一种半导体晶粒的切割方法和切割装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及半导体晶粒加工技术领域，名称是一种半导体晶粒的切割方法和切割装置，一种半导体晶粒的切割方法，在切割机上采用切割的方法对晶棒进行切割，所用的切割丝是金刚砂丝，所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构，一种半导体晶粒的切割装置，包括机架，在机架上安装有切割丝的辊轮，还有切割丝安装在辊轮上，切割丝连接动力装置，动力装置运行带动切割丝运行，切割丝运形经过晶棒的加工工位，所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。这样的半导体晶粒的线切割方法和切割装置具有减少对环境污染、切割效率高、产品品质有保证的优点。
【专利说明】
一种半导体晶粒的切割方法和切割装置
技术领域
[0001]本发明涉及半导体晶粒加工技术领域，具体地说是涉及半导体晶粒的切割方法，还涉及半导体晶粒的切割装置。
【背景技术】
[0002]半导体致冷件是由晶粒焊接在瓷板上形成的，晶粒是由晶棒经过切割而成的，晶棒的主要成分是三碲化二铋，晶粒是规整的长方体或正方体，它的边棱整齐、角部规范，晶粒是在切割机上切割的。
[0003]使用切割装置对晶棒进行切割，切割装置具有卡具和安装切割丝的部件，切割丝运行可以对晶棒进行切割;现有技术中，使用的切割丝是钢丝，在切割面浇注切割液，切割液的主要成分是油脂，在油脂里面加入金刚砂或碳化硅，它具有容易造成污染、切割效率低、广品品质差的缺点。
【发明内容】
[0004]本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种减少对环境污染、切割效率高、产品品质有保证的半导体晶粒的切割方法和切割装置。
[0005]本发明半导体晶粒的切割方法的技术方案是这样实现的:一种半导体晶粒的切割方法，在切割机上采用切割的方法对晶棒进行切割，其特征是:所用的切割丝是金刚砂丝，所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。
[0006]进一步地讲，在切割的过程中使用清水或肥皂水作为切割液。
[0007]进一步地讲，所述的切割液的温度保持在15—20°C。
[0008]本发明切割装置的技术方案是这样实现的:一种半导体晶粒的切割装置，包括机架，在机架上安装有切割丝的辊轮，还有切割丝安装在辊轮上，切割丝连接动力装置，动力装置运行带动切割丝运行，切割丝运行经过晶棒的加工工位，其特征是:所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。
[0009]进一步地讲，切割装置还有浇淋切割液的浇注装置，用管道浇注在加工工位，在管道中间设置有冷却部件。
[0010]本发明的有益效果是:
这样的半导体晶粒的线切割方法和切割装置具有减少对环境污染、切割效率高、产品品质有保证的优点；在切割的过程中使用清水或肥皂水作为切割液，所述的切割液的温度保持在20—30°C，具有产品品质更好的优点；切割装置还有浇淋切割液的浇注装置，用管道浇注在加工工位，在管道中间设置有冷却部件，具有生产出来的产品品质更好的优点。
【附图说明】
[0011]图1是本发明半导体晶粒切割装置的结构示意图。
[0012]图2是金刚砂丝的剖面结构示意图。
[0013]其中:1、机架2、辊轮3、切割丝4、加工工位5、浇注装置6、冷却部件7、钢丝8、金刚砂。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图和实施例本发明作进一步说明。
[0015]如图1、2所示，一种半导体晶粒的切割装置，包括机架I，在机架上安装有切割丝的辊轮2，还有切割丝3安装在辊轮上，切割丝连接动力装置，动力装置运行带动切割丝运行，切割丝运行经过晶棒的加工工位4，其特征是:所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。
[0016]本装置由于使用金刚砂丝作为切割工具，它更锋利，可以不用切割液，或者使用清水作为切割液即可，而不是用现有技术中的油脂切割液，不会造成环境的污染，可以实现本发明的目的，另外它还可以提高产品的品质，便于边角废料的回收
进一步地讲，切割装置还有浇淋切割液的浇注装置5，用管道浇注在加工工位，在管道中间设置有冷却部件6。
[0017]这样晶棒就会在低温下切割，更有利于产品质量的提高。
[0018]实施例1
将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用钢丝作为切割丝，由于钢丝的切割能力较差，需要使用切割液，并在切割液中需要放置金刚石粉末，切割液是在用钢丝切割的过程中浇淋在切割部位的液体，为了防止金刚石粉末沉淀，需要使用油脂作为切割液的主体;生产10000粒晶粒。
[0019]生产所用的时间是200分钟，在生产中切割液的温度升高到80°C，这样的生产工艺会造成环境污染，还不利于边角废料的回收，产品的优质品率是45%。
[0020]实施例2
将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用金刚砂丝作为切割丝，所述的切割丝是钢丝7外面附着有金刚砂8的丝线结构(下同)在切割过程中不用任何切割液，生产10000粒晶粒。[0021 ]生产所用的时间是180分钟，在生产中晶棒的切割部位的温度升高到900C，这样的生产工艺不会造成环境污染，还不利于边角废料的回收，产品的优质品率是55%。
[0022]实施例3
将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用金刚砂丝作为切割丝，在切割过程中用清水作为切割液，生产10000粒晶粒。
[0023]生产所用的时间是130分钟，在晶棒的切割部位的温度升高到30°C，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是75%。
[0024]实施例4
将晶棒放置在线切割机上进行切割，使用金刚砂丝作为切割丝，在切割过程中用肥皂水作为切割液，生产10000粒晶粒。
[0025]生产所用的时间是130分钟，在晶棒的切割部位的温度升高到30°C，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是75%。
[0026]实施例5
重复上述实施例3，将切割液温度降至15-20 °C。
[0027]生产所用的时间是130分钟，在晶棒的切割部位的温度升高到20°C，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是90%。
[0028]实施例6
重复上述实施例4，将切割液温度降至15-20 °C。
[0029]生产所用的时间是130分钟，在晶板的切割部位的温度升高到20°C，这样的生产工艺不会造成环境污染，还利于边角废料的回收，产品的优质品率是90%。
[0030]实践证明，用低温的切割液更有利于产品质量的提高。
[0031]本发明不用油脂切割液，更有利于环境卫生，减少环境污染，降低生产成本，有利于边角废料的回收，提尚广品的品质。
[0032]以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围内。
【主权项】
1.一种半导体晶粒的切割方法，在切割机上采用切割的方法对晶板进行切割，其特征是:所用的切割丝是金刚砂丝，所述的金刚砂丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。2.根据权利要求1所述半导体晶粒的切割方法，其特征是:在切割的过程中使用清水或肥皂水作为切割液。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶粒的切割方法，其特征是:所述的切割液的温度保持在15—20 °C。4.一种半导体晶粒的切割装置，包括机架，在机架上安装有切割丝的辊轮，还有切割丝安装在辊轮上，切割丝连接动力装置，动力装置运行带动切割丝运行，切割丝运形经过晶棒的加工工位，其特征是:所述的切割丝是钢丝外面附着有金刚砂的丝线结构。5.根据权利要求4所述的半导体晶粒的切割装置，其特征是:切割装置还有浇淋切割液的浇注装置，用管道浇注在加工工位，在管道中间设置有冷却部件。
【文档编号】B28D5/04GK105965708SQ201610508050
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年7月1日
【发明人】陈磊, 陈建民, 赵丽萍, 钱俊有, 张文涛, 蔡水占, 张会超, 王东胜
【申请人】河南鸿昌电子有限公司