脑深部刺激电极及刺激系统的制作方法
【专利摘要】本实用新型揭示了一种脑深部刺激电极及刺激系统，所述电极包括具有近端及远端的电极本体，所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向，所述电极还包括位于远端的若干电极触点，于所述长度方向上，相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。本实用新型的相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米，如此的间距设计，可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极插入核团的位置的偏差，从而可以大大提高位于核团内的电极触点有效刺激面积，如此，提高了对患者的刺激效果，减少了插偏时刺激所带来的副作用，且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。
【专利说明】
脑深部刺激电极及刺激系统
技术领域
[0001]本实用新型涉及植入式医疗器械技术领域，尤其涉及一种脑深部刺激电极及刺激系统。
【背景技术】
[0002]神经电刺激在神经功能失调治疗和神经损伤康复中具有重要的作用。植入式神经电刺激系统通过在人体内诸如运动神经、感觉神经的特定神经处植入电极，来释放高频电刺激，以对于特定神经进行刺激，从而使人体机能恢复到正常运作的状态。目前，植入式神经电刺激系统主要包括植入式脑深部电刺激(DBS)，植入式脑皮层刺激(CNS)，植入式脊髓电刺激系统(SCS)，植入式骶神经电刺激系统(SNS)，植入式迷走神经电刺激系统(VNS)等等。
[0003]植入式脑深部电刺激(DBS)以及其他涉及向脑部植入电极和导管的有关手术越来越多地用来治疗像帕金森症、肌张力障碍、特发性震颤、癫痫、肥胖、抑郁、运动控制障碍及其他使人衰弱的疾病。在这些手术中，策略地把电极或其他医疗器件放置在脑部的目标部位。将电极定位在脑深部刺激的“最佳”或最优部位可能是辛苦的过程。
[0004]现有技术中，植入式脑深部电刺激系统中的电极植入患者脑部核团时，在医生手术误差等于零的情况下，因为存在磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等产生误差的情况，所以往往电极不会维持在医生希望的核团最佳位置，包括在核团的上下左右都会存在这样的不确定误差问题，如此，电极上提供刺激脉冲的电极触点有效刺激面积就会减少，对医生手术操作的成功率及患者使用效果都有很大的影响。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的在于提供一种脑深部刺激电极及刺激系统。
[0006]为实现上述实用新型目的之一，本实用新型一实施方式提供一种脑深部刺激电极，所述电极包括具有近端及远端的电极本体，所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向，所述电极还包括位于远端的若干电极触点，于所述长度方向上，相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。
[0007]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，相邻两个电极触点之间的间距为1.0毫米。
[0008]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，每一所述电极触点沿所述长度方向的宽度为1.5毫米。
[0009]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，当所述电极本体处于展开平铺状态时，所述若干电极触点沿所述宽度方向呈四排排布，且相邻两排之间的间距保持为1.0毫米。
[0010]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述电极本体沿所述宽度方向的截面为圆形。
[0011]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，每一所述电极触点为沿所述电极本体圆周方向延伸的环状电极触点。
[0012]为实现上述实用新型目的之一，本实用新型一实施方式提供一种脑深部刺激电极，所述电极包括具有近端及远端的圆柱状电极本体，所述电极本体具有长度方向，所述电极还包括若干环状电极触点，于所述长度方向上，相邻两个环状电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。
[0013]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，相邻两个环状电极触点之间的间距为1.0毫米。
