石英改板清洗方法

文档序号:1493363阅读:307来源:国知局
专利名称:石英改板清洗方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种石英改板清洗方法。
背景技术
随着电子设备的广泛应用,半导体的制造工艺得到了飞速的发展,半导体的制造 流程涉及两种基本的刻蚀工艺干法刻蚀和湿法刻蚀。其中,干法刻蚀是把晶圆曝露于刻蚀 气体所产生的等离子体中,等离子体与晶圆发生物理或化学反应,从而有选择性地从晶圆 表面去除不需要的材料。图1为现有技术中干法刻蚀装置的剖面结构图。如图1所示,通过转换耦合功率 发生器101在电感线圈102上施加转换耦合功率,从而在电感线圈102的周围产生电磁场, 然后刻蚀气体从进气口 103被通入上部腔体104中,刻蚀气体在电磁场的作用下发生电离 并形成等离子体,石英改板105将电感线圈102与放置于静电吸盘106上的晶圆W隔离开, 而且石英改板105是可拆卸的。由于石英改板105具有绝缘性,这样就可减弱电磁场对晶 圆W的影响。石英改板105还包括若干个圆孔,用于使等离子体中的离化基进入下部腔体 107,同时,通过偏置功率发生器108在晶圆W上施加偏置功率,这样就使得晶圆W与等离子 体之间存在一个较大的电压差,从而使朝晶圆W运动的离化基具有方向性。然而,在实际应用中,当对晶圆进行刻蚀时,等离子体与晶圆上的金属层或介质层 发生化学反应,反应生成的聚合物会逐渐沉积在石英改板上,随着刻蚀的进行,越来越多的 聚合物沉积在石英改板上,由于重力的作用,聚合物很容易掉落到正在刻蚀的晶圆上,这就 需要对石英改板进行经常性地清洗,以去除石英改板上的聚合物。在现有技术中,一般对石英改板进行清洗的方法为将石英改板从干法刻蚀装置 中拆卸下来,使用酸性溶液对石英改板进行清洗,然后使用去离子水(DIW)对石英改板进 行喷淋清洗,以去除反应生成物,最后使用流动的氮气(N2)对清洗后的石英改板进行干燥。然而,在实际应用中,由于酸性溶液会对石英改板有腐蚀作用,所以要求酸性溶液 的浓度不可过大,但是使用浓度较小的酸性溶液又无法使聚合物与酸性溶液进行充分的反 应,因此采用现有技术中对石英改板进行清洗的方法往往不能达到很好的清洗效果,沉积 在石英改板上的聚合物还是不能被彻底地去除。

发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种石英改板清洗方法,能够彻底地去除石英 改板上的聚合物。为达到上述目的,本发明的技术方案具体是这样实现的一种石英改板清洗方法,干法刻蚀停止后,该方法包括将石英改板从干法刻蚀装 置中拆卸下来,对石英改板进行烘焙。所述烘焙的方法为将石英改板放置于烤箱中,并在烤箱中通入空气;或,使用电 阻丝对石英改板进行烘焙。
该方法进一步包括对石英改板烘焙后,对石英改板进行喷淋清洗。所述喷淋清洗 的方法为采用去离子水DIW对石英改板进行喷淋清洗。该方法进一步包括对石英改板进行喷淋清洗后,对石英改板进行干燥。所述干燥的方法为采用流动的氮气N2或氩气Ar对石英改板进行干燥。所述烘焙的方法为每隔一小时烘焙温度升高50°C至100°C,当烘焙温度达到 1000°C时停止烘焙。该方法进一步包括对石英改板烘焙后,对石英改板进行喷淋清洗。所述喷淋清洗的方法为采用去离子水DIW对石英改板进行喷淋清洗。该方法进一步包括对石英改板进行喷淋清洗后,对石英改板进行干燥。所述干燥的方法为采用流动的氮气N2或氩气Ar对石英改板进行干燥。可见,在本发明所提供的方法中,采用对石英改板进行烘焙的方法将沉积在石英 改板表面的聚合物去除掉,当对石英改板烘焙时,聚合物中的Si和AlCl3均会与空气中的 O2生化学反应,反应产物分别为易于清洗的SiO2和Al2O3,这样,就可将石英改板上的聚合物 彻底地去除。


