耦接半导体元件制造设备至制造地点的设施的方法与装置的制作方法

文档序号:2011446
专利名称:耦接半导体元件制造设备至制造地点的设施的方法与装置的制作方法
技术领域
本发明大体上是关于半导体元件的制造,且特别是关于用以耦接半导 体元件制造设备至制造地点的设施的方法与装置。
背景技术
将设备装设到半导体元件制造地点(如大楼、建筑物、制造厂等)需要 密集的时间与人力。装设设备所需的时间与人力主要取决于装设或耦接设 备至制造地点的设施所需的时间与人力。设施可包括机能设施,例如空气、水、制程气体、真空、电力等。将设备的连接点(point of connection; POC)耦接至设施的POC则可使设备连接至机能设施。由于半导体元件制造地点 的空间可能很狭小,而不易进入设施的POC。因此,需要一种有效耦接半导体元件制造设备至制造地点的设施的方法与装置。 发明内容根据本发明的第一态样,提出一种用以耦接半导体元件制造设备至设施(facilities)的装置。装置包括(1)站台,适以固定于高起地板,且厚度 约等于高起地板的厚度;(2)数个设备连接点(POC)位置,设置于站台顶面, 每一设备POC位置适以连接至半导体元件制造设备的POC;以及(3)数个 设施POC位置,设置于站台底面,每一设施POC位置适以连接至设施的 POC。根据本发明的第二态样,提出一种预设(pre-facilitating)半导体元件 制造设备的方法。方法包括提供一站台,站台具有(1)一厚度,约等于高起 地板的厚度;(2)数个设备连接点(POC)位置,设置于站台顶面,每一设备 POC位置适以连接至半导体元件制造设备的POC;以及(3)数个设施POC 位置,设置于站台底面,每一设施POC位置适以连接至设施的POC。此 方法更包括(1)将站台固定于高起地板;以及(2)将设施POC位置连接至设施的POC。根据本发明的第三态样,提出一种制造站台的方法。方法包括(1)建构一框架,框架的厚度约等于高起地板的厚度;(2)装设数个设备连接点(POC) 位置至框架的顶面,每一设备POC位置适以连接至半导体元件制造设备的 POC;以及(3)装设数个设施POC位置至框架的底面,每一设施POC位置 适以连接至设施的POC。根据本发明的第四态样,提出一种高起的地板系统。高起的地板系统 包括一站台,具有(1)一厚度,约等于高起地板的厚度;(2)数个设备连接点 (POC)位置,设置于站台顶面,每一设备POC位置适以连接至半导体元件 制造设备的POC;以及(3)数个设施P0C位置,设置于站台底面,每一设 施POC位置适以连接至设施的POC。高起的地板系统还包括一高起地板, 其适以支撑站台。根据本发明的第五态样,提出一种半导体元件制造系统。半导体元件 制造系统包括一站台,具有(1)一厚度,约等于高起地板的厚度;(2)数个设 备连接点(POC)位置,设置于站台顶面,每一设备POC位置适以连接至半 导体元件制造设备的POC;以及(3)数个设施P0C位置,设置于站台底面, 每一设施POC位置适以连接至设施的P0C。半导体元件制造系统还包括 一半导体元件制造设备,其具有数个设备POC,适以连接至数个设备连接 点(POC)位置。本发明亦提出其他实施态样。本发明的目的、特征和优点在配合下述说明、权利要求及所附图式后, 将变得更明显易懂。


图1为根据本发明的半导体元件制造系统的等角视图。 图2为根据本发明一实施例的站台的等角视图。 图3A为图2的站台的侧视图,绘示根据本发明的站台可耦接至高起 的地板。图3B为图2的站台的侧视图,绘示根据本发明的站台的整体厚度约 等于高起地板的厚度。图3C为图2的站台的侧视图,绘示根据本发明的站台可提供多个AC 或其他导管及/或管线路径。图4为本发明一实施例的系统的側视图,其包括图2中设在高起地板 内及半导体元件制造设备下方的站台。图5为图2的站台实施例的上视图,其根据本发明而耦接至高起的地板。
具体实施方式
