具有用于磁起动开关的窗口的磁屏蔽aimd外壳的制作方法

专利名称：：具有用于磁起动开关的窗口的磁屏蔽aimd外壳的制作方法
技术领域：
：本发明通常涉及包括电磁屏蔽的有源可植入医疗设备(AIMD，activeimplantablemedicaldevice)。更具体地说，本发明涉及用于由材料构成和/或具有为内部电路提供电磁屏蔽的涂层的AIMD的外壳。另外，外壳包括穿过部分磁屏蔽的窗口，允许通过与静磁相互作用而起动簧片开关、霍尔效应嵌入遥测线圈或其它磁起动设备。
背景技术：
：大多数AIMD的电路容易受到由磁共振成像(MRI，magneticresonanceimaging)机或与MRI机类似的生成磁场的其它设备所生成的磁场的影响。因此，使用AIMD的某些病人不能经受MRI过程。没有适当的屏蔽，这些磁场将干扰和可能使AIMD中的电路不能操作。有论述与MRI机的兼容性和需要AIMD与诸如由MRI机生成的磁场的兼容性的许多专利。这些专利包含各种主题，包括需要保护植入的引线，以及需要保护AIMD，诸如心脏起搏器。转让给JohnsHopkinsUniversity的U.S.专利No.5,217,010描述了有关电屏蔽外壳的多个实施例。U.S.专利No.5,217,010的图17示例说明了这样一种外壳，包括复合层(compositelayer)302、304，并描述了屏蔽组件作为防止在内部起搏器电路内感应电流的连续非磁性金属外壳。所有当前钛外壳执行这种功能。在U.S.专利No.5,217,010中公开的屏蔽外壳为单层或如图17所示由迭层构成，其中，迭层外壳包含交替的金属和绝缘层。U.S.专利No.5,217,010描述了图17，具有金属层302、306和310以及绝缘层304、308和312。根据U.S.专利No.5,217,010，该实施例降低由起博器/感应电极和起博器的外壳之间流动的电流引起的热和对适当的起博器功能的其它干扰。分层外壳将先前存在的钛外壳分成隔离层，从而降低在强磁场情况下的电流损耗。U.S.专利No.5,217,010中的结构的主要目的是降低曝露于磁场期间的外壳热量。一些研究已经表明通过当前MRI技术，热量通常不是问题。因此，一定程度的热是可接受的甚至需要，以便防止MRI场能量到达AIMD内的敏感电路。期望在MRI过程期间，AIMD的屏蔽外壳不加热超出2℃-3℃。超出3℃的温度上升对病人来说会变得相当不舒服以及可能导致损坏附近的组织。因此，期望应用各种密度和各种磁性和材料属性的磁屏蔽涂层以及控制其厚度以便仅允许可接受的热量，但不会导致不舒服或损坏病人组织的太多热的方法。有描述磁屏蔽、屏蔽导线或外壳的多个其它专利，包括U.S.专利6,506,972；5,540,959；6,673,999；6,713,671；6,760,628；6,765,144；6,815,609；6,829,509和6,901,290。U.S.专利No.6,506,972描述了用如在该发明中描述的纳米磁性材料覆盖的磁屏蔽导线组件。在U.S.专利6,506,972中没有描述有源可植入医疗设备的外壳的涂覆或屏蔽。U.S.专利No.5,540,959描述了用于制备产生颗粒喷雾的涂覆衬底的过程。U.S.专利No.6,673,999是U.S.专利No.6,506,972的部分延续，其针对引线和相关组件的涂层和保护。U.S.专利No.6,713,671描述了包含衬底和屏蔽的屏蔽组件。其主要描述了磁屏蔽涂层。如U.S.专利No.6,713,671的图1a所示，存在纳米磁材料涂覆、热处理，然后是绝缘材料涂覆。在图29中，示出了屏蔽磁场和/电场的复合屏蔽组件。还描述了各种材料。在列28、行35和列30、行55中，U.S.