专利名称：晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法
技术领域：
与发明构思一致的设备和方法涉及晶片切割及制造发光器件(LED)芯片，尤其涉及晶片切割以及采用该晶片切割方法制造LED芯片的方法，该晶片切割用于通过对晶片的一部分进行第一切割，在其上进行额外操作，然后对晶片进行第二切割，来形成多个芯片。
背景技术：
在半导体封装组件工艺中，切割工艺是用于切割包括在晶片中的多个半导体芯片的工艺或者是用于将晶片分离成各个半导体芯片的工艺，使得各个半导体芯片可安装在用于半导体封装的基本框架上，例如引线框架或印刷电路板。切割工艺可以使用刀片、激光、等离子体蚀刻等进行。近来，由于半导体器件的容量、速度及小型化方面的改进，低k材料已经普遍用于金属之间的绝缘。低k材料包括具有小于硅氧化物的介电常数的电容率的材料。然而，当包含低k材料的晶片采用刀片被切割时，半导体芯片经常部分地有缺口或者半导体芯片经常破裂。为了消除这些缺陷，已经开发了新的切割方法，新的切割方法能够防止半导体封装组件工艺期间出现缺口缺陷或者破裂缺陷。例如，在刀片切割方法中，已经提出了其中通过调整刀片的旋转速度来切割晶片的方法，以减少缺口和破裂缺陷。然而，当通过调整刀片的旋转速度来切割晶片时，可以减少缺口缺陷或者破裂缺陷的发生，但是难以获得高质量的半导体芯片。另外，当调整刀片的旋转速度时，每单位时间周期切割的半导体芯片的数量减少，因而生产率变差。因此，使用激光或者等离子体蚀刻的切割工艺已经逐渐取代刀片切割方法。然而，在激光切割方法中，需要用昂贵的涂覆材料单独涂覆半导体芯片的有源表面，以防止在沿晶片的划片线形成沟槽时或者在沿着划片线完全切割晶片时切割的硅颗粒结合到半导体芯片的有源表面。另外，用于形成沟槽的激光不同于用于沿着划片线完全切割晶片的激光，而且在晶片沿着划片线被完全切割时管芯附着膜(die attach film:DAF)切割得不平滑。此外，在使用等离子体蚀刻的切割方法中，需要蚀刻掩模来防止在沿着划片线切割晶片时半导体芯片的表面被蚀刻。然而，在晶片制造工艺中，蚀刻掩模通常在单独的光刻工艺中形成，这使得整个半导体封装工艺复杂并且提高了总体制造成本。
发明内容
示范实施例可针对至少上述问题和/或缺点及上面未描述的其他缺点。另外，不要求示范实施例克服上述缺点，且示范实施例可不克服上述任何问题。一个或更多示范实施例提供晶片切割方法及采用该切割方法制造LED芯片的方法。根据不范实施例的一方面，一种晶片切割方法包括:在晶片的第一表面上形成半导体器件；对晶片的一部分和半导体器件进行第一切割；及通过对已进行第一切割的晶片的一部分进行第二切割，将晶片和半导体器件分成多个半导体器件芯片。
在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的30%至70%的深度的沟槽。在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的40%至60%的深度的沟槽。沟槽包括:多个第一沟槽，平行于第一方向形成在晶片上；及多个第二沟槽，平行于与第一方向垂直的第二方向形成在晶片上。第一切割通过使用刀片、激光或等离子体蚀刻执行。在第二切割中，通过施加物理力到晶片的第二表面，断开已进行第一切割的部分，第二表面是与第一表面相反的表面。物理力通过具有钝刀锋的切刀施加到晶片。晶片切割方法还包括附着切割带到晶片的第二表面上。晶片切割方法还包括在对半导体器件执行额外工艺。额外工艺包括在半导体器件上形成附加层。根据示范实施例的另一方面，提供一种制造LED芯片的方法，该方法包括:在晶片的第一表面上形成LED ;对晶片的一部分和LED进行第一切割；及通过对已进行第一切割的晶片的一部分进行第二切割，将晶片和LED分成多个LED芯片。LED包括堆叠结构，其中η型半导体层、有源层、和P型半导体层以顺序叠置。在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的30%至70%的深度的沟槽。在第一切割中，在晶片中形成具有相应于晶片的厚度的40%至60%的深度的沟槽。沟槽包括:多个第一沟槽，平行于第一方向形成在晶片中；及多个第二沟槽，平行于与第一方向垂直的第二方向形成在晶片中。第一切割通过使用刀片、激光或等离子体蚀刻执行。在第二切割中，通过施加物理力到晶片的第二表面，断开已进行第一切割的部分，第二表面是与第一表面相反的表面。物理力通过具有钝刀锋的切刀施加到晶片。该方法还包括在对半导体器件执行额外工艺。附加层包括荧光体材料。附加层通过丝网印刷形成。该方法还包括附着切割带到晶片的第二表面上。
