一种早花忍冬的离体快繁方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于植物组织培养领域，具体设及一种早花忍冬的离体快繁方法。
【背景技术】
[0002] 早花忍冬化onicera praeflorens Batalin)是忍冬科（Caprifoliaceae)忍冬属 落叶灌木。主要分布于我国东北Ξ省的东南部，俄罗斯(远东地区）、朝鲜、日本也有分布。早 花忍冬四月中下旬花先于叶开放，成对生于总花梗上，淡紫色，在早春时节突显淡雅别致的 韵味。该树种枝叶茂盛，开花早，果实成熟早，绿叶衬托着红果，甚是美观。能弥补东北地区 早春时节的萧条景象，延长城市的绿化时间，丰富早春时节绿化景观，是一种具有开发价值 的优良绿化树种。
[0003] 忍冬属植物具有清热解毒、保肝利胆、抗氧化、提高免疫力等功效。其花蕾和果实 中还含有人体必需的微量元素、氨基酸和其它一些营养成分，具有营养保健价值。今后有待 进一步分析早花忍冬的化学成分及药理药效作用，可W考虑作为金银花的代用资源或开发 为新的药用资源，满足医疗需求。早花忍冬叶片表面密被绒毛，具有很强的滞尘能力，同时 经试验得出早花忍冬还具有很强的杀菌能力，适宜种植在厂矿、医院、街道等场所，能起到 较好的净化效果。目前，早花忍冬主要采用杆插繁殖，而种子繁殖比较困难，野生资源数量 少不能满足实际需要，因此开展其组织培养技术的研究显得尤为迫切。
[0004] 早花忍冬具有很高的生态效益和经济价值，但目前现存野生资源数量少，因此培 育大量优质苗木势在必行。目前早花忍冬主要靠杆插的方法繁殖，但受插穗来源和季节限 审IJ，生长速度慢。因此，有必要建立一种早花忍冬的离体快繁方法，为其良种快速繁育提供 技术支撑和保障，从实践上为园林绿化快速培育苗木解决技术上的难题。
【发明内容】
[000引本发明的目的在于提供一种早花忍冬离体快繁方法，通过外植体选择及消毒、启 动诱导培养、增殖培养、生根诱导培养、炼苗移栽等过程实现早花忍冬的离体快繁，从而实 现了本发明的目的。
[0006]本发明提供一种早花忍冬离体快繁技术，包括W下步骤： (1) 外植体的消毒及初代培养:选择生长健壮、无病虫害的当年萌发的幼嫩枝条为外植 体，先用流水冲洗化，然后加入洗洁精浸泡lOmin，再用2.0%化化0处理20min，无菌水冲洗3 次。将嫩枝修剪成1cm左右带芽茎段接种于启动诱导培养基上，置于每天光照10~12h，光照 强度约为20001X，培养溫度为23~25°C条件下培养，直至诱导蔽芽萌发生长； (2) 继代增殖培养:将蔽芽萌发生长的芽苗转入增殖培养基上进行继代增殖培养，置于 每天光照12小时，光照强度为20001X，培养溫度为23~25°C条件下培养，直至蔽芽萌发； (3) 生根诱导培养:将高度约为3cm的生长健壮的无根苗接种到生根培养基上进行生根 诱导，置于每天光照12小时，光照强度为2000~25001X，培养溫度为23~25°C条件下培养 至生根； (4)炼苗移栽：早花忍冬在生根培养基中培养30~35d后，挑选生长健壮、根系发达的 组培苗，先打开封口膜置于自然光照下炼苗3~5d,然后用清水洗净根部残留的培养基， 移栽到已消毒的含有等量珍珠岩和赔石的基质中。
[0007]上述步骤（1)所述的启动培养基为MS + 1 .Omg/L 6-BA(6 -节氨基腺嚷岭）+ 0.05mg/L NAA(糞乙酸)+30g/L薦糖Wg/L琼脂粉或MS+0.5mg/L 6-BA +30g/L薦糖巧g/L琼 脂粉，pH值为5.8。培养30d，蔽芽萌发并伸长生长至3.5cm左右。
[000引上述步骤（2)所述的增殖培养基为MS+2.0mg/L 6-BA+0.05~O.lmg/L NAA+30g/L 薦糖Wg/琼脂粉，pH值为5.8，增殖系数平均为6.5，继代周期为40d。