专利No.6,713,671描述了各种特征。屏蔽3004的描述是它“被置于衬底3002之上。如在此所使用的，术语‘在...上’是指屏蔽被置于电磁辐射源3006和衬底3002之间。屏蔽3004由纳米磁材料3008的约从1至约99重量百分比组成，在该说明书中的其它地方描述了这种纳米磁材料及其属性。”列28，行65至列29，行4。列29，行9-17陈述了“再参考图29，以及在此所述的优选实施例中，将看到屏蔽3004还由最好具有从约1微欧姆至约1×1025微欧姆～厘米的电阻率的另一材料3010组成。这种材料3010最好以从约1至约99重量百分比，以及最好，从约40至约60重量百分比的浓度存在于屏蔽中。”本发明进一步描述了所述材料3010作为碳纳米管材料。U.S.专利No.6,760,628主要针对处理MRI的屏蔽光纤系统。U.S.专利No.6,765,144描述了用于将可植入医疗设备屏蔽于高频辐射的效应和MRI信号的组件。该组件包括可植入医疗设备和由位于医疗设备和高频辐射之间的纳米磁材料组成的磁屏蔽。U.S.专利No.6,765,144描述了图24，25，26，描述了使用各种纳米材料的分层磁屏蔽。然而，U.S.专利No.6,765,144未公开作为其组件一部分的连续金属电磁屏蔽。U.S.专利No.6,815,609与U.S.专利No.6,765,144非常类似之处在于，磁屏蔽的衬底组件包括衬底和位于衬底上的磁屏蔽。关于U.S.专利No.6,765,144的上述说明也适用于U.S.专利No.6,815,609。U.S.专利No.6,829,509公开了电磁免疫组织侵入系统，其主要是一种具有电屏蔽电导线系统的一些描述的光纤系统。在本发明上下文中，U.S.专利No.6,829,509的特征没有一个有用。U.S.专利No.6,901,290公开了一种电磁免疫组织侵入系统，包括包含在具有电磁屏蔽的主外壳内的控制电路。在U.S.专利No.6,901,290中公开的屏蔽是金属套、碳复合套，或聚合物复合套，其目的是将主设备外壳和其中的任何电路屏蔽于电磁干扰。另外，引线系统可包括多个电引线，每个引线具有在其周围的类似屏蔽，防止电引线传导杂散的电磁干扰。除了屏蔽外或代替屏蔽，每个电引线可以包括由适合于过滤出预定频率的电磁干扰的电容和电感滤波元件组成的电滤波器。在任一实施例中，屏蔽具有生物适应表面，诸如不可渗透抗扩散生物适应材料。屏蔽能由各种复合材料制成，以便在主外壳周围提供电磁屏蔽。这种材料的例子是金属屏蔽或聚合物或碳复合材料，诸如碳福乐烯(fullerene)。因此，需要设计和结构更简单的、具有改进的电磁屏蔽的AIMD，以便需要更少空间和费用，同时适当地将内部电路屏蔽于电磁场以及允许有意起动这种AIMD内的簧片开关、霍尔效应器件、嵌入遥测线圈或其它磁起动设备。本公开发明实现这些需要和提供其它相关优点。
发明内容本发明旨在具有防磁场的改进屏蔽的有源可植入医疗设备(AIMD)。具体地，本发明是一种AIMD，包括外壳，该外壳具有贯穿引线的端子；位于所述外壳内的磁起动设备；以及与所述外壳相邻设置的磁屏蔽，用于使所述外壳的内部屏蔽于所述外壳的外部所产生的磁场，所述磁屏蔽包括与所述磁起动设备相邻的窗口。所述外壳包括提供电屏蔽的材料，例如钛。所述磁屏蔽包括施加到所述外壳的内表面的涂层。所述涂层包括含铁涂料(ferrouspaint)、镀镍(nickelplating)、镍涂层、纳米材料、μ合金(Mu-metal)材料或包含磁偶极子的纳米材料的溶胶凝胶(sogel)或膏剂(slurry)。磁起动设备是簧片开关(reedswitch)、霍尔效应设备、嵌入遥测线圈、低频遥测线圈、紧密耦合的皮下电池再充电电路等等。