[0014]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，每一所述环状电极触点沿所述长度方向的宽度为1.5毫米。
[0015]作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述电极沿所述长度方向均匀分布有四个所述环状电极触点。
[0016]为实现上述实用新型目的之一，本实用新型一实施方式提供一种脑深部刺激系统，包括如上所述的脑深部刺激电极。
[0017]与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于:本实用新型的相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米，如此的间距设计，可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极插入核团的位置的偏差，从而可以大大提尚位于核团内的电极触点有效刺激面积，如此，提尚了对患者的刺激效果，减少了插偏时刺激所带来的副作用，且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。
【附图说明】
[0018]图1是本实用新型一实施方式的脑深部刺激电极结构示意图；
[0019]图2a是本实用新型一示例的脑深部刺激电极主视图；
[0020]图2b是本实用新型一示例的脑深部刺激电极横截面图；
[0021 ]图2c是本实用新型另一示例的脑深部刺激电极主视图；
[0022]图2d是本实用新型另一示例的脑深部刺激电极横截面图；
[0023]图3a是本实用新型一示例的脑深部刺激电极主视图；
[0024]图3b是本实用新型一示例的脑深部刺激电极展开平铺图；
[0025]图4是本实用新型一实施方式的三种间距的脑深部刺激电极插入核团的结构示意图；
[0026]图5a是本实用新型一实施方式的核团的结构示意图；
[0027]图5b是本实用新型一实施方式的脑深部刺激电极插入核团的结构示意图；
[0028]图6a_6i本实用新型一实施方式的三种间距的脑深部刺激电极于核团各个点插入时的有效刺激曲线图；
[0029]图7a是本实用新型一实施方式的数学依据推导过程的核团示意图；
[0030]图7b是本实用新型一实施方式的数学依据推导过程的脑深部刺激电极示意图；
[0031]图8a是本实用新型一实施方式的数学依据推导过程的脑深部刺激电极位于核团第一位置的示意图；
[0032]图8b是本实用新型一实施方式的数学依据推导过程的脑深部刺激电极位于核团第二位置的示意图；
[0033]图9是本实用新型一实施方式的脑深部刺激电极制作方法步骤图。
【具体实施方式】
[0034]以下将结合附图所示的【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
[0035]为清楚地表达本申请内所描述的位置与方向，以器械操作者作为参照，靠近操作者的一端为近端，远离操作者的一端为远端。另外，本申请使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的设备翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。
[0036]如图1所示，为本实用新型一实施方式的脑深部刺激电极结构示意图，本实施方式的脑深部刺激电极100包括具有近端及远端的电极本体10，所述电极本体10具有相互垂直的长度方向A及宽度方向B，所述电极100还包括位于远端的若干电极触点11，于所述长度方向A上，相邻两个电极触点11之间的间距L为1.0±0.1毫米。需要说明的是，由于制作工艺或其他方面的误差，相邻两个电极触点11之间的间距P可具有一定的误差范围。另外，这里的长度方向A定义为电极本体10的延伸方向。
[0037]本实施方式的间距L设计，可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极100插入核团200的位置的偏差，从而可以大大提高位于核团内的电极触点11的有效刺激面积，如此，提高了对患者的刺激效果，减少了插偏时刺激所带来的副作用，且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。
[0038]在本实施方式中，所述电极本体10可为多种形态，如图2a_2d所示，为电极本体10多种形态的示意图，包括电极本体1的正视图及沿宽度方向B的横截面图。如图2a及图2b所示，电极本体1为圆柱状电极本体I Oa，此时圆柱状电极本体I Oa沿宽度方向B的横截面呈圆形。如图2c及图2d所示，电极本体10为扁平状电极本体10b，此时扁平状电极本体1b沿宽度方向B的横截面呈类矩形。当然，电极本体10还可为其他形态，并不以上述举例为限。