通过参照附图对某些示范实施例进行描述，本发明的上述和/或其他方面将变得更明显，附图中:图ΙΑ、1Β、1C、ID、1E、1F是示出根据示范实施例的晶片切割方法的示意图；图2A、2B、2C、2D、2E、2F是示出根据示范实施例制造LED芯片的方法的示意图；图3A和3B是根据示范实施例制造的LED芯片的俯视图；图4A和4B是根据对比实施例制造的LED芯片的俯视图。
具体实施例方式现在将参照附图更详细地描述某些示范实施例。在下面的描述中，相似的附图标记用于相似的元件，即使是在不同的图中。说明书中限定的事物，诸如详细构造和元件，被提供来辅助对示范实施例的透彻理解。然而，可以实践示范实施例而没有这些具体限定的事物。另外，没有详细描述公知的功能或构造，因为它们会以不必要的细节模糊本申请。下面详细描述根据示范实施例的晶片切割方法。图1A-1F是示出根据示范实施例的晶片切割方法的示意图。参照图1A，晶片110被提供，且半导体器件122可形成在晶片110上。晶片110可以由 S1、SiAl.GaAs, Ge、SiGe, AIN、GaN, AlGaN, SiC, Zn。、或 AlSiC 形成。然而，示范实施例不限于此。半导体器件122可包括半导体层、绝缘层和金属层中的至少一种。参照图1B，切割带130可附着到晶片110的第一或后表面124，即晶片110的与晶片110的其上形成半导体器件122的第二表面126相反的表面。切割带130是具有粘性的膜，用于在晶片110被切割时固定或支承晶片110。切割带130可包括由聚合物树脂形成的基膜以及布置在基膜的表面上的粘合层。基膜可以例如由聚氯乙烯(PVC)、聚烯烃(PO)、或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。粘合层可以由丙烯酸树脂形成。接着，晶片110的一部分和半导体器件122可进行第一切割。在第一切割操作中，单个半导体器件122可被分成多个半导体器件120。另外，在第一切割操作中，通过从晶片110的第一部分128切掉第一切割部分，多个沟槽115可形成在晶片110中。然而，在第一切割操作中，晶片110未被完全切割成多个晶片112。由于沿厚度方向晶片110的仅一部分被去除,在第一切割操作中,第一切割操作可称为半切割或者部分切割操作。第一切割操作可通过使用刀片、激光、或等离子体蚀刻进行。换言之，多个沟槽115可通过使用刀片、激光、或等离子体蚀刻形成。沟槽115的深度h2可以为晶片110的厚度hi的大约30%至大约70%。更特别地，沟槽115的深度h2可以为晶片110的厚度hi的大约40%至大约60%。另外，更特别地，沟槽115的深度h2可以为晶片110的厚度hi的大约50%。例如，如果晶片110的厚度hi为大约10 μ m至大约1000 μ m,则沟槽115的深度h2可以为大约5 μ m至大约500 μ m。例如，如果晶片110的厚度hi为大约140 μ m，则沟槽115的深度h2可以为大约70 μ m。例如，沟槽115的宽度w可以为数十μ m且可以为从大约10 μ m至大约90 μ m。沟槽115的宽度w (即，多个半导体器件120之间的间隔)越小，则越多的半导体器件120可形成在具有有限尺寸的晶片110上。图1C是图1B所示的晶片110和半导体器件120的俯视图。参照图1C，晶片110附着到切割带130上，布置在晶片110上的多个半导体器件120可通过沟槽115分离。然而，由于沟槽115不是形成为穿透晶片110，所以晶片110和半导体器件120在这里没有完全分割成多个半导体器件芯片。例如，沟槽115可包括沿平行于y轴方向的第一方向在晶片110中形成的多个第一沟槽111和沿平行于X轴方向的第二方向在晶片110中形成的多个第二沟槽113。多个半导体器件120可布置成由第一和第二沟槽111和113分隔的二维阵列。参照图1D，可以在半导体器件120上执行额外工艺。