子外壳覆盖所述磁屏蔽窗口以便所述磁起动设备位于所述窗口和所述子外壳之间。所述子外壳包括电屏蔽，例如钛，并包括由施加到子外壳的内表面上的涂层组成的辅助磁屏蔽。与磁屏蔽涂层相同，所述辅助磁屏蔽涂层包括亚铁涂料、镀镍、镍涂层、纳米材料、μ合金材料或包含磁偶极子的纳米材料的溶胶凝胶或膏剂。所述端子包括贯穿所述引线的绝缘体和端子磁屏蔽。所述端子磁屏蔽包括所述绝缘体内的非磁电极，所述非磁电极包括镍电极。所述AIMD包括心脏起搏器、植入除纤颤器、充血性心力衰竭设备、听觉植入片、耳蜗植入片、神经刺激器、药物泵、心室辅助设备、胰岛素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系统、深脑部刺激器、人造心脏、失禁设备、迷走神经刺激器、骨生长刺激器、胃起博器或修复设备(prostheticdevice)。根据优选实施例的下述详细描述，对本领域的技术人员来说，本发明的这些和其它方面将是显而易见的。附图示例说明本发明。在这些图中图1是根据本发明，具有外壳和连接器框的AIMD的等比例视图。图2是根据本发明，具有磁涂层和窗口的外壳的一半的等比例视图。图3是包括绝缘体的本发明的AIMD中安装的端子的截面图。图4是图3所示的端子的截面图，描述了嵌入绝缘体内的磁屏蔽电极板。图5是图3所示的端子的截面图，描述了到达绝缘体的边缘的磁屏蔽电极板。图6是图2所示的外壳的一半的等比例视图，包括附着在磁窗口上的磁起动设备和这种设备上的子外壳的剖视图。图7是用于用在本发明中的磁起动设备的子外壳盖的另一实施例的内部的等比例视图。图8是用于用在本发明的磁起动设备的子外壳的另一实施例的等比例视图。具体实施例方式本发明针对有源可植入医疗设备(AIMD)，诸如心脏起搏器、植入除纤颤器、充血性心力衰竭设备、听觉植入片、耳蜗植入片、神经刺激器、药物泵、心室辅助设备、胰岛素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系统、深脑部刺激器、人造心脏、失禁设备、迷走神经刺激器、骨生长刺激器、胃起博器或修复术设备。这些AIMD的外壳由向AIMD中的内部部件提供电磁屏蔽的材料组成和/或具有向AIMD中的内部部件提供电磁屏蔽的涂层。另外，外壳包括未屏蔽的区域或窗口，通过部分磁屏蔽，允许穿过磁场，以通过与静磁的交互作用，来起动簧片开关、霍尔效应设备、嵌入的遥测线圈、低频遥测线圈、紧密耦合的皮下电池再充电电路或其它磁起动设备。图1是具有AIMD外壳20和连接器外壳30的典型AIMD10的等比例视图。AIMD外壳20可以包括单个单元，或如图1所示，可以由两个一半部分22，24组成，该两个一半部分激光焊接在一起以便将各种电子电路气密地密封在内部。AIMD外壳20通常由钛、不锈钢、陶瓷或其它生物适应材料组成。如在当今使用的大多数AIMD中，AIMD外壳20由钛组成，以及两个一半部分22、24通过密封焊缝26接合。AIMD外壳20与现有技术，包括如在U.S.专利No.5,217,010、6,713,671和6,901,290中所公开的那些现有技术有区别。AIMD外壳20始于已知屏蔽，即钛、不锈钢或类似的外壳，其中，连续金属表面提供对高频电场的屏蔽。然而，AIMD外壳20引入通过将新颖磁屏蔽涂层28添加到AIMD外壳20的内表面而产生的双层电磁场屏蔽组件。这会并入多个交替层；然而，因为与这些技术有关的最后处理，优选实施例仅包括一个电屏蔽层和一个磁屏蔽层。再次参考图1，有本领域非常公知，通过其箍34激光焊接(见接缝36)到AIMD外壳20的密封端子32。图1描述具有至普通IS-1、DF-1或IS-4连接器块40的引线38的四极性馈通端子32。