一种霍山石斛的种植方法
【专利摘要】本发明提供一种霍山石斛的种植方法，其特征在于以树皮碎屑、米心石(质量比2∶1)为种植基质，并经过下列步骤：A.用0.05～0.1％的高锰酸钾溶液，或者0.2％的百菌清浸泡基质5天，捞出晾晒后平铺于种植床上，控制基质厚度10～15cm；B.将石斛幼苗取出，清水洗净根部后用海藻进行包根；C.按10～15×15～20cm的株行距种植于上述基质中；D.种植后适量浇水、喷施营养液，喷洒杀菌剂或/和杀虫剂，10～15个月即可采收。本发明具有取材容易、成本低、可循环使用、保水保肥效果好、密实度高等优点，有利于霍山石斛的良性生长，植株成活率高，劳动强度低，能使树皮碎屑这一废物得到充分利用。
【专利说明】一种霍山石斛的种植方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种种植方法，尤其是一种霍山石斛的种植方法，属于植物栽培【技术领域】。
【背景技术】
[0002]霍山石斛俗称米斛，是兰科石斛属草本植物，主产于大别山区的安徽省霍山县。霍山石斛是传统的名贵中药，有“千金草”、“软黄金”之称。现代药理学研究表明，霍山石斛的多糖含量为普通石斛的3倍之多，能提高人体免疫力，尤其是对眼、咽、肺等器官疾病有特殊疗效；霍山石斛能大幅度提高人体内SOD水平，非常适用于经常熬夜、用脑过度、体虚乏力的人群。然而霍山石斛在炼苗及原产地栽培过程中，成活率极低，严重影响了霍山石斛的发展。因此，许多科研人员对霍山石斛进行了快速繁殖技术的研究，大多集中在由野生种子萌发形成愈伤组织、原球茎，然后进行分化培养获得再生苗。
[0003]现有技术中，经组织培养后的商品霍山石斛幼苗需要种植在以水苔、腐植土、木屑等基质上，才能保持或提闻种苗移栽的成活率。但这些基质不仅取材难，价格闻，而且使用期限短，保水保肥效果差，种植管理复杂，影响成品苗的生长质量和种植管理成本，从而直接影响石斛药材的等级和价格，影响农民的收益。
【发明内容】
[0004]为克服现有技术中基质取材难、成本高、使用期限短，以及因保水保肥效果差而带来的种植、管理复杂等缺 点，本发明提供一种取材容易，种植成本低，保水保肥效果好的霍山石斛种植方法。
[0005]本发明通过下列技术方案实现:一种霍山石斛种植方法，其特征在于以树皮碎屑、米心石(质量比2: I)为种植基质，并经过下列步骤:
[0006]A.用0.05~0.1%的高锰酸钾溶液，或者0.2%的百菌清浸泡基质5天，捞出晾晒后平铺于种植床上，控制基质厚度10~15cm ；
[0007]B.将霍山石斛幼苗取出，清水小心洗净根部，后用海藻进行包根；
[0008]C.按10~15 X 15~20cm的行距种植于A步骤的基质中；
[0009]D.种植后每2~5天浇水一次，操作按具体情况而定，每7天喷洒一次浓度为
0.12%的JT溶液，并喷洒防病用的杀菌剂或/和防虫用的杀虫剂，
[0010]E.霍山石斛的生长温度不超过35°C，湿度保持80%，10~15个月即可采收。
[0011]所述A步骤的高锰酸钾或百菌清均为市购商品。
[0012]所述B步骤的幼苗采用海藻包根。
[0013]所述D步骤的营养液为现有技术中的浓度为0.12%的JT溶液，其喷施量为常规量。
[0014]所述D步骤的杀菌剂或/和杀虫剂采用现有技术中的常规药剂，其用量为常规量。
[0015]本发明具有下列优点和效果:针对霍山石斛幼苗所具有的附生性这一特点，若使用普通基质移栽其成活率较低，而用水苔、木屑、腐植土等基质进行移栽，却又存在成本高，取材难，使用期限短，种植管理成本高，操作烦杂等难题，本发明采用取材容易、成本低、使用期限长的树皮碎屑和米心石作为种植基质，一则可充分利用树皮碎屑所具有的保水、保肥性好，密实度高等独特优点，使种植的石斛植株稳定，并有利于其健康生长，成活率高，同时能简化管理和操作，降低农民的劳动强度，降低种植成本，减轻农民的负担，增加农民收入，二则能使树皮碎屑这一废物得到充分利用，有效避免了其对环境造成的污染，利国利民，三则利用海藻包根可有效减少霍山石斛组织苗在栽培基质中的根系失水及机械损伤污染致死，同时保持较高的透气性，提高霍山石斛组织苗的成活率。
【具体实施方式】
[0016]下面结合实施例对本发明做进一步描述。
[0017]本发明提供的霍山石斛种植方法，是以树皮碎屑和米心石(质量比为2: I)为种植基质，并经过下列步骤:
[0018]A、用浓度为0.05%的高锰酸钾水溶液，浸泡基质5天，捞出晾晒后平铺于种植床上，控制基质厚度10~15cm;
[0019]B、将霍山石斛幼苗取出，清水小心洗净根部，后用海藻进行包根；
[0020]C、按10~15X 15~20cm的行距种植于树皮碎屑和米心石的基质中；
[0021]D、种植后每2~5天浇透水一次，操作按具体情况而定，每7天按常规量喷施一次浓度为0.12%的JT溶液，每2~3个月按40g/m2的量，并酌情喷洒防病用的稀释1000倍的甲基托布津水溶液杀菌剂，同时按每平方米5g的量喷洒防虫用的蜗克星杀虫剂，保证霍山石斛的生长温度不超过35°C，湿度保持80%，种植10个月即可收获。
【权利要求】
1.一种霍山石斛的种植方法，其特征在于以树皮碎屑和米心石为种植基质，并经过下列步骤: A.用0.05~0.1 %的高锰酸钾溶液，或者0.2%的百菌清浸泡基质5天，捞出晾晒后平铺于种植床上，控制基质厚度10~15cm ； B.将霍山石斛幼苗取出，清水小心洗净根部，后用海藻进行包根； C.按10~15X 15~20cm的行距种植于A步骤的基质中； D.种植后每2~5天浇水一次，操作按具体情况而定，每7天喷洒一次浓度为0.12%的JT溶液，并喷洒防病用的杀菌剂或/和防虫用的杀虫剂， E.霍山石斛的生长温度不超过35°C，湿度保持80%，10~15个月即可采收。
2.根据权利要求1所述的霍山石斛种植方法，其特征在于所述A步骤的高锰酸钾或百菌清均为市购商品。
3.根据权利要求1所述的霍山石斛种植方法，其特征在于所述B步骤为海藻包根。
4 .根据权利要求1所述的霍山石斛种植方法，其特征在于所述D步骤的营养液为JT，其喷施量为常规量。
5.根据权利要求1所述的霍山石斛种植方法，其特征在于所述D步骤的杀菌剂或/和杀虫剂采用现有技术中的常规药剂，其用量为常规量。
6.根据权利要求1所述的霍山石斛种植方法，其特征在于所E步骤为霍山石斛的适宜生长条件。
【文档编号】A01G31/00GK104012378SQ201310061776
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2013年2月28日 优先权日:2013年2月28日
【发明者】毛健, 姬中伟, 张敏, 牟穰, 阳志锐, 郭燕飞, 黎卫, 冯东阳, 巩丹, 刘芸雅 申请人:江南大学