可观叶也可观花，是既能地植也可盆栽 的多年生地被植物。其繁殖方法在文献“勋章菊的栽培”(赵庚义、北京农业，2005年9期 11-12页)、“风姿浪漫勋章花”(王意成，花木盆景，2003年4期22-23页)和“勋章菊的栽培 管理”(刘桂云，花木盆景，2009年11期15-15页)中，介绍了采用播种、扦插、分株和组织培 养等，但这些方法都存在着从播种到开花需85 100天较长时间的不足；对勋章菊进行分 株繁殖时，文献“勋章菊栽培技术要点”(杨俊杰、付红梅，农业工程技术，2008年6期61-62 页)中记载了每1分株必须带有顶芽和根系才能成苗的技术方案；在文献“勋章菊时片再生 技术的探讨”(盛亚丹，安徽农业科学，2010年38期8317-8320页)中，采用在组织培养的 条件下，以叶片为外植体，从植床到组培苗生根至少需要50天。显然，这样的繁殖方式数量 少、速度慢。采用上述文献中公开的扦插繁殖技术，虽然成苗周期较上述方法缩短，但插后 仍需要20 25天生根，也达不到高效快速育苗的要求。
发明内容
本发明的目的在于克服现有育苗技术存在的不足，为观赏园艺、花卉栽培、绿化工 程提供一种勋章菊高效快速育苗方法。实现上述发明目的的技术方案是一种勋章菊育苗方法，包括如下顺序的步骤
(1)4月至11月，在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，选取适当位置剪成插穗，每 个插穗保留2 5片叶；
(2)以完全炭化的砻糠或草木灰为扦插基质，扦插基质厚度为5cm以上，将其装入渗 水性好的框、篮或盘中做成移动插床，或将其直接装入扦插池内作为固定插床；
(3)对插床上的扦插基质淋水，使其充分湿润；
(4)将插穗插入基质中，扦插深度为3 km，密度为4 5cm/株；
(5)插后立即用稀释浓度为500 800倍的多菌灵杀菌剂水溶液喷洒插穗；
(6)10 15分钟后将插穗移入全日照喷雾装置下，任其发根生长；
(7)2 3周后将生根的扦插苗移栽于假植钵或泥盆中；
(8)6周后，假植钵中的扦插苗根系伸出渗水孔时，即可移入花台建植或进行地栽 ’泥 盆中的菊苗可直接培育成盆花。本发明对所剪成的插穗保留其顶芽或花蕾，以利生根和早花；对所剪成的没有顶 芽的茎段插穗，保留其叶片，扦插前用浓度为1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部数秒钟，促 进生根；对所剪成的插穗叶面积过大的插穗，剪去插穗叶的部分叶片，以减弱蒸腾作用的耗 水。
本发明所述的全日照喷雾装置的工作状态为完全自然光照；连续喷雾或夜间不 喷雾，连续喷雾的喷雾频率为5分钟/每小时；当天气条件为连续5 7天温度> 32°C时， 用两层遮阳网复盖插床上部。本发明利用勋章菊植株的地上部分如茎、枝、芽等作为插穗，插入完全炭化的基质 中，在全日照喷雾条件下，7 10天后开始生根，第14 20天即可成苗上盆，40 45天后 即可建植花台或景观应用，且扦插密度可达400株以上/m2。由于上述技术方案的运用，本发明技术方案的优点在于勋章菊育苗方法操作简 便，成活率高，育苗周期短，不仅可以高，而且可以不受季节影响进行室内周年扦插，实现了 高效快速育苗。
具体实施例方式下面结合实施例对本发明技术方案作进一步描述。实施例一
本实施例技术方案适用于以勋章菊茎蔓为插穗，扦插后14天成苗后移植于假植营养 钵，40天移入花台建植。其具体步骤如下
(1)5月下旬，在“红纹”品种(黄色花)的植株上剪下健壮侧蔓，选取适当位置剪成插 穗，每个插穗保留2 5片叶，保留顶芽或花蕾，叶面积过大的插穗剪去1/3叶片；
(2)在40CmX40CmX5Cm的塑料盘中装入厚度为5cm的砻糠为基质；
(3)对砻糠淋水，使其充分湿润；
(4)将步骤1准备好的插穗插入基质中，扦插深度为3 km、密度为4 5cm/株；
(5)用稀释浓度为500倍的多菌灵水溶液喷洒插穗后，移入全日照间歇喷雾装置下任 其发根生长。白天自然光照期间(7 :00至17 :00)，喷雾的频率为每小时喷水5分钟，夜间 不喷水；
(6)7天后开始生根，待插穗根系从塑料盘底部或周边伸出时(约14天)，将扦插苗从 基质中挖出(可少带砻糠)，移栽于假植(营养)钵或泥盆中，浇足定根水后任其生长，后期进 行常规肥水管理；
(7)待扦插苗的根系伸出假植钵的渗水孔时(约40天)，取出带苗的假植土球，移入花 台建植或进行地栽；而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。实施例二