[0039 ]在本实施方式中，位于电极本体1远端的电极触点11也可为多种形态，这里，以电极本体1为圆柱状电极本体I Oa且电极触点11之间的间距L为1.0毫米为例，包括圆柱状电极本体1a的正视图及展开平铺图，所述展开平铺图定义为以长度方向A为分割线且沿宽度方向B展开的平铺图。如图3a及图3b所示，所述电极触点11为沿所述圆柱状电极本体1圆周方向延伸的环状电极触点11a，环状电极触点Ila首尾相连，当圆柱状电极本体1a展开时，若干环状电极触点Ila沿所述宽度方向B呈四排排布，且相邻两排之间的间距L保持为1.0毫米。
[0040]在本实施方式中，每一所述电极触点11沿所述长度方向A的宽度为1.5毫米，但不以此为限。
[0041]下面以一具体示例来详细介绍本实用新型的脑深部刺激电极。本示例以具有四个环状电极触点11 a的圆柱状电极本体I Oa为例，四个环状电极触点11 a均匀分布在圆柱状电极本体I Oa上。
[0042]如图4所示，为本示例的脑深部刺激电极实现提高有效刺激面积的示意图。这里，分别以相邻环状电极触点Ila之间的间距为0.5毫米、1.0毫米及1.5毫米的脑深部刺激电极100准确伸入核团200中心为例。在实际运用中，当有两个环状电极触点I Ia位于核团200内时，脑深部刺激电极1 O对患者的刺激效果最佳，也就是说，脑深部刺激电极1 O伸入核团200的有效刺激面积为两个环状电极触点Ila的概率越高，脑深部刺激电极100对患者的刺激效果越好。
[0043]在实际运用中，因为存在磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等产生误差的情况，例如，MRI(磁共振)检测结果本身有偏差、开颅后颅内压发生变化而导致与开颅前的MRI检测结果有差异、脑部塌陷导致脑深部刺激电极100与核团200的相对位置发生偏差等等，脑深部刺激电极100于核团200的位置并不能很好地维持在医生认为的最佳位置处。假设图4中的左框内为医生根据MRI(磁共振)检测结果将脑深部刺激电极100伸入核团200的状态图，可以看到，间距为0.5毫米、1.0毫米及1.5毫米的脑深部刺激电极100均保证有两个环状电极触点Ila位于核团200内，此时可以认为脑深部刺激电极100处于医生认为的最佳位置。但实际情况是，由于上述提到的误差情况的存在，脑深部刺激电极100与核团200的相对位置会发生变化，如图4中的右框内的示意图所示，右框内的示意图也是实际刺激过程的示意图，脑深部刺激电极100相对左框内的示意图发生了下移，此时，可以看到，考虑到上述误差情况后，间距为0.5毫米及1.5毫米的脑深部刺激电极100均仅有一个环状电极触点Ila位于核团200内，而间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100仍有两个环状电极触点Ila位于核团内，也就是说，间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100伸入核团200的有效刺激面积为两个环状电极触点Ila的概率较高。
[0044]这里，间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100伸入核团200的有效刺激面积为两个环状电极触点Ua的概率较高，一方面，可以使得脑深部刺激电极100的刺激效果始终保持较佳，另一方面，由于脑深部刺激电极100始终保持较大的刺激面积，可以大大延长脑深部刺激系统中供电电池的使用寿命。
[0045]在实际运用中，一方面，脑深部刺激电极100还包括与若干环状电极触点Ila相连的若干导线(未标示)，在导线之间的绝缘有效性固定的情况下，为了更有效地防止相邻环状电极触点Ua之间短路，较佳的做法是加大相邻环状电极触点Ila之间的间距，如本示例间距为1.5毫米的脑深部刺激电极100所示;而另一方面，为了增大环状电极触点Ila在一个核团200内的有效刺激面积，且不至于每个环状电极触点Ila面积过大，会尽量降低相邻环状电极触点Ila之间的间距，如本示例间距为0.5毫米的脑深部刺激电极100所示。间距为
0.5毫米及1.5毫米的脑深部刺激电极100恰好也是目前比较常用的脑深部刺激电极100，而本实用新型提出的间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100，不仅可以避免相邻环状电极触点Ila之间短路，还可以增大环状电极触点Ila在一个核团200内的有效刺激面积，更重要的是，间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100可以在考虑各种误差的情况下大大提高有效刺激面积为两个环状电极触点Ila的概率，相较于间距为0.5毫米及1.5毫米的脑深部刺激电极100，间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100的优势明显。
