互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的超声换能器及相关装置和方法与流程

技术总结
描述了形成在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的微加工超声换能器，以及制造这种装置的方法。可以通过牺牲释放来去除CMOS晶片的金属化层，以产生超声换能器的腔。剩余层可以形成超声换能器的膜。

技术研发人员：乔纳森·M·罗思伯格;基思·G·菲费;内华达·J·桑切斯;苏珊·A·阿列
受保护的技术使用者：蝴蝶网络有限公司
文档号码：201580025730
技术研发日：2015.04.17
技术公布日：2017.05.10