机电一体密码锁控制器的制作方法

文档序号:2061674阅读:292来源:国知局
专利名称:机电一体密码锁控制器的制作方法
技术领域
本实用新型公开的机电一体密码锁控制器属密码锁技术领域,具体涉及的是一种 机电一体密码锁的开/关控制器。二.
背景技术
在锁具中的密码锁种类繁多,数不胜数,各有优点,也各有不足。密码锁大体上有 电子的、机械的、机电一体的等等。各类密码锁的结构不同、性能不同,密码锁的各种各样产 品形成纷繁复杂的局面,直至今日密码锁的各种各样发明创造,仍然花样翻新、层出不穷。 本实用新型的密码锁特点在于其一,它是机电一体结构,虽结构简单,却保密好、破译难; 其二,每次开锁限定在一个设定时间内完成或实现,不允许无休止地破解或寻找密码,防范 性能好;其三,该密码锁各密码间连环相控,凡有一位密码输错,此次开锁便告失败,必须重 新再试,破解密码比一般密码锁更难。三.发明内容本实用新型发明的目的是向社会提供这种机电一体密码锁控制器。该密码锁及 其密码锁开/关控制器具有机电一体结构,虽然结构简单,却保密性好、破译较难,值得采 用和推广。本实用新型的技术方案是这样的这种机电一体密码锁控制器,是密码锁的开/ 关控制器,技术特点在于该机电一体密码锁的开/关控制器是一个机电一体构成的开/ 关控制器,该开/关控制器由密码输入的密码键盘、密码电路、各密码电路控制的继电器组 件、继电器组件共同控制的密码锁开/关件组成。可以看出这种机电一体密码锁控制器,由 机械的继电器和电子的密码电路等机电一体结构组成。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码锁开/关控 制器的密码输入的密码键盘由阿拉伯数字0-9构成的按键开关阵列构成,它们组成该密码 锁开/关控制器的密码输入阵列式电路。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码锁开/关控 制器的密码电路是由各个密码构成的开关电路组成的系列开关电路,每个密码构成的开关 电路由密码键盘中的数字0-9中的一个数字按键开关形成密码信号输入,每个密码构成的 开关电路由可控硅及其控制的继电器组件中的一组触点开关构成,各个密码构成的开关电 路连环组成N位密码的该机电一体密码锁的开/关控制器,其中N位密码在4-10位间选择。 所述的各个密码构成的开关电路连环组成N位密码的电路,它们之间有相互连环关系正是 设定各密码间的特定、有序排列关系。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码电路即由N 位密码构成的开关电路,均是由可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点构成密码 电路、或/和继电器组件中的一组开触点构成密码电路、或/和继电器组件中的一组关触点 构成密码电路,三类密码电路混合并共同组成。所述的或/和关系指的是三类密码电路相互之间选择为或的关系、或/和关系、和关系,都有可能选择并混合。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码电路的各个 密码构成的开关电路由首位密码电路构成的延时电路连环控制以后N-I位密码电路开通、 运行、关断,该首位密码电路由0-9中的某一个数字按键开关形成密码信号作可控硅控制 信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点、可控硅通/簖的延时电路 组成。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码电路的首位 密码电路的延时电路的延时继电器串联在被控制的可控硅回路中。所述的延时电路如是由 电阻R-电容C构成的延时电路、或是开关管构成的延时电路、或是门电路构成的延时电路 等等,上述延时电路均可采用已有的公知公用技术并结合实际需要进行设计和制做,不必 多述。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码电路中由可 控硅控制的继电器组件中的一组开触点构成密码电路由0-9中的某一个数字按键开关形 成密码信号作可控硅控制信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开触点组 成。