专利名称：一种用于熔解晶体硅的坩埚及其制备方法和喷涂液的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种坩埚，尤其涉及一种用于熔解晶体硅的坩埚及其制备方法和喷涂液，属于坩埚技术领域。
背景技术：
晶体硅是太阳能电池的主要原材料，但是，为了获得更高的转换效率，更低的光伏发电成本，因此要求有纯度足够高的晶体硅，所以，就要求有足够高质量的用于熔解晶体硅的坩埚，能够防止杂质的影响或渗入。现有的用于熔解晶体硅的坩埚，主要是采用石英制成的坩埚，由于石英原料的物理性质，缺点是只能使用(熔解)I次就会破损，而且在使用过程中，从制成坩埚的石英原料中会有杂质渗透，特别是氧元素渗入到熔解状态的晶体硅中，污染了硅，导致晶体硅的纯度降低，而使该晶体硅制成太阳能电池之后，电池的转换效率降低，增加了成本。一直以来，为 了解决使用石英坩埚时所存在的缺陷，采用在石英坩埚内表面喷涂有涂层以防止氧元素等杂质的影响，如采用氮化硅或氢氧化钡或钡酸盐在坩埚的内表面喷涂的方法，使在内表面形成涂层。但是，在实际使用中由于坩埚与晶体硅的热胀膨系数之间的差异，容易导致涂层破损、剥落的缺点，从而严重降低晶体硅生产效率，甚至导致整个晶体硅的报废。如仅仅采用氮化硅涂层，其机械上不牢固，并可能在使用期间或甚至在使用之前脱落或剥落，不利于实际的生产和使用的操作；且涂层的厚度只能达到300微米左右，不能很好的防止氧元素等杂质的渗透现象。
发明内容
本发明针对以上现有技术中存在的缺陷，目的在于提供一种用于熔解晶体硅的坩埚及其制备方法和喷涂液，主要解决的技术问题是能够实现防止杂质特别是氧元素的渗入对晶体硅的污染、在使用过程中涂层不易破损和剥落的目的。本发明的目的之一是通过下列技术方案来实现的一种用于熔解晶体硅的坩埚，包括坩埚本体，所述的坩埚本体的内表面涂覆有涂层，所述的涂层由喷涂液喷涂而成，所述喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。一般的用于熔解晶体硅的坩埚，氮化硅是涂层的基本原料，但是不易与坩埚直接形成较好的粘合，且形成的涂层厚度也只能达到300微米左右，而本发明通过在喷涂液中添加烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂，解决了单独使用氮化硅时所存在的问题，通过在喷涂液中加入在常温下能够与坩埚本体粘结的有机粘结剂，从而更有效的实现喷涂液与坩埚本体的粘结，实现提高涂层厚度的效果和实现使涂层在使用过程中不易剥落和破损的现象。解决现有的坩埚在使用过程中涂层易剥落、易破损的问题，而且还能够形成更厚的涂层厚度，能够更有效的防止氧元素等杂质的渗透现象。通过在喷涂液中加入烧结添加剂，能够促进在高温下喷涂液中的成分与坩埚本体的粘结，能够达到降低烧结温度的目的，实现提高涂层厚度的效果，解决使用过程中涂层不易剥落和破损的现象，加入的烧结添加剂的还能够提高涂层的光泽度和涂层的致密性。采用本发明的用于熔解晶体硅的坩埚生产晶体硅，得到的晶体硅中氧元素的浓度小于O. 2ppm，碳元素的浓度小于lppm。同时，本发明的坩埚能够实现重复使用，解决现有的坩埚只能实现一次性使用的技术问题，既能够实现降低生产成本的作用，又能够保护有限的地球自然资源。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的涂层厚度不小于1_。与现有的涂层只能达到300微米左右相比，大大的提闻了涂层的厚度，能够有效的防止氧兀素等杂质对晶体硅的污染。作为优选，所述的涂层的厚度为3_ 6_。能够更有效的防止氧元素等杂质因毛细现象渗透涂层而影响晶体硅的纯度。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，作为优选，所述的喷涂液包含以下成分的重
量份
氮化硅100 ;烧结添加剂0. 05 6. O ;无机粘结剂0. 05 6. O ;有机粘结剂0. 5 50 ;烧结粘结剂1. O 40 ;所述的有机粘结剂在常温下能够与坩埚粘结。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，作为进一步的优选，所述的喷涂液包含以下成分的重量份氮化硅:100 ;烧结添加剂:1· O 3. O ;无机粘结剂:1.0-3.0 ;有机粘结剂1.0~20；烧结粘结剂1. O 10 ;所述的有机粘结剂在常温下能够与坩埚形成粘结。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的喷涂液中还包含分散剂。能够使喷涂液中的组成成分分散更均匀，不会发生凝结现象。作为优选，所述的分散剂选自有机硅、聚乙烯醇、聚丙烯酸中的一种或几种，当然所述的分散剂并不限于上述范围。作为更进一步的优选，所述的分散剂的重量份为O. 01 3. O。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的喷涂液中还包含膨胀剂。使烧结后形成的涂层在使用过程中，能够经受晶体硅熔解和凝固过程中膨胀的压力，使不易破损。作为优选，所述的膨胀剂为氨基甲酸乙酯、氨基乙酸乙酯或者类似物中的一种或几种。