本发明提出一种站台,是用以耦接设备(如半导体元件制程设备等)至 制造地点的设施(如设施的连接点(point of connection; POC))。站台可用 来预设(pre-facilitate)半导体元件制程设备待装设的位置。例如,在半导 体元件制程设备到达而装设的前,任一所需的设施管线及/或其他机能设施 可借助预先配管、预先架线等而先配置到站台;如此在装设半导体元件制 程设备时,只需在站台位置来连接设施与半导体元件制程设备。因此可大 幅减少装设半导体元件制程设备的时间。在本发明一实施例中,站台可为具特征结构的薄片材料(如钢、铝、塑 胶等),其中特征结构可耦接设施的POC及/或制造地点的地板。例如,地 板可为高起的金属地板(raised metal floor; RMF),或在地板与其下的支撑 结构间(如基底、I形结构梁等)尚有空间的类似地板。站台的设置并不妨碍 地板的支撑结构,或设置于地板与其下方的支撑结构间的设施管线等。另 外,站台可设置在设备下方,如此不会因配置了站台而增加了使用面积(例 如占用空间等)。站台可整合到设备上或为个别的元件。独立的站台可在输送或安装设 备前,先使站台耦接至设施的POC。然后,在半导体元件制造地点装设设 备时,再耦接设备至设施的POC及/或站台。藉此可有效减少设备的装设 及/或启用的时间。本发明的这些与其它态样将描述于下。图1为本发明的半导体元件制造系统100的等角视图。半导体元件制 造系统100包括设于地板104中的站台102。半导体元件制造设备106通 过气体管线108(例如不锈钢管等)、真空管线110(例如不锈钢波紋管、一通过厚的不锈钢管等)、水管线112(例如橡胶软管、不锈钢管、塑胶软管等)、 及/或其他连接线(例如电源线、信号线等),而耦接至设施。地板104可由 圓柱114支撑,圆柱114可放置在地上及/或半导体元件制造位置下面的其 他支撑结构上。参照图1,气体管线108、真空管线110和水管线112可穿过及/或耦 接至站台102。再者,其他连接线(如信号线、电源线、空气管线等)亦可穿 过及/或耦接至站台102。在此及/或其他实施例中, 一或多个气体管线108、 真空管线110、及/或水管线112可通过站台102的接头配件而耦接至半导 体元件制造设备106。或者, 一或多个气体管线108、真空管线110、及/ 或水管线112可穿过站台102,而不耦接至站台102。在图1的实施例中,站台102可齐平于地板104的顶面。例如,站台 102的厚度(高度)约等于或小于地板104及/或地板104的地砖/壁板(未分 别绘示)的厚度。或者,站台102可倾斜或凹设于地板104内。在其他及/ 或此实施例中,站台102可放置在包含地板104顶面的平面的上方。站台102可包括不同尺寸及/或形状的孔洞及/或切口 。例如,气体管 线108、真空管线110、及/或水管线112可穿过各种尺寸及/或形状的孔洞 及/或转接器。在另一实施例中,气体管线108、真空管线110、及/或水管 线112可连接至耦接半导体元件制造设备106的转接器。图2为根据本发明第二实施例的站台200的等角视图。站台200可包 括地板介面202(如折迭式片体金属、铸模式热固性聚合物等),其耦接至 导电管通过区204;气体壁板排气口 206;信号线连接器208(如RS-232 等);清洁干燥空气(clean dry air; CDA)转接器210(如压缩密封连接器等); 真空口 212(如304不锈钢氟化钾(KF)凸缘配件等);制程气体管线转接器 214(如压缩密封连接器等);及/或水管线转接器216(如1/4通过的双面外 螺紋连接器等)。其他通过区、连接器、接口、及/或转接器的数量、类型、 及/或排列方式亦可采用。参照图2,地板介面202可定位成各种面向。例如,当地板介面202 耦接地板104时,可定位地板介面202使部分站台200实质上平行于地板 104顶面所形成的平面。在此或其他实施例中,可改变导电管通过区204、气体壁板排气口 206、信号线连接器208、清洁干燥空气(clean dry air; CDA)转接器210、真空口212、制程气体管线转接器214、及/或水管线转 接器216的定位与配置方式。例如,真空口 212、及/或任一连接器/转接器 可倾斜、但不垂直于地板介面202所构成的平面。图2的站台200带来许多好处。例如,由于站台200具有缩小的轮廓, 故站台200可降低站台200的连接位置与高起地板的支撑结构(如结构梁或 位于高起地板下的其他支撑装置)之间相互干扰的机会。