额外工艺可以包括在半导体器件120上形成附加层140的步骤。附加层140可包括荧光体层、绝缘层、保护层或金属层。当附加层140形成在半导体器件122上且随后晶片110被完全切割时，构成半导体器件122的材料和构成晶片110的材料可污染附加层140。然而，如上所述，如果附加层140在晶片110和半导体器件122进行第一切割之后形成在半导体器件120上，则这样的工艺可防止附加层140被构成半导体器件122的材料和构成晶片110的材料污染。另外，当晶片110和半导体器件122被完全切割且附加层140通过利用涂覆掩模形成在多个半导体器件120上时，完全切割的晶片和半导体器件的布置会由于切割带130的膨胀而改变。因此，涂覆掩模和多个半导体器件120之间的对准会改变，且因而附加层140会在多个半导体器件120上不正确地形成。然而，如上所述，在附加层140在晶片110和半导体器件122进行第一切割之后而形成在半导体器件120上的情况中，晶片110和半导体器件120未被完全分开，因而，即使切割带130膨胀，也可以保持半导体器件120的二维布置。因此，附加层140可以正确地仅形成在多个半导体器件120上。参照图1E，穿过靠近沟槽115的底表面129设置的第二部分131，可对晶片110进行第二切割。在第二切割工艺中，通过向晶片110的靠近沟槽115的底表面的第二部分131的区域施加物理力，晶片110可被完全断开。物理力可在使用具有钝刀锋的切刀180时被施加。因此，晶片110和半导体器件120可被分成多个半导体器件芯片170。首先，保护膜150可附着在附加层140的顶表面上。接着，晶片110可被倒置，使得保护膜150向下，且晶片110可被布置在第一和第二支承单元160和165上。保护膜150可防止附加层140由于直接接触第一和第二支承单元160和165而被损坏。保护膜150可由聚合物树脂例如PET、PVC、P0等形成。第一和第二支承单元160和165彼此分开布置，其间的距离d可大于形成在晶片110上的沟槽115的宽度。晶片110可被移动以将沟槽115定位在第一和第二支承单元160和165之间并且物理力可通过使用切刀180而被施加到晶片110的后表面124，后表面124是切割带130附着到其上的表面。因此，晶片110的靠近沟槽115的底表面129且对应于沟槽115的第二部分131的区域被切割，因此，通过切入沟槽115，晶片110和半导体器件120可被分成多个半导体器件芯片170。参照图1F，在 第二切割工艺中被分开的多个半导体器件芯片170可布置在切割带130上。第二切割工艺完成之后，附着到多个半导体器件芯片170的底表面的切割带130可被去除。切割带130可以是压敏粘合带或UV可固化带。然而，示范实施例不限于此。例如，如果切割带130是UV可固化带，照射UV光到晶片110的底表面可使切割带130的粘合层固化，从而切割带130可从半导体器件芯片170剥离。下面，将详细描述根据示范实施例制造LED芯片的方法。图2A-2F是示出根据示范实施例制造LED芯片的方法的示意图。参照图2A，提供了晶片210，且LED 222可形成在晶片210上。晶片210可以由S1、SiAl、GaAs、Ge、SiGe、AIN、GaN、AlGaN, SiC、Zn。、或 AlSiC 形成。然而，示范实施例不限于此。LED 222可具有堆叠结构，其中缓冲层221、n型半导体层223、有源层225、及P型半导体层227可按此顺序堆叠在晶片210上。缓冲层221可由能够减小由于晶片210和η型半导体层223的晶格常数之间的差异导致的应力的材料形成。缓冲层221可由GaN、AIN、AlGaN等形成。η型半导体层223可由掺杂以η型杂质的氮化物半导体形成。η型半导体层223可通过用η型杂质掺杂具有AlxInyGa(1_x_y)N(这里,0 ^ x ^ 1,0 ^ y ^ I,且0彡x+y ( I)组分的半导体材料形成。例如，η型半导体层223可以包含GaN、AlGaN、InGaN等，而η型杂质可包括 N、P、As、Sb、S1、Ge、Se、Te 等。
