一种高透过率tp玻璃及其制造方法

专利名称：：一种高透过率tp玻璃及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及一种TP玻璃，特别是指一种高透过率TP玻璃及其制造方法。
背景技术：
：氧化铟锡导电玻璃(IT0)，上世纪九十年代以来，主要应用在液晶显示行业的液晶面板玻璃。玻璃结构为GlaSS/Si02/IT0。其中的ITO层为导电层，厚度为可变的，主要产品从8nm-500nm甚至更厚连续可调。不同的厚度可以对应不同的电阻，应用在TP、TN、STN、CSTN等各个领域。另外，Si02膜通常称为"阻挡层"，厚度在20-30nm，主要利用Si02膜层的晶体结构，可以阻挡玻璃中的Na+离子析出，进入ITO层。如果Na+离子析出，进入ITO层，会导致液晶显示器的显示出现"字肥"的现象，此为严重缺陷。以上的结构中，Si02的厚度不变时，ITO玻璃的透过率主要随着ITO膜层厚度的变化呈现周期性的变化，一般在78-90%之间，可以满足普通液晶显示的需要。普通的TP玻璃也是ITO玻璃的一种，IT0厚度为8-12nm，电阻在200-600Q/□(方块电阻)之间，透过率在89-91%左右。中国专利公开号CN101475317A公开了一种触摸屏用高透过率导电玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片表面依次设置有二氧化硅镀膜层和氧化铟锡镀膜层，二氧化硅镀膜层位于内层，氧化铟锡镀膜层位于外层，在玻璃基片和二氧化硅镀膜层之间设置有五氧化二铌镀膜层。该发明专利申请在说明书中提到可将玻璃的可见光透过率提高到94%以上，但是由于其只在玻璃的前表面进行减反射，其减反射效果并不是特别理想。
发明内容本发明的主要目的在于克服现有技术中TP玻璃可见光透过率不理想的缺点，提供一种高透过率TP玻璃及其制造方法。本发明采用如下技术方案一种高透过率TP玻璃，包括一玻璃基片，在该玻璃基片的后表面依次设有一层恥205(五氧化二铌)和一层Si02(二氧化硅)，在该玻璃基片的前表面依次设有一层恥205、一层Si02和一层ITO(氧化铟锡)。其结构为ITO/Si02/Nb205/Glass/歸5/Si02。其中位于后表面的Si02层的厚度为120-130nm，位于后表面的恥205层的厚度为15-20nm，3位于前表面的恥205层的厚度为15-20nm，位于前表面的Si02层的厚度为90-95nm，ITO层的厚度为10-12nm。一种高透过率TP玻璃的制造方法，包括如下步骤步骤一，将玻璃基片清洗干净；步骤二，在真空磁控溅射镀膜机内，先在玻璃基片的后表面镀Nb205层和Si02层，再在玻璃基片的前表面镀恥205层、Si02层和IT0层。其中，镀恥205层时采用中频磁控反应溅射方法，镀Si02层时采用中频磁控反应溅射方法，镀IT0层时采用直流磁控溅射方法。其中，IT0靶材采用含3。/。重量Sn02的In203靶材，与普遍采用的10。/。的Sn02的靶材不同，目的是使IT0的电阻率高、膜层厚、工艺稳定性和ITO的膜层性能显著提高。由上述对本发明的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下有益效果本发明采用双面镀减反射膜层的方法，同时减少了玻璃前、后两个表面对光线的反射。从而最大限度提高了产品的可见光透过率，使产品的可见光透过率可达到99%以上。另外，选择成膜折射率较为稳定的五氧化二铌和二氧化硅作为光学增透的介质层，利用五氧化二铌和氧化硅良好的绝缘性和稳定的折射率，可使导电玻璃的性能稳定可靠。同时合理的工艺过程有利于提高操作的可控性和产品质量的稳定性，可满足大批量生产的要求。图1为本发明一种高透过率TP玻璃的膜层结构示意图2为本发明的减反射原理示意图。具体实施例方式以下通过具体实施方式对本发明进行详细说明。参照图l，本发明的一种高透过率TP玻璃，包括玻璃基片l，玻璃基片l后表面依次设置有五氧化二铌镀膜层2和二氧化硅镀膜层3，玻璃基片l的前表面依次设置有五氧化二铌镀膜层4和二氧化硅镀膜层5和氧化铟锡镀膜层6。其中，后表面的五氧化二铌镀膜层2的厚度为15-20nm，二氧化硅镀膜层3的厚度为120-130nm，前表面的五氧化二铌镀膜层4的厚度为15-20nm，二氧化硅镀膜层5的厚度为90-95nm，氧化铟锡镀膜层6的厚度为10-12nm。通常来说，要最大限度提高导电玻璃的可见光透过率，需要同时降低玻璃前后两个表面对可见光的反射，因此需要玻璃的前后表面都镀制减反射介质膜层。参照图2，为本发明的减反射原理示意图，图中A为入射光，B为前表面反射光，C为后表面反射光，D为透射光。