一种芍药利用自然低温促成栽培方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及花卉花期调控技术领域，尤其是涉及一种芍药利用自然低温促成栽培 方法。
【背景技术】
[0002] 芍药是我国传统名花之一，历来被誉为"花相"，主要花期为4-6月，深受人们喜 爱。随着人们生活水平的提高和栽培技术的发展，"不时之花"-盆花芍药和切花芍药逐渐 上市，极大的丰富和满足了人们的需求。围绕日渐繁荣的芍药供求市场，国内外关于芍药的 促成栽培研究亦逐年递增，芍药需经春化作用才能开花，因此在芍药促成栽培研究中，通常 的做法是使用冷库冷藏来打破休眠促进萌发并提高成花率。然而使用冷藏手段使得芍药培 育过程中生产成本增加，劳动量加大等，导致花卉商品价格升高，不利于商品推广。
[0003] 我国赤峰市地处内蒙古中炜度地区，属中温带、半干旱、大陆性季风气候区。冬季 漫长而寒冷，春季干旱多大风，夏季短促炎热、雨水集中，秋季短促、气温下降快、霜冻降临 早。赤峰市年平均气温为〇_7°C。极端最低气温达-45. 5°C，极端最高气温37. 7°C。大部地 区年日照时数为2700-3100h。
[0004] 本发明针对赤峰地区寒冷的气候特点，突破传统的栽培技术，即冬季露地起苗激 素处理上盆之后直接移入温室管理，省去了冷藏的步骤，达到芍药促成栽培的目的，使得生 产成本和劳动量降低，推动芍药市场推广。
【发明内容】
[0005] 为了解决现有技术存在的问题，本发明的目的在于利用寒冷的气候特点，突破传 统的栽培技术，在冬季露地起苗激素处理上盆之后直接移入温室管理，省去了冷藏的步骤， 达到芍药促成栽培，使得生产成本和劳动量降低，推动芍药市场推广。
[0006] 本发明是通过下述技术方案来实现的：一种芍药利用自然低温促成栽培方法，包 括以下步骤：
[0007] (1)苗木准备：将4-5年生芍药苗9月到10月种植于地形平坦，排水良好的露地 中，期间平均温度为20-8Γ ;
[0008] (2)起苗：11月中旬到12月中旬，平均温度-15°C到_25°C，冻土层厚度为5-15cm， 将芍药苗于露地起苗，晾置5-7d ;
[0009] (3)激素处理：使用生根粉和赤霉素处理组合溶液处理芍药根部，先使用生根粉 溶液喷撒芍药根部至淋漓，待淋漓的根部稍干后往根部再喷撒赤霉素溶液亦至淋漓，其中 所选用的生根粉浓度为0_150mg/L，赤霉素浓度为0-300mg/L ;
[0010] (4)上盆：将激素处理后的芍药苗植入花盆中，将盆栽移入温室中置于温室庇荫 处养护，两天后浇透水，待1-2周盆栽芍药缓苗后将盆栽芍药置于温室正常光照处管理；
[0011] (5)温室培养：将盆栽芍药苗在温室中培养，芍药萌发后辅以补光、温湿度调节措 施。
[0012] 优选的，芍药栽培地区为赤峰地区。
[0013] 优选的，花盆底部放置粗粒基质和100g/盆的复合肥，花盆中栽培基质采用有机 质：园土 ：沙土= 1 : 3 : 2的比例配制，栽培基质放置于粗粒基质和复合肥之上。
[0014] 优选的，温室内补光时的光照强度为100W白炽灯照射，当芍药苗萌发后每天补光 至晚7点，每天光照不少于12h。
[0015] 优选的，温室内温度控制在15-25Γ，通过加温、通风透光控制温度。
[0016] 优选的，温室内湿度控制在15% -30%，通过通风透光控制。
[0017] 优选的，所述的芍药品种为'大富贵'。
[0018] 优选的，所选用的生根粉浓度为100mg/L，赤霉素浓度为200mg/L。
[0019] 本发明的有益效果是：本发明利用自然低温克服了芍药需冷库冷藏及冷库冷藏规 模受限、成本高、耗能多的问题，并且本发明操作简单，使用激素处理结合自然低温打破芍 药休眠状态，能够促进芍药生长、开花，为芍药盆花促成栽培提供了新途径。且该方法对场 地没有限制，可在任意空旷地实施，避免租用冷库，降低了成本，节能环保；本方法生产的 '大富贵'盆栽芍药，成活率均为100%，盆栽80-95d开花，株高30-50cm，花色和花型均正 常。
【附图说明】
[0020] 图1为芍药促成栽培过程株高变化图；
[0021] 图2为芍药促成栽培过程叶幅变化图；
[0022] 图3为芍药促成栽培过程茎粗变化图；
[0023] 图4为芍药促成栽培过程花茎变化图。
【具体实施方式】
[0024] 为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案能予以实施，下面结合附图 及具体实施例对本发明进一步说明，但所举实施例不作为对本发明的限定。
[0025] 实施例
[0026] -种芍药利用自然低温促成栽培方法，包括以下步骤：
[0027] (1)苗木准备：将4-5年生芍药苗9月到10月种植于地形平坦，排水良好的露地 中，期间平均温度为20-8Γ ;
[0028] (2)起苗：11月中旬到12月中旬，平均温度-15°C到-25°C，冻土层厚度为5-15cm， 将芍药苗于露地起苗，晾置5-7d ;
[0029] (3)激素处理：使用生根粉和赤霉素组合溶液处理芍药根部，先使用生根粉溶液 喷撒芍药根部至淋漓，待淋漓的根部稍干后往根部再喷撒赤霉素溶液亦至淋漓，共设6个 处理组，一个对照组，如表1所示，其中生根粉浓度为0-150mg/L，赤霉素浓度为0-300mg/ L ；
[0030] 表1生根粉和赤霉素处理组合
[0031]
[0032] (4)上盆：将激素处理后的芍药苗植入花盆中，盆底放置粗粒基质和100g/盆的复 合肥，花盆中栽培基质采用有机质：园土 ：沙土= 1 : 3 : 2的比例配制，栽培基质放置 于粗粒基质和复合肥之上，将盆栽芍药移入温室中置于温室庇荫处养护，两天后浇透水，待 1-2周盆栽芍药缓苗后将盆栽芍药置于温室正常光照处管理；
