半导体封装用防护玻璃及其制造方法

专利名称：半导体封装用防护玻璃及其制造方法
技术领域：
本发明涉及安装在收容固体摄像器件、激光二极管的半导体封装的前表面，保护固体摄像器件和激光二极管，并且作为透光窗使用的半导体封装用防护玻璃。特别是涉及收容CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体)等固体摄像器件的塑料封装的防护玻璃。
背景技术：
作为固体摄像器件，现在大量使用的光半导体有CCD (Charge Coupled Device:电荷耦合器件)和CMOS。CXD能够读入高精细图像，因此主要搭载在摄像机中。但近年来，图像数据处理的利用加速发展，利用范围急速扩大。尤其是多用于搭载于数字静物摄影机、手机等之中，将高精细图像转换为电子信息数据。而CMOS也被称作互补金属氧化物半导体，其与CCD相比，具有能够实现小型化，耗电量也少至五分之一的程度，并能够利用微处理器的制造工艺，因此具有设备投资的费用不会提高，能够廉价制造等优点，因此多搭载在手机、小型计算机等图像输入设备中。固体摄像器件配置在由氧化铝等陶瓷材料、金属材料、或者塑料材料形成的半导体封装内，通过各种有机树脂和低熔点玻璃构成的粘合剂将作为透光窗的平板状防护玻璃接合并进行气密密封。半导体封装用防护玻璃要求α射线的放射量少。当来自防护玻璃的α射线的放射量增多时，会引发软错误(soft error)。玻璃释放出α射线的原因是玻璃中含有作为杂质的放射性同位素U (铀)或Th (钍)。因此，在玻璃制造时，采取了使用高纯度原料或对原料进行熔融的熔融炉的内壁使用放射性同位素少的耐火材料(例如氧化铝电铸耐火物、石英耐火物、钼)等对策。另一方面，近年来，随着数字照相机、搭载有照相机的手机的普及，对高像素、小型、质量轻的摄像系统的需求增高，对部件的节省空间的要求也随之增强。因此，封装材料的小型化、薄型化得以推进。为了部件整体的轻量化，塑料制封装正受到关注。基于上述事实，在专利文献I中公开了与塑料封装的热膨胀系数匹配、且α射线放射量少的半导体封装用防护玻璃。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004-327978号公报

发明内容
发明要解决的课题由于C⑶和CMOS需要 将图像正确转换为电子信息，因此对用于该C⑶和CMOS的防护玻璃，就其表面的污溃、伤痕、杂质附着等设计了严格的标准，并被要求具有高品质的清洁度。且除了表面清洁度之外，还要求防止玻璃内部的结晶缺陷和钼等杂质的混入。且该玻璃还被要求经过较长时间表面品质也不会降低的优异的耐候性、不易引起破损和变形、以及能够实现轻量化的低密度。本发明即是鉴于上述情况而做出，其技术课题在于提供一种具有适于塑料封装的特性、α射线的放射量通常很少的半导体封装用防护玻璃及其制造方法。解决课题的手段本发明的半导体封装用防护玻璃的特征在于，以质量％计含有Si0258 75%、Al2O3L I 20%,B2O3O 10%、Na200.1 20%,K2OO 11%、碱土金属氧化物 O 20%,在 30 280°C的温度范围内的平均热膨胀系数为90 180X 10_V°C，杨氏模量在68GPa以上，来自玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2.hr以下。“平均热膨胀系数”是指使用膨胀计测的的30 380°C的温度范围内的平均热膨胀系数。“杨氏模量”是指通过谐振法测得的值。“α射线放射量”是使用超低水平α射线测量装置(LACS-4000M住友化学株式会社制造)测得的值。根据上述结构，由于热膨胀系数和杨氏模量适用于塑料封装，因此，即使作为塑料封装的防护玻璃使用，也不会发生由热膨胀差造成的翘曲、变形或者玻璃的裂纹或剥离等。