作为进一步的优选，所述的膨胀剂加入的重量份O. 05 5. O。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的喷涂液中还包含溶剂。所述的溶剂可以是水或有机溶剂。作为优选，所述有机溶剂选自异丙醇、丙醇、乙醇等。溶剂的重量不计算入喷涂液中重量份。并且所述的溶剂能够调节喷涂液的粘度。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述坩埚本体采用含氧化铝的原料制成。采用氧化铝能够使坩埚在使用过程中能够经受晶体硅熔解和凝固过程中膨胀的压力的影响，不易破损。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的坩埚本体采用含氧化钇的原料制成。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的坩埚本体采用含氧化锆的原料制成。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的坩埚本体采用含氮化硅的原料制成。当然，在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的坩埚本体采用含氧化铝、氧化钇、氧化锆、氮化硅中的一种或几种原料制成。同样能够使制成的坩埚具有较好的耐膨胀性，能够承受晶体硅熔解和凝固过程中膨胀的压力，保证坩埚及涂层不易破损和脱落。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，喷涂液中所述的烧结粘结剂选自金属氧化物。作为优选，所述的金属氧化物为纳米金属氧化物。通过控制金属氧化物的粒径，能够提高烧结过程中涂层与坩埚本体之间的粘结力。进一步的优选，所述的纳米金属氧化物的粒径为80 800纳米。更进一步的优选，所述的金属氧化物选自氧化铝、氧化钙、氧化镁、二氧化硅或者类似物中的一种或多种。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，喷涂液中所述的无机粘结剂为纳米无机粘结齐 。作为优选，所述的无机粘结剂选自莫来石、胶体二氧化硅、氟硅酸钠、磷酸氧化物或者类似的物质中的一种或几种。能够增强坩埚本体与氮化硅、烧结粘结剂、烧结添加剂之间的粘
结。 在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，喷涂液中所述的有机粘结剂只要在常温下能够与坩埚本体粘结，均可作为本发明的有机结粘剂。从而能够有效的提高喷涂液与坩埚本体之间的粘结性，有利于提高涂层的厚度。作为优选，所述的在常温下能够与坩埚粘结的有机粘结剂选自聚乙烯醇、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯或类似物中的一种或几种。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚中，所述的烧结添加剂选自稀土或稀土氧化物中一种或几种。能够降低烧结时的温度，节约能源，又能够增加烧结后涂层的致密性。作为优选，所述的稀土选自钇、铒、锆、镨中的一种或几种；所述的添加剂选自氧化钇、氧化镧、氧化镨、氧化铒或类似物中的一种或几种。本发明的另一个目的在于提供一种用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，该方法包括以下步骤Α.按照重量份比称取氮化硅、烧结添加剂、无机粘结剂、烧结粘结剂、有机粘结剂、分散剂和膨胀剂；然后加入溶剂中，混合均匀，制成喷涂液；B.将步骤A中的喷涂液喷涂在坩埚本体的内表面上，并进行干燥处理；C.重复步骤B —次或一次以上，得到含有喷涂液胚膜的坩埚；D.将含有喷涂液胚膜的坩埚放入加热炉中，升温烧除胚膜中的有机粘结剂；Ε.在气体环境中，再次升温进行烧结处理之后，冷却，得到用于熔解晶体硅的坩埚。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，所述的坩埚本体按照本领域常规的方法烧制而成即可。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，在所述的步骤B之前先将坩埚本体的内表面打磨处理，清洗，干燥。通过在喷涂涂层之前将坩埚本体表面进行打磨处理，能够增加樹祸本体的表面粗糖度，提闻喷涂液与樹祸本体的粘结力，更有效的提闻涂层与樹埚本体的结合力，提高涂层的厚度，防止涂层剥落现象。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，步骤B和步骤C中重复步骤B时所述的喷涂液的成分为相同或者不同。也就是说步骤C中所述的重复步骤B时采用的喷涂液的组成成分与步骤B中的喷涂液的组成成分为相同或不同。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，步骤B中所述的喷涂液的粘度为相同或不同。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，步骤B中所述的干燥处理的温度为80°C 400°C。