例如,图3A为站 台200的侧视图,其中站台200可耦接至高起的地板302,以简易连接外 部管线(如气体管线、真空管线、水管线、电源线、信号线等)与站台200, 而不会妨碍高起地板302的支撑结构,如I形梁U-beams) 304。图3A 的外部连接管线的例子包括水管线306和气体壁板排气管线308,然更少、 更多及/或其他外部管线也可连接至站台200。如图3A所示,相较于传统 延伸于高起地板302下方的连接箱及/或在连接箱侧壁提供连接,本发明的 具有缩小轮廓(厚度)的站台200提供更多的空间来连接外部管线。再者, 因站台200的连接位置为靠近高起地板302的顶面,如此连接站台200将 变得更方便,而不需使用特殊的扳手或其他特殊用途的牢固工具(其是用来 将连接元件锁入传统延伸于高起地板下的连接箱)。图3B为站台200的侧视图,其中站台200的厚度约等于高起地板 302(及/或高起地板302的地砖/壁板〉的厚度。再者,转接器/连接位置310 为位在站台200内,如此连接站台200的动作可于高起地板302的表面或 于接近该表面处进行,因而可减少使用特殊的牢固工具,并提供更方便的 连接位置。图3C为站台200的侧视图,其中站台200可提供多个AC或其他导 管及/或管线路径(例如从箭头312、 314所指的多个方向)。许多传统的连 接箱仅提供单一个导管路径。再者,由于站台200的小型轮廓,故当轮廓 较小的站台200的框架的厚度/高度约等于地砖的整体厚度/高度、及/或设 置在I形梁或其他高起地板的支撑结构上方时(第3A至3C图),站台200 可结合使用标准的高起地板(其例如在高起地板与地面、水泥地、台座间 采用了支撑脚)、或I形梁或其他支撑高起地板的支撑结构,以提供更方便的连接位置。图4为系统400的 一 实施例的侧视图,其包括设在高起地板402内及 半导体元件制造设备404下方的站台202。高起的地板402包括地砖或壁 板406,其由水泥地或其他支撑结构410上的支撑构件408(例如柱脚、I 形梁等)所支撑。如图4所示,站台200的厚度T1约等于高起地板402的 地砖或壁板406的厚度,且提供数个连接位置来连接设备404所需的各种 设施。如上述,站台200可装设在地板402内,并在设备404到达前先连 接设备404所需的机能设施。例如,任一操作设备404所需的气体管线、 水管线、电源线、真空管线、排气管线等(如图4中的管线412a-412g), 可在设备404到达而装设前,先耦接至(或穿过)站台200。藉此,设备404 的预先配置可有效减少设备404启用的时间。将站台200安装于高起地板 402中,且配置设施的连接至站台200后,设备404可放置(如转动)到站 台200上方而配接至站台200(例如通过一或多个管线、导管、波紋管等, 这些管线统一标示为元件符号414)。站台200并不会妨碍支撑构件408, 且于地板402下方还提供了足够的空间。在一些实施例中,站台200底下的空间高度T2约等于高起地板402 底下的空间高度,如图4所示。在其他实施例中,站台200底下的空间高 度T2异于高起地板402底下的空间高度,其差异可达±5%;在一些实施 例中,高度差可达±10%;或在一些实施例中,高度差可达±20%。同样地, 在一些实施例中,站台200的厚度T1约等于高起地板402的厚度,如图 4所示。在其他实施例中,站台200的厚度T1不同于高起地板402的厚 度,其差异可达±5%;在一些实施例中,厚度差可达±10%;或在一些实施 例中,厚度差可达±20%。在本发明的至少一实施例中,站台200的连接位置及/或通过区位置可 加以区分及/或符合逻辑地分组或安排。例如,图5为站台200的一实施例 的上视图,其耦接至高起的地板502。如图5所示,站台200的连接位置 及/或通过区位置为分成5组504a-504e。其他组数或排列方式也可采用。参照图5,以具有管道A及管道B的设备(未绘示)为例,第一组504a 为用于管道A的前端管线及通信连接。第二组504b为用于管道A的电源导管(如导电管通过区)。第三组504c为用于毒气拒排气装置506及气体管 线连接器508。