引线38的数量仅是一个例子以及能在1至8至12或甚至更大间改变。如所示，期望在AIMD外壳20中具有电和磁两者的屏蔽。特别地，本发明的屏蔽属于提供电和磁屏蔽两者的AIMD外壳20中的复合或双层屏蔽。电屏蔽具有非常低的电阻率以及通常为金属。即，对可来自微波炉、无线电话等的高频发射器提供良好的抗扰度。由钛或具有类似属性的其它材料制成的AIMD外壳20对高频电场提供所需阻抗在本领域是非常公知的。具有类似属性的其它材料包括通常具有从约0.001微欧姆～厘米至约1×104微欧姆～厘米的电阻率的材料。本发明屏蔽，磁屏蔽28的第二部分通常具有以下属性约0.5至约40,000高斯的饱和磁化、约0.001至约10,000orsteds的矫顽力、从约0.18至约600,000的相对磁导率和多种平均粒度。例如，U.S.专利6,713,671描述了一种这种材料以及其它。然而，AIMD可以暴露于和被低频或静态磁场损坏。如在此所述，磁共振成像(MRI)设备产生非常强大的低频或静态磁场。现有技术公知的钛外壳对这种磁场是透明的并且不保护AIMD的内部电路。因此，在包括磁屏蔽和/或磁吸收材料的AIMD外壳20上提供磁屏蔽28是一个新颖特征。这些材料能包括含铁涂料，其中，通过涂敷、镀、喷射、丝网印制等等，应用包含磁粉，诸如镍、纳米材料、μ合金材料等等的涂料。磁屏蔽28还可以用作包含磁偶极子的纳米材料的溶胶凝胶或膏剂。在所有上述方法中，磁屏蔽28通常应用于AIMD外壳20的内部，因为镍或其它黑色金属通常不是生物适合的。即，需要防止它们以及包含在AIMD10内的其它敏感电子部件暴露于体液。然而，本发明还预期将这种磁屏蔽28放在外壳20的外部。另外，本发明还预期使用提供抗电磁场的交替屏蔽层。然而，本说明书描述了使用包括用于电阻的钛AIMD外壳20和用于磁阻的新颖磁屏蔽28的双层结构的优选实施例。U.S.专利Nos.5,540,959、6,673,999和6,765,144的公开内容在此包括为能用来制备用于AIMD外壳20的磁屏蔽28的多个方法。磁屏蔽28的应用可以在成分、密度、应用的厚度和其它各种磁和材料属性方面改变以便控制磁阻的效果。上述属性的变化试图具有吸收一些入射磁场66的效果，从而在AIMD外壳20中产生一些热度。由AIMD外壳20吸收入射磁场的事实防止了入射磁场能量66达到设备10内的敏感电路。期望在MRI过程期间，将外壳20的热度限制到不超出2℃至3℃。超过2℃至3℃的升温可能导致病人不舒服以及可能导致损坏附近的身体组织。通过采用磁吸收材料作为磁屏蔽28，AIMD外壳20谨慎地在设备10中产生一些热。改变磁屏蔽28的厚度和成分的方法在MRI过程或暴露于类似磁场期间，导致AIMD外壳20的受控热量。参考图2，能更好地理解将磁屏蔽28应用于AIMD外壳20的内部(示出第一半个部分22-未示出第二半个部分24)。使磁屏蔽28覆盖AIMD外壳20或其两个半部分22、24的整个内表面。在图1，2和6中，部分AIMD外壳20的一部分不具有磁屏蔽28，产生穿过磁屏蔽28的未屏蔽部分或窗口18。窗口18可以在AIMD外壳20或任一半部分22、24上的任何地方。为描述目的，窗口18将被描述为第一半部分22的部分。该窗口18对允许与通常包括在心脏起博器和可植入除纤颤器(ICD)或其它AIMD中的磁起动设备52，诸如簧片开关或类似设备通信来说很重要。其它磁起动设备52包括霍尔效应设备、嵌入的遥测线圈、低频遥测线圈、紧密耦合的皮下电池充电电路等等。许多AIMD包含这种磁起动设备52，其中医生、急救医师或甚至病人能将静磁放在AIMD上并使得磁起动设备52起动，即关闭簧片开关。