有源层225在电子和空穴复合时发射具有预定能量的光，并可以由半导体材料诸如InxGahN (O ^ x ^ I)形成以使得带隙能可根据铟的含量而被控制。有源层225可以是多量子阱(MQW)层，其中量子势垒层和量子阱层交替叠置。P型半导体层227可由掺杂以P型杂质的氮化物半导体形成。P型半导体层227可通过用P型杂质掺杂具有AlxInyGa(1_x_y)N(这里,0 ^ x ^ 1,0 ^ y ^ I,且0彡x+y ( I)组分的半导体材料形成。例如，P型半导体层227可以包含GaN、AlGaN、InGaN等，而P型杂质可包括B、Zn、Mg、Be等。LED 22还可包括绝缘层、电极层、反射层等，且叠置η型和p型半导体层223和227的顺序可以改变。为了方便说明，下面省略LED 222中包括的层的描述。参照图2B，切割带230可附着到晶片210的第一或后表面224，即与晶片210的其上形成LED 222的第二或顶表面226相反的表面。切割带230是粘合膜，用于在晶片210被切割时固定或支承晶片210。切割带230可包括由聚合物树脂形成的基膜以及布置在基膜的表面上的粘合层。基膜可以由聚氯乙烯(PVC)、聚烯烃(PO)、或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等形成。粘合层可以由丙烯酸树脂等形成。接着，晶片210的一部分和LED 222可进行第一切割。在第一切割工艺中，LED 222可被分成多个LED 220。另外，在 第一切割工艺中，多个沟槽215可形成在晶片210中。然而，在第一切割工艺中，晶片210未被完全切割成多个晶片212。由于在第一切割工艺中晶片210的仅一部分被去除，所以第一切割工艺可称为半切割或者部分切割工艺。第一切割工艺可通过使用刀片、激光、或等离子体蚀刻执行。换言之，多个沟槽215可通过使用刀片、激光、或等离子体蚀刻形成。沟槽215的深度h2可以为晶片210的厚度hi的大约30%至大约70%。更特别地，沟槽215的深度h2可以为晶片210的厚度hi的大约40%至大约60%。更特别地，沟槽215的深度h2可以为晶片210的厚度hi的大约50%。例如，如果晶片210的厚度hi为大约10 μ m至大约1000 μ m,则沟槽215的深度h2可以为大约5 μ m至大约500 μ m。例如,如果晶片210的厚度hi为大约140 μ m,则沟槽215的深度h2可以为大约70 μ m。沟槽215的宽度w可以为数十μ m，例如从大约10 μ m至大约90 μ m。沟槽215的宽度w (S卩，多个LED 220之间的距离)变得越小，则越多的LED220可形成在具有有限尺寸的晶片210上。图2C是示出图2B的晶片210和LED 220的平面图。参照图2C，晶片210附着到切割带230上，布置在晶片210上的多个LED 220可通过沟槽215分离。然而，由于沟槽215不是形成为完全穿透晶片210，所以晶片210和LED 220还没有分割成多个LED芯片。沟槽215可包括平行于第一方向例如y轴方向形成的多个第一沟槽211和平行于垂直于第一方向的第二方向例如X轴方向形成的多个第二沟槽213。多个LED 220可布置成由第一和第二沟槽211和213分隔的二维阵列。参照图2D，可以对LED 220执行额外工艺。额外工艺可以包括例如用于在LED 220上形成突光体层240的工艺。突光体层240可通过沉积、派射、喷涂、深涂(deep coating)、旋涂、丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷(gravure printing)、或通过使用刮刀形成。例如,突光体层240可包括通过使用丝网印刷掩模245印刷在LED 220上的荧光体。另外，额外工艺可包括用于形成绝缘层或保护层的工艺。
如果荧光体层240形成在LED 222上且随后晶片210和LED 222被切割，则构成LED 222和晶片210的材料会污染荧光体层240。然而，按照根据当前示范实施例的制造LED芯片的方法，如果荧光体层240在晶片210和LED 222进行第一切割之后形成在LED 220上，则可防止在切割工艺中荧光体层240被构成LED 220和晶片210的材料污染。另外，如果晶片210和LED 222被完全切割且荧光体层240通过使用丝网印刷掩模245形成在多个LED 220上，则完全切割的多个晶片212和多个LED 220的二维布置会由于切割带230的膨胀而移位。