第四组504d为用于管道B的前端管线、冷却水、清洁干 燥空气及真空。第五组504e为用于管道B的电源导管。如上述,其他分 组或连接方式也可釆用。利用本发明实施例的站台来进行连接较不会妨碍高起地板下的配管, 其并提供了更大的连接空间,以便于接近、连接设施管线(如水或其他连接 管线);其还提供多个AC导管路径及/或提供相同或较少的设施管线转弯处 (相较于传统连接箱)。上述实施例仅为举例说明本发明的内容。任何熟习此技艺者,在不脱 离本发明的范围内,当可更动与润饰揭露的装置及方法。例如,站台可由 PVC材料构成,及/或可定位而倾斜于设备。 一般而言,站台可由任一结构 材料制成,例如包括冷轧制(cold-rolled)钢、不锈钢、金属铝片等。站台的 整体尺寸可依待安装的设备类型而定,但以小型结构为佳。以整套设施(包 括气体、水、电力、真空、CDA、和通风设备)为例,站台的长度为约6通 过、宽度为约2通过、深度为约3通过,然其也可采用其他尺寸。在一些实施例中,站台200的长度与宽度可近似于传统连接箱的长度 与宽度,但却有大幅缩小的高度/厚度(如约等于站台200所耦接的高起地 板的地砖厚度)。站台200可包括连接配件,例如KF-50、 1/2"VCR、 DNet 等连接器。其他适合的连接配件的数量、尺寸及/或种类亦可使用。有毒护 具或其他辅助污染装置可耦接至站台200及/或与站台200 —并使用,例如 可用来移除设备及/或制程室中的有毒废弃物及/或其他废弃物。本发明的至少 一 实施例提出 一种用以将半导体元件制造设备耦接至设 施的装置。装置包括(1)站台,适以固定于高起的地板,且厚度约等于高起 地板的厚度;(2)数个设备连接点(P0C)位置,设置于站台顶面,每一设备 POC位置适以连接半导体元件制造设备的POC;以及(3)数个设施POC位 置,设置于站台底面,每一设施POC位置适以连接设施的POC。本发明的一或多个实施例提出 一种预设半导体元件制造设备的方法。 方法包括提供一站台,站台具有(1)约等于高起地板的厚度;(2)数个设备连 接点(POC)位置,设置于站台顶面,每一设备POC位置适以连接半导体元件制造设备的POC;以及(3)数个设施POC位置,设置于站台底面,每一 设施POC位置适以连接设施的POC。此方法更包括(1)将站台固定于高起 地板;以及(2)将设施POC位置连接至设施的POC。本发明的部分实施例提出 一 种制造站台的方法。方法包括(1)建构 一 框 架,框架的厚度约等于高起地板的厚度;(2)装设数个设备连接点(POC)位 置至框架的顶面,每一设备POC位置适以连接半导体元件制造设备的 POC;以及(3)装设数个设施POC位置至框架的底面,每一设施POC位置 适以连接设施的POC。本发明 一些实施例提出 一种高起的地板系统。高起的地板系统包括一 站台,具有(1)约等于高起地板的厚度;(2)数个设备连接点(POC)位置,设 置于站台顶面,每一设备POC位置适以连接半导体元件制造设备的POC; 以及(3)数个设施POC位置,设置于站台底面,每一设施POC位置适以连 接设施的POC。高起的地板系统还包括一高起地板,用以支撑站台。本发明的一或多个实施例提出一种半导体元件制造系统。半导体元件 制造系统包括一站台,具有(1)约等于高起地板的厚度;(2)数个设备连接点 (POC)位置,设置于站台顶面,每一设备POC位置适以连接半导体元件制 造设备的POC;以及(3)数个设施POC位置,设置于站台底面,每一设施 POC位置适以连接设施的POC。半导体元件制造系统还包括一半导体元 件制造设备,具有数个设备POC,其适以连接至数个设备连接点(POC)位 置。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任 何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的更动与 润饰,因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种用以耦接一半导体元件制造设备至数个设施(facilities)的装置,该装置至少包含站台,适以固定于高起(raised)地板,且具有一厚度,该厚度约等于该高起地板的厚度;数个设备连接点(POC)位置,设置于该站台的顶面上,其中每一个该些设备连接点位置适以连接至该半导体元件制造设备的连接点;以及数个设施连接点位置,设置于该站台的底面上,其中每一个该些设施连接点位置适以连接至一设施的一连接点。
