一种多硅晶片手机窗口切割方法
【技术领域】
[0001]本发明具体涉及一种多硅晶片手机窗口切割方法。
【背景技术】
[0002]最早的多线切割设备主要由钢线和砂浆组成，在切割过程中，将砂浆喷在钢线与加工晶体之间，现在这种多线切割设备主要应用在单晶硅以及多晶硅晶片的切割过程中，但是在切割过程中，若晶片的翘曲度较大，在后续加工过程中便很难改善，不仅会给后续的工作造成一定的困难，而且还会是晶片报废。
[0003]因此，需要建立翘曲度与影响因素的对应关系，有了这个关系，通过观察翘曲度的分布，即可判断出影响翘曲度的因素，很快的对工艺进行调整。
【发明内容】
[0004]本发明提供了一种超薄、质量轻、低耗电的多硅晶片手机窗口切割方法。
[0005]为了达成上述目的，采用的具体技术方案是:
(1)将多硅晶片手机窗口在超声波中清洗30min，再将其烘干；
(2)然后用石蜡将多硅晶片手机窗口粘在不锈钢底座上，底座安装在试验机下摩擦副盘上，调节多硅晶片手机窗口与止推圈的的距离为2-4mm;
(3)然后向其中加入搅拌均匀后的线切割线，加载并启动运行。
[0006]所述的线切割液是由1.78g的聚乙二醇、1.3g的二乙醇胺、10-15ppm的十二烷基苯磺酸钠、0.56g的有机娃氧烧、1.2g的偏磷酸钠、15g的砂轮磨粒一同加入到10mL的去离子水中，然后静置20-40min得到的。
[0007]所述的止退圈在主轴的带动下相对于镜片旋转，线切割液浸没多硅晶片手机窗口存在摩擦副之间构成三体摩擦磨损环境。
[0008]所述的主轴转速为80r/min，摩擦副小止推圈摩擦副。
[0009]所述的砂轮磨粒为800 #。
[0010]本发明的应用方法为:将多硅晶片手机窗口在超声波中清洗30min，再将其烘干；然后用石蜡将多硅晶片手机窗口粘在不锈钢底座上，底座安装在试验机下摩擦副盘上，调节多硅晶片手机窗口与止推圈的的距离为2-4mm ;然后向其中加入搅拌均匀后的线切割线，加载并启动运行。
具体实施方案
[0011]—种多娃晶片手机窗口切割方法为:
(1)将多硅晶片手机窗口在超声波中清洗30min，再将其烘干；
(2)然后用石蜡将多硅晶片手机窗口粘在不锈钢底座上，底座安装在试验机下摩擦副盘上，调节多硅晶片手机窗口与止推圈的的距离为2-4mm;
(3)然后向其中加入搅拌均匀后的线切割线，加载并启动运行。
[0012]所述的线切割液是由1.78g的聚乙二醇、1.3g的二乙醇胺、10-15ppm的十二烷基苯磺酸钠、0.56g的有机娃氧烧、1.2g的偏磷酸钠、15g的砂轮磨粒一同加入到10mL的去离子水中，然后静置20-40min得到的。
[0013]所述的止退圈在主轴的带动下相对于镜片旋转，线切割液浸没多硅晶片手机窗口存在摩擦副之间构成三体摩擦磨损环境。
[0014]所述的主轴转速为80r/min，摩擦副小止推圈摩擦副。
[0015]所述的砂轮磨粒为800 #。
【主权项】
1.一种多硅晶片手机窗口切割方法，其特征在于: 将多硅晶片手机窗口在超声波中清洗30min，再将其烘干； 然后用石蜡将多硅晶片手机窗口粘在不锈钢底座上，底座安装在试验机下摩擦副盘上，调节多硅晶片手机窗口与止推圈的的距离为2-4mm; 然后向其中加入搅拌均匀后的线切割线，加载并启动运行。2.根据权利要求1所述一种多硅晶片手机窗口切割方法，其特征在于:所述的线切割液是由1.78g的聚乙二醇、1.3g的二乙醇胺、10-15ppm的十二烧基苯磺酸钠、0.56g的有机硅氧烷、1.2g的偏磷酸钠、15g的砂轮磨粒一同加入到10mL的去离子水中，然后静置20-40min得到的。3.根据权利要求1所述一种多硅晶片手机窗口切割方法，其特征在于:所述的止退圈在主轴的带动下相对于镜片旋转，线切割液浸没多硅晶片手机窗口存在摩擦副之间构成三体摩擦磨损环境。4.根据权利要求1所述一种多硅晶片手机窗口切割方法，其特征在于:所述的主轴转速为80r/min，摩擦副小止推圈摩擦副。5.根据权利要求1所述一种多硅晶片手机窗口切割方法，其特征在于:所述的砂轮磨粒为800 # ο
【专利摘要】本发明涉及一种多硅晶片手机窗口切割方法，将多硅晶片手机窗口在超声波中清洗30min，再将其烘干；然后用石蜡将多硅晶片手机窗口粘在不锈钢底座上，底座安装在试验机下摩擦副盘上，调节多硅晶片手机窗口与止推圈的距离为2-4mm；然后向其中加入搅拌均匀后的线切割线，加载并启动运行。
【IPC分类】B28D5/04
【公开号】CN105128160
【申请号】CN201510469897
【发明人】雷春生, 潘相成
【申请人】常州市好利莱光电科技有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月4日