专利名称：离线高透净色低辐射镀膜玻璃及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种玻璃及其制造方法，特别是一种离线高透净色低辐射镀膜 玻璃及其制造方法。
背景技术：
现有的普通透明玻璃应用很广泛，其透射范围正好与太阳辐射光谱区域重 合，因此，在透过可见光的同时，阳光中的红外线热能也能大量透过玻璃，而 3 5um中红外波段的热能又被大量的吸收，对暖气发出的波长5um以上的热辐 射，普通玻璃不能直接透过而是近乎完全吸收，并通过传导、辐射及与空气对 流的方式将能热传递到室外，使室内的温度降低，另外，普通玻璃不能阻挡紫 外线，易使室内的家俱和织物褪色，目前还有一种离线髙透低辐射镀膜玻璃， 是由锡Sn、银Ag、镍铬NiCr和硅Si或锌Zn通过双端离线高真空磁控溅射技 术生成的不同厚度金属化合物层和金属层组成的。该膜层对2.5-25 "m波长范 围的红外线辐射具有较高反射能力，但是，此种膜系对自然光的透过率最高只 能达到78%，不能发挥自然光的高透过率和隔热节能的双重功效。
发明内容
本发明的目的是为了克服以上的不足，提供一种够很强的阻隔红外线，具 有很好的隔热功效，同时也能实现自然光的高透过率82.5-83%的离线高透净色 低辐射镀膜玻璃及其制造方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现 一种离线高透净色低辐射镀膜玻 璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有氧化钛TiOx、氧化锌ZnOx、金属镍铬NiCr、金属银Ag、氧化镍铬NiCrOx、氧化锌ZnOx、氮化硅SiNx。 一种离线高透净色低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤 A:选择3 15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片
进行清洗；
B:将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为l(FPa，线速度设置为2 米/分钟；
C:将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率 为28KW 32KW，在玻璃基片上溅射第一层25nm 35nm的氧化钛TiOx;
D:设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为21KW 25KW，在玻璃基片 上溅射第二层15nm 25nm的氧化锌Zn0x;
E:设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2KW 3KW，在玻璃基片上 溅射第三层6nm 10nm的金属镍铬NiCr;
F:设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.5KW 5.5KW，在玻璃基 片上溅射第四层13nm 17nm的金属银Ag;
G:设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为3. 5KW 4. 5KW，在玻璃基 片上溅射第五层10nm 14nm的氧化镍铬NiCrOx;
H:设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为10KW 14KW，在玻璃基片 上溅射第六层15nm 35nm的氧化锌ZnOx;
I:设置第七高真空磁控溅射镀膜设备的功率为71KW 75KW，在玻璃基片 上溅射第七层50nm 60nm的氮化硅SiNx。
本发明与现有技术相比具有以下优点在实现膜层的低辐射率和低传热性 能的基础上，能够同时实现膜层对自然光的高透过率82.5-83%。
具体实施例方式为了加深对发明的理解，下面将结合实施例对本发明作进一步详述，该实 施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。
本发明离线高透净色低辐射镀膜玻璃的一种实施方式为离线高透净色低
辐射镀膜玻璃是在3mm 15mm的玻璃上依次设有25nm 35nm的氧化钛TiOx、 15nm 25nm的氧化锌ZnOx、 6nm 10nm的金属镍铬NiCr、 13nm 17nm的金 属银Ag、 10nm 14nm的氧化镍铬NiCrOx、 15nm 25nm的氧化锌ZnOx、 50nm 60nm的氮化硅SiNx。
离线高透净色低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括以下步骤
A:选择3 15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片 进行清洗；
B:将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为l(PPa，线速度设置为2 米/分钟；
C:将玻璃基片送入镀膜室，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为 28KW 32KW，在玻璃基片上溅射第一层25nm 35nm的氧化钛TiOx，其厚度越 厚所达到的颜色就越深；
D:设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为21KW 25KW，在玻璃基片 上溅射第二层15nm 25nm的氧化锌Zn0x;
E:设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2KW 3KW，在玻璃基片上 溅射第三层6nm 10nm的金属镍铬NiCr;
F:设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.5KW 5.5KW，在玻璃基 片上溅射第四层13nm 17nm的金属银Ag，可以使玻璃起到低辐射的作用；
G:设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为3. 5KW 4. 5KW，在玻璃基 片上溅射第五层10nm 14nm的氧化镍铬NiCrOx，保护金属银Ag不被氧化；H:设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为10KW 14KW，在玻璃基片 上溅射第六层15nm 35nm的氧化锌Zn0x;
I:设置第七高真空磁控溅射镀膜设备的功率为71KW 75KW，在玻璃基片 上溅射第七层50nm 60nm的氮化硅SiNx，保护各层物质不被外界环境污染和 腐蚀。
本发明具有在实现膜层的低辐射率和低传热性能的基础上，能够同时实现 膜层对自然光的高透过率82.5-83%的优点。 实施例1:
