基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法
【专利摘要】本发明公开一种基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法，包括：将由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经颅磁刺激定位帽进行定位，确定刺激部位；通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激。本发明使双线圈的经颅磁刺激技术在结合磁刺激定位帽治疗脑卒中后运动障碍的定位刺激治疗操作简单方便，价格便宜、效果显著；结合刺激频率、刺激强度、刺激时间、间歇时间、治疗时间等治疗参数的选择，实现经颅磁刺激的双向调节大脑功能的目的。
【专利说明】
基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法
技术领域
[0001]本发明涉及经颅磁刺激技术领域，尤其涉及一种基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法。
【背景技术】
[0002]脑卒中(stroke)，又称作脑中风或脑血管意外，是由于大脑里面的血管突然破裂出血或因血管堵塞造成大脑缺血、缺氧而引起。临床表现以突发意识障碍或口眼歪斜、半身不遂、口齿不清、认知障碍为主要特征。我国脑卒中患病率高达0.6 %左右，患病人数高达500-600万，每年新发病例约150万，每年死亡者近100万，存活者中约1/4不同程度地丧失劳动力，重度致残者占40 %。
[0003]脑卒中后遗症是脑卒中最主要的后遗症，目前使用的康复方法和治疗手段有:运动疗法、作业疗法、物理治疗(如功能性电刺激、生物反馈治疗和相应的理疗)和康复工程(对于偏瘫肢体可以配置适当的矫形支具，以阻止肢体变形，辅助功能活动)。运动疗法、作业疗法、康复工程都需要患者残存一定的运动功能并且需要患者积极的配合治疗，治疗周期长;功能性电刺激疗法可能导致刺激部位疼痛、皮肤灼伤继发感染的危险，目前，人们越来越多的意识到康复治疗的重要性，希望通过一种安全地、有效地、无副作用地物理治疗方法达到康复治疗的目的。物理治疗方法发展空间非常大，但市面上存在的物理治疗手段、仪器、设备等疗效不一，经颅磁刺激是一种无创、无痛、安全、不直接接触人体的有效的物理治疗方法。利用电磁感应原理，用储能的高压电容通过电子开关向刺激线圈放电，刺激线圈产生瞬变的磁场透过颅骨，在大脑表浅的皮层诱发感应电流，刺激颅内神经，引起神经细胞膜电位的变化、兴奋性的变化而调节神经功能。
[0004]经颅磁刺激技术通过特定的刺激频率、刺激强度、刺激时间、间歇时间，来改变大脑皮质的兴奋性，促进神经功能的恢复，目前经颅磁刺激用单个线圈刺激头部一个部位，治疗效果不够理想。并且在经颅磁刺激使用中，因为头皮与颅骨的遮盖，很难根据疾病的不同找到颅内最佳的刺激点，目前只是根据操作者目测估计用单个线圈刺激专注部位，定位刺激受人为技术/经验的影响而出现偏差；更先进的方法是MRI图像导航的经颅磁刺激技术，但导航设备昂贵，操作复杂费时、不易临床使用和推广。
【发明内容】
[0005]为了克服现有技术的不足，本发明提出一种基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法，使双线圈的经颅磁刺激技术在结合磁刺激定位帽治疗脑卒中后运动障碍的定位刺激治疗操作简单方便，价格便宜、效果显著，实现经颅磁刺激的双向调节大脑功能的目的。
[0006]为了达到上述目的，本发明提出一种基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法，包括以下步骤:
[0007]将由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经颅磁刺激定位帽进行定位，确定刺激部位；
[0008]通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激。
[0009]优选地，所述将由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经颅磁刺激定位帽进行定位，确定刺激部位的步骤包括:
[0010]以双侧耳孔和枕后粗隆为标记3点确定定位帽的佩戴位置，找到对应的运动皮质Ml区，确定刺激部位。