且由于具有特定的组成，因此能够得到化学耐久性优异、密度低的玻璃。在本发明的半导体封装用防护玻璃中，优选为玻璃中的U含量在IOOppb以下，Th含量在200ppb以下。根据上述结构 ，能够可靠降低α射线的放射量。在本发明中，优选基本上不含ZrO2、As2O3和BaO。根据上述结构，能够可靠降低α射线的放射量。在本发明的半导体封装用防护玻璃中，优选碱金属氧化物和碱土金属氧化物的合计含量为21 35质量％。“碱金属氧化物和碱土金属氧化物的合计含量”是指Na20、K2O,Li2O, CaO、MgO, SrO和BaO的含量的合计量。根据上述结构，容易提高玻璃的热膨胀系数。在本发明的半导体封装用防护玻璃中，优选液相温度时的玻璃粘度在104 7dPa.s以上。液相温度意为如下所述测得的温度:首先将各玻璃试样粉碎为300 500 μ m的粒径，将该粉碎后试样放入钼坩埚，在温度梯度炉中保持8小时。然后用显微镜观察试样，将玻璃试样内部观察到失透(结晶杂质)的温度中的最高温度作为液相温度。并将液相温度下的玻璃粘度作为液相粘度。根据上述结构，易于通过溢流下拉法形成玻璃。其结果是即使不经研磨也易于得到表面品质优异的玻璃。另外，现有的防护玻璃有可能在出货前的图像检测中无法正确检测出是否有杂质和尘埃，或导致误操作。其原因被认为是:对防护玻璃的透光面实施精密研磨加工的结果，表面会形成无数的微细的凹凸(微小的研磨伤痕)。一旦用电子仪器对具有微细凹凸的防护玻璃进行图像检测时，由于防护玻璃的透光面的凹凸将引起照射光的折射，看起来明亮的部分和阴暗的部分混合存在，导致无法正确检测是否有杂质和尘埃等。为防止这样的问题，半导体封装用防护玻璃优选具有未研磨的表面。“具有未研磨的表面”是指具有在未研磨的状态下能够用作防护玻璃的表面品质。更具体而言，意味着表面粗糙度(Ra)在1.0nm以下。表面粗糙度(Ra)用于表征表面平滑性的品质，能够通过采用基于JIS B0601的试验方法进行测量。根据上述结构，由于具有未研磨的表面，换言之由于透光面不存在微小的凹凸和槽，因此在图像检测中能够正确检测是否存在杂质和尘埃等。而且能够抑制由入射光的散射引起的元件的误操作，防止显示不佳。且由于不经研磨，因此无需考虑氧化铈残留在玻璃表面引起的α射线的放射。此外，还能够省略精密研磨加工工序，因此，能够以低成本大量生产。在本发明的半导体封装用防护玻璃中，优选以质量为基准，SiO2/ (Α1203+Κ20)的比值为I 12。根据上述结构，能够维持玻璃的耐候性和熔融性，并易于得到高液相粘度。在本发明的半导体封装用防护玻璃中，优选以质量为基准，(Na2CHK2O) /Na2O的比值为1.1 10。根据上述结构，能够容易得到高液相粘度。本发明的半导体封装用防护玻璃，优选用于CMOS用塑料封装。本发明的半导体封装用防护玻璃的制造方法，其特征在于，选择玻璃原料和熔融设备，调制以质量 % 计含有 Si0258 75%、Al2O3L I 20%、B2O3O 10%、Na2O0.1 20%、K2OO 11%、碱土金属氧化物O 20%，在30 280°C的温度范围内的平均热膨胀系数为90 180X10_7/°C的玻璃原料并将其熔融，然后，采用溢流下拉法将熔融玻璃成形为板状，使得来自玻璃的α射线的放射量在0.05C/Cm2*hr以下。在本发明中，“熔融设备的选择”是指选择并使用放射性同位素的含量少的材料制成的熔融槽、澄清槽等。根据上述结构， 能够容易制作本发明的防护玻璃。在本发明的方法中，优选进行原料批量的选择和熔融条件的调节，使得玻璃中的U含量在IOOppb以下，Th含量在200ppb以下。根据上述结构，能够可靠降低所得到的玻璃的α射线的放射量。本发明的方法中，优选采用基本上不含Zr02、As2O3和BaO的批料。根据上述结构，能够可靠降低所得到的玻璃的α射线的放射量。