在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到103Pa，线速度 为2米/分钟时，在6mm玻璃基片上依次溅射功率为30KW时溅射的氧化钛 TiOx厚度为30nm，功率为23KW时溅射的氧化锌ZnOx厚度为20nm，功率为 2.5KW时溅射的金属镍铬NiCr厚度为8nm，功率为5KW时溅射的金属银Ag 厚度为15nm，功率为12KW'时溅射的氧化锌ZnOx厚度为20nm，功率为73KW 时溅射的氮化硅SiNx厚度为55nm。此厚度的玻璃颜色深度适中，而且不仅能 反射红外线辐射，还能起到隔热节能的功效，对自然光的高透率为82.5% 83%。
权利要求
1、一种离线高透净色低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于所述玻璃基片上依次设有氧化钛TiOx、氧化锌ZnOx、金属镍铬NiCr、金属银Ag、氧化镍铬NiCrOx、氧化锌ZnOx、氮化硅SiNx。
2、 根据权利要求1所述离线高透净色低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述 玻璃基片的厚度为3mm 15mm，所述氧化钛TiOx的厚度为25nm 35nm，所述 氧化锌ZnOx的厚度为15nm 25nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为6nm 10nm， 所述金属银Ag的厚度为13nm 17nm，所述氧化镍铬NiCrOx的厚度为10nm 14nm，所述氧化锌ZnOx的厚度为15nm 25nm，所述氮化硅SiNx的厚度为 50nm 60nm。
3、 根据权利要求1或2所述离线高透净色低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片的厚度为6mm，所述氧化钛TiOx的厚度为30nm，所述氧化锌ZnOx 的厚度为20nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为8nm，所述金属银Ag的厚度为 15nm，所述氧化镍铬NiCrOx的厚度为12nm，所述氧化锌ZnOx的厚度为20nm， 所述氮化硅SiNx的厚度为55nm。
4、 一种离线高透净色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于包括以下 步骤-A:选择3 15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片 进行清洗；B:将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为103Pa，线速度设置为2 米/分钟；C:将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为28KW 32KW，在玻璃基片上溅射第一层25nm 35nm的氧化钛TiOx;D:设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为21KW 25KW，在玻璃基片 上溅射第二层15nm 25nm的氧化锌Zn0x;E:设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2KW 3KW，在玻璃基片上 溅射第三层6nm 10nm的金属镍络NiCr;F:设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.5KW 5.5KW，在玻璃基 片上溅射第四层13nm 17nm的金属银Ag;G:设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为3. 5KW 4. 5KW，在玻璃基 片上溅射第五层10nm 14nm的氧化镍铬NiCrOx;H:设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为10KW 14KW，在玻璃基片 上溅射第六层15nm 35nm的氧化锌ZnOx;I:设置第七高真空磁控溅射镀膜设备的功率为71KW 75KW，在玻璃基片 上溅射第七层50nm 60nm的氮化硅SiNx。
5、根据权利要求4所述离线浅绿色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于所述步骤A中，玻璃基片的厚度为6mm;所述步骤C中，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为30KW，在玻璃 基片上溅射第一层30mn的氧化钛TiOx;所述步骤D中，设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为23KW，在玻璃 基片上溅射第二层20nm的氧化锌ZnOx;所述步骤E中，设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2. 5KW，在玻 璃基片上溅射第三层8rnn的金属镍铬NiCr;所述步骤F中，设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为5KW，在玻璃基片上溅射第四层15nm的金属银Ag;所述步骤G中，设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4KW，在玻璃 基片上溅射第五层12nrn的氧化镍铬NiCrOx;所述步骤H中，设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为12KW，在玻璃 基片上溅射第六层20nm的氧化锌ZnOx;所述步骤I中，设置第七高真空磁控溅射镀膜设备的功率为73KW，在玻璃 基片上溅射第七层55nm的氮化硅SiNx。
全文摘要
本发明公开了一种离线高透净色低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上设有依次设有氧化钛TiOx、氧化锌ZnOx、金属镍铬NiCr、金属银Ag、氧化镍铬NiCrOx、氧化锌ZnOx、氮化硅SiNx；离线高透净色低辐射镀膜玻璃的制备方法为在双端离线高真空磁控溅射镀膜设备中，使其基础真空达到10<sup>3</sup>Pa，线速度为2米/分钟时，在玻璃上依次溅射氧化钛TiOx、氧化锌ZnOx、金属镍铬NiCr、金属银Ag、氧化锌ZnOx、氮化硅SiNx。本发明具有在实现膜层的低辐射率和低传热性能的基础上，能够同时实现膜层对自然光的高透过率82.5-83％的优点。
文档编号C03C17/36GK101654333SQ20091002735
公开日2010年2月24日 申请日期2009年5月31日 优先权日2009年5月31日
发明者杨德兵, 王贤荣 申请人:江苏蓝星玻璃有限公司