[0011]优选地，所述通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激的步骤包括:
[0012]利用两个磁场刺激线圈，以预设参数同时刺激大脑的健侧与患侧的刺激部位，具体包括:
[0013]采用高频刺激患侧中央前回Ml区，低频刺激健侧中央前回Ml区，所述预设参数包括:刺激频率、刺激强度、刺激时间、间歇时间以及治疗时间参数。
[0014]优选地，所述刺激强度(% ): RMT* (0.8-0.9)；低频刺激频率:0.5?IHz ;高频刺激频率:10?20Hz;刺激时间:2-10S(秒)；间歇时间:2-5S;治疗时间:20-30m(分钟)。
[0015]优选地，所述通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激的步骤包括:
[0016]第一线圈刺激患侧肢体的手腕正中神经部位，第二线圈刺激患侧中央前回Ml区；组成双线圈的成对刺激，第一线圈先刺激，间隔20?25ms后第二线圈刺激，刺激强度(％):RMT*(0.8-0.9)；刺激频率:0.IHz;治疗时间:30m。
[0017]优选地，所述方法还包括:
[0018]将刺激线圈磁场强度最强点放在最佳刺激部位以45°相切方向进行刺激。
[0019]优选地，治疗周期为:6-8周。
[0020]本发明提出的一种基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法，由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经颅磁刺激定位帽，实现经颅磁刺激的精确定位，使双线圈的经颅磁刺激技术在结合磁刺激定位帽治疗脑卒中后运动障碍的定位刺激治疗操作简单方便，价格便宜、效果显著;通过刺激频率、刺激强度、刺激时间、间歇时间、治疗时间等治疗参数的选择，实现经颅磁刺激的双向调节大脑功能的目的。
[0021]相比现有技术，本发明方案具有如下优点:
[0022]1、方法实现成本低，治疗周期短，降低了患者的医疗费用；
[0023]2、操作方便，省时省力，提高了医护人员的工作效率；
[0024]3、联合经颅磁刺激定位帽使刺激部位比较精确，实现了准确的重复连续刺激，提尚刺激神经的功能调制与治疗效果；
[0025]4、提供了脑卒中后运动障碍的康复治疗的新方法，降低了脑卒中的致残率。
【附图说明】
[0026]图1是本发明实施例中慢性期治疗的刺激线圈刺激示意图；
[0027]图2是本发明实施例中急性期治疗的刺激线圈刺激示意图。
[0028]为了使本发明的技术方案更加清楚、明了，下面将结合附图作进一步详述。
【具体实施方式】
[0029]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0030]首先，介绍本发明实施例的经颅磁刺激定位帽，包括:与人脑外形适配的壳体，所述壳体上对应设有用于标记两个大脑半球、四个脑叶、脑电图电极部位、运动皮质功能区以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆的标记部。
[0031]其中，所述标记两个大脑半球的标记部为区分两侧大脑半球的中线。
[0032]所述四个脑叶分别为额叶、顶叶、颞叶和枕叶。
[0033]所述脑电图电极部位对应的标记部包括标记左右大脑半球的前后矢状线、从左耳前点通过中央点至右耳前的横位线，以及侧位线。
[0034]各标记部以丝印层的方式设置在所述壳体上。
[0035]本发明经颅磁刺激定位帽是把大脑皮质复杂功能结构在头颅表面做若干个投影点，基于常用的脑电图电极定位10-20系统或者10-10系统，把脑叶、脑电图电极部位，耳孔与枕后粗隆的部位作为记号丝印到具有弹性的帽子上，戴帽子时对准双侧耳孔和枕后粗隆的标记3点可以定出一个立体面，作为带帽的基准。
[0036]具体实现方案如下:
[0037]本发明经颅磁刺激定位帽根据大脑功能区分布及大脑解剖学体表投影，标出区分两侧大脑半球的中线，标明额叶、顶叶、颞叶、枕叶的4个脑叶，用蓝线标识，方便医护人员根据定位帽的视觉化区分和脑电图(10-20)(10-10)系统的标准部位，更快更准地找到最佳刺激部位。
[0038]利用国际脑电图10—20(I O-10)系统电极放置法即国际脑电图学会规定的标准电极放置法制成定位标记点，奇数表示左侧，偶数表示右侧。刺激帽根据脑电图电极与大脑皮质分叶和沟回之间的解剖关系，在定位帽上标定出双侧大脑皮质运动功能区的部位，因为运动区的定位是磁刺激引起靶肌动作最基础的刺激点。