具体实施例方式本发明的防护玻璃，以质量％计含有Si0258 75%、Α12031.I 20%、Β2030 10%、Na2O0.1 20%、K2OO 11%、碱土金属氧化物O 20%。下面对玻璃组成如上所述限定的理由进行说明。在下述说明中，如无特别说明，
“％”意为“质量％”。SiO2为构成玻璃的骨架的主要成分，具有提高玻璃的耐候性的效果。但当SiO2的含量过多时，玻璃的高温粘度上升，熔融性恶化，并有液相粘度升高的倾向。SiO2的含量为58 75%、优选为60 73%、更优选为62 69%。Al2O3为提高玻璃的耐候性和液相粘度、提高杨氏模量的成分。但当Al2O3的含量过多时，有玻璃的高温粘度上升、熔融性恶化的倾向。Al2O3的含量为1.1 20%、优选为1.1 18%、更优选为1.1 17%、进一步优选为1.1 17.5%、更进一步优选为1.1 16.5%、特别优选为4 16%。B2O3作为熔剂发挥作用，为降低玻璃粘性、改善熔融性的成分。且还是用于提高液相粘度的成分。但当B2O3的含量过多时，有玻璃的耐候性降低的倾向。B2O3的含量为O 10%、优选为O 9%、更优选为O 8%、进一步优选为O 5%、更进一步优选为O 3%、再进一步优选为O 2%、又进一步优选为O 1.9%、特别优选为O 1%。碱金属氧化物(Na20、K20、Li20)为降低玻璃的粘性、改善熔融性并有效调节热膨胀系数和液相粘度的成分。但是，当碱金属氧化物的含量过多时，玻璃的耐候性将显著恶化。由此，碱金属氧化物的含量需要考虑热膨胀系数和化学耐久性(碱溶出量和耐候性)的平衡等来决定。碱金属氧化物的合计含量优选为O 27%、更优选为I 27%、进一步优选为5 25%、特别优选为7 23%。在碱金属氧化物中，Na2O的调节热膨胀系数的效果特别好，K2O提高液相粘度的效果特别好。因此，并用Na2O和K2O,易于调节热膨胀系数和液相粘度。因此，本发明优选含有Na2O和K2O作为必需成分。Na2O的含量为0.1 20%、优选为3 18%、更优选为8 17%。K2O的含量为O 11%、优选为O 9%、更优选为O 7%、进一步优选为O 2%、特别优选为O 1%。且Na2O和K2O的合计含量优选为4 22%、更优选为6 20%。另外，在本发明中，还可含有Li20。但Li2O在原料中容易含有放射性同位素，因此其含量优选限定为O 5%、优选为O 3%、更优选为O 1%、特别优选为O 0.5%。在本发明中，(Na2CHK2O)/Na2O的比值，当以质量为基准限定在1.1 10时，容易得到高液相粘度。该(Na2CHK2O) /Na2O的比值优选为1.1 5、更优选为1.2 3。在本发明中，SiO2的降低量越多、Al2O3和K2O的增加量越多，液相粘度上升的趋势越大。为此，当以质量为基准，SiO2/ (A1203+K20)的比值限定为I 12、优选为2 10时，能够维持玻璃的耐候性和熔融性,并且实现高液相粘度。碱土金属氧化物(MgO、CaO、SrO、BaO)为提高玻璃的耐候性、降低玻璃的粘性、改善熔融性的成分。但当这些成分的含量过多时，容易导致玻璃失透和密度上升。因此，碱土金属氧化物的含量以合计含量计，为O 20%、优选为0.5 18%、更优选为1.0 18%。另一方面，由于碱土金属氧化物成分中的BaO和SrO容易提高密度，因此在希望降低密度的情况下，BaO和SrO分别优选为限定在12%以下、特别优选为10%以下。基于同样的理由，两者的合计含量优选限定为6.5 13%。