壁圈内陷的陶器加工方法及其陶器的制造方法
【专利摘要】壁圈内陷的陶器加工方法，其特征在于：第一步，陶土制作坯体工艺，且在坯体底部设置壁圈内陷结构，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸；第二步，制作耐火材料的支架2，且支架上的支撑部与壁圈相对应；第三步，将支架支撑在待烧的配体上，进行烧制，支架的支撑部恰好与壁圈对齐支撑坯体烧制；第四步，烧制好后除壁圈外，陶器本体1外表面均上釉。壁圈为圆形，与之对应的支架2的支撑部也为圆形。壁圈内陷的陶器加工方法加工的陶器，陶器底部的壁圈12内陷，且壁足11部位比壁圈和壁心13部位外凸。本发明的有益效果：壁圈部分内陷，壁足部位比壁圈部分外凸，壁足外表面光滑，本发明在桌面等其他表面摩擦时，不会对桌面或其它表面形成磨痕。
【专利说明】壁圈内陷的陶器加工方法及其陶器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种陶器(瓷器)的加工方法及其产品，特别涉及一种壁圈内陷的陶器加工方法。
【背景技术】
[0002]陶器的烧制，中国已经有上千年的历史，我们生活中经常用的瓷碗、茶杯、罐等等，都是陶瓷烧制的。但是自古以来，陶瓷的底部，也就是没有上釉的一圈(称之为壁圈)，也就是在烧制的时候与被支撑物接触的部位。底部的壁圈部位都比较粗糙，而且都是向下凸起的，这样在放置在桌面或其他表面，来回滑动几下，就会磨损桌面等其他表面，这样造成其他与之接触的表面留有划痕。如图1所示，陶器本体I的底部壁足11下方是壁圈12，壁圈12外凸与桌面等表面接触。
【发明内容】
[0003]针对现有技术的不足，本发明提供一种壁圈内陷的陶器加工方法。
[0004]为了实现上述目的，本发明所采取的技术方案是:
[0005]壁圈内陷的陶器加工方法，
[0006]第一步，陶土制作坯体工艺，且在坯体底部设置壁圈内陷结构，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸；
[0007]第二步，制作耐火材料的支架，且支架上的支撑部与壁圈相对应；
`[0008]第三步，将支架支撑在待烧的配体上，进行烧制，支架的支撑部恰好与壁圈对齐支撑坯体烧制；
[0009]第四步，烧制好后除壁圈外，陶器外表面均上釉。
[0010]壁圈为圆形，与之对应的支架的支撑部也为圆形。
[0011]壁圈内陷的陶器加工方法加工的陶器，陶器底部的壁圈内陷，且壁足部位比壁圈和壁心部位外凸。
[0012]本发明的有益效果:壁圈部分内陷，壁足部位比壁圈部分外凸，壁足外表面光滑，本发明的工艺烧制的瓷器在桌面等其他表面摩擦时，不会对桌面或其它表面形成磨痕。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是现有技术的陶器的剖视图；
[0014]图2是本发明的陶器的剖视图。
【具体实施方式】
[0015]如图2所示，壁圈内陷的陶器加工方法:
[0016]第一步，陶土制作坯体工艺，且在坯体底部设置壁圈内陷结构，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸；[0017]第二步，制作耐火材料的支架2，且支架上的支撑部与壁圈相对应；
[0018]第三步，将支架支撑在待烧的配体上，进行烧制，支架的支撑部恰好与壁圈对齐支撑坯体烧制；
[0019]第四步，烧制好后除壁圈外，陶器本体I外表面均上釉。壁圈为圆形，与之对应的支架2的支撑部也为圆形。
[0020]壁圈内陷的陶器加工方法加工的陶器，陶器底部的壁圈12内陷，且壁足11部位比壁圈和壁心13部位外凸。
[0021]本发明最重要之处是托烧时经过隔离处理后不会在陶器的托烧处留下托烧的任何痕迹。 [0022]本发明的有益效果:壁圈部分内陷，壁足部位比壁圈部分外凸，壁足外表面光滑，本发明的工艺烧制的瓷器在桌面等其他表面摩擦时，不会对桌面或其它表面形成磨痕。
[0023]图2所示意的图只是一种实施例的图，不代表本专利的限制范围，只要采用壁圈内陷的都是本专利的保护范围。
【权利要求】
1.壁圈内陷的陶器加工方法，其特征在于， 第一步，陶土制作坯体工艺，且在坯体底部设置壁圈内陷结构，壁足部位比壁圈和壁心部位外凸； 第二步，制作耐火材料的支架，且支架上的支撑部与壁圈相对应； 第三步，将支架支撑在待烧的配体上，进行烧制，支架的支撑部恰好与壁圈对齐支撑坯体烧制； 第四步，烧制好后除壁圈外，陶器外表面均上釉。
2.如权利要求1所述的壁圈内陷的陶器加工方法，其特征在于，壁圈为圆形，与之对应的支架的支撑部也为圆形。
3.采用权利要求1或2所述的壁圈内陷的陶器加工方法加工的陶器，其特征在于，陶器底部的壁圈内陷，且壁足 部位比壁圈和壁心部位外凸。
【文档编号】C04B33/34GK103664139SQ201210322234
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月3日 优先权日:2012年9月3日
【发明者】朱小杰 申请人:朱小杰