其作用是使溶剂从涂层中蒸发。作为优选，所述的干燥处理的温度为100°C 150°C，所述的干燥处理的升温速率为O. 50C /min L (TC /min。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，步骤D中所述的气体环境选自氧化性气体环境、中性气体环境或还原性气体环境中的一种。作为优选，步骤D中所述的气体环境为氧化性气体环境。所述的氧化性气体环境如空气气体环境、氧气气体环境等。在氧化性气体环境下，结合本发明的喷涂液，烧除效果好。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，步骤D中所述的烧除胚膜中的有机粘结剂时的温度为400°C 1000°C。本发明的有机粘结剂的作用在于在常温下，能够使涂层增厚，并保持该厚度，但是，对于晶体硅来说，有机粘结剂为为杂质，所以需要在烧结前去除。在该温度范围内能够更有效的烧除涂层中的有机粘结剂，又能够促进烧结粘结剂与坩埚本体的烧结。作为优选，所述的烧除胚膜中的有机粘结剂时的温度为500°C 700°C。作为进一步的优选，所述的烧除胚膜中的有机粘结剂是在氧化性气体环境中进行。·在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法中，步骤E中所述的烧结处理的温度为400°C 1400°C。作为优选，所述的烧结处理为分段进行烧结处理。作为进一步的优选，所述的分段进行烧结处理的具体方法为首先在400°C 600°C进行烧结处理，然后再在500°C 950°C进行烧结处理，最后再在800°C 1400°C进行烧结处理。综上述所，本发明与现有技术相比，具有以下优点I.本发明的用于熔解晶体硅的坩埚，通过对涂层材料的发明和坩埚本体材料的选择，涂层不易剥落且不易破损，能够使本发明的坩埚具有较好的耐膨胀性，在用于熔解晶体硅过程中不会因晶体硅熔解和凝固时，膨胀的因素使涂层剥落的现象，能够使制备得到的坩埚实现重复使用的效果，能够重复使用至少10次以上，与现有技术中的坩埚只能实现一次使用效果相比，提高了坩埚的使用寿命，既能够实现降低生产成本的作用，又能够保护有限的地球自然资源。2.本发明的用于熔解晶体硅的坩埚，在晶体硅的熔解过程中，能够有效的防止坩埚本体中氧元素等杂质对晶体硅的渗透而污染晶体硅的缺陷，从而使得到的晶体硅用于太阳能电池时能够提高太阳能电池的转换效率，减少硅原材料的使用量，降低了太阳能电池的生产成本，且同样能够有效的利用自然资源。3.本发明的用于熔解晶体硅的坩埚，从最终结果看，能够降低太阳能电池的生产成本，加快了太阳能普及速度，减少石油类资源的消耗，保护了地球自然资源。4.本发明的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，能够更有效的使本发明的喷涂液喷涂和烧结在坩埚本体的内表面，工艺过程相对易于操作，有利于工业化生产。且本发明的方法能够进一步保证坩埚表面形成的涂层的厚度，同样能够提高坩埚防止坩埚本体内氧元素等杂质对熔解状态晶体硅的污染和渗透现象。
图I是本发明的一种用于熔解晶体硅的坩埚的立体图；图2是本发明的另一种用于熔解晶体硅的坩埚的立体图；图3是本发明的图I所示的用于熔解晶体硅的坩埚的剖视图；图中1.坩埚本体；2.涂层；
具体实施例方式下面通过具体实施例，对本发明的技术方案作进一步具体的说明，但是本发明并不限于这些实施例。本发明的一种用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，所述喷涂液含有氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体I粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。作为优选，本实施例中所述的用于熔解晶体 硅的坩埚的涂层的喷涂液包含以下成分的重量份氮化硅100 ;烧结添加剂0. 05 6. O ;无机粘结剂0. 05 6. O ;有机粘结剂0. 5 50 ;烧结粘结剂1. O 40 ;所述的有机粘结剂在常温下能够与坩埚粘结。更进一步的优选，所述的喷涂液包含以下成分的重量份氮化硅100 ;烧结添加剂I. O 3. O ;无机粘结剂:1.0-3.0 ;有机粘结剂1.0~20；烧结粘结剂1. O 10 ;所述的有机粘结剂在常温下能够与坩埚本体粘结。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液中，还可以包含分散剂或膨胀剂中的一种或两种，分散剂能够提高喷涂液的均匀性，膨胀剂能够提高涂层的耐压力能力，更能够经受晶体硅熔解和凝固过程中膨胀压力，不易破损。作为优选，所述的分散剂选自有机硅、聚乙烯醇、聚丙烯酸中的一种或几种；所述的膨胀剂选自氨基乙酸乙酯或氨基甲酸乙酯中的一种或两种。在上述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液中还包含溶剂。所述的溶剂为水或有机溶剂。作为优选，所述有机溶剂选自异丙醇、丙醇、乙醇等。溶剂的重量份不计算入喷涂液中重量份。以下表I是本发明的实施例中所用的喷涂液包含以下成分的重量份；表I中所述的有机粘结剂为在常温下能够与坩埚本体粘结的有机粘结剂；表I
