一种无障碍直通自封地漏的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种地漏，具体为一种无障碍直通自封地漏。
【背景技术】
[0002]在目前，现有的地漏一般由本体和位于本体内的芯子构成，其中芯子内孔一般为直通孔结构，直通孔的上开口为进水口，直通孔的下开口为出水口，并出于防臭防虫的考虑一般会在出水口设置带复位结构的密封挡板。
[0003]在以上结构中，如果复位结构设置在芯子中心，则以上出水口一般为圆形，当排水时密封挡板整体上下移动而在密封挡板和出水口之间构成间隙而形成排水口 ；若复位结构设置在芯子的侧边则以上出水口为圆形或椭圆形，当排水时密封挡板随其与出水口的铰接部位转动而在出水口和密封挡板之间构成间隙形成排水口。
[0004]以上结构虽然都能很好的实现防臭和防虫功能，但其中的圆形或椭圆形出水口的出水面积显得过小，这大大限制了地漏排水时的排水性能，无法做到快速开口和高效快速的排水，特别是内芯与本体相连的复杂结构很容易在排水过程中挂住毛发，造成密封盖无法关闭，导致密封防臭失效，给实际使用带来很大不便。
【发明内容】
[0005]针对上述问题，本发明设计一种无障碍直通自封地漏，其使地漏的出水口大小得到成倍增加，可有效提高地漏的排水性能，避免出水密封处受毛发影响造成无法关闭的现象发生，具有结构简单实用的特点。
[0006]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案:
一种无障碍直通自封地漏，包括内部带上下贯通水流道的地漏芯子，其特征在于:所述地漏芯子下部的前后侧对称设置有V字形的延伸部，两延伸部之间完全镂空而在地漏芯子下部的左右两侧形成V字形的出水口。
[0007]进一步的，上述V字形出水口的左右两侧各对应设置有一密封挡板，密封挡板的顶部与地漏芯子之间活动铰接，密封挡板外侧与地漏芯子上的连接臂之间设置有复位结构，密封挡板在复位结构的作用下紧紧封住两V字形延伸部的对应侧斜面。
[0008]本发明利用两对称间隔设置的V字形延伸部结构而在芯子底部形成两侧带斜面的V字形出水口，整个出水口由两个斜面开口组合构成，其相比传统的圆形或椭圆形出水口，本发明出水口的开口面积得到了成倍提高。在使用中，只需要两侧的密封挡板相对顶部铰接部位转动很小的一个角度，密封挡板的下部就会和V字形延伸部的斜面相分离，进而实现出水口的大开口，实现快速出水，在提升地漏排水性能的同时能有效避免毛发积累现象的发生。
【附图说明】
[0009]图1、本发明地漏芯子的立体结构示意图； 图2、本发明的立体结构示意图。
【具体实施方式】
[0010]如图1和2所示，一种无障碍直通自封地漏，包括内部带上下贯通水流道11的地漏芯子1，所述地漏芯子I下部的前后侧对称设置有V字形的延伸部12，两延伸部12之间完全镂空而在地漏芯子下部的左右两侧形成V字形的出水口 13，该V字形的出水口 13由两个斜面开口组合构成，其开口面积相比传统的圆形或椭圆形出水口可得到成倍提高。
[0011]所述V字形出水口 13的左右两侧各对应设置有一密封挡板2，密封挡板2的顶部与地漏芯子I之间活动铰接，密封挡板2外侧与地漏芯子I上的连接臂14之间设置有复位结构3，密封挡板2在复位结构3的作用下紧紧封住两V字形延伸部12的对应侧斜面121上。
[0012]在使用中，只需要克服复位结构3的复位力而使两侧的密封挡板2相对顶部铰接部位转动很小的一个角度，密封挡板2的下部就会和V字形延伸部12的斜面121相分离，进而实现出水口 13的大开口，达到快速出水的目的。
[0013]以上所述，仅是本发明的较佳实施方式，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术原理对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化或修饰，仍属于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种无障碍直通自封地漏，包括内部带上下贯通水流道的地漏芯子，其特征在于:所述地漏芯子下部的前后侧对称设置有V字形的延伸部，两延伸部之间完全镂空而在地漏芯子下部的左右两侧形成V字形的出水口。2.如权利要求1所述的一种无障碍直通自封地漏，其特征在于:所述述V字形出水口的左右两侧各对应设置有一密封挡板，密封挡板的顶部与地漏芯子之间活动铰接，密封挡板外侧与地漏芯子上的连接臂之间设置有复位结构，密封挡板在复位结构的作用下紧紧封住两V字形延伸部的对应侧斜面。
【专利摘要】本发明公开了一种无障碍直通自封地漏，包括内部带上下贯通水流道的地漏芯子，所述地漏芯子下部的前后侧对称设置有V字形的延伸部，两延伸部之间完全镂空而在地漏芯子下部的左右两侧形成V字形的出水口。本发明设计使地漏的出水口大小得到成倍增加，可有效提高地漏的排水性能，避免出水密封处受毛发影响造成无法关闭的现象发生，具有结构简单实用的特点。
【IPC分类】E03F5/04
【公开号】CN105113611
【申请号】CN201510509747
【发明人】张文兵, 张曼露
【申请人】张文兵, 张曼露
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年8月19日