起动磁起动设备，诸如簧片开关使起博器切换到所谓的非同步起博或固定速率起博模式。因此，当预期AIMD外壳20的磁屏蔽时，必须提供仍然可以起动磁起动设备52是非常重要的。除了用于起博器和ICD的簧片开关外，还有其它的AIMD可以包括需要通过暴露于磁场来起动的磁起动设备52。因此，如在此所述的磁窗口18不限于与簧片开关通信-其能证明对本领域的技术人员显而易见的各种应用有用。在屏蔽的AIMD外壳20中提供窗口18是有问题的，因为这提供穿过AIMD外壳20的磁屏蔽28的通道，其中，来自MRI过程或其它的磁场可以进入AIMD外壳20并到达对这种磁场敏感的内部电路并干扰、过热或甚至损坏某些电路。图6示例说明了先前与示出直接经过磁窗口18连接的磁起动设备52一起描述的第一半部分22。磁起动设备52的剖视图描述了引出设备52的两条引线54。存在在冲压或成型的子外壳58中提供的孔56，以便引线54能从磁起动设备52到AIMD10的其它电子电路引入和引出。子外壳58具有与AIMD外壳20类似的磁屏蔽60很重要。子外壳58具有与AIMD外壳20类似的电屏蔽也很重要。不能提供任何一种将意味着AIMD10将变得对高频电场或低频磁场敏感。因此，密封磁起动设备52和覆盖磁窗口18的子外壳58，如图6所示，包含上面对AIMD外壳20阐述的所有屏蔽特征也很新颖。即，子外壳58最好由涂有如所述的磁屏蔽60的金属，诸如钛、不锈钢、铜等等制成。除磁屏蔽60外，用具有本领域非常公知的电屏蔽62的塑料来代替金属(钛、不锈钢、铜等等)也是可能的。这种电62和磁60屏蔽可以在子外壳58的内部或外部上，将一种应用于另一种之上。现在参考图7，能看出提供与设备52分离的、用于覆盖磁起动设备52的磁60和电62屏蔽子外壳58的另一实施例的放大视图。用于穿过引线54的孔56和用于方便地连接到AIMD外壳20的安装凸缘64清楚可见。将子外壳58设计成放在如前所述的磁窗口18之上。电62和磁60屏蔽可以是如前所述的各种材料。安装凸缘64可以是各种大小和形状或根本不存在。如所述的安装凸缘64是在子外壳58和AIMD外壳20之间进行连接的便利方法。连接可以是通过激光焊接、铜焊、热定形非导电或导电粘合剂、焊料、机械紧固件等等。对本领域的技术人员来说，有许多种进行这种连接的方法是显而易见的。图8示例说明消除先前如图7所述需要一个单独的具有磁60和电62屏蔽的子外壳58的另一实施例。图8描述了磁起动设备52，其中，子外壳58与设备52集成并提供电62和磁60屏蔽两者。在该实施例中，将磁起动设备52连接到磁窗口18上实现所需屏蔽。磁起动设备52可以暴露于入射磁场，例如来自在AIMD上外部保持的磁铁。因此，向前参考图2，磁场66能直接照射在如图8所示的子外壳58的背面上。为紧靠磁窗口18的侧面的背面明确不具有磁屏蔽60。可以或可以不具有电屏蔽62。然而，磁场60能到达磁起动设备52以便起动它是非常重要的。除子外壳58的背面以外的所有表面具有电62和磁60屏蔽也非常重要。因此，具有屏蔽子外壳58的磁起动设备52可以以集成封装实现本发明的设备的目的。即，允许磁起动设备52位于磁窗口18上，但还具有确保AIMD10内的其余部件被防护于电磁场66的所需功能。对本领域的技术人员来说，可以采用用于图8的集成组件的各种安装装置68以及也可以采取各种大小、形状和材料将是显而易见的。图3描述在图1中先前所述的新颖磁屏蔽端子32的截面图。参考该截面图，示出了窄嵌镍或等效含铁电极44。端子32的陶瓷或玻璃绝缘体50完全环绕嵌入镍电极44以便它们不接触体液。为此的原因在于，镍通常不被视为生物适合的材料。然而，宽嵌镍电极45到达陶瓷或玻璃绝缘体50的外径或周边。