另外，BaO和SrO在原料中容易含有放射性同位素，因此，在希望降低α射线放射量的情况下，BaO和SrO分别优选为O 3%、更优选为O 1%、进一步优选为O 0.8%，最优选为O 0.5%，优选尽可能基本上不含。在此“基本上不含BaO和SrO”是指在玻璃组成中SrO和BaO的含量均在0.2%以下。在本发明中，在30 380 °C的温度范围内的平均热膨胀系数为90 180 X 10_7/°C。为了达到这样高的热膨胀系数，优选大量导入碱金属氧化物和碱土金属氧化物。具体而言，碱金属氧化物和碱土金属氧化物的合计含量为21 35%、特别优选为22 33%。另外，在这些成分的合计含量过多的情况下，有可能产生杨氏模量降低、液相粘度降低等不利情况。在本发明中，在无损于玻璃性能的范围内，除了上述成分以外，还可含有5%以下的P205、Y2O3> Nb203、La2O3等成分。但由于PbO、CdO等的毒性强，因此应避免使用。在本发明中，各种澄清剂的合计含量最多可含有3%。作为澄清剂，可使用Sb203、Sb205、F2、Cl2、C、S03、Sn02 *Al、Si 等金属粉末。

在本发明的SiO2-Al2O3-B2O3-RO类(Si02、A1203、B2O3和碱土金属氧化物作为必需成分的组成体系)玻璃的情况下，作为澄清剂，优选以Sb2O3和Sb2O5的合计含量为0.05 2.0%，F2、Cl2、S03、C、Sn02 的合计含量为 0.1 3.0% (特别是 Cl20.005 1.0%,SnO20.01 1.0%)的比例使用。而在SiO2-Al2O3-B2O3-R2O类(510、六1203、B2O3和碱金属氧化物作为必需成分的组成体系)玻璃的情况下，为实现优异的熔融性，优选为Sb2O3和Sb2O5的合计含量为0.2% 以下，F2、Cl2, SO3> C、SnO2 的合计含量为 0.1 3.0%。另外，由于As2O3在很宽的温度区域(1300 1700°C左右)内能够产生澄清气体，因此，广泛用作这种玻璃的澄清剂，但原料中也容易含有放射性同位素。并且As2O3的毒性非常强，有可能在玻璃的制造工艺中和废玻璃处理等时污染环境。因此，应该基本上不含As203。并且，与As2O3同样，Sb2O3和Sb2O5尽管也是澄清效果优异的成分，但同样由于毒性非常强，优选尽可能基本上不含。在此，“基本上不含”是指玻璃组成中的As2O3的含量在0.1%以下、优选为IOOppm以下。Sb2O3和Sb2O5的含量均在0.1%以下、优选为0.09%以下，最优选为0.05%以下。另外，Fe2O3也可用作澄清剂，但会使玻璃着色，因此其含量优选为500ppm以下、更优选为300ppm以下、进一步优选为200ppm以下。CeO2也能够用作澄清剂,但会使玻璃着色，因此其含量优选为2%以下、更优选为1%以下、进一步优选为0.7%以下。ZrO2为提高玻璃的应变点和杨氏模量的成分，但原料中容易含有放射性同位素。因此，ZrO2的使用将导致α射线的放射量增大，危险性很高。另外，ZrO2S降低耐失透性的成分。特别是在利用溢流下拉法进行玻璃成型的情况下，在玻璃与耐火物接触的界面会析出由ZrO2引起的结晶，在长时间操作下有可能降低生产率。因此，ZrO2的含量优选为O 3%、更优选为O 2%、进一步优选为O 1%、更进一步优选为O 0.5%、特别优选为O 0.2%，优选尽可能基本上不含。在此“基本上不含ZrO2”是指玻璃组成中ZrO2的含量在500ppm 以下。TiO2具有改善玻璃的耐候性、降低高温粘度的效果，当与Fe2O3共存时，会助长Fe2O3带来的着色，因此优选基本上不含。在此，“基本上不含Ti02”是指玻璃组成中TiO2的含量在500ppm以下。另外 ，如果使Fe2O3的含量低于200ppm，也可以含有至多5%的Ti02。