磷化铟生长坩埚清洗方法
【专利摘要】本发明涉及一种磷化铟生长坩埚清洗方法，包括：1、先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5-10分钟；2、晾干后放到明火中燃烧5-10分钟，火焰温度在1200℃以上；3、冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10-5Pa数量级及以上，温度100-150℃，持续10-40分钟；4、冷却后取出放置于真空干燥器中待用。该方法简单易行，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。
【专利说明】磷化铟生长坩埚清洗方法
【技术领域】
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[0001]本发明属于半导体材料制备领域，具体涉及一种磷化铟生长坩埚的清洗方法。
【背景技术】
[0002]InP晶体生长技术在世界范围内分为三种:垂直温度梯度结晶生长法(VGF)、水平生长法、液封提拉晶体生长法。相比较于其它二项技术，垂直温度梯度结晶生长法技术特点是:1、晶体缺陷密度低；2、生长方向是〈1000〉，这样有利大尺寸生长。
[0003]垂直温度梯度结晶生长法是将盛有多晶材料的PBN(热压氮化硼)坩埚封装在一个石英器皿之中，然后垂直放入多温区VGF炉中生长。因此，PBN坩埚是制备磷化铟单晶体的重要器件，其表面的洁净程度的高低，杂质含量的多少，对磷化铟单晶体纯度及性能有着重大的影响。
【发明内容】
[0004]根据以上情况，本发明的目的在于提供一种磷化铟生长坩埚清洗方法，可去除PBN坩埚表面的杂质，保证InP单晶的生成质量。
[0005]为实现上述目的，本方法包括:
[0006]I)先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5-10分钟；
[0007]2)晾干后放到明火中燃烧5-10分钟，火焰温度在1200°C以上；
[0008]3)冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至KT5Pa数量级及以上，温度100-150°C，持续10-40分钟；
[0009]4)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
[0010]本发明的优点在于:该方法简单易行，步骤简便，清洁效果显著，保证了生产产品的质量。
【具体实施方式】
[0011]下面结合具体实施例对本发明做进一步的说明。
[0012]将PBN坩埚放入超声波清水洗10分钟，去处表面的灰尘；晾干后放到明火中燃烧10分钟，火焰温度在1200°C以上；取出冷却后置入真空烘烤炉中，依次用机械泵、分子涡轮泵将烘烤炉真空度抽至10_5Pa，温度150°C，持续30分钟。冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
[0013]本方法操作步骤简便，可达到较好的磷化铟生长坩埚表面清洁的目的。
【权利要求】
1.一种磷化铟生长坩埚清洗方法，其特征在于: 1)先将磷化铟生长坩埚放入超声波清水洗5-10分钟； 2)晾干后放到明火中燃烧5-10分钟，火焰温度在1200°C以上； 3)冷却后取出置入真空烘烤炉中，然后，用抽真空设备将烘烤炉的本底真空度抽至10_5Pa数量级及以上，温度100-150°C，持续10-40分钟； 4)冷却后取出放置于真空干燥器中待用。
【文档编号】B08B7/04GK104368566SQ201310355906
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年8月14日 优先权日:2013年8月14日
【发明者】关活明 申请人:台山市华兴光电科技有限公司