[0009] 上述步骤(3)所述的生根培养基为l/2MS+0.3mg/L IBA+0.3mg/L NAA+15g/L薦糖+ 7g/L琼脂粉，pH值为5.8。生根培养40d后，平均生根数量为5，根长约3cm，生根率达100%。
[0010] 上述步骤(4)移栽前将基质用0.3%高儘酸钟溶液淋透消毒，然后再用清水冲淋3~ 5遍。移栽前期覆盖塑料薄膜保湿并用遮荫网适当遮阴，每天喷雾2次，每隔5天喷施800倍多 菌灵杀菌溶液，移栽后期逐渐降低湿度，增加光照。移栽15d左右长出新根，移栽成活率达 85% W上。保证溫湿度平衡和光照需求是移栽成功的关键。
[0011] 本发明的有益效果：1.本发明为早花忍冬优质种苗的快速繁殖提供一条有效途 径，弥补了种子繁殖难的问题。
[0012] 本发明采用植物组织培养技术，培养条件可控，重复性强，可周年生产。本发明通 过诱导蔽芽萌发的途径，既保持了母株的优良遗传特性又可在短时间内繁育大量苗木。本 发明具有增殖系数高、生根时间短、根系发达、移栽成活率高、生长周期短等特点，大大提高 了早花忍冬的育苗效率，利于工厂化生产。
【具体实施方式】
[0013] 下面通过实施例对本发明进行具体描述，有必要在此指出的是W下实施例只是用 于对本发明进行进一步的说明，不能理解为对本发明保护范围的限制。
[0014] 实施例1 1.无菌培养体系的建立 5月初剪取早花忍冬当年萌发的嫩枝，先用流水冲洗化，然后修剪掉叶片，再加入洗洁 精浸泡10 min,用流水冲洗干净。最后置超净工作台上分别采用W下巧巾处理筛选适宜的灭 菌方法。
[001引第1种为0.1 %升隶浸泡5min，无菌水冲洗6次； 第巧巾为0.1 %升隶浸泡7min，无菌水冲洗6次； 第巧巾为2.0 %次氯酸钢浸泡20min，无菌水冲洗3次。
[0016]将长约1cm带芽的茎段接种于MS空白培养基，每种处理接种60瓶，3次重复。培养 30d统计污染率和成活率。污染率(％)=污染的外植体数/接种的外植体总数X 100%;成活率 (%)=鲜绿的无菌外植体数/接种的外植体总数X 100%。
[0017] 表1不同处理的灭菌效果
2.初代培养 WMS培养基为基本培养基，剪取约1cm带芽的幼嫩茎段接种到W下4种不同培养基，每 种培养基均添加7g/L琼脂粉，30g/L薦糖，pH值均为5.8。
[0018] 1. MS+0.5mg/L 6-BA 2. MS+l.Omg/L 6-BA 3. MS+l.Omg/L 6-BA+O.05mg/L NAA 4. MS+l.Omg/L 6-BA+O.lmg/L NAA 培养30天后观察，早花忍冬启动培养对生长素浓度的要求比较低，只添加细胞分裂素 6-BA就可W诱导蔽芽萌发生长，细胞分裂素和生长素配合使用诱导分化效果更好，但随生 长素浓度升高，蔽芽萌发时间长，生长慢。生长素浓度在〇.〇5mg/L时生长迅速，分化率达 93.3%;当生长素浓度达到O.lmg/L时蔽芽生长缓慢且茎基部形成致密的黄绿色愈伤组织。
[0019] 3.增殖继代培养 将启动培养获得的无菌苗转接到W下巧巾增殖培养基。每种培养基均添加7g/L琼脂， 30邑/1薦糖，口巧直均为5.8。
[0020] 1. MS+2.0mg/L 6-BA+0.05mg/L NAA 2. MS巧.Omg/L 6-BA+O.Img/L NAA 3. MS+3.0mg/L 6-BA+O.05mg/L NAA 培养40 d后得出：当6-BA浓度为2.0 mg/L时，早花忍冬的蔽芽分化增殖快，但随NAA浓 度升高蔽芽分化率降低。当6-BA浓度为3.0 mg/L时，外植体基本不分化，甚至干枯而死。NAA 浓度达到0.1 mg/L时，外植体基部即形成致密的绿色的愈伤组织。
[0021 ] 4.生根培养 选择增殖培养中生长比较健壮的无菌苗，剪取2~3cm无菌苗接种到W下4种培养基中， 每种培养基均添加7g/L琼脂，15g/L薦糖，pH值均为5.8。