但使Fe2O3的含量低于200ppm需要花费较大成本，并不现实。具有上述组成的本发明的半导体封装用防护玻璃在30 380°C的温度范围内的平均热膨胀系数易于达到90 180X10_7/°C。因此，即使采用有机树脂、低熔点玻璃构成的粘合材料与塑料封装(约100X 10_7/°C )密封，内部也不会发生形变，能够在长时间内保持良好的密封状态。防护玻璃的优选热膨胀系数为90 160X10_7/°C，更优选的热膨胀系数为 95 130 X IO-V0C ο根据上述组成范围，容易实现低密度、高耐候性、高液相粘度的玻璃。本发明的半导体封装用防护玻璃的杨氏模量越高越好。具体而言，玻璃的杨氏模量优选在68GPa以上、更优选为在70GPa以上。杨氏模量表不防护玻璃在受到一定外力的状态容易变形的程度，杨氏模量越大，则防护玻璃越不易变形。防护玻璃的杨氏模量越高，越能够防止压力直接施加在半导体元件上，结果就能够防止元件的损伤。在上述范围内，为提高玻璃的杨氏模量，只要降低碱金属氧化物的含量，或增加碱土金属氧化物、A1203、B203等的含量即可。本发明的半导体封装用防护玻璃的玻璃比杨氏模量(杨氏模量/密度)越高越好。具体而言，玻璃的比杨氏模量优选为27GPa/g.cm_3以上、特别优选为28GPa/g.cm_3以上。比杨氏模量越高，越易满足质量轻且不易变形的特性，特别适宜用作便携电子设备所使用的半导体封装用防护玻璃。本发明的半导体封装用防护玻璃的密度越低越好。具体而言，当玻璃密度为
2.60g/cm3以下、特别是2.55g/cm3以下时，特别适于搭载在室外使用的便携电子设备中的用途。即，由于摄像机、手机、PDA (Personal Digital Assistant:个人数码助理)等设备有时在室外使用，因此要求其质量轻、便于携带。在上述范围内，为降低玻璃的密度，例如降低碱土金属氧化物、Al2O3的含量，或增加B2O3的含量即可。另外，搭载在室外使用的便携电子设备的情况下，除了质量轻、便于携带之外，还要求具有高耐候性。即，还需要具有即使在室外严酷的环境下使用，表面品质也不会降低的特性。在上述范围内，为了提高玻璃的耐候性，例如降低碱金属氧化物的含量即可。本发明的半导体封装用防护玻璃的液相粘度越高越好。即，通过溢流下拉法形成SiO2-Al2O3-B2O3-RO (或R2O)类玻璃的情况下，成型部分中玻璃的粘度约为104 7dPa*s的程度。因此，当玻璃的液相粘度在104 7dPa.s附近或其以下时，成型后的玻璃易产生失透物。一旦玻璃中产生了失透物，就将使透光性受损，而无法作为防护玻璃使用。因此，用溢流下拉法形成玻璃的情况下，玻璃的液相粘度优选尽可能高。具体而言，玻璃的液相粘度优选在104 7dPa*s以上、特别优选在105_°dPa*s以上。在上述范围内，为提高玻璃的液相粘度，可降低SiO2、碱土金属氧化物等的含量，或增加碱金属氧化物、Al2O3等的含量。此外，本发明的半导体封装用防护玻璃的特征在于，来自玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2.hr以下。来自玻璃的 α射线的放射量少时，即使以高像素(例如100万像素以上)搭载在小型固定摄像装置中，也能够实现降低α射线所带来的软错误的效果。为使α射线的放射量在0.05C/Cm2*hr以下，优选防止杂质从原料、熔融槽混入，将玻璃中的U含量抑制在IOOppb以下、Th量抑制在200ppb以下。近年来，固体摄像器件的像素数越来越大，随之也越易发生α射线引起的软错误，因此，窗玻的α射线的放射量优选为0.0lc/cm2.hr以下、更优选为0.0035c/cm2.hr以下、特别优选为0.003c/cm2.hr以下。