这是一类结构的密码电路。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码电路中由可 控硅控制的继电器组件中的一组关触点构成密码电路由0-9中的某一个数字按键开关形 成密码信号作可控硅控制信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组关触点组 成。这又是一类结构的密码电路。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码电路中由可 控硅控制的继电器组件中的一组开关触点构成密码电路是嵌位的、由可控硅控制的继电器 组件中的一组开触点构成开关电路和可控硅控制的继电器组件中的一组关触点构成双锁 连环控制的开关电路,该双锁连环控制的开关电路由前级限制电路与后级执行电路组成, 后级执行电路由0-9中的某一个数字按键开关形成密码信号作紧接前位的嵌位密码信号 为可控硅控制信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点构成双锁连环 嵌位控制的后级执行电路,前级限制电路由前位密码信号作限位密码信号为可控硅控制信 号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点构成双锁连环限位控制的前级 限制电路,双锁连环嵌位控制的后级执行电路控制的继电器组件中的一组开关触点正是双 锁连环限位控制的前级限制电路控制的继电器组件中的一组开关触点。这是第三类结构的 密码电路。所述的这第三类结构的密码电路的嵌位、限位关系,特别着重体现了设定的各密 码间特定、有序排列关系以及它们之间有相互连环控制关系,特别是前后两位密码间的相 互连环控制关系。这种N位密码间具有的相互连环控制关系,是本实用新型的机电一体密 码锁控制器的结构特点,该结构特点使本实用新型的密码锁保密性好、破译较难。根据以上所述的机电一体密码锁控制器,技术特点还有所述的密码锁开/关控 制器的继电器组件共同控制的密码锁开/关件是该机电一体密码锁控制器N位密码开关电 路控制的继电器组件中各组开关触点共同连环控制的密码锁开/关件。所述的各组继电器 开关触点共同连环控制的密码锁开/关件正体现了设定的各密码间特定、有序排列关系以 及它们之间具有的相互连环控制关系。本实用新型的机电一体密码锁控制器优点有1.该机电一体密码锁控制器的密码电路由三类不同结构的密码电路混合并共同组成,保密性能好、密码破译较难;2.该密 码锁每次开锁限定在一个设定(延时时间)时间内完成或实现,不允许无休止地破解或寻 找密码,防范性能好;3.该密码锁各密码间连环相控,凡有一位密码输错,此次开锁便告失 败,必须重新再试,破解密码比一般密码锁更难。本实用新型的机电一体密码锁控制器及其 密码锁值得提采用和推广。四.
本实用新型的说明书附图共有1幅图1为机电一体密码锁控制器结构示意图。在图1中1.供电源正端;2.供电源负端;3.密码锁;rv"n1(l.以阿拉伯数字0_9 中的一个为代表的N位密码代表N位密码的输入按键开关J.控制器的继电器组 件,J1^hJ14均是继电器组件的某组开关触点;ΜΓ··Μ1(ι、Μ14.均是继电器组件的线包;IV"R16. 均是电阻;Dr"D1(l.均是二极管式…Z13.均是可控硅;YJ.延时继电器。五.具体实施方式
本实用新型机电一体密码锁控制器的非限定实施例如下实施例一.机电一体密码锁控制器该例的机电一体密码锁控制器具体结构由图1示出,可以看出这种机电一体密码 锁控制器,由机械的继电器和电子的密码电路等机电一体结构组成。这种机电一体密码锁 控制器,是密码锁3的开/关控制器,该例机电一体密码锁的开/关控制器是一个机电一体 构成的开/关控制器,该开/关控制器由密码输入的密码键盘、密码电路、各密码电路控制 的继电器组件、继电器组件共同控制的密码锁开/关件组成。该例的密码锁开/关控制器 的密码输入的密码键盘由阿拉伯数字0-9(图1中的Γν··η1(ι)组成以阿拉伯数字0-9中的 一个为代表的十位密码带的按键开关0V"K1(l)阵列构成。