另外，介质层膜的选择是关键，只有选择合理的介质层膜，才可利用光学原理，使各介质层膜之间相互干涉，并使各介质层膜界面的反射光与入射光相互抵消，从而提高可见光的透过率，降低可见光的反射率，在此，本发明选择成膜折射率较为稳定的五氧化二铌和二氧化硅作为光学增透的介质层，并且五氧化二铌和二氧化硅均具有良好的绝缘性和稳定的折射击率，与ITO材料的磁控溅射可顺利制造完成，对面电阻也无明显的影响，因此在保证导电性能的前提下，可使导电玻璃的可见光透过率提高到99%以上，显示效果也更为清晰。本发明所述的触摸屏用高透过率导电玻璃的生产工艺的流程为A.选择合格的玻璃基片进行清洗。B.将清洗干净的玻璃基片送入镀膜机内。C.对玻璃基片的后表面进行镀膜加工，先镀五氧化二铌膜，再镀二氧化硅膜。D.对玻璃基片的前表面进行镀膜加工，先镀五氧化二铌膜，再镀二氧化硅膜，最后镀氧化铟锡膜。D.将镀好膜的成品从镀膜机取出。E.对成品进行性能检测，合格的包装入库。其中镀五氧化二铌膜采用的是中频反应磁控溅射工艺，溅射时玻璃温度控制在20(TC±50。C，本底真空度《2.0X10—^a，工作真空度(3-5)X10—Va，99.999%的高纯氩气，流量为IOOSCCM，99.995%的高纯氧分量占12%左右，玻璃通过耙面速度为O.6m/分，耙功率为8.5KW，耙表面电压为450V，所得五氧化二铌膜层的厚度为18nm。其中镀二氧化硅采用的是中频反应磁控溅射工艺，溅射时玻璃温度控制在20(TC±50°C，本底真空度《2.0X10—^a，工作真空度(3-5)X10—Va，99.999%的高纯氩气，流量为300SCCM，玻璃通过耙面速度为O.6m/分，耙表面电压为440V，99.995%的高纯氧分量占50%左右。靶材总功率为43KW时，所得二氧化硅镀膜层的厚度为125nm;靶材总功率为30KW，所得二氧化硅镀膜层的厚度为95nm。其中镀氧化铟锡膜采用的是直流磁控溅射工艺，溅射时，玻璃温度控制在30(TC士l(rC，本底真空度《2.0X10—3Pa，工作真空度(3-5)X10—^a，99.999%的高纯氩气，流量为400SCCM，玻璃通过耙面速度为O.6m/分，耙功率为2.3KW，耙表面电压为380V，99.995%的高纯氧分量占O.4%左右，所得氧化铟锡镀膜层的厚度为10-12nm，单片玻璃方块电阻400Q/□±7%。在镀膜设备方面，由于各功能膜溅射时的工作条件不同，因此在各镀膜真空腔室之间采用了大抽气量的涡轮分子泵，并通过气体隔离阀门进行隔离，以保证镀膜气氛的稳定，提高镀膜质量。所得的触摸屏用高透过率导电玻璃的性能指标如下可见光透过率(550nm处测量)》99%;单片玻璃方块电阻4000/口±7%;耐酸酸性(AR/R)《10%;耐酸碱性(AR/R)《10%;膜厚批均匀性《±5%;耐擦性(AR/R)《10%;热稳定性(AR/R)《10%。参照下表，为本发明一种高透过率TP玻璃在不同厚度膜层的情况下的透过率对比表:<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>上述仅为本发明的一个具体实施方式，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明保护范围的行为。权利要求1.一种高透过率TP玻璃，包括一玻璃基片，其特征在于在该玻璃基片的后表面依次设有一层Nb2O5和一层SiO2，在该玻璃基片的前表面依次设有一层Nb2O5、一层SiO2和一层ITO。2如权利要求1所述的一种高透过率TP玻璃，其特征在于其中位于后表面的Si02层的厚度为120-130nm，位于后表面的Nb205层的厚度为15-20nm，位于前表面的Nb205层的厚度为15-20nm，位于前表面的Si02层的厚度为90-95nm，IT0层的厚度为10-12nm。3如权利要求1或2所述的一种高透过率TP玻璃的制造方法，其特征在于包括如下步骤步骤一，将玻璃基片清洗干净；步骤二，在真空磁控溅射镀膜机内，先在玻璃基片的后表面镀Nb205层和Si02层，再在玻璃基片的前表面镀Nb205层、Si02层和IT0层。4如权利要求3所述的一种高透过率TP玻璃的制造方法，其特征在于:镀Nb205层时采用中频磁控反应溅射方法，镀Si02层时采用中频磁控反应溅射方法，镀IT0层时采用直流磁控溅射方法。5如权利要求3所述的一种高透过率TP玻璃的制造方法，其特征在于:IT0靶材采用含3。/。重量Sn02的In203靶材。全文摘要本发明涉及一种TP玻璃，特别是指一种高透过率TP玻璃及其制造方法，包括一玻璃基片，在该玻璃基片的后表面依次设有一层Nb₂O₅和一层SiO₂，在该玻璃基片的前表面依次设有一层Nb₂O₅、一层SiO₂和一层ITO。和现有技术相比，本发明采用双面镀减反射膜层的方法，同时减少了玻璃前、后两个表面对光线的反射，从而最大限度提高了产品的可见光透过率，使产品的可见光透过率可达到99％以上。文档编号C03C17/34GK101648777SQ20091030510公开日2010年2月17日申请日期2009年7月31日优先权日2009年7月31日发明者李俊华,文王申请人:佳晶光电(厦门)有限公司