[0022] l.l/2MS+0.5mg/L IBA 2.1/2MS+0.5mg/L NAA 3.1/2MS+0.3mg/L NAA+0.3mg/L IBA 4.1/2MS+0.5mg/L NAA+0.5mg/L IBA 培养40天，观察并统计不同处理的生根率、生根数量及长度。
[0023] 植物生长素对早花忍冬生根的影响
炼苗与移栽 挑选生长健壮、根系发达的组培苗，打开封口膜，先在室内散射光条件下培养3 d，然 后用綴子将试管苗从培养瓶中取出，洗净根部残留的培养基，移栽到含有等量珍珠岩和 赔石的基质中。移栽前将基质用0.3%高儘酸钟溶液淋透消毒，然后用清水冲淋3~5遍。
[0024]移栽后7~lOd覆盖塑料薄膜保湿并用遮荫网适当遮阴，每天喷雾2次，随后逐渐降 低湿度，增加光照。15d左右长出新根，移栽成活率达85 % W上。
【主权项】
1. 一种早花忍冬的离体快繁方法，其特征在于包括以下步骤： (1) 外植体的消毒及初代培养:选择生长健壮的无病虫害的当年萌发的幼嫩枝条为外 植体，先用流水冲洗lh，然后加入洗洁精浸泡10min，再用2.0%NaCLO处理20min，无菌水 冲洗3次；将嫩枝修剪成lcm左右带芽茎段接种于启动诱导培养基上，置于每天光照10~ 12h，光照强度约为20001X，培养温度为23~25°C条件下培养，直至诱导腋芽生长； (2) 继代增殖培养:将腋芽萌发生长的芽苗转入增殖培养基上进行继代增殖培养，置于 每天光照12小时，光照强度为20001x，培养温度为23~25°C条件下培养，直至腋芽萌发，继 代周期为40d; (3) 生根诱导培养:将高度约为3cm的生长健壮的无根苗接种到生根培养基上进行生根 诱导，置于每天光照12小时，光照强度为2000~25001x，培养温度为23~25°C条件下培养 至生根； (4)炼苗移栽：早花忍冬在生根培养基中培养30~35d后，挑选生长健壮、根系发达的 组培苗，先打开封口膜置于自然光照下炼苗3~5d，然后用清水洗净根部残留的培养基， 移栽到已消毒的含有等量珍珠岩和蛭石的基质中。2. 根据权利要求1所述的一种早花忍冬的离体快繁方法，其特征在于步骤（1)所述的初 代培养基为:MS+1 · Omg/L 6-BA+0 · 05mg/L NAA+30g/L蔗糖+7g/L琼脂粉或MS+0 · 5mg/L6-BA +30g/L蔗糖+7g/L琼脂粉，pH值为5.8。3. 根据权利要求1所述的一种早花忍冬的离体快繁方法，其特征在于步骤(2)所述的增 殖培养基为13+2.011^/16-84+0.05~0.111^/1嫩4++3(^/1蔗糖+78/1琼脂粉，？!1值为5.8。4.根据权利要求1所述的一种早花忍冬的离体快繁方法，其特征在于步骤(3)所述的生 根培养基为l/2MS+0.3mg/L IBA+0.3mg/L NAA +15g/L蔗糖+7g/L琼脂粉，pH值为5.8。
【专利摘要】本发明属于植物组织培养领域，提供了一种早花忍冬的离体快繁方法。本发明以早花忍冬的幼嫩茎段为外植体，以MS为基本培养基，添加植物生长调节剂6-BA、NAA诱导腋芽萌发生长，再经继代增殖培养、生根诱导及炼苗移栽，可在短时间内获得大量再生植株。本发明为早花忍冬优质种苗的快速繁殖提供一条有效途径，其增殖系数较高,诱导生根率高，易移栽成活。在很大程度上满足东北地区早春园林绿化美化的需求，为进一步综合开发利用奠定基础。
【IPC分类】A01H4/00
【公开号】CN105454046
【申请号】CN201510944485
【发明人】王欢, 王志, 杜凤国
【申请人】北华大学
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年12月17日