2. 如权利要求1所述的装置,其中上述的站台更适以固定到取代标准 高起地砖的高起地板。
3. 如权利要求1所述的装置,其中上述的站台的该厚度约等于标准高 起地砖的厚度。
4. 如权利要求1所述的装置,其中上述的站台的该底面与该高起地板 的底面大致为共平面。
5. 如权利要求1所述的装置,其中上述的高起地板底下的空间的高度 约等于该站台底下的空间的高度。
6. 如权利要求1所述的装置,其中上述的设施连接点位置的配置使得 在连接该设施的数个连接点时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
7. 如权利要求1所述的装置,其中上述的站台的该厚度使得在连接该 设施的数个连接点时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
8. 如权利要求1所述的装置,其中上述的站台的该顶面为低于该高起 地才反的顶面。
9. 一种预设(pre-facilitating)半导体元件制造设备的方法,该方法 至少包含提供站台,该站台包括厚度,约等于高起地板的厚度;数个设备连接点(POC)位置,设置于该站台的顶面上,其中每一 个该些设备连接点位置适以连接至该半导体元件制造设备的一连接 点;以及数个设施连接点位置,设置于该站台的底面上,其中每一个该些 设施连接点位置适以连接至 一设施的 一 连接点; 固定该站台至该高起地板;以及 连接该些设施连接点位置至一设施的数个连接点。
10. 如权利要求9所述的方法,其中上述的提供该站台的步骤包含提 供更适以固定到取代标准高起地砖的高起地板的站台。
11. 如权利要求9所述的方法,其中上述的提供该站台的步骤包含提 供站台,其中该站台的该厚度约等于标准高起地砖的厚度。
12. 如权利要求9所述的方法,其中上述的提供该站台的步骤包含提 供站台,其中该站台的该底面与该高起地板的底面大致为共平面。
13. 如权利要求9所述的方法,其中上述的提供该站台的步骤包含提 供站台,其中该高起地板底下的空间的高度约等于该站台底下的空间的高 度。
14. 如权利要求9所述的方法,其中上述的提供该站台的步骤包含提供站台,其中该些设施连接点位置的配置使得在连接该设施的数个连接点 时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
15. 如权利要求9所述的方法,其中上述的提供该站台的步骤包含提 供站台,其中该站台的该厚度使得在连接该设施的数个连接点时,不会妨 碍该高起地板的数个支撑结构。
16. 如权利要求9所述的方法,其中上述的提供该站台的步骤包含提 供站台,其中该站台的该顶面为低于该高起地板的顶面。
17. —种制造站台的方法,该方法至少包含 建构框架,该框架的厚度约等于高起地板的厚度; 装设数个设备连接点(POC)位置至该框架的顶面,其中每一个该些设备连接点位置适以连接至半导体元件制造设备的连接点;以及装设数个设施连接点位置至该框架的底面,其中每一个该些设施连接 点位置适以连接至 一设施的 一 连接点。
18. 如权利要求17所述的方法,其中上述的建构该框架的步骤包含建 构固定到取代标准高起地砖的高起地板的框架。
19. 如权利要求17所述的方法,其中上述的建构该框架的步骤包含建 构框架,其中该框架的该厚度约等于标准高起地砖的厚度。
20. 如权利要求17所述的方法,其中上述的建构该框架的步骤包含建 构框架,其中该框架的该底面与该高起地板的底面大致为共平面。
21. 如权利要求17所述的方法,其中上述的建构该框架的步骤包含建 构框架,其中该高起地板底下的空间的高度约等于该框架底下的空间的高度。
22. 如权利要求17所述的方法,其中上述的建构该框架的步骤包含建 构框架,其中该些设施连接点位置的配置使得在连接该设施的数个连接点 时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