而U含量优选为20ppb以下、更优选为5ppb以下、特别优选为4ppb以下；Th含量优选为40ppb以下、更优选为IOppb以下、特别优选为Sppb以下。此外，U与Th相比更容易放射α射线，因此U的容许含量与Th的容许含量相比更少。另外，为减少α射线的放射量或降低U、Th含量，可举出尽可能不使用放射性元素作为杂质大量含有的Zr02、BaO等玻璃原料、选择高纯度原料、以放射性同位素少的耐火物构成熔融炉的内壁、不需要研磨工序的方法等形成玻璃(=采用溢流下拉法)等手段。本发明的半导体封装用防护玻璃更优选为其透光面为非研磨面。另外，为了不经研磨即可使用，需要采用能够直接形成表面品质高的玻璃，具体而言，需要采用表面粗糙度(Ra)优选为1.0nm以下、更优选为0.5nm以下、特别优选为0.3nm以下的玻璃的成型方法。作为这样的方法，可举出溢流下拉法。由于在溢流下拉法中，玻璃的两个透光面是在不与其它部件接触的情况下成型，因此，玻璃的表面为自由表面(自由抛光面)，能够在不经研磨的情况下得到上述表面品质优异的玻璃。防护玻璃的透光面的表面粗糙度(Ra)越小，越能提高检测杂质等的图像检测的精度，散射光所导致的元件的误操作的发生率越低。此外，半导体封装、设备的设计要求严格的尺寸精度。半导体封装用防护玻璃的板厚以厚度偏差较大的方式变化时，将会给上述设计造成很大的影响。而当制作较厚的防护玻璃，在后续工序中研磨量增多时，制造基板将花费较高成本。溢流下拉法能够以低成本制造板厚偏差小的基板。本发明的半导体封装用防护玻璃优选厚度为0.05 0.7mm。厚度越大，越将成为轻量化的障碍，且当厚度超过0.7mm时，与固体摄像器件的距离越容易变得太近，越容易导致显示不良。当厚度低于0.05_时，将导致实用强度不足，或导致大型玻璃板的挠曲增大，不易处理。因此，玻璃板厚度优选为0.1 0.5mm。接着，说明本发明的半导体封装用防护玻璃的制造方法。首先，制备能得到具有期望组成和特性的玻璃的玻璃原料调制物。作为目标的玻璃组成和特性如上所述，在此省略说明。玻璃原料使用u、Th等杂质少的高纯度原料。更具体而言，选择U含量在IOOppb以下(优选20ppb以下)、Th含量在200ppb以下(优选40ppb以下)的高纯度原料。接着，将调和之后的玻璃原料投入熔融槽进行熔融。熔融槽可以使用钼容器，但由于钼容易混入玻璃中，优选尽可能不使用。使用耐火物制的熔融槽的情况下，优选为至少熔融槽的内壁(顶棚、侧面、底面)由U、Th含量少的耐火物制成。具体而言，优选为氧化铝耐火物(例如氧化铝制电铸砖)、石英耐火物(例如二氧化硅块)，这是因为其不易被腐蚀，且U、Th的含量均在Ippm以下，U、Th向玻璃中溶出的量少。接着，用澄清槽进行熔融玻璃的均匀化(脱泡、去除纹理)。该澄清槽可由耐火物或钼制作。此外，由于锆耐火物所含放射性同位素较多，因此应避免在澄清槽的内壁材料中使用。然后，采用溢流下拉法将均匀化的熔融玻璃成型为板状，得到具有期望厚度的玻璃板。将这样得到的 玻璃板切割加工为规定的尺寸，根据需要进行倒角加工，制成防护玻璃。这样得到的封装用防护玻璃具有上述基本组成，采用了高纯度原料，并被保养为杂质不易混入的熔融环境。因此能够得到期望的特性，且能够精密控制U、Th、Fe203> PbO、Ti02、Zr02等的含量。
实施例以下，基于实施例说明本发明的封装用防护玻璃。表1、2表示本发明的封装用防护玻璃的实施例(试样N0.1 11)。表I
权利要求
1.一种半导体封装用防护玻璃，其特征在于，以质量％计含有Si0258 75%、Al2O3L 1 20%,B2O3O 10%、Na200.1 20%,K2OO 11%、碱土金属氧化物 O 20%,在 30 380°C的温度范围内的平均热膨胀系数为90 180X 10_V°C，杨氏模量在68GPa以上，来自所述玻璃的ct射线的放射量在0.05c/cm2.hr以下。