[0033] (5)温室培养：将植入花盆的芍药苗在温室中培养，辅以补光、温湿度调节措施。 其中，控制温室内补光时的光照强度为100W白炽灯照射，当芍药苗萌发后每天补光至晚7 点，每天光照不少于12h ;温室内温度控制在15-25Γ，通过加温、通风透光等措施控制温 度；温室内湿度控制在15% -30%，通过通风透光等措施控制。
[0034] 结合表1、附图1-4及实施例可看出，不同处理组芍药成活率均为100 %，激素处理 结合自然低温可打破芍药休眠，促成芍药栽培；处理组的芍药几乎同时萌动，与对照组相比 提前了 10-20d ;处理组萌发期仅为2-3d，对照组萌发期则为5-7d ;处理组总体物候期较对 照组提前15d ;其中S5、S6盆栽85d左右开花，S3在促成栽培90d左右开花，S5开花数较 多，花朵品质最佳。
[0035] 图1中可看出盆栽芍药株高范围为20-50cm，且对照组的株高大于大部分处理 组，这是因为激素处理打破休眠后对植物本身的生长有抑制作用，处理组的株高更适宜 盆栽观赏；图2中芍药叶幅增长整体趋势相同，处理组的总体株型较整齐；图3芍药植入 盆中后60d中植株生长过程中茎粗增长较快，进入张叶期后增长减缓，整体范围茎粗为 0. 4-0. 8cm;图4中S3、S5、S6处理组开花，S5、S6开花时间最早，其中S5开花数最多，花茎 最大，花朵品质最好。
[0036] 本发明操作简单，使用激素处理结合自然低温打破芍药休眠状态，能够促进芍药 提前开花，为芍药盆花促成栽培提供了新途径，且该方法对场地没有限制，可在任意空旷地 实施，避免租用冷库，降低了成本，节能环保。
[0037] 以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保 护范围不限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内，可显而易 见地得到的技术方案的简单变化或等效替换，均属于本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) 苗木准备：将4-5年生芍药苗9月到10月种植于地形平坦，排水良好的露地中，期 间平均温度为20-8°C; (2) 起苗：11月中旬到12月中旬，平均温度-15°C到-25°C，冻土层厚度为5-15cm，将 芍药苗于露地起苗，晾置5-7d; (3) 激素处理：使用生根粉和赤霉素组合溶液处理芍药根部，先使用生根粉溶液喷撒 芍药根部至淋漓，待淋漓的根部稍干后往根部再喷撒赤霉素溶液亦至淋漓，其中所选用的 生根粉浓度为0_150mg/L，赤霉素浓度为0-300mg/L; (4) 上盆：将激素处理后的芍药苗植入花盆中，将盆栽移入温室中置于温室庇荫处养 护，两天后浇透水，待1-2周盆栽芍药缓苗后将盆栽芍药置于温室正常光照处管理； (5) 温室培养：将盆栽芍药苗在温室中培养，芍药萌发后辅以补光、温湿度调节措施。2. 根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，所述芍 药栽培地区为赤峰地区。3. 根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，花盆 底部放置粗粒基质和l〇〇g/盆的复合肥，花盆中栽培基质采用有机质：园土 ：沙土 = 1 : 3 : 2的比例配制，栽培基质放置于粗粒基质和复合肥之上。4. 根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，所述温 室内补光时的光照强度为100W白炽灯照射，当芍药苗萌发后每天补光至晚7点，每天光照 不少于12h。5. 根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，所述温 室内温度控制在15-25 °C，通过加温、通风透光控制温度。6. 根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，所述温 室内湿度控制在15% -30%，通过通风透光控制。7. 根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，所述的 苟药品种为'大富贵'。8. 根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法，其特征在于，所选用 的生根粉浓度为l〇〇mg/L，赤霉素浓度为200mg/L。
【专利摘要】本发明涉及一种芍药利用自然低温促成栽培方法，包括以下步骤：将芍药苗9月到10月种植于地形平坦，排水良好的露地中，期间平均温度为20-8℃；11月中旬到12月中旬，平均温度-15℃到-25℃，冻土层厚度为5-15cm时，将芍药苗于露地起苗，晾置5-7d；使用生根粉和赤霉素处理组合溶液处理芍药根部，其中所选用生根粉浓度为0-150mg/L，赤霉素浓度为0-300mg/L；将激素处理后的芍药苗植入花盆中，将盆栽移入温室；将植入花盆的芍药苗在温室中培养，辅以补光、温湿度调节措施。本发明使用激素处理结合自然低温打破芍药休眠状态，能够促进芍药提前开花，为芍药盆花促成栽培提供了新途径，且该方法对场地没有限制，避免租用冷库，降低了成本，节能环保。
【IPC分类】A01G7/06, A01G1/00
【公开号】CN105325153
【申请号】CN201510744801
【发明人】赵雪梅, 梁晨霞, 于晓玉
【申请人】赤峰学院
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年10月31日