太阳能级晶硅切片工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种太阳能级晶硅切片工艺。主要解决了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题。该工艺包括1）固定；2）切割；3）去胶；4）装片；5）清洗：6）甩干；7）检验；8）入库。该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。
【专利说明】
太阳能级晶硅切片工艺
技术领域
[0001]本发明涉及多晶硅的切片加工技术领域，具体涉及一种太阳能级晶硅切片工艺。
【背景技术】
[0002]太阳能属于新能源的一种，太阳能的实用上人类一大进步，起到环保节能，充分利用大自然资源，给人类生活带来无限便利。太阳能的实现是通过太阳能板将太阳能转化为电能，进而供人类实用，太阳能板的做作是通过在硅片上进行化学物理反应制作而得，而硅片的切割是太阳能板完成的重要步骤之一。现有的切片工艺在硅片切割过程中存在易碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，严重时甚至导致整刀晶片报废，严重影响切片效率，同时在现有的切片工艺中切线一般只能使用一次，切割成本高，整体效益差。
【发明内容】
[0003]为了克服【背景技术】的不足，本发明提供一种太阳能级晶硅切片工艺，主要解决了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题，该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。
本发明所采用的技术方案是:一种太阳能级晶硅切片工艺，该工艺具体步骤如下:
I)固定，将硅锭黏贴固定于粘棒台上，所述硅锭与粘棒台之间设有玻璃板，所述粘棒台还设有压块，硅锭两侧设有挡板，所述硅锭固定环境保持温度24-28 °C，湿度为30-40%;所述玻璃板与硅锭之间用胶A与玻璃板与粘棒台之间用胶B，先用胶B固定玻璃板与粘棒台，使用压块压置7-10min，同上再次用胶A固定玻璃板与硅锭，压块压置7_10min，所述硅锭上表面黏有导向条，所述导向条距离硅锭边缘l-2cm，硅锭表面清理使用异丙醇或酒精擦拭清理。
[0004]2)切割，粘棒台置于切片机内部，安装切线，砂浆进入;所述切割，粘棒台反面通过螺钉固定于固定架上，所述固定架与切割机卡置固定连接，所述切线直径为110-130μπι，切速为0.32-0.36mm/min，所述砂楽粒径为5_1 Ιμπι
3)去胶，切割完毕的硅锭移至水槽内，于水槽中至少放置lOmin，水温为60-70°C;所述清洗在放置清洗槽之前对切片及粘棒台初步清水冲洗，拆除固定架，所述清水选用自来水。
[0005]4)装片，戴手套将切片装入片篮内，同时对片进行初检；初步目测有无碎片或破片，装片过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。
[0006]5 )清洗，将片篮放置清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽A、清洗槽B及清洗槽C，所述清洗槽A为溢流清洗加超声波清洗，所述清洗槽B放有清洗剂，所述清洗槽C为纯水清洗，所述每个槽内放置时间4_7min;依次设有的清洗槽A设置数量为3_5个工位，清洗槽B设置数量为2-3个工位，其内清洗剂为JH-1015A与JH-1015B比例2:l混合而成，清洗槽C为设置数量为4-6个工位，所述切片依次放置于每一个工位内 。
[0007]6)甩干，清洗完毕的切片，以片篮为单位移至甩干机中，甩干机内充有氮气，甩干转速为380-450转/分钟，时间160-200s ；所述甩干机内部压力设置0.35-0.45pa，在氮气输入口处包有纱布，片篮在甩干机内呈圆周分布。
[0008]7)检验，目测有无碎片、破片、油污、亮边、色差、划线、断线、线痕、薄厚，进行分类放置处理；
8)入库，每7-10片用纸片隔开，每箱放置45-100片。检测过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准，所述箱子内部周边置有泡沫。
[0009]本发明的有益效果是:由于采取上述技术方案，有效改善了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题，该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的步骤I)结构示意图。
[0011]图2步骤I)的俯视图。
[0012]图中1、硅锭;2、粘棒台；3、玻璃板;4、挡板;5、压块;6、导向条。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本发明实施例作进一步说明。
[0014]如图1结合图2所示，一种太阳能级晶硅切片工艺，该工艺具体步骤如下:
1)固定，将硅锭I黏贴固定于粘棒台2上，所述硅锭I与粘棒台2之间设有玻璃板3，硅锭I两侧设有挡板4，挡板4同硅锭I 一起黏贴固定与玻璃板3上，挡板4用于固定切片的平衡，所述粘棒台2还设有压块5，压块5重量为20-45kg，进一步的压块5重量选择25kg，所述硅锭I固定环境保持温度24-28°C，湿度为30-40%;所述玻璃板3与硅锭I之间用胶A与玻璃板3与粘棒台2之间用胶B，先用胶B固定玻璃板3与粘棒台2，使用压块5压置于玻璃板3上7-10min，然后同上次用胶A固定玻璃板3与硅锭I，压块5压置7-10min，所述硅锭I上表面黏有导向条6，所述导向条6距离硅锭I边缘l-2cm，硅锭I黏贴前其表面清理使用异丙醇或酒精擦拭清理，所述胶A优先选用粘玻璃专用胶DL-623A与粘玻璃专用胶DL-623B为1:1配置，胶B优先选用AD1688-B胶黏贴，黏贴完毕在常温下放置6h以上方可以放入切片机内进行切割，所述玻璃板3厚度为12-15mm，其表面磨砂，增大摩擦，达到牢固黏贴。
2)切割，粘棒台2置于切片机内部，安装切线，砂浆进入;所述粘棒台2反面通过螺钉固定于固定架上，所述固定架与切割机卡置固定连接，所述切线直径为110-130μηι，切速为