权利要求
1.一种用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(1)，所述的坩埚本体(I)的内表面涂覆有涂层(2)，所述的涂层(2)由喷涂液喷涂而成，所述喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体(I)粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。
2.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的喷涂液包含以下成份的重量份 氮化硅100 ；烧结添加剂0. 05 6. 0 ; 无机粘结剂0. 05 6. 0 ; 有机粘结剂0. 5 50 ; 烧结粘结剂:1.0 40。
3.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述喷涂液中还包含分散剂。
4.根据权利要求3所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述分散剂选自有机硅、聚乙烯醇、聚丙烯酸中的一种或几种。
5.根据权利要求I或3或4所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述喷涂液中还包含膨胀剂。
6.根据权利要求5所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的膨胀剂为氨基甲酸乙酯、氨基乙酸乙酯中的一种或几种。
7.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的无机粘结剂为纳米无机粘结剂。
8.根据权利要求I或7所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的无机粘结剂选自莫来石、胶体二氧化硅、氟硅酸钠、磷酸氧化物中的一种或几种。
9.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的烧结粘结剂为纳米金属氧化物。
10.根据权利要求I或9所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的烧结粘结剂选自氧化铝、氧化钙、氧化镁、二氧化硅中的一种或多种。
11.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的有机粘结剂选自聚乙烯醇、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯中的一种或几种。
12.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的烧结添加剂选自稀土或稀土氧化物中一种或几种。
13.根据权利要求12所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的稀土氧化物选自氧化钇、氧化镧、氧化镨、氧化铒中的一种或几种。
14.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(I)采用含氧化铝的原料制成。
15.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(I)采用含氧化钇的原料制成。
16.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(I)采用含氧化锆的原料制成。
17.根据权利要求I所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(I)采用含氮化硅的原料制成。
18.根据权利要求I或3或14或15或16或17所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的涂层的平均厚度不小于1mm。
19.一种用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体(I)粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。
20.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液包含以下成分的重量份 氮化硅100 ；烧结添加剂0. 05 6. 0 ; 无机粘结剂0. 05 6. 0 ;有机粘结剂0. 5 50 ; 烧结粘结剂:1.0 40。
21.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液中还包含分散剂。
22.根据权利要求21所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述分散剂选自有机硅、聚乙烯醇、聚丙烯酸中的一种或几种。