[0046]另外，本示例间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100的优势还在于可以减少脑深部刺激电极100插偏时刺激所带来的对患者的副作用。具体的，如图5a至图6 i所示，图5a及图5b为核团200及脑深部刺激电极100插入核团200的结构示意图，图6a-6i分别为不同间距的脑深部刺激电极100在核团200各个位置插入时的环状电极触点Ila有效刺激曲线图。
[0047]参图5a，在核团2 O O上例举了具有代表性的9个点(a点、b点、c点、d点、e点、f点、g点、h点及0点)，其中，ο点是核团200的中心点，也是理论上刺激效果最佳的点，其余的a点至h点均可认为是偏离核团200中心点的点，也就是说，当脑深部刺激电极100插入至a点至h点中任意一点时，脑深部刺激电极100认定为处于插偏状态。
[0048]参图6a_图6i，环状电极触点Ila有效刺激曲线图的横坐标定义为脑深部刺激电极100的插入核团深度，纵坐标定义为环状电极触点Ila的有效刺激长度(即沿长度方向A上，位于核团200内的实际提供刺激脉冲的环状电极触点Ila的总长)，而后分别获取间距为0.5毫米、1.0毫米及1.5毫米的脑深部刺激电极100在核团200内随着插入核团深度加大时的有效刺激长度变化曲线，曲线与横坐标所围设形成的面积便可示意环状电极触点Ila的有效刺激面积。可以看到，无论是在插偏位置(a点至h点)，还是在中心位置0点，间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100的有效刺激面积始终保持最大，也就是说，当一些误差情况发生而导致脑深部刺激电极100与核团200的相对位置发生变化或脑深部刺激电极100插入时便插偏时，间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100的刺激效果始终保持最佳，间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100可以减少脑深部刺激电极100插偏时刺激所带来的对患者的副作用。
[0049]在本实用新型中，还提供了间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100伸入核团200的有效刺激面积为两个环状电极触点Ila的概率最高的数学依据。
[0050]如图7a、7b及图8a、8b所示，假设核团200的有效厚度为H，核团200上端为C点，核团200下端为D点，则H=D-C，有效厚度H定义为脑深部刺激电极100插入核团200中心点时脑深部刺激电极100位于核团200内的长度。电极触点11包括四个长度方向A的宽度为1.5mm的环状电极触点11a，且四个环状电极触点Ila之间包括三个长度均为Amm的间距，脑深部刺激电极100总的可使用刺激长度为(6+3 Δ )mm，其中△ e [0，2]，脑深部刺激电极100最下方的环状电极触点Ila的下边沿实际坐标点为X;
[0051]脑深部刺激电极100的植入目标为D点，植入可允许误差范围为±5mm，则Xe[D-5，D+5]，当至少有m长的环状电极触点Ila在核团200内时，xe[xl，x2];其中xl =D-Y，O彡Y彡5 ； x2 =D+Z ， O彡Z彡50
[0052]参图8a及图8b，
[0053]当0.CKm^il.5mm时，xl = D-(H-m); x2 = D+(6+3 Δ -m);
[0054]当1.5<m^i3.0 mm时，xl = D-(H-m-Δ ) ； x2 = D+(6+2 Δ -m);
[0055]当3.0<m^i4.5mm时，xl = D-(H-m-2 Δ ) ； x2 = D+(6+ Δ -m);
[0056]当4.5<m^i6.0mm时，xl = D-(H-m-3 Δ ) ； x2 = D+(6_m);
[0057]如果植入位置服从均匀分布，S卩x~U[D_5，D+5]，则至少有m长的环状电极触点Ila在核团200内的概率P=(x2-xl)/10。
[0058]在植入式脑深部电刺激手术应用中，核团200的有效厚度H通常在4?6mm区间(因人而异)。
[0059]假设m=3.0，此时:
[0060]当 Δ 彡1，且4彡H彡6时，xl = D-(H_3-A) ； χ2 = D+(3+2A )；P = (x2_xl)/10 =(Η+Δ )/10，也就是说，若H—定，则当Δ=1时，概率P最大
