一种太空椒畸形果预防的新技术的制作方法
【专利说明】一种太空椒畸形果预防的新技术
[0001]
技术领域
[0002]本发明涉及蔬菜种植领域，具体的说是一种太空椒畸形果预防的新技术。
【背景技术】
[0003]目前在蔬菜大棚中种植太空椒，畸形果较多，植株上畸形果主要表现为果实个头小，果形扁圆，里面几乎无种子或种子发育，后随着生长果实颜色变黄并最终脱落，导致产量和品质下降，严重影响了种植户的增收。
【发明内容】
[0004]本发明为解决太空椒出现畸形果的技术问题，发明一种太空椒畸形果预防的新技术。
[0005]本发明为解决上述技术问题，所采取的技术方案，一种太空椒畸形果预防的新技术，其特殊之处是包括以下过程:
1、要注意控制温度。太空椒花期应注意避免大棚内的气温及地温过低，影响开花授粉坐果，尽可能将棚室温度白天控制25-28°C，夜间控制在13-18°c，为花器的发育创造有利环境条件。
[0006]2、要注意补肥。植株体内缺乏硼肥会导致开花坐果不良，容易出现畸形果，因此要在开花前后注意喷洒含有硼的叶面肥，如硼砂等。同时，太空椒进入结果期后，需求钾肥量加大，因而在施肥时一定要增加钾肥的使用，避免因钾肥供应不足出现畸形果。
[0007]3、注意控制植株长势。春季随着气温的升高,植株营养生长容易出现过旺,营养生长过剩，则生殖生长不足，易出现畸形果。若植株营养生长过旺，在合理调控棚室温湿度的前提下，可喷施助壮素750倍或矮壮素1500倍进行控制。
[0008]技术效果
本发明的技术效果是，采用上述技术方案，可以实现预防太空椒畸形果的成果，这种方式不仅便于操作，而且可以有效减少太空椒出现畸形果，对于太空椒高产有着很好效果。
【具体实施方式】
[0009]1、要注意控制温度。尽可能将棚室温度白天控制25_28°C，夜间控制在13_18°C，为花器的发育创造有利环境条件。
[0010]2、要注意补肥。在开花前后注意喷洒含有硼的叶面肥，如硼砂等，太空椒进入结果期后，需求钾肥量加大，因而在施肥时一定要增加钾肥的使用，避免因钾肥供应不足出现畸形果。
[0011]3、注意控制植株长势。若植株营养生长过旺，在合理调控棚室温湿度的前提下，可喷施助壮素750倍或矮壮素1500倍进行控制。
【主权项】
1.一种太空椒畸形果预防的新技术，其特殊之处是包括以下过程:控制温度，白天控制25-28°C，夜间控制在13-18°c，开花前后注意喷洒含有硼的叶面肥，注意控制植株长势，若植株营养生长过旺，在合理调控棚室温湿度的前提下，可喷施助壮素750倍或矮壮素1500倍进行控制。
【专利摘要】一种太空椒畸形果预防的新技术，其特点是通过控制温度，补肥，注意控制植株长势等过程，可以实现预防太空椒畸形果的成果，对于太空椒高产有着很好效果，适应于太空椒畸形果预防。
【IPC分类】A01G1/00
【公开号】CN105580598
【申请号】CN201410570598
【发明人】于辉
【申请人】于辉
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月24日