允许的原因在于金铜焊材料46覆盖其暴露部分并保护宽嵌入电极45不暴露于体液。还应当注意到与电屏蔽不同，镍电极44和45形成连续整体屏蔽并与AIMD外壳20电连通并不重要。即，通过嵌入镍或等效材料电极44和45内的磁偶极子的简单行为而衰减入射磁场。电极44和45的目的不是提供电容。电极44和45提供对抗入射静或低频磁场的磁屏蔽以及辅助磁屏蔽AIMD外壳20，保护设备10的内部电子电路免受磁场，诸如由MRI设备所产生的磁场。在图4和5中更清楚地示出了新颖电极44和45。图4示例说明与陶瓷/玻璃绝缘体50有关的新颖电极44。图5示例说明通过金铜焊材料46保护新颖电极45免受体液。电磁干扰(EMI)滤波电容器42可以安装在端子32内侧并与其集成，以便有助于屏蔽于高频电场在本领域是非常公知的。尽管为示例目的，详细地描述了各个实施例，在不背离本发明的范围和精神的情况下，也可以做出各种改进。权利要求1.一种有源可植入医疗设备，包括外壳，具有贯穿引线的端子；置于所述外壳内的磁起动设备；以及与所述外壳相邻布置的磁屏蔽，用于使所述外壳的内部屏蔽于所述外壳外部所产生的磁场，所述磁屏蔽包括与所述磁起动设备相邻的窗口。2.如权利要求1所述的有源可植入医疗设备，其中，所述磁屏蔽包括施加到所述外壳的内表面的涂层。3.如权利要求2所述的有源可植入医疗设备，其中，所述涂层包括含铁涂料、镀镍、镍涂层、纳米材料、μ合金材料或包含磁偶极子的纳米材料的溶胶凝胶或膏剂。4.如权利要求1所述的有源可植入医疗设备，其中，磁起动设备是簧片开关、霍尔效应设备、嵌入遥测线圈、低频遥测线圈或紧密耦合的皮下电池再充电电路。5.如权利要求1所述的有源可植入医疗设备，包括用于所述磁起动设备的子外壳，所述子外壳覆盖所述磁屏蔽窗口以便所述磁起动设备被置于所述窗口和所述子外壳之间。6.如权利要求5所述的有源可植入医疗设备，包括与所述子外壳相邻布置的辅助磁屏蔽。7.如权利要求6所述的有源可植入医疗设备，其中，所述辅助磁屏蔽包括施加到所述子外壳的内表面的涂层。8.如权利要求7所述的有源可植入医疗设备，其中，所述辅助磁屏蔽涂层包括含铁涂料、镀镍、镍涂层、纳米材料、μ合金材料或包含磁偶极子的纳米材料的溶胶凝胶或膏剂。9.如权利要求5所述的有源可植入医疗设备，其中，所述子外壳包括电屏蔽。10.如权利要求1所述的有源可植入医疗设备，其中，所述端子包括贯穿所述引线的绝缘体以及端子磁屏蔽。11.如权利要求10所述的有源可植入医疗设备，其中，所述端子磁屏蔽包括所述绝缘体内的非磁电极。12.如权利要求11所述的有源可植入医疗设备，其中，所述非磁电极包括镍电极。13.如权利要求1所述的有源可植入医疗设备，其中，所述外壳包括电屏蔽。14.如权利要求13所述的有源可植入医疗设备，其中，所述电屏蔽包括钛。15.如权利要求1所述的有源可植入医疗设备，其中，所述AIMD包括心脏起搏器、植入除纤颤器、充血性心力衰竭设备、听觉植入片、耳蜗植入片、神经刺激器、药物泵、心室辅助设备、胰岛素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系统、深脑部刺激器、人造心脏、失禁设备、迷走神经刺激器、骨生长刺激器、胃起博器或修复设备。16.一种有源可植入医疗设备，包括外壳，具有贯穿引线的端子，其中，所述外壳包括电屏蔽；置于所述外壳内的磁起动设备；与所述外壳相邻布置的磁屏蔽，用于使所述外壳的内部屏蔽于所述外壳的外部所产生的磁场，所述磁屏蔽包括与所述磁起动设备相邻的窗口；用于所述磁起动设备的子外壳，所述子外壳覆盖所述磁屏蔽窗口，使得所述磁起动设备被置于所述窗口和所述子外壳之间；以及与所述子外壳相邻布置的辅助磁屏蔽。