[0061 ]当 Δ >1，且4彡H彡6时xl = D-(H_3-A) ； x2 = D+5 ;P = (x2_xl)/10 = (H+2_A )/10，也就是说，若H—定，则Δ趋近于I时，概率P趋近于最大。
[0062]综上可知，当相邻环状电极触点I Ia之间的间隙Δ =Imm时，可以使得有3.0mm及以上的环状电极触点Ila处于核团200内的概率最大，此时概率P = (H+l)/10。且当H处于4?6mm区间内时，P e [0.5，0.7 ]，即核团200内环状电极触点I Ia长度不低于3.0mm的几率超过50%。根据上述数学依据，可以进一步证明间距为1.0毫米的脑深部刺激电极100伸入核团200的有效刺激面积为两个环状电极触点Ila的概率最高。
[0063]本实用新型还提供一种脑深部刺激装置，包括如上所述的脑深部刺激电极100、连接电极的控制装置等等。
[0064]本实用新型一实施方式还提供一种脑深部刺激电极制作方法，如图9所示，所述方法包括步骤:
[0065]提供一电极本体10，所述电极本体10具有近端及远端，且所述电极本体10具有长度方向A;
[0066]于所述电极本体10的远端形成若干电极触点11，于所述长度方向A上，相邻两个电极触点11之间的间距为1.0±0.1毫米。
[0067]本实施方式的间距P设计，可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极100插入核团200的位置的偏差从而可以大大提高位于核团内的电极触点11有效刺激面积，如此，提高了对患者的刺激效果，减少了插偏时刺激所带来的副作用，且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。
[0068]本实施方式的脑深部刺激电极制作方法的其他说明可以参考上述脑深部刺激电极100结构的说明，在此不再赘述。
[0069]应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
[0070]上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本实用新型的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本实用新型的保护范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种脑深部刺激电极，所述电极包括具有近端及远端的电极本体，所述电极本体具有相互垂直的长度方向及宽度方向，其特征在于所述电极还包括位于远端的若干电极触点，于所述长度方向上，相邻两个电极触点之间的间距为1.0±0.1毫米。2.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，相邻两个电极触点之间的间距为1.0毫米。3.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，每一所述电极触点沿所述长度方向的宽度为1.5毫米。4.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，当所述电极本体处于展开平铺状态时，所述若干电极触点沿所述宽度方向呈四排排布，且相邻两排之间的间距保持为1.0毫米。5.根据权利要求1所述的脑深部刺激电极，其特征在于，所述电极本体沿所述宽度方向的截面为圆形。6.根据权利要求5所述的脑深部刺激电极，其特征在于，每一所述电极触点为沿所述电极本体圆周方向延伸的环状电极触点。7.—种脑深部刺激电极，所述电极包括具有近端及远端的圆柱状电极本体，所述电极本体具有长度方向，其特征在于所述电极还包括若干环状电极触点，于所述长度方向上，相邻两个环状电极触点之间的间距为1.0 ± 0.1毫米。8.根据权利要求7所述的脑深部刺激电极，其特征在于，相邻两个环状电极触点之间的间距为1.0毫米。9.根据权利要求7所述的脑深部刺激电极，其特征在于，每一所述环状电极触点沿所述长度方向的宽度为1.5毫米。10.根据权利要求8所述的脑深部刺激电极，其特征在于，所述电极沿所述长度方向均匀分布有四个所述环状电极触点。11.一种脑深部刺激系统，其特征在于包括如权利要求1-10中任意一项所述的脑深部刺激电极。
【文档编号】A61N1/05GK205672351SQ201620285702
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年4月7日 公开号201620285702.3, CN 201620285702, CN 205672351 U, CN 205672351U, CN-U-205672351, CN201620285702, CN201620285702.3, CN205672351 U, CN205672351U
【发明人】豆美娟, 朱为然
【申请人】苏州景昱医疗器械有限公司