一种防止窜动的半导体晶圆切割装置的制作方法

1.本实用新型涉及半导体晶圆技术领域，尤其涉及一种防止窜动的半导体晶圆切割装置。


背景技术：

2.晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。
3.现有的半导体切割装置中，通常是加工好一个晶圆后取走，然后固定下一个晶圆再进行加工，取走再放置的过程耽误了加工的时间，无法对多个晶圆持续加工，不能满足实际使用需求。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置。
5.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
6.一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，包括外壳，所述外壳内安装有电机，所述电机的输出端上固定连接有第一转轴，所述第一转轴上固定连接有第一齿轮和第一单向轴承，所述第一单向轴承上固定连接有第二转轴，所述第二转轴上固定连接有切割刀，所述外壳的内顶面上转动连接有第三转轴，所述第三转轴上固定连接有第二齿轮和第二单向轴承，所述第一齿轮和第二齿轮相互啮合，所述第二单向轴承上固定连接有第四转轴，所述第四转轴上固定连接有转盘，所述转盘内设有四个滑动腔，所述滑动腔内滑动连接有四个升降筒，所述升降筒上安装有吸附升降结构。
7.优选地，所述吸附升降结构包括固定连接在升降筒上端的操作台，所述操作台上设有若干个吸气孔，所述吸气孔贯穿整个操作台与升降筒相通，所述升降筒内安装有与吸气孔对应的抽风机，所述升降筒下端固定连接有圆柱，所述圆柱下端固定连接有第一磁块，所述外壳的内底面上固定连接有轨道，所述轨道上固定连接有第二磁块。
8.优选地，所述轨道呈弧形，所述轨道位于切割刀的正下方。
9.优选地，所述升降筒呈圆筒状，四个所述升降筒呈矩形分布。
10.优选地，所述电机为伺服电机，所述电机上端与外壳的内顶壁固定连接。
11.优选地，所述外壳呈箱体状，所述外壳上设有开关门，所述开关门上设有门把手。
12.本实用新型与现有技术相比，其有益效果为：
13.1、电机除了可以带动切割刀转动对晶圆切割，还可以带动转盘旋转，在加工好一个晶圆后紧接着继续加工下一个，节约工作人员的工作时间。
14.2、晶圆被抽风机吸附在操作台上后，转动圆盘，轨道可以使得切割刀下方的升降筒上升，从而方便切割刀对晶圆进行加工。
15.综上所述，本实用新型通过电机正转和反转可以使得切割刀转动或者转盘转动，
只使用电机一个动力源，节约了整个装置的制造成本；四个操作台转动分别来到切割刀正下方，可以持续的对晶圆进行加工。
附图说明
16.图1为本实用新型提出的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置的主视剖面图。
17.图2为转盘的俯视图。
18.图3为轨道的结构示意图。
19.图4为本实用新型提出的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置的主视图。
20.图5为a处的放大图。
21.图中：1外壳、2电机、3第一转轴、4第一齿轮、5第一单向轴承、6第二转轴、7切割刀、8第二齿轮、9第三转轴、10第二单向轴承、11第四转轴、12转盘、13操作台、14升降筒、15圆柱、16 第一磁块、17轨道、18第二磁块、19吸气孔、20抽风机。
具体实施方式
22.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
23.参照图1-5，一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，包括外壳1，外壳1内安装有电机2，电机2为伺服电机，电机2上端与外壳1的内顶壁固定连接，电机2的输出端上固定连接有第一转轴3，第一转轴3上固定连接有第一齿轮4和第一单向轴承5，第一单向轴承5上固定连接有第二转轴6，第二转轴6上固定连接有切割刀7，外壳1 的内顶面上转动连接有第三转轴9，第三转轴9上固定连接有第二齿轮8和第二单向轴承10，第一齿轮4和第二齿轮8相互啮合，第二单向轴承10上固定连接有第四转轴11，第四转轴11上固定连接有转盘12，转盘12内设有四个滑动腔，滑动腔内滑动连接有四个升降筒14，升降筒14上安装有吸附升降结构。
24.吸附升降结构包括固定连接在升降筒14上端的操作台13，操作台13上设有若干个吸气孔19，吸气孔19贯穿整个操作台13与升降筒14相通，升降筒14内安装有与吸气孔19对应的抽风机20，升降筒14下端固定连接有圆柱15，升降筒14呈圆筒状，四个升降筒14 呈矩形分布，圆柱15安装在升降筒14下表面的中心，圆柱15下端固定连接有第一磁块16，外壳1的内底面上固定连接有轨道17，轨道17呈弧形，轨道17位于切割刀7的正下方，轨道17上固定连接有第二磁块18，外壳1呈箱体状，外壳1上设有开关门，开关门上设有门把手。