带按键开关0V"K1(l)的阿拉伯 数字0-9十个密码(图1中的rv··Iiltl作代表)组成该密码锁开/关控制器的密码输入阵 列式电路。该例的密码锁开/关控制器的密码电路是由各个密码(如叫、K1-Ii10, K10等) 构成的开关电路组成的系列开关电路,每个密码(如I^K1-IimKltl等)构成的开关电路由 密码键盘中的数字0-9中的一个数字(图1中的rv"n1Q作代表)带的按键开关(ΚΓ··Κ10) 形成密码信号输入,每个密码构成的开关电路由可控硅(zr"z13)及其控制的继电器组件J 中的一组触点开关CL··· J13均是继电器组件J的某组开关触点)构成,各个密码构成的开 关电路连环组成N位密码的该机电一体密码锁的开/关控制器,其中N位密码在4-10位间 选择,如该例选择N = 5位。该例的各个密码构成的开关电路连环组成N =5位密码的电 路,它们之间有相互连环关系正是设定各密码间的特定、有序排列关系。该例的密码电路即 由N= 5位密码构成的开关电路,已由图1示出,它们均是由可控硅(Z^"Z13)及其控制的继 电器组件J中的一组开关触点(如J3与Jn> J4与Ji2> J5…与J13)构成密码电路、和继电器 组件J中的一组开触点(如J1与J2)构成密码电路、和继电器组件J中的一组关触点(如 J6 Jltl)构成密码电路,上述三类密码电路混合并共同组成。上述的密码电路的各个密码 构成的开关电路由首位密码电路((如叫、K1, Z1, J1, R1, D1, M1, YJ延时继电器等))构成的 延时电路连环控制以后4位密码电路开通、运行、关断,该首位密码电路由0-9中的某一个数字(0-9中的任一个数字,代表为Ii1)按键开关K1形成密码信号作可控硅&控制信号输 入端、可控硅\及其控制的继电器组件J中的一组开关触点J1、可控硅\通/簖的延时电 路组成。该例的密码电路的首位密码电路的延时电路如是由电阻R-电容C构成的延时电 路、或是由开关管构成的延时电路、或是由门电路构成的延时电路等等,延时如选择适当的 延迟时间,如20、或30秒等,上述延时电路均可采用已有的公知公用技术并结合实际需要 进行设计和制做,不必多述。该延时电路的延时继电器YJ串联在被控制的可控硅&回路 中。该例的密码电路中由可控硅控制的继电器组件J中的一组开触点J2构成密码电路是 由0-9中的某一个数字(代表为n2)按键开关K2形成密码信号作可控硅控制信号输入端、 可控硅\及其控制的继电器组件J中的一组开触点J2组成,该密码电路和首位密码电路是 第一类结构的密码电路。该例密码电路中由可控硅控制的继电器组件J中的一组关触点构 成密码电路是分别由0-9中的某一个数字(代表为rv·· Iiltl)按键开关Kf Kltl形成密码信 号作可控硅控制信号输入端、可控硅^^^1(1及其控制的继电器组件J中的一组关触点丄… Jltl组成。这又是第二类结构的密码电路。该例密码电路中由可控硅控制的继电器组件J中 的一组开关触点(J3与Jn> J4与Ji2> J5与J13)构成密码电路是嵌位的、分别由可控硅Z3-&控制的继电器组件J中的一组开触点丄…丄构成开关电路和可控硅I^V13控制的继电 器组件J中的一组关触点JyJ13构成双锁连环控制的开关电路,该双锁连环控制的开关 电路由前级限制电路与后级执行电路组成,后级执行电路分别由0-9中的某一个数字(代 表为η3···η5)按键开关KfK5B成密码信号作紧接前位的嵌位密码信号为可控硅控制信 号输入端、可控硅τ ;“ \及其控制的继电器组件J中的一组开关触点J3与Jn、J4与J12、J5 与J13构成双锁连环嵌位控制的后级执行电路,前级限制电路由前位密码信号(代表为rv·· n4)作限位密码信号为可控硅控制信号输入端、可控硅I^V13及其控制的继电器组件J中 的一组开关触点J3与Jn、J4与J12、J5与J13构成双锁连环限位控制的前级限制电路,双锁 连环嵌位控制的后级执行电路控制的继电器组件J中的一组开关触点J3与J11U4与J12、J5 与J13正是双锁连环限位控制的前级限制电路控制的继电器组件J中的一组开关触点J3与 ^丄与J12、J5与J13。这是第三类结构的密码电路。