0.32-0.36mm/min，进一步的切线直径为120μηι，切线速度0.34mm/min，所述砂楽粒径为5_11μπι，切割用浆液优选由牌号PEG304硅切削液与碳硅粉按1.1:1比例配置而成，所述切片机内设有碎片槽，所述碎片槽用于过滤切片的碎片随砂浆流出至储浆箱内，影响作业，砂浆在作业中循环使用，作业过程中，每20-30min对砂浆进行密度检测。
[0015]3)去胶，切割完毕的硅锭移至水槽内，于水槽中至少放置lOmin，水温为60-70°C ；切割完毕的硅锭I在放置清洗槽之前对切片及粘棒台初步清水冲洗，清洗掉固定架和切片间的砂浆，便于拆除固定架，所述清水选用自来水。
[0016]4)装片，戴手套将切片装入片篮内，同时对片进行初检；初步目测有无碎片或破片，装片过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。
[0017]5)清洗，将片篮放置清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽A、清洗槽B及清洗槽C，所述清洗槽A为溢流清洗加超声波清洗，所述清洗槽B放有清洗剂，所述清洗槽C为纯水清洗，所述每个槽内放置时间4_7min;依次设有的清洗槽A设置数量为3_5个工位，清洗槽B设置数量为2-3个工位，其内清洗剂为JH-1015A与JH-1015B比例2:l混合而成，清洗槽C为设置数量为4-6个工位，所述切片依次放置于每一个工位内 ，所述清洗槽A内水压0.8-1.0pa。
[0018]6)甩干，清洗完毕的切片，以片篮为单位移至甩干机中，片篮在甩干机内呈圆周分布，甩干机内充有氮气，甩干转速为380-450转/分钟，时间160-200S ；所述甩干机内部压力设置0.35-0.45pa，在氮气输入口处包有纱布，防止油气或其他杂志颗粒进入内部，起到过滤的作用。
[0019]7)检验，目测有无碎片、破片、油污、亮边、色差、划线、断线、线痕、薄厚，进行分类放置处理;检测过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准
8)入库，每7-10片用纸片隔开，每箱放置45-100片，所述箱子内部周边置有泡沫。
[0020]本发明有效改善了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题，该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。
各位技术人员须知:虽然本发明已按照上述【具体实施方式】做了描述，但是本发明的发明思想并不仅限于此发明，任何运用本发明思想的改装，都将纳入本专利专利权保护范围内。
【主权项】
1.一种太阳能级晶娃切片工艺，其特征在于:该工艺具体步骤如下: I)固定，将硅锭黏贴固定于粘棒台上，所述硅锭与粘棒台之间设有玻璃板，所述粘棒台还设有压块，硅锭两侧设有挡板，所述硅锭固定环境保持温度24-28 °C，湿度为30-40%; 2 )切割，粘棒台置于切片机内部，安装切线，砂浆进入； 3)去胶，切割完毕的硅锭移至水槽内，于水槽中至少放置lOmin，水温为60-70°C； 4)装片，戴手套将切片装入片篮内，同时对片进行初检； 5 )清洗，将片篮放置清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽A、清洗槽B及清洗槽C，所述清洗槽A为溢流清洗加超声波清洗，所述清洗槽B放有清洗剂，所述清洗槽C为纯水清洗，所述每个槽内放置时间4_7min; 6)甩干，清洗完毕的切片，以片篮为单位移至甩干机中，甩干机内充有氮气，甩干转速为380-450转/分钟，时间160-200s ； 7)检验，目测有无碎片、破片、油污、亮边、色差、划线、断线、线痕、薄厚，进行分类放置处理； 8)入库，每7-10片用纸片隔开，每箱放置45-100片。2.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:步骤I)所述玻璃板与硅锭之间用胶A与玻璃板与粘棒台之间用胶B，先用胶B固定玻璃板与粘棒台，使用压块压置7-1Omin，同上再次用胶A固定玻璃板与硅锭，压块压置7_10min，所述硅锭上表面黏有导向条，所述导向条距离硅锭边缘l-2cm，硅锭表面清理使用异丙醇或酒精擦拭清理。3.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:步骤2)所述切割，粘棒台反面通过螺钉固定于固定架上，所述固定架与切割机卡置固定连接，所述切线直径为110-130μηι，切速为0.32-0.36mm/min，所述砂楽粒径为5_1 Ιμπι。4.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:步骤3)所述清洗在放置清洗槽之前对切片及粘棒台初步清水冲洗，拆除固定架，所述清水选用自来水。5.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:所述步骤4)初步目测有无碎片或破片，装片过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。6.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:所述步骤5)中依次设有的清洗槽A设置数量为3-5个工位，清洗槽B设置数量为2-3个工位，其内清洗剂为JH-1O15Α与JH-1015B比例2:1混合而成，清洗槽C为设置数量为4-6个工位，所述切片依次放置于每一个工位内。7.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:步骤6)所述甩干机内部压力设置0.35-0.45pa，在氮气输入口处包有纱布，片篮在甩干机内呈圆周分布。8.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:步骤7)检测过程中手袋手套，拿起与放置切片以无声为准。9.根据权利要求1所述的太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于:所述箱子内部周边置有泡沫。
【文档编号】B28D5/04GK105965706SQ201610348273
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年5月24日
【发明人】瀛ｄ附, 季丽
【申请人】浙江海顺新能源有限公司