本发明涉及一种乳膏，具体涉及一种治疗湿疹的乳膏的制备方法，属于医药配方技术领域。
背景技术：
湿疹是一种多见且顽固的皮肤疾病，具有复发性高、根治难的问题，现有技术中多采用外擦型乳膏来治疗湿疹，这类乳膏依赖于激素，长期使用会导致失效，而且会在一定程度上损害人体健康，医药界不提倡大量和长期使用。鉴于此，需要开发一种效果好、无激素的乳膏。
技术实现要素：
为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种治疗湿疹的乳膏的制备方法。
为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：
一种治疗湿疹的乳膏的制备方法，包括如下步骤：
S1、按重量份，称取硼砂10-45份与乳膏基质于容器内混合均匀，于水浴上加热至硼砂完全溶解，再继续加热10-50分钟；
S2、向容器内加入20-50重量份硫磺、10-20重量份羊毛脂，搅拌均匀后冷却至室温；
S3、将50-80℃的麻油缓慢滴加至容器内，并搅拌均匀，静置4-10h；
S4、将容器内的膏状物研磨成细腻的乳膏，分装即得产物。
优选地，前述步骤S1中，水浴温度不超过80℃。
再优选地，前述步骤S1中，加热时间为30分钟。
更优选地，前述步骤S2中，硫磺重量份为40份，羊毛脂重量份为15份。
进一步优选地，前述步骤S3中，麻油的温度为60℃。
更进一步优选地，前述步骤S3中，静置时间为6h。
再优选地，前述步骤S4中，每支的分装质量为10g。
本发明的有益之处在于：本发明的治疗湿疹的乳膏的制备方法工艺过程简单易实现，工业成本较低，而且该乳膏中不含激素配方，疗效好副作用低，通过添加麻油获得了更好的分散性，膏体更细腻均匀，更易涂抹，具有良好的市场前景。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明作具体的介绍。
实施例1
一种治疗湿疹的乳膏的制备方法，包括如下步骤：
S1、按重量份，称取硼砂10份与乳膏基质于容器内混合均匀，于水浴上加热至硼砂完全溶解，再继续加热10分钟；
S2、向容器内加入20重量份硫磺、10重量份羊毛脂，搅拌均匀后冷却至室温；
S3、将50℃的麻油缓慢滴加至容器内，并搅拌均匀，静置4h；
S4、将容器内的膏状物研磨成细腻的乳膏，分装即得产物。
实施例2
一种治疗湿疹的乳膏的制备方法，包括如下步骤：
S1、按重量份，称取硼砂45份与乳膏基质于容器内混合均匀，于水浴上加热至硼砂完全溶解，再继续加热50分钟；
S2、向容器内加入50重量份硫磺、20重量份羊毛脂，搅拌均匀后冷却至室温；
S3、将80℃的麻油缓慢滴加至容器内，并搅拌均匀，静置10h；
S4、将容器内的膏状物研磨成细腻的乳膏，分装即得产物。
实施例3
一种治疗湿疹的乳膏的制备方法，包括如下步骤：
S1、按重量份，称取硼砂30份与乳膏基质于容器内混合均匀，于水浴上加热至硼砂完全溶解，再继续加热30分钟；
S2、向容器内加入40重量份硫磺、15重量份羊毛脂，搅拌均匀后冷却至室温；
S3、将70℃的麻油缓慢滴加至容器内，并搅拌均匀，静置6h；
S4、将容器内的膏状物研磨成细腻的乳膏，分装即得产物。
对比例1
与实施例3的差别在于：未添加麻油。
一种治疗湿疹的乳膏的制备方法，包括如下步骤：
S1、按重量份，称取硼砂30份与乳膏基质于容器内混合均匀，于水浴上加热至硼砂完全溶解，再继续加热30分钟；
S2、向容器内加入40重量份硫磺、15重量份羊毛脂，搅拌均匀后冷却至室温；
S3、将容器内的膏状物研磨成细腻的乳膏，分装即得产物。
对比例2
与实施例3的差别在于：麻油温度为常温。
一种治疗湿疹的乳膏的制备方法，包括如下步骤：
S1、按重量份，称取硼砂30份与乳膏基质于容器内混合均匀，于水浴上加热至硼砂完全溶解，再继续加热30分钟；
S2、向容器内加入40重量份硫磺、15重量份羊毛脂，搅拌均匀后冷却至室温；
S3、将常温的麻油缓慢滴加至容器内，并搅拌均匀，静置6h；
S4、将容器内的膏状物研磨成细腻的乳膏，分装即得产物。
性能检测
对各实施例和对比例的产物进行检测，包括产物形态、保质期等，结果如下：
由以上分析可见，由于对比例1中未添加麻油，就使得产物色泽不好且膏体中存在较多颗粒物，保质期也较短；对比例2中虽添加了麻油，但是麻油温度未进行调控，导致产物性能也不理想，实施例1-3的产物明显优于对比例1和对比例2。
临床使用证明，该乳膏具有解毒、杀虫、疗疮、止痒等功效，主要可用于疥癣、湿疹等皮肤病及脂溢性皮炎；使用方法为外用，直接擦敷或者用水溶解后洗涤患处，普通患者使用一个疗程即可见效，严重患者需酌情增加使用时间。
综上，本发明的治疗湿疹的乳膏的制备方法工艺过程简单易实现，工业成本较低，而且该乳膏中不含激素配方，疗效好副作用低，通过添加麻油获得了更好的分散性，膏体更细腻均匀，更易涂抹，具有良好的市场前景。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，上述实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。