[0039]经颅磁刺激首先要个体化的确定阈刺激，要找准运动皮质拇指部位，以引出拇短展肌发生运动的最小刺激强度作为阈刺激强度，用阈强度的百分比来确定刺激强度，所以快速找出拇指的皮质运动区是实施经颅磁刺激技术的基础。
[0040]临床适应症中很多疾病都引起运动功能障碍，如脑卒中运动障碍、脊髓损伤、帕金森病等，大脑皮质运动中枢是躯体运动的最高级中枢，位于大脑皮质中央前回的4区和6区，依照解剖学位置及大脑皮质运动区对躯体运动的调节特点，经颅磁刺激定位帽标识了躯体运动中枢，包括头面部、手指、躯干、四肢，一侧运动皮质支配另一侧躯体肌肉的活动；特定的皮质功能区域支配对侧的靶肌，使用刺激帽具有帮助精细的功能区定位。
[0041]本技术在定位帽上反映出人的2个大脑半球、4个脑叶、常用脑电图电极部位、运动皮质功能区以及戴帽定位的耳孔、枕后粗隆标记点，所含信息多，便于操作、便于多次治疗能够在同一部位的重复准确刺激。
[0042]本技术实现的成本低，降低了患者的医疗费用；操作方便，省时省力，提高了设备的利用率。定位帽中的多部位标记信息使刺激部位比较精确，便于科研时的刺激部位的定位描述与重复刺激。解决了传统靠目测与经验刺激定位的不确定性，能提高刺激神经的功能调制与治疗效果。
[0043]本发明经颅磁刺激定位帽相比传统的辅助定位装置，具有如下优点:
[0044]1、结构简单，制作方便，降低设备成本及患者的医疗成本，不用使用导航，增加额外的医疗费用。
[0045]2、操作方便，省时省力，最大限度地提高了医护人员的工作效率。
[0046]3、划分了大脑功能区，每个功能区的定位点，结合疾病的特点，指导医护人员定点刺激。
[0047]4、加快了经颅磁刺激技术的发展，推动经颅磁刺激技术在国内的推广，在更多更广的领域为人类服务。
[0048]5、刺激部位精确，针对性更强，在最短的时间达到最佳的治疗效果，同时减少了患者的治疗周期及治疗费用。
[0049]此外，本发明还提出的一种基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法，包括以下步骤:
[0050]SI，将由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经颅磁刺激定位帽进行定位，确定刺激部位；
[0051 ] S2，通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激。
[0052]首先，根据影像学的检测结果或者患者的偏瘫肢体确定患者受损的运动皮质侧；
[0053]以双侧耳孔和枕后粗隆为标记3点确定定位帽的佩戴位置，找到对应的运动皮质Ml区，确定刺激部位；
[0054]根据临床治疗处方，设置刺激频率、刺激强度、刺激时间、间歇时间、治疗时间参数；
[0055]把刺激线圈磁场强度最强点放在最佳刺激部位以45°相切方向进行有效刺激。
[0056]固定好线圈支架，固定定位帽，保证治疗过程中刺激线圈不移动位置，保证最佳治疗效果。
[0057]具体地，正常大脑的运动皮质有交互抑制功能，脑卒中后运动障碍，患侧运动皮质因缺血缺氧受损，健侧运动皮质仍然对患侧大脑有抑制作用，患侧脑不能对健侧脑的抑制，促使健侧脑兴奋性增强，对患侧脑的抑制也增强，不利于患侧脑的康复治疗。
[0058]本实施例具体采用如下方案:
[0059]方案一，适用于慢性期的治疗。见图1:
[0060]本发明利用2个磁场刺激线圈，同时刺激大脑的健侧与患侧，提高刺激疗效。
[0061 ]高频刺激患侧中央前回Ml区，提高患侧运动皮质的兴奋性；
[0062]低频刺激健侧中央前回Ml区，降低健侧运动皮质的兴奋性，降低健侧对患侧的抑制作用。
[0063 ]刺激强度(% ): RMT* (0.8-0.9)；
[0064]低频刺激频率(Hz):0.5?I ；
[0065]高频刺激频率(Hz): 10?20;
[0066]刺激时间(S):2-10;
[0067]间歇时间(S):2-5;
[0068]治疗时间(m):20-30;
[0069]次/周:5;
[0070]治疗周期:6-8。
[0071]方案二:适用于急性期治疗。见图2:
[0072]应用成对关联刺激的原理，用超低频0.1Hz的刺激频率，刺激患侧大脑更安全，更容易耐受，直接促进受损部位神经康复。
