一种均匀降温烘烤设备的制造方法

文档序号:10143887阅读:331来源:国知局
一种均匀降温烘烤设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种烘烤设备,尤其涉及一种均匀降温烘烤设备。
【背景技术】
[0002]传统烤箱在不影响内部环境的情况下无法快速降温,而且,传统烤箱只能在高温时降温相对较快,随着烤箱内部温度降低而变慢,从而会影响烘烤品质,无法满足严格的生产工艺需要。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种均匀降温烘烤设备,结构简单,可在保证烤箱内部环境的情况下实现快速、均速稳定的降温,保证烘烤品质。
[0004]为实现上述目的,本实用新型提供一种均匀降温烘烤设备,包括烤箱,烤箱内设有烘烤腔体,所述烤箱是由外壳和内壳构成的双层烤箱结构,所述内壳内是烘烤腔体,所述内壳内在烘烤腔体的上方设有加热器和循环风车,所述烘烤腔体内设有水冷式交换器和感温传感器,所述内壳和外壳之间是冷风通道,所述冷风通道的入口端连接至鼓风机,所述冷风通道的出口端与外壳外部连通,所述的鼓风机、感温传感器和水冷式交换器均连接至控制系统。
[0005]作为本实用新型的进一步改进,所述水冷式交换器上设有比例控制阀。
[0006]与现有技术相比,本实用新型的均匀降温烘烤设备的有益效果如下:
[0007](1)结构简单,可在保证烤箱内部环境的情况下,通过智能控制实现快速、均速稳定的降温,保证烘烤品质。
[0008](2)采用比例控制阀可以自动调整冰水进水量进行热交换降温,以达到均速稳定的降温的目的。
[0009]通过以下的描述并结合附图,本实用新型将变得更加清晰,这些附图用于解释本实用新型的实施例。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型中的均匀降温烘烤设备的内部循环示意图。
[0011]图2为本实用新型中的均匀降温烘烤设备的外部循环示意图。
【具体实施方式】
[0012]现在参考附图描述本实用新型的实施例,附图中类似的元件标号代表类似的元件。
[0013]请参考图1-2,所述的均匀降温烘烤设备包括烤箱,烤箱内设有烘烤腔体11,所述烤箱1是由外壳12和内壳13构成的双层烤箱结构,所述内壳13内是烘烤腔体11,所述内壳13内在烘烤腔体11的上方设有加热器14和循环风车15,所述烘烤腔体11内设有水冷式交换器16和感温传感器(图中未示出),水冷式交换器16用于灌输循环冰水与烤箱内部热空气进行热交换降温。所述内壳13和外壳12之间是冷风通道17,所述冷风通道17的入口端a连接至鼓风机(图中未示出),通过鼓风机向冷风通道17内灌充冷空气进行热传导式降温。所述冷风通道17的出口端b与外壳12外部连通,所述的鼓风机、感温传感器和水冷式交换器16均连接至控制系统(图中未示出)。
[0014]使用时,在控制系统设定降温速率,控制系统会通过烤箱内部的感温传感器反馈回来的当前温度进行自动控制降温动作和方式,避免降温过快,在高温阶段自动选用冷风通道17灌冷风的方式与内壳13壁热交换降温,自动调节进风量,使烤箱内部的温度依照系统设定的速度匀速降温。
[0015]随着烤箱内部温度的降低,感温传感器监测到降温速度偏慢时,水冷式交换器16自动开启冰水,通过比例控制阀自动调整冰水进水量进行热交换降温,使烤箱内部的温度依照系统设定的速度匀速降温。
[0016]以上结合最佳实施例对本实用新型进行了描述,但本实用新型并不局限于以上揭示的实施例,而应当涵盖各种根据本实用新型的本质进行的修改、等效组合。
【主权项】
1.一种均匀降温烘烤设备,包括烤箱,烤箱内设有烘烤腔体,其特征在于:所述烤箱是由外壳和内壳构成的双层烤箱结构,所述内壳内是烘烤腔体,所述内壳内在烘烤腔体的上方设有加热器和循环风车,所述烘烤腔体内设有水冷式交换器和感温传感器,所述内壳和外壳之间是冷风通道,所述冷风通道的入口端连接至鼓风机,所述冷风通道的出口端与外壳外部连通,所述的鼓风机、感温传感器和水冷式交换器均连接至控制系统。2.如权利要求1所述的均匀降温烘烤设备,其特征在于:所述水冷式交换器上设有比例控制阀。
【专利摘要】本实用新型公开了一种均匀降温烘烤设备,包括烤箱,烤箱内设有烘烤腔体,所述烤箱是由外壳和内壳构成的双层烤箱结构,所述内壳内是烘烤腔体,所述内壳内在烘烤腔体的上方设有加热器和循环风车,所述烘烤腔体内设有水冷式交换器和感温传感器,所述内壳和外壳之间是冷风通道,所述冷风通道的入口端连接至鼓风机,所述冷风通道的出口端与外壳外部连通,所述的鼓风机、感温传感器和水冷式交换器均连接至控制系统。本实用新型的均匀降温烘烤设备的结构简单,可在保证烤箱内部环境的情况下实现快速、均速稳定的降温,保证烘烤品质。
【IPC分类】A47J37/06
【公开号】CN205053847
【申请号】CN201520746226
【发明人】陈奕超, 马忠奎
【申请人】志圣科技(广州)有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2015年9月23日
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