提取灰尘足迹的静电膜的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种提取灰尘足迹的静电膜，包括绝缘层和涂镀在所述绝缘层的一侧表面上的导电层，且所述导电层的宽度小于所述绝缘层，所述绝缘层的左、右边缘分别超出所述导电层的相应边缘形成第一防漏电区；所述静电膜分段裁切后形成裁切边缘，将裁切边缘进行绝缘处理形成第二防漏电区。本实用新型，在静电膜的边缘设有第一防漏电区和第二防漏电区，使聚集在导电层的电荷无法从边缘流出，解决了漏电现象，最大限度地增加导电层的电荷密度，提高对灰尘的吸附力，从而获取尽量清晰的足迹。
【专利说明】
提取灰尘足迹的静电膜
技术领域
[0001]本实用新型涉及刑侦取证领域，具体涉及提取灰尘足迹的静电膜。
【背景技术】
[0002]在刑事案件侦查中，灰尘足迹提取是应用率很高的物证采集方式，其中静电膜是灰尘足迹提取最常用的有效手段。
[0003]使用静电膜进行灰尘足迹提取的方式为:首先用平行光束以掠入射角度照射采集区域以确定灰尘足迹的分布，然后将卷绕成圆筒状的静电膜(绝缘层朝外、导电层朝里)放置在起始端，再将高压静电发生器的负极接地，正极接触静电膜的导电层，启动高压静电发生器后，负极电荷流入大地，正极电荷流入静电膜的导电层。在同性电荷相斥力的推动下，卷绕的静电膜自动展开，覆盖在灰尘足迹上。分布在导电层中的静电荷产生电场，电场穿过绝缘层将下面的灰尘极化，并将灰尘吸附到黑色的绝缘层上，然后将静电膜收起即可。
[0004]现有提取灰尘足迹的静电膜，边缘的绝缘层与导电层平齐，使用时存在以下问题:在非绝缘地面上，高压静电发生器正极给静电膜充电时，部分正电荷会从静电膜导电层的边缘漏电进入大地(在操作过程中可以看到静电膜边缘有电弧闪现)，从而降低静电膜导电层中的电荷密度，降低电场强度，降低静电膜对灰尘的吸附力，最终影响提取足迹的清晰度。
[0005]由此可见，目前的静电膜在提取灰尘足迹时存在边缘漏电，从而影响提取足迹的清晰度的问题。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型所要解决的技术问题是目前的静电膜运用在非绝缘地面上提取灰尘足迹时存在边缘漏电，从而影响提取足迹的清晰度的问题。
[0007]为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是提供了一种提取灰尘足迹的静电膜，包括绝缘层和涂镀在所述绝缘层的一侧表面上的导电层，且所述导电层的宽度小于所述绝缘层的宽度，所述绝缘层的左、右边缘分别超出所述导电层的相应边缘形成第一防漏电区，所述静电膜分段裁切后形成裁切边缘，将裁切边缘进行绝缘处理形成第二防漏电区。
[0008]在上述提取灰尘足迹的静电膜中，所述裁切边缘采用绝缘材料包裹形成所述第二防漏电区。
[0009]在上述提取灰尘足迹的静电膜中，所述裁切边缘的导电层用化学腐蚀方法去除后形成所述第二防漏电区。
[0010]在上述提取灰尘足迹的静电膜中，所述绝缘层为塑料膜，所述导电层为金属镀层。
[0011]在上述提取灰尘足迹的静电膜中，所述金属镀层采用金属铝电镀而成。
[0012]在上述提取灰尘足迹的静电膜中，所述第一防漏电区或所述第二防漏电区的宽度为I?50mmo
[0013]在上述提取灰尘足迹的静电膜中，所述第一防漏电区或所述第二防漏电区的宽度为1mmο
[0014]本实用新型，在静电膜的边缘设有第一防漏电区和第二防漏电区，使聚集在导电层的正电荷无法从边缘流出，解决了漏电现象，最大限度地增加导电层的电荷密度，提高对灰尘的吸附力，从而获取尽量清晰的足迹。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型的结构不意图。
【具体实施方式】
[0016]本实用新型提供了一种提取灰尘足迹的静电膜，解决了漏电现象，最大限度地增加导电层的电荷密度，提高对灰尘的吸附力，从而获取尽量清晰的足迹。下面结合具体实施例和说明书附图对本实用新型予以详细说明。
[0017]本实用新型提供的提取灰尘足迹的静电膜，包括绝缘层和涂镀在所述绝缘层的一侧表面上的导电层I，且导电层I的宽度小于绝缘层，绝缘层的左、右边缘分别超出导电层I的相应边缘形成第一防漏电区21，静电膜分段裁切后形成裁切边缘，将裁切边缘进行绝缘处理形成第二防漏电区22。
[0018]生产过程中，静电膜的初级形态是宽度20cm?60cm、长度数百米的卷状形态，将静电膜裁切成Im?1m的长条，卷绕成筒状，形成实用品。静电膜裁切处会形成绝缘层与导电层I平齐的裁切边缘。
[0019]优选的，将裁切边缘采用绝缘材料包裹，如采用绝缘胶带包裹，或涂刷绝缘涂层。
[0020]优选的，将裁切边缘的导电层去除。其中去除导电层的具体方法为:化学腐蚀。
[0021]优选的，绝缘层为塑料膜，导电层I为金属镀层。
[0022]优选的，金属镀层采用金属铝电镀而成，既具有较好的导电性，且成本低廉易加工。与高压静电发生器配合使用，使正电荷流入导电层I，提取灰尘足迹。
[0023]第二防漏电区22或第一防漏电区21的宽度在I?50mm内，二者的宽度可相同，便于操作。
[0024]第一防漏电区21的宽度优选为IOmm，第二防漏电区22的宽度优选为10_。
[0025]本实用新型，在静电膜的边缘设有第一防漏电区和第二防漏电区，使聚集在导电层的正电荷无法从边缘流出，解决了漏电现象，最大限度地增加导电层的电荷密度，提高对灰尘的吸附力，从而获取尽量清晰的足迹。
[0026]本实用新型不局限于上述最佳实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下作出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或相近的技术方案，均落入本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.提取灰尘足迹的静电膜，其特征在于，包括绝缘层和涂镀在所述绝缘层的一侧表面上的导电层，且所述导电层的宽度小于所述绝缘层，所述绝缘层的左、右边缘分别超出所述导电层的相应边缘形成第一防漏电区，所述静电膜分段裁切后形成裁切边缘，所述裁切边缘进行绝缘处理形成第二防漏电区。2.如权利要求1所述的提取灰尘足迹的静电膜，其特征在于，所述裁切边缘采用绝缘材料包裹或涂刷绝缘涂层形成所述第二防漏电区。3.如权利要求1所述的提取灰尘足迹的静电膜，其特征在于，所述裁切边缘的导电层用化学腐蚀方法去除后形成所述第二防漏电区。4.如权利要求1所述的提取灰尘足迹的静电膜，其特征在于，所述绝缘层为塑料膜，所述导电层为金属镀层。5.如权利要求4所述的提取灰尘足迹的静电膜，其特征在于，所述金属镀层采用金属铝电镀而成。6.如权利要求1所述的提取灰尘足迹的静电膜，其特征在于，所述第一防漏电区或所述第二防漏电区的宽度为I?50mm。7.如权利要求1所述的提取灰尘足迹的静电膜，其特征在于，所述第一防漏电区或所述第二防漏电区的宽度为10mm。
【文档编号】A61B5/117GK205433700SQ201620136455
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年2月23日
【发明人】黄大明
【申请人】北京布兰特警用装备有限责任公司