2.按权利要求1所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，所述玻璃中的U含量在IOOppb以下，Th含量在200ppb以下。
3.按权利要求1或2所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，所述玻璃中基本上不含 ZrO2、As2O3 和 BaO。
4.按权利要求1 3中任一项所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，所述玻璃中的碱金属氧化物和碱土金属氧化物的合计含量为21 35质量％。
5.按权利要求1 4中任一项所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，所述玻璃的液相温度时的玻璃粘度在104 7dPa.s以上。
6.按权利要求1 5中任一项所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，所述玻璃具有未研磨表面。
7.按权利要求1 6中任一项所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，以质量为基准，SiO2/(Al2O3 + K2O)的比值为 I 12。
8.按权利要求1 7中任一项所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，以质量为基准，(Na2O + K2O) /Na2O 的比值为 1.1 10。
9.按权利要求1 8中任一项所述的半导体封装用防护玻璃，其特征在于，所述玻璃用于CMOS用塑料封装。
10.一种半导体封装用防护玻璃的制造方法，其特征在于，选择玻璃原料和熔融设备，调制以质量%计含有Si0258 75%以上、Al2O3L I 20%、B2O3O 10%、Na2O0.1 20%、K2OO 11%、碱土金属氧化物O 20%，在30 380°C的温度范围内的平均热膨胀系数为90 180X10_7/°C，杨氏模量在68GPa以上的玻璃原料并将其熔融，然后，采用溢流下拉法将熔融玻璃成形为板状，使得来自所述玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2.hr以下。
11.按权利要求10所述的半导体封装用防护玻璃的制造方法，其特征在于，选择原料批量和调节熔融条件，使得所述玻璃中的U含量在IOOppb以下，Th含量在200ppb以下。
12.按权利要求10或11所述的半导体封装用防护玻璃的制造方法，其特征在于，采用基本上不含ZrO2、As2O3和BaO的批料。
全文摘要
本发明涉及一种半导体封装用防护玻璃及其制造方法，该防护玻璃具有适于塑料封装的热膨胀系数，且能够通过图像检测正确检测是否存在杂质和尘埃等，且其α射线的放射量通常很少。该防护玻璃的特征在于，以质量%计含有SiO258～75%、Al2O31.1～20%、B2O30～10%、Na2O0.1～20%、K2O0～11%、碱土金属氧化物0～20%，在30～280℃的温度范围内的平均热膨胀系数为90～180×10-7/℃，杨氏模量在68GPa以上，来自玻璃的α射线的放射量在0.05c/cm2·hr以下。
文档编号C03B17/06GK103097317SQ201180043719
公开日2013年5月8日 申请日期2011年9月8日 优先权日2010年9月9日
发明者驹井誉子, 村田隆, 淀川正弘 申请人:日本电气硝子株式会社