因此，丝网印刷掩模245和多个LED 220之间的对准会被扰乱，且因而荧光体层240会不正确地印刷在多个LED 220上。然而，按照根据当前示范实施例的制造LED芯片的方法，如果荧光体层240在晶片210和LED 222进行第一切割之后形成在LED 220上，则晶片210和LED 220未被完全分开。因而，即使切割带230膨胀，也可以保持晶片210和LED 220的二维布置。因此，荧光体层240可以正确地仅印刷在多个LED 220 上。接着，参照图2E，晶片210的邻近沟槽215的部分可被进行第二切割。在第二切割工艺中，通过向晶片210的靠近晶片210的沟槽215的下表面的部分施加物理力，晶片210可被完全断开。物理力可通过使用具有钝刀锋的切刀280来施加。因此，晶片210和LED220可被分成多个半导体器件芯片270。首先，保护膜250可附着在荧光体层240的顶表面上。接着，晶片210可被倒置，使得保护膜250面向下。结果，晶片210可被布置在第一和第二支承单元260和265上。保护膜250可防止荧光体层240由于直接接触第一和第二支承单元260和265而被损坏。保护膜250可由聚合物树脂例如PET、PVC、PO等形成。第一和第二支承单元260和265彼此分开布置，其间的距离d可大于形成在晶片210上的沟槽215的宽度W。晶片210可被移动以将沟槽215定位在第一和第二支承单元260和265之间并且物理力可通过使用切刀280而被施加到晶片210的后表面224，后表面224是切割带230附着到其上的表面。因此，晶片210的未被进行第一切割的部分(即靠近沟槽215的底表面的部分)被切割，因此，晶片210和LED 220可被分成多个半导体器件芯片270。参照图2F，在第二切割工艺中被分开的多个半导体器件芯片270可布置在切割带230上。第二切割工艺完成之后，附着到多个半导体器件芯片270的底表面的切割带230可被去除。切割带230可以是压敏粘合带或UV可固化带。然而，示范实施例不限于此。例如，如果切割带230是UV可固化带，照射UV光到晶片210的底表面可使切割带230的粘合层固化，从而切割带230可通过减小粘性从半导体器件芯片270剥离。图3A和3B是根据上述示范实施例制造的LED芯片的俯视图。图3A示出荧光体层正确地形成在多个LED芯片上。根据上述制造LED芯片的方法，荧光体层可在对晶片和LED进行第一切割之后形成在LED上。由于晶片和LED在第一切割工艺中未被完全分开，即使切割带膨胀，也会保持LED的二维布置。因此，LED和丝网印刷掩模可正确对准，因此，荧光体层可正确地仅形成在多个LED上。图3B示出LED芯片的荧光体层未被杂质污染。根据上述制造LED芯片的方法，荧光体层可在晶片和LED被进行第一切割之后形成在LED上，然后在第二切割工艺中可形成多个LED芯片。因此，可防止荧光体层在切割工艺中被构成LED和晶片的材料污染。图4A和4B是按照根据对比实施例的制造LED芯片的方法制造的LED芯片的俯视图。图4A示出荧光体层未正确地形成在多个LED芯片上并且部分地移位。根据按照对比实施例的制造LED芯片的方法，晶片和LED被完全切割，且然后荧光体层通过使用丝网印刷掩模形成在多个LED上。在此情况下，完全切割的多个晶片和多个LED的二维布置会由于切割带的膨胀而改变。因此，在根据对比实施例的制造LED芯片的方法中，丝网印刷掩模和多个LED之间的对准被改变，且因而荧光体层未正确地仅形成在多个LED上且可被移位。图4B示出LED芯片的荧光体层的边缘部分被杂质污染。按照根据对比实施例的制造LED芯片的方法，荧光体层形成在LED上，然后晶片和LED被完全切割。因此，构成晶片和LED的材料在切割工艺期间会污染荧光体层。根据上述晶片切割方法，在用于在布置在晶片上的半导体器件上形成由预定材料形成的层的额外工艺期间，可防止该层被构成半导体层和晶片的材料污染。另外，在半导体器件上形成该层的工艺期间，可防止由预定材料形成的该层和掩模之间的对准的改变。前述示范实施例和优点仅是示例性的，而不应解释为限制本发明。本教导可易于应用于其它类型的设备。示范实施例的描述旨在是说明性的，而不是限制权利要求的范围，很多替代、变型和改变对于本领域技术人员而言是显然的。每个实施例中的特征或方面的描述应该通常认为是可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。本专利申请要求享有在2012年I月10日提交的N0.10-2012-0003076韩国专利申请的权益，其全部公开通过引用结合于此。