该例的这第三类结构的密码电路的嵌 位、限位关系,特别着重体现了设定的各密码间特定、有序排列关系以及它们之间有相互连 环控制关系,特别是前后两位密码间的相互连环控制关系。所述的嵌位关系是指在N位密 码间本位密码必须镶嵌在与本位密码前后相邻的那两位密码间。所述的限位关系是指在 N位密码间要镶嵌的那位密码必须限位在该限位密码紧相邻的下位。这种N位密码间具有 的相互连环控制关系,是本实用新型的机电一体密码锁控制器的结构特点,该结构特点使 本实用新型的密码锁保密性好、破译较难。该例密码锁开/关控制器的继电器组件J共同 控制的密码锁开/关件是该机电一体密码锁控制器N位密码开关电路控制的继电器组件J 中各组开关触点丄…J13共同连环控制的密码锁开/关件J14。该例的各组继电器开关触点 J^-J13共同连环控制的密码锁开/关件J14正体现了设定的各密码间特定、有序排列关系以 及它们之间具有的相互连环控制关系。该例密码锁开/关控制器的继电器组件J型号如是 13F40119,HRMIH-S等。该例密码锁开/关控制器的可控硅型号如是DT169、97A6等。该例 密码锁开/关控制器的二极管型号如是6A10MIC、4007MIC等。实施例二.机电一体密码锁控制器该例的大体结构可如图1所示的,该例的机电一体密码锁控制器与实施例一的机电一体密码锁控制器不同点有该例机电一体密码锁控制器N位密码选择4位,如把实施 例一中的n5为代表第5位密码的第三类开关电路变成如n6为代表的第二类开关电路即成。 该例的机电一体密码锁控制器其余未述的,全同于实施例一中所述的,不再重述。实施例三.机电一体密码锁控制器该例的大体结构可如图1所示的,该例的机电一体密码锁控制器与实施例一、实 施例二的机电一体密码锁控制器不同点有该例机电一体密码锁控制器N位密码选择6位, 如把实施例一中的n6为代表第6位密码的的第二类开关电路变成如为n5代表第三类开关 电路即成。该例的机电一体密码锁控制器其余未述的,全同于实施例一、实施例二中所述 的,不再重述。实施例四.机电一体密码锁控制器该例的大体结构可如图1所示的,该例的机电一体密码锁控制器与实施例一 实 施例三的机电一体密码锁控制器不同点有该例机电一体密码锁控制器N位密码选择7位、 或8位、或9位、或10位,如把实施例一中的rv··Iiltl为代表第7位、8位、9位、10位密码的 第二类开关电路变成如n5为代表的第三类开关电路即成。该例的机电一体密码锁控制器 其余未述的,全同于实施例一 实施例三中所述的,不再重述。实施例五.机电一体密码锁控制器该例的大体结构可如图1所示的,该例的机电一体密码锁控制器与实施例一 实 施例四的机电一体密码锁控制器不同点有该例机电一体密码锁控制器N位密码的电子控 制电路可采用现有公知公用的电子控制相关技术选择、设计、制造,所有的电子控制电路采 用的元件、器件、组件、部件都可使用现有公用商售的,只要它们能完成或实现所述的电子 控制电路功能的均可采用,不必多述。该例的机电一体密码锁控制器其余未述的,全同于实 施例一 实施例四中所述的,不再重述。
权利要求1.一种机电一体密码锁控制器,是密码锁的开/关控制器,特征在于该机电一体密码 锁的开/关控制器是一个机电一体构成的开/关控制器,该开/关控制器由密码输入的密 码键盘、密码电路、各密码电路控制的继电器组件、继电器组件共同控制的密码锁开/关件 组成。
2.根据权利要求1所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码锁开/关控 制器的密码输入的密码键盘由数字0-9构成的按键开关阵列构成。
3.根据权利要求1所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码锁开/关控 制器的密码电路是由各个密码构成的开关电路组成的系列开关电路,每个密码构成的开关 电路由密码键盘中的数字0-9的一个数字按键开关形成密码信号输入,每个密码构成的开 关电路由可控硅及其控制的继电器组件中的一组触点开关构成,各个密码构成的开关电路 连环组成N位密码的该机电一体密码锁的开/关控制器,其中N位密码在4-10位间选择。