本实施例技术方案适用于以勋章菊茎蔓为插穗，扦插后20天移植于假植营养钵，45天 移入花台。其具体步骤如下
(1)6月下旬，在“星白”品种(白色花)的植株上剪下健壮丛生枝，选取适当位置剪成 插穗，每个插穗保留2 5片叶，保留顶芽或花蕾，叶面积过大的插穗剪去1/3叶片，以减 弱蒸腾作用的耗水；也可采用没有顶芽的茎段剪成插穗，则应保留其叶片，扦插前用浓度为 1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部数秒钟，促进生根；
(2)在510_X250_X47_的穴盘中装入5cm厚的砻糠；
(3)对砻糠淋水，使其充分湿润；
(4)将准备好的插穗插入湿润的砻糠中，扦插深度为3 km，每穴插1株，每盘插32
株；(5)插好后用稀释浓度为800倍的多菌灵水溶液喷洒插穗，再移入全日照喷雾装置下 任其发根生长。白天自然光照期间(7 :00至18 :00)进行连续喷雾(水阀不关)，夜间不喷 水；
(6)10天后开始生根，待插穗的根系从穴盘底部的渗水孔伸出时(约20天)，将苗从穴 盘中连根带糠一并取出，移栽于假植(营养)钵或泥盆中，浇足定根水后任其生长，后期进行 常规肥水管理；
(7)待菊苗的根系伸出假植钵的渗水孔时(约45天)，取出带苗的假植土球，移入花台 建植或进行地栽；而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。 本发明操作简便，成活率达到90%以上，40 45天即可成苗，育苗期短；育苗成本 约为0. 1元/株，成本较低。按本发明技术方案提供的勋章菊菊苗，不仅能在400 625株 /m2的高密度条件下扦插，且可以不受季节限制进行室内周年扦插，因此，具有推广应用的 前景。
权利要求
1.一种勋章菊育苗方法，其特征在于包括如下顺序的步骤(1)4月至11月，在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，选取适当位置剪成插穗，每 个插穗保留2 5片叶；(2)以完全炭化的砻糠或草木灰为扦插基质，扦插基质厚度为5cm以上，将其装入渗 水性好的框、篮或盘中做成移动插床，或将其直接装入扦插池内作为固定插床；(3)对插床上的扦插基质淋水，使其充分湿润；(4)将插穗插入基质中，扦插深度为3 4cm，密度为4 5cm/株；(5)插后立即用稀释浓度为500 800倍的多菌灵杀菌剂水溶液喷洒插穗；(6)10 15分钟后将插穗移入全日照喷雾装置下，任其发根生长；(7)2 3周后将生根的扦插苗移栽于假植钵或泥盆中；(8)6周后，假植钵中的扦插苗根系伸出渗水孔时，即可移入花台建植或进行地栽 ’泥 盆中的菊苗可直接培育成盆花。
2.根据权利要求1所述的一种勋章菊育苗方法，其特征在于对所剪成的插穗保留其 顶芽或花蕾，以利生根和早花；对所剪成的插穗为没有顶芽的茎段插穗，保留其叶片，扦插 前用浓度为1000mg/L的吲哚丁酸浸插穗基部数秒钟，促进生根。
3.根据权利要求1所述的一种勋章菊育苗方法，其特征在于对所剪成的插穗其插穗 叶面积过大的，剪去插穗叶的部分叶片，以减弱蒸腾作用的耗水。
4.根据权利要求1所述的一种勋章菊育苗方法，其特征在于所述的全日照喷雾装置的 工作状态为完全自然光照；连续喷雾或夜间不喷雾，连续喷雾的喷雾频率为5分钟/每小 时；当天气条件为连续5 7天、温度> 32°C时，用两层遮阳网复盖插床上部。
全文摘要
本发明公开了一种勋章菊高效快速育苗方法。在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，剪成插穗，每个插穗保留2～5片叶；在渗水性好的框篮或扦插池内中装入厚度为5cm以上的基质并使其充分湿润；将插穗以3～4cm的深度、4～5cm/株的密度插入基质中，用稀释浓度为500～800倍的多菌灵杀菌剂溶液喷洒后移入全日照喷雾装置下任其发根生长；2～3周后移栽于假植钵或泥盆，6周后，即可移入花台建植或地栽，而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。本发明提供的勋章菊育苗方法操作简便，成活率高，育苗期短，培苗成本低；菊苗不仅可以高密度扦插，而且不受季节限制进行室内周年扦插，具有推广应用的前景。
文档编号A01G1/00GK102144486SQ20111002054
公开日2011年8月10日 申请日期2011年1月18日 优先权日2011年1月18日
发明者徐建峰, 李叶峰, 李强, 杨苏平, 王宁, 王彩晨, 王永忠, 王波, 王谨, 皇甫兴成, 盛亚丹, 陆小平 申请人:苏州大学