图1为现有技术中干法刻蚀装置的剖面结构图。图2为本发明所提供的石英改板清洗方法的流程图。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下参照附图并举实施例,对 本发明进一步详细说明。图2为本发明所提供的石英改板清洗方法的流程图,该方法包括以下步骤步骤201,将石英改板从干法刻蚀装置中拆卸下来,对石英改板进行烘焙。在本步骤中,当干法刻蚀停止后,对石英改板进行烘焙的目的在于聚合物的主要 成分为硅(Si)和氯化铝(AlCl3),当对石英改板进行烘焙时,聚合物中的Si和AlCl3均会 与空气中的氧气(O2)发生化学反应,反应产物分别为二氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3),而 SiO2为结晶体,Al2O3为絮状体,也就是说,这两种反应产物都是易于清洗的,因此,这样就可 将石英改板上的聚合物彻底地去除。烘焙的实现方法可采用现有技 中的方法,例如,可将石英改板放置于烤箱中,并 在烤箱中通入空气,也可使用电阻丝对石英改板进行烘焙。需要说明的是,当对石英改板进行烘焙时,应避免烘焙的温度骤然升高,否则,有 可能引起石英改板的变形,甚至破裂,因此,本发明还可提供一种对石英改板进行烘焙的方 法每隔一小时烘焙温度升高50°C至100°C,当烘焙温度达到1000°C时停止烘焙。步骤202,对石英改板进行喷淋清洗。由于在步骤201中对石英改板进行了烘焙,聚合物中的Si和AlCl3与空气中的O2 发生化学反应,反应产物分别为结晶体的SiO2和絮状体的Al2O3,因此,在本步骤中,可采用 DIff对石英改板进行喷淋清洗,从而将反应产物从石英改板表面清洗掉。步骤203,对石英改板进行干燥。
当对石英改板进行干燥时,可采用流动的N2或其他惰性气体,例如氩气Ar。可见,在本发明中,采用对石英改板进行烘焙的方法将沉积在石英改板表面的聚 合物去除掉,当对石英改板烘焙时,聚合物中的Si和AlCl3均会与空气中的O2生化学反应, 反应产物分别为易于清洗的SiO2和Al2O3,这样,就可将石英改板上的聚合物彻底地去除。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。凡在 本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换以及改进等,均应包含在本发明的保 护范围之内。
权利要求
一种石英改板清洗方法,干法刻蚀停止后,该方法包括将石英改板从干法刻蚀装置中拆卸下来,对石英改板进行烘焙。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述烘焙的方法为将石英改板放置于烤 箱中,并在烤箱中通入空气;或,使用电阻丝对石英改板进行烘焙。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,该方法进一步包括对石英改板烘焙后, 对石英改板进行喷淋清洗。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述喷淋清洗的方法为采用去离子水 DIff对石英改板进行喷淋清洗。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,该方法进一步包括对石英改板进行喷淋 清洗后,对石英改板进行干燥。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述干燥的方法为采用流动的氮气N2 或氩气Ar对石英改板进行干燥。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述烘焙的方法为每隔一小时烘焙温度 升高50°C至100°C,当烘焙温度达到1000°C时停止烘焙。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,该方法进一步包括对石英改板烘焙后, 对石英改板进行喷淋清洗。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述喷淋清洗的方法为采用去离子水 DIff对石英改板进行喷淋清洗。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,该方法进一步包括对石英改板进行喷 淋清洗后,对石英改板进行干燥。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述干燥的方法为采用流动的氮气队 或氩气Ar对石英改板进行干燥。
全文摘要
本发明公开了一种石英改板清洗方法,干法刻蚀停止后,该方法包括将石英改板从干法刻蚀装置中拆卸下来,对石英改板进行烘焙。采用该方法能够彻底地去除石英改板上的聚合物。
文档编号B08B3/02GK101958225SQ200910054800
公开日2011年1月26日 申请日期2009年7月14日 优先权日2009年7月14日
发明者孙长勇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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