4.根据权利要求3所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码电路即由N 位密码构成的开关电路,均是由可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点构成密码 电路、或/和继电器组件中的一组开触点构成密码电路、或/和继电器组件中的一组关触点 构成密码电路,三类密码电路混合并共同组成。
5.根据权利要求4所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码电路的各个 密码构成的开关电路由首位密码电路构成的延时电路连环控制以后N-I位密码电路开通、 运行、关断,该首位密码电路由0-9中的某一个数字按键开关形成密码信号作可控硅控制 信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点、可控硅通/簖的延时电路 组成。
6.根据权利要求5所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码电路的首位 密码电路的延时电路的延时继电器串联在被控制的可控硅回路中。
7.根据权利要求3所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码电路中由可 控硅控制的继电器组件中的一组开触点构成密码电路由0-9中的某一个数字按键开关形 成密码信号作可控硅控制信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开触点组 成。
8.根据权利要求3所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码电路中由可 控硅控制的继电器组件中的一组关触点构成密码电路由0-9中的某一个数字按键开关形 成密码信号作可控硅控制信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组关触点组 成。
9.根据权利要求3所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码电路中由可 控硅控制的继电器组件中的一组开关触点构成密码电路是嵌位的由可控硅控制的继电器 组件中的一组开触点构成开关电路和可控硅控制的继电器组件中的一组关触点构成双锁 连环控制的开关电路,该双锁连环控制的开关电路由前级限制电路与后级执行电路组成, 后级执行电路由0-9中的某一个数字按键开关形成密码信号作紧接前位的嵌位密码信号 为可控硅控制信号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点构成双锁连环 嵌位控制的后级执行电路,前级限制电路由前位密码信号作限位密码信号为可控硅控制信 号输入端、可控硅及其控制的继电器组件中的一组开关触点构成双锁连环限位控制的前级 限制电路,双锁连环嵌位控制的后级执行电路控制的继电器组件中的一组开关触点正是双锁连环限位控制的前级限制电路控制的继电器组件中的一组开关触点。
10.根据权利要求1所述的机电一体密码锁控制器,特征在于所述的密码锁开/关控 制器的继电器组件共同控制的密码锁开/关件是该机电一体密码锁控制器N位密码开关电 路控制的继电器组件中各组开关触点共同连环控制的密码锁开/关件。
专利摘要本实用新型公开的机电一体密码锁控制器属密码锁技术领域,这种密码锁的开/关控制器由代表数字0-9构成的按键开关阵列的密码输入键盘、密码电路、各密码电路控制的继电器组件、继电器组件共同控制的密码锁开/关件组成,该控制器优点有该控制器的密码电路由三类不同结构的密码电路混合并共同组成,保密性能好、密码破译难;该密码锁每次开锁限定在设定的延时内完成或实现,不允许无休止地破解或寻找密码,防范性能好;该密码锁各位密码间连环相控,凡有一位密码输错,此次开锁便告失败,必须重新再试,破解密码比一般密码锁更难;本实用新型的机电一体密码锁控制器及其密码锁值得提采用和推广。
文档编号E05B49/00GK201835619SQ20102056398
公开日2011年5月18日 申请日期2010年10月13日 优先权日2010年10月13日
发明者陈宪标 申请人:陈宪标
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