[0073 ]第一线圈刺激患侧肢体的手腕正中神经部位；
[0074]第二线圈刺激患侧中央前回Ml区；
[0075]组成双线圈的成对刺激，第一线圈先刺激，间隔20?25ms后第二线圈刺激。其中:
[0076]刺激强度(%): RMT* (0.8-0.9)；
[0077]刺激频率(Hz):0.1Hz;
[0078]治疗时间(m):30;
[0079]次/周:5;
[0080]治疗周期:6-8。
[0081]相比现有技术，本发明具有如下有益效果:
[0082]I，无创、无痛、易操作、可重复、不需直接接触人体，通过移动刺激线圈，可刺激不同部位的神经，包括中枢神经和外周神经。
[0083]2，结合由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经烦磁刺激定位帽能基本实现精确定位，达到最佳的治疗效果，解决经颅磁刺激定位难的难题。
[0084]3，用双线圈在头部同时刺激，治疗脑中风的慢性恢复期，治疗周期短，疗效更好。
[0085]4，用超低频双线圈分别刺激头部和外周神经，符合时序依赖性调节神经可塑性，减小了中风急性期的刺激风险，更加安全有效。
[0086]5，用定位帽提高刺激精度，操作方便，省时省力，最大限度地提高了医护人员的工作效率。
[0087]6，提供了脑卒中后运动障碍的康复治疗的新方法，降低了脑卒中的致残率。
[0088]7，刺激频率、刺激强度、刺激时间、间歇时间、治疗时间治疗参数的选择，实现经颅磁刺激的双向调节大脑功能的目的。
[0089]上述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种基于经颅磁刺激治疗脑卒中后运动障碍的方法，其特征在于，包括以下步骤: 将由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经颅磁刺激定位帽进行定位，确定刺激部位； 通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将由脑叶、脑运动功能区分布、脑电图电极定位系统组成的经颅磁刺激定位帽进行定位，确定刺激部位的步骤包括: 以双侧耳孔和枕后粗隆为标记3点确定定位帽的佩戴位置，找到对应的运动皮质Ml区，确定刺激部位。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激的步骤包括: 利用两个磁场刺激线圈，以预设参数同时刺激大脑的健侧与患侧的刺激部位，具体包括: 采用高频刺激患侧中央前回Ml区，低频刺激健侧中央前回Ml区，所述预设参数包括:刺激频率、刺激强度、刺激时间、间歇时间以及治疗时间参数。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刺激强度(％):RMT*(0.8-0.9);低频刺激频率:0.5?IHz ;高频刺激频率:10?20Hz ；刺激时间:2-10S ；间歇时间:2-5S ；治疗时间:20-30m。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过至少两个刺激线圈，以预设参数对所述刺激部位进行刺激的步骤包括: 第一线圈刺激患侧肢体的手腕正中神经部位，第二线圈刺激患侧中央前回Ml区；组成双线圈的成对刺激，第一线圈先刺激，间隔20?25ms后第二线圈刺激，刺激强度(% ): RMT*(0.8-0.9)；刺激频率:0.1Hz;治疗时间:30m。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 将刺激线圈磁场强度最强点放在最佳刺激部位以45°相切方向进行刺激。7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，治疗周期为:6-8周。
【文档编号】A61N2/02GK106075731SQ201610119094
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年3月2日 公开号201610119094.3, CN 106075731 A, CN 106075731A, CN 201610119094, CN-A-106075731, CN106075731 A, CN106075731A, CN201610119094, CN201610119094.3
【发明人】杨亦铮
【申请人】深圳英智科技有限公司