权利要求
1.一种晶片切割方法，包括: 在晶片的第一表面上形成半导体器件； 对所述晶片的第一部分和所述半导体器件进行第一切割，从而产生多个半导体器件；及 通过对已进行第一切割的所述晶片的第二部分进行第二切割，将所述晶片和所述多个半导体器件分成多个半导体器件芯片。
2.如权利要求1的晶片切割方法，其中所述第一切割包括在所述晶片中形成具有相应于所述晶片的厚度的30%至70%的深度的沟槽。
3.如权利要求2的晶片切割方法，其中所述沟槽包括: 多个第一沟槽，平行于第一方向形成在所述晶片上；及 多个第二沟槽，平行于与所述第一方向垂直的第二方向形成在所述晶片上。
4.如权利要求1的晶片切割方法，其中所述第一切割通过使用刀片、激光或等离子体蚀刻执行。
5.如权利要求1的晶片切割方法，其中所述第二切割包括通过施加物理力到所述晶片的第二表面来断开已进行第一切割的所述晶片的所述第二部分，所述第二表面是与所述第一表面相反的表面。
6.如权利要 求5的晶片切割方法，其中所述物理力通过具有钝刀锋的切刀施加到所述曰曰曰/T ο
7.如权利要求1的晶片切割方法，还包括附着切割带到所述晶片的第二表面上，所述第二表面是与所述第一表面相反的表面。
8.如权利要求1的晶片切割方法，还包括在所述第一切割之后且在所述第二切割之前对所述多个半导体器件执行额外工艺。
9.如权利要求8的晶片切割方法，其中所述额外工艺包括在所述半导体器件上形成附加层。
10.一种制造发光器件芯片的方法，该方法包括: 在晶片的第一表面上形成发光器件； 对所述晶片的第一部分和所述发光器件进行第一切割，从而产生多个发光器件；及通过对已进行第一切割的所述晶片的第二部分进行第二切割，将所述晶片和所述多个发光器件分成多个发光器件芯片。
11.如权利要求10的方法，其中所述发光器件包括堆叠结构，其中η型半导体层、有源层、和P型半导体层在所述晶片上以此顺序叠置。
12.如权利要求10的方法，其中所述第一切割步骤包括在所述晶片中形成具有相应于所述晶片的厚度的30%至70%的深度的沟槽。
13.如权利要求12的方法，其中所述沟槽包括: 多个第一沟槽，平行于第一方向形成在所述晶片中 '及 多个第二沟槽，平行于与所述第一方向垂直的第二方向形成在所述晶片中。
14.如权利要求10的方法，其中所述第一切割通过使用刀片、激光或等离子体蚀刻执行。
15.如权利要求10的方法，其中所述第二切割包括通过施加物理力到所述晶片的第二表面来断开已进行第一切割的所述晶片的所述第二部分，所述第二表面是与所述第一表面相反的表面。
16.—种方法,包括: 在晶片上形成半导体器件； 部分切割所述晶片和所述半导体器件，从而在所述晶片中产生沟槽，并产生设置在通过所述沟槽分隔的相应的各局部晶片部分上的多个半导体器件； 穿过所述沟槽完全切割所述晶片，从而产生多个半导体器件芯片。
17.如权利要求16的方法，其中每个所述沟槽具有所述晶片的厚度的30%至70%的深度。
18.如权利要求16的方法，其中部分切割所述晶片包括切穿所述晶片的接近所述半导体器件的第一部分 '及 其中完全切割所述晶片包括通过沿所述沟槽的方向施加力到所述晶片的第二部分而在每个所述沟槽中切穿所述晶片的所述第二部分。
19.如权利要求18的方法，其中所述第一部分的厚度大约等于所述第二部分的厚度。
20.如权利要求16的方法，还包括在完全切割所述晶片之前在所述多个半导体器件上施加突光 体层。
全文摘要
本发明涉及晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法。一种晶片切割方法包括在晶片的第一表面上形成半导体器件；对所述晶片的一部分和所述半导体器件进行第一切割；及通过对已进行第一切割的所述晶片进行第二切割，将所述晶片和所述半导体器件分成多个半导体器件芯片。
文档编号B28D5/00GK103192459SQ20131000685
公开日2013年7月10日 申请日期2013年1月9日 优先权日2012年1月10日
发明者金南胜, 金维植 申请人:三星电子株式会社