17.如权利要求16所述的有源可植入医疗设备，其中，所述磁屏蔽和所述辅助磁屏蔽包括施加到所述外壳和所述子外壳的内表面的涂层。18.如权利要求17所述的有源可植入医疗设备，其中，所述涂层包括含铁涂料、镀镍、镍涂层、纳米材料、μ合金材料或包含磁偶极子的纳米材料的溶胶凝胶或膏剂。19.如权利要求17所述的有源可植入医疗设备，其中，磁起动设备是簧片开关、霍尔效应设备、嵌入遥测线圈、低频遥测线圈或紧密耦合的皮下电池再充电电路。20.如权利要求16所述的有源可植入医疗设备，其中，所述端子包括贯穿所述引线的绝缘体以及端子磁屏蔽。21.如权利要求20所述的有源可植入医疗设备，其中，所述端子磁屏蔽包括所述绝缘体内的非磁电极。22.如权利要求21所述的有源可植入医疗设备，其中，所述非磁电极包括镍电极。23.如权利要求16所述的有源可植入医疗设备，其中，所述子外壳包括电屏蔽。24.如权利要求23所述的有源可植入医疗设备，其中，所述电屏蔽包括钛。25.如权利要求16所述的有源可植入医疗设备，其中，所述AIMD包括心脏起搏器、植入除纤颤器、充血性心力衰竭设备、听觉植入片、耳蜗植入片、神经刺激器、药物泵、心室辅助设备、胰岛素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系统、深脑部刺激器、人造心脏、失禁设备、迷走神经刺激器、骨生长刺激器、胃起博器或修复设备。26.一种有源可植入医疗设备，包括外壳，具有贯穿引线的端子绝缘体以及端子磁屏蔽；置于所述外壳内的磁起动设备；与所述外壳相邻的磁屏蔽，用于使所述外壳的内部屏蔽于所述外壳的外部所产生的磁场，所述磁屏蔽包括与所述磁起动设备相邻的窗口；用于所述磁起动设备的子外壳，所述子外壳覆盖所述磁屏蔽窗口，使得所述磁起动设备被置于所述窗口和所述子外壳之间；以及与所述子外壳相邻的辅助磁屏蔽。27.如权利要求26所述的有源可植入医疗设备，其中，所述AIMD包括心脏起搏器、植入除纤颤器、充血性心力衰竭设备、听觉植入片、耳蜗植入片、神经刺激器、药物泵、心室辅助设备、胰岛素注射器、脊髓刺激器、可植入感知系统、深脑部刺激器、人造心脏、失禁设备、迷走神经刺激器、骨生长刺激器、胃起博器或修复设备。28.如权利要求27所述的有源可植入医疗设备，其中，所述磁屏蔽和所述辅助磁屏蔽包括施加到所述外壳和所述子外壳的内表面的涂层。29.如权利要求28所述的有源可植入医疗设备，其中，所述涂层包括含铁涂料、镀镍、镍涂层、纳米材料、μ合金材料或包含磁偶极子的纳米材料的溶胶凝胶或膏剂。30.如权利要求27所述的有源可植入医疗设备，其中，磁起动设备是簧片开关、霍尔效应设备、嵌入遥测线圈、低频遥测线圈或紧密耦合的皮下电池再充电电路。31.如权利要求26所述的有源可植入医疗设备，其中，所述端子磁屏蔽包括所述绝缘体内的非磁电极。32.如权利要求31所述的有源可植入医疗设备，其中，所述非磁电极包括镍电极。33.如权利要求26所述的有源可植入医疗设备，其中，所述外壳和所述子外壳包括电屏蔽。34.如权利要求32所述的有源可植入医疗设备，其中，所述电屏蔽包括钛。全文摘要在其外壳上具有磁屏蔽用于将设备的内部屏蔽于外壳外部所产生的磁场的有源可植入医疗设备(AIMD)。使用外壳的内表面上的磁吸收涂层来产生磁屏蔽。AIMD包括与位于外壳内的磁起动设备相邻的、没有磁屏蔽的剩余外壳区，即磁窗口。该磁窗口允许起动所述磁起动设备。文档编号A61N1/39GK1907514SQ20061006810公开日2007年2月7日申请日期2006年3月21日优先权日2005年3月22日发明者海萨姆·胡赛因,克里斯廷·A.·弗里斯,罗伯特·A.·史蒂文森申请人:巨佰－雪莱公司