25.切割刀7由电动伸缩杆、竖杆、弹簧和刀片共同组成，电动伸缩杆与第二转轴6固定连接，电动伸缩杆的输出端上设有与其滑动连接的竖杆，竖杆下方固定连接有刀片，竖杆外套设有弹簧，弹簧的两端与电动伸缩杆的输出端和刀片固定连接，刀片与晶圆相抵后，压缩弹簧，刀片转动后切割晶圆表面，在弹簧的弹力作用下向下移动，直至切透整个晶圆，电动伸缩杆可以调节切割出来的晶圆的大小。
26.工作原理：当需要对晶圆进行切割时，工作人员首先把四个未切割的晶圆分别放置在四个操作台13上，然后启动抽风机20，使得吸气孔19呈负压状态，把晶圆固定在操作台13上，然后启动电机2使其反转，电机2带动第一转轴3、第一齿轮4、第二齿轮8、第三转轴9转动，此时第二单向轴承10会带动第四转轴11、转盘12转动，当其中一个圆柱15与轨道17相抵
时，会使得圆柱15、升降箱14、操作台13和晶片向上移动，直至第一磁块16和第二磁块18相吸时，关闭电机2，此时晶圆上升至切割刀7的可切割范围内，与此同时第一转轴3虽然会带动第一单向轴承5转动，但是第一单向轴承5并不会带动第二转轴6转动，切割刀7也不会转动。
27.当晶圆上升至切割刀7的可切割范围内后，启动电机2使其正转，电机2带动第一转轴3、第一单向轴承5转动，此时第一单向轴承5 会带动第二转轴6、切割刀7转动，从而开始对晶圆的切割，此时第一转轴3虽然会带动第一持论4、第二齿轮8、第三转轴9和第二单向轴承10转动，但是第二单向轴承10带动第四转轴11转动，晶圆也就不会移动。
28.当一个晶圆切割完成后，先关闭电机2，然后重新启动电机2使其反转，下一个操作台13带着未切割的晶圆就会来到切割刀7的正下方，工作人员可以把切割好的晶片取下，然后安装好下一个未切割的晶片，从而对多个晶圆持续的切割。
29.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)内安装有电机(2)，所述电机(2)的输出端上固定连接有第一转轴(3)，所述第一转轴(3)上固定连接有第一齿轮(4)和第一单向轴承(5)，所述第一单向轴承(5)上固定连接有第二转轴(6)，所述第二转轴(6)上固定连接有切割刀(7)，所述外壳(1)的内顶面上转动连接有第三转轴(9)，所述第三转轴(9)上固定连接有第二齿轮(8)和第二单向轴承(10)，所述第一齿轮(4)和第二齿轮(8)相互啮合，所述第二单向轴承(10)上固定连接有第四转轴(11)，所述第四转轴(11)上固定连接有转盘(12)，所述转盘(12)内设有四个滑动腔，所述滑动腔内滑动连接有四个升降筒(14)，所述升降筒(14)上安装有吸附升降结构。2.根据权利要求1所述的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，其特征在于，所述吸附升降结构包括固定连接在升降筒(14)上端的操作台(13)，所述操作台(13)上设有若干个吸气孔(19)，所述吸气孔(19)贯穿整个操作台(13)与升降筒(14)相通，所述升降筒(14)内安装有与吸气孔(19)对应的抽风机(20)，所述升降筒(14)下端固定连接有圆柱(15)，所述圆柱(15)下端固定连接有第一磁块(16)，所述外壳(1)的内底面上固定连接有轨道(17)，所述轨道(17)上固定连接有第二磁块(18)。3.根据权利要求2所述的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，其特征在于，所述轨道(17)呈弧形，所述轨道(17)位于切割刀(7)的正下方。4.根据权利要求2所述的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，其特征在于，所述升降筒(14)呈圆筒状，四个所述升降筒(14)呈矩形分布。5.根据权利要求1所述的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，其特征在于，所述电机(2)为伺服电机，所述电机(2)上端与外壳(1)的内顶壁固定连接。6.根据权利要求1所述的一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，其特征在于，所述外壳(1)呈箱体状，所述外壳(1)上设有开关门，所述开关门上设有门把手。

技术总结
本实用新型公开了一种防止窜动的半导体晶圆切割装置，包括外壳，所述外壳内安装有电机，所述电机的输出端上固定连接有第一转轴，所述第一转轴上固定连接有第一齿轮和第一单向轴承，所述第一单向轴承上固定连接有第二转轴，所述第二转轴上固定连接有切割刀，所述外壳的内顶面上转动连接有第三转轴，所述第三转轴上固定连接有第二齿轮和第二单向轴承，所述第一齿轮和第二齿轮相互啮合，所述第二单向轴承上固定连接有第四转轴。本实用新型通过电机正转和反转可以使得切割刀转动或者转盘转动，只使用电机一个动力源，节约了整个装置的制造成本；四个操作台转动分别来到切割刀正下方，可以持续的对晶圆进行加工。可以持续的对晶圆进行加工。可以持续的对晶圆进行加工。


技术研发人员：江朝军
受保护的技术使用者：梅州市展至电子科技有限公司
技术研发日：2021.10.27
技术公布日：2022/5/5