23.根据权利要求19或21或22所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液还包含膨胀剂。
24.根据权利要求23所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的膨胀剂为氨基甲酸乙酯、氨基乙酸乙酯中的一种或几种。
25.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的无机粘结剂为纳米无机粘结剂。
26.根据权利要求19或25所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的无机粘结剂选自莫来石、胶体二氧化硅、氟硅酸钠、磷酸氧化物中的一种或几种。
27.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的烧结粘结剂为纳米金属氧化物。
28.根据权利要求19或27所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的烧结粘结剂选自氧化铝、氧化钙、氧化镁、二氧化硅中的一种或多种。
29.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的有机粘结剂选自聚乙烯醇、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯中的一种或几种。
30.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的烧结添加剂选自稀土或稀土氧化物中一种或几种。
31.根据权利要求30所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述的稀土氧化物选自氧化钇、氧化镧、氧化镨、氧化铒中的一种或几种。
32.一种用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤 A.按照重量份比称取氮化硅、烧结添加剂、无机粘结剂、烧结粘结剂、有机粘结剂、分散剂和膨胀剂；然后加入溶剂中，混合均勾，制成嗔涂液； B.将步骤A中的喷涂液喷涂在坩埚本体的内表面上，并进行干燥处理； C.重复步骤B—次或一次以上，得到含有喷涂液胚膜的坩埚 D.将含有喷涂液胚膜的坩埚放入加热炉中，升温烧除胚膜中的有机粘结剂； E.在气体环境中，升温进行烧结处理之后，冷却，得到用于熔解晶体硅的坩埚。
33.根据权利要求32所述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，其特征在于，在所述的步骤B之前先将坩埚本体的内表面进行打磨处理、清洗，干燥。
34.根据权利要求32所述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，其特征在于，步骤B和步骤C中重复步骤B时所述的喷涂液的成分为相同或者不同。
35.根据权利要求32-34任意一项所述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，其特征在于，步骤B中所述的干燥处理的温度为80°C 400°C。
36.根据权利要求32-34任意一项所述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，其特征在于，步骤E中所述的气体环境选自氧化性气体环境、中性气体环境、还原性气体环境中的一种。
37.根据权利要求32-34任意一项所述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，其特征在于，步骤E中所述的烧结处理的温度为400°C 1400°C。
38.根据权利要求32所述的用于熔解晶体硅的坩埚的制备方法，其特征在于，步骤E中所述的烧结处理为分段进行烧结处理，所述的分段进行烧结处理的具体方法为首先在400°C 60(TC进行烧结处理，然后再在50(TC 950°C进行烧结处理，最后再在80(TC 1400°C进行烧结处理。
全文摘要
本发明涉及一种用于熔解晶体硅的坩埚及制备方法和喷涂液，属于坩埚技术领域。解决现有坩埚在使用过程中涂层易剥落和破损现象，不能很好的防止杂质的渗透的问题，目的在于提供一种用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，该喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。还提供了一种采用该喷涂液的坩埚，该坩埚包括坩埚本体，所述的坩埚本体的内表面涂覆有涂层，所述的涂层由喷涂液喷涂而成，还提供了一种该坩埚的制备方法，通过喷涂、干燥、烧除、烧结处理后得到用于熔解晶体硅的坩埚。该坩埚能够重复使用，且涂层不易剥落和破损，能够有效了防止坩埚本体中的杂质特别是氧元素的渗透现象。
文档编号C04B41/87GK102797042SQ20121032656
公开日2012年11月28日 申请日期2012年9月6日 优先权日2012年9月6日
发明者张礼强 申请人:张礼强