23. 如权利要求17所述的方法,其中上述的建构该框架的步骤包含建 构框架,其中该框架的该厚度使得在连接该设施的数个连接点时,不会妨 碍该高起地板的数个支撑结构。
24. 如权利要求17所述的方法,其中上述的建构该框架的步骤包含建 构框架,其中该框架的该顶面为低于该高起地板的顶面。
25. —种高起的地板系统,该系统至少包含 站台,该站台包括厚度,约等于高起地板的厚度;数个设备连接点(POC)位置,设置于该站台的顶面上,其中每一 个该些设备连接点位置适以连接至半导体元件制造设备的连接点;以 及数个设施连接点位置,设置于该站台的底面上,其中每一个该些 设施连接点位置适以连接至 一设施的 一连接点;以及 高起地板,适以支撑该站台。
26. 如权利要求25所述的系统,其中上述的站台更适以固定到取代标 准高起地砖/壁板的高起地板。
27. 如权利要求25所述的系统,其中上述的站台的该厚度约等于标准 高起地砖/壁板的厚度。
28. 如权利要求25所述的系统,其中上述的站台的该底面与该高起地板的底面大致为共平面。
29. 如权利要求25所述的系统,其中上述的高起地板底下的空间的高 度约等于该站台底下的空间的高度。
30. 如权利要求25所述的系统,其中上述的设施连接点位置的配置使 得在连接该设施的数个连接点时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
31. 如权利要求25所述的系统,其中上述的站台的该厚度使得在连接 该设施的数个连接点时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
32. 如权利要求25所述的系统,其中上述的站台的该顶面为低于该高 起地纟反的顶面。
33. —种半导体元件制造系统,该系统至少包含 站台,该站台包括厚度,约等于高起地板的厚度;数个设备连接点(POC)位置,设置于该站台的顶面,其中每一个 该些设备连接点位置适以连接至半导体元件制造设备的一连接点;以 及数个设施连接点位置,设置于该站台的底面,其中每一个该些设 施连接点位置适以连接至一设施的 一连接点;以及 半导体元件制造设备,包括数个设备连接点,适以耦接至该些设备连 接点位置。
34. 如权利要求33所述的系统,其中上述的站台更适以固定到取代标 准高起地砖/壁板的高起地板。
35. 如权利要求33所述的系统,其中上述的站台的该厚度约等于标准高起地砖/壁板的厚度。
36. 如权利要求33所述的系统,其中上述的站台的该底面与该高起地 板的底面大致为共平面。
37. 如权利要求33所述的系统,其中上述的高起地板底下的空间的高 度约等于该站台底下的空间的高度。
38. 如权利要求33所述的系统,其中上述的设施连接点位置的配置使 得在连接该设施的数个连接点时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
39. 如权利要求33所述的系统,其中上述的站台的该厚度使得在连接 该设施的数个连接点时,不会妨碍该高起地板的数个支撑结构。
40. 如权利要求33所述的系统,其中上述的站台的该顶面为低于该高 起;也纟反的顶面。
全文摘要
本发明的第一实施例提出一种用以耦接半导体元件制造设备至设施(facilities)的装置。装置包括(1)站台,适以固定于高起(raised)地板,且厚度约等于高起地板的厚度;(2)数个设备连接点(POC)位置,设置于站台顶面,每一设备POC位置适以连接至半导体元件制造设备的POC;以及(3)数个设施POC位置,设置于站台底面,每一设施POC位置适以连接至设施的POC。本发明亦提出其他实施例。
文档编号E04C2/52GK101273175SQ200680035636
公开日2008年9月24日 申请日期2006年9月26日 优先权日2005年9月27日
发明者A·韦伯, N·德瓦里斯 申请人:应用材料股份有限公司
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