一种倒膜扩张设备的制作方法

1.本实用新型属于玻璃晶圆加工技术领域，尤其涉及一种倒膜扩张设备。


背景技术：

2.目前，玻璃晶圆一般是固定在uv膜上，uv膜固定在专用的铁环上，铁环一般是8寸～12寸，使用uv膜是为了防止后续切割及检测分选时，芯片会掉落。玻璃晶圆逐渐从金刚石刀切割升级为激光切割，激光切割后，需要进行后续的清洗、检测、分选、封装。一般激光切割后，单颗的芯片仍然紧挨在一起，激光切割后的残留物需要清洗，清洗完成后的检测分选制程需要按芯片的优劣等级分选出来重新排列，因此就要求在检测分选制程前将单颗芯片均匀拉开一定的距离后，仍然紧贴在uv膜上，uv膜需要再次固定在铁环上。


技术实现要素：

3.本实用新型克服了现有技术的不足，提供一种倒膜扩张设备，以解决现有技术中存在的问题。
4.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种倒膜扩张设备，包括工作台面、位于所述工作台面上方的第一定位组件与第二定位组件以及位于所述工作台面下方的顶升组件与切割组件；所述工作台面中心位置处设有通槽，所述通槽位置处设置有配合压环，所述第一定位组件与所述第二定位组件均位于所述通槽正上方，所述顶升组件顶端设置有加热管，所述切割组件包括切割电机、由所述切割电机驱动的切割轴承以及位于所述切割轴承一侧的切刀，所述加热管位于所述切割轴承顶端，所述切刀为可伸缩式结构。
5.本实用新型一个较佳实施例中，所述第一定位组件包括第一定位气缸以及位于所述第一定位气缸活塞杆端的第一定位环，所述第一定位环与所述配合压环位置对应。
6.本实用新型一个较佳实施例中，所述第一定位环通过连接块与所述第一定位气缸的活塞杆连接，所述连接块数量为三个且沿所述第一定位环周向间隔分布。
7.本实用新型一个较佳实施例中，所述第二定位组件包括第二定位气缸与位于所述第二定位气缸活塞杆端的第二定位环，所述第二定位环与所述配合压环位置对应。
8.本实用新型一个较佳实施例中，所述顶升组件包括顶升电机、位于所述顶升电机转轴端的丝杠以及能够沿所述丝杠长度方向进行运动的顶升块，所述切割组件通过支架与所述顶升块连接。
9.本实用新型一个较佳实施例中，所述支架一侧设置有调节气缸，所述切刀通过连接块与所述调节气缸的活塞杆连接。
10.本实用新型一个较佳实施例中，所述切割轴承通过带轮结构与所述切割电机连接，所述切割轴承上设置有从动轮，所述切割电机的转轴上设置有主动轮。
11.本实用新型一个较佳实施例中，所述切割轴承顶部设置有支撑块，所述支撑块对膜进行支撑。
12.本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷，本实用新型具备以下有益效果：
13.本实用新型采用加热方式对uv膜进行扩张，使单颗芯片均匀拉开距离，而后对扩张后的uv膜进行定位，定位后自动将边缘处多余的膜切除，使芯片仍然贴在uv膜上，不会掉落。
附图说明
14.下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：
15.图1为本实用新型优选实施例一整体结构示意图；
16.图2为本实用新型优选实施例另一整体结构示意图；
17.图3为本实用新型优选实施例的主视图；
18.图中：1、工作台面；2、第一定位组件；21、第一定位气缸；22、第一定位环；3、第二定位组件；31、第二定位气缸；32、第二定位环；4、顶升组件；41、顶升电机；42、丝杠；43、顶升块；5、切割组件；51、切割电机；52、切割轴承；53、切刀；6、配合压环；7、加热管；8、调节气缸；9、支撑块。
具体实施方式
19.现在结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
20.如图1至图3所示，一种倒膜扩张设备，包括工作台面1、位于工作台面1上方的第一定位组件2与第二定位组件3以及位于工作台面1下方的顶升组件4与切割组件5；工作台面1中心位置处设有通槽，通槽位置处设置有配合压环6，第一定位组件2与第二定位组件3均位于通槽正上方，顶升组件4顶端设置有加热管7，切割组件5包括切割电机51、由切割电机51驱动的切割轴承52以及位于切割轴承52一侧的切刀53，加热管7位于切割轴承52顶端，切刀53为可伸缩式结构。
21.在本实施例中，首先将uv膜放置在配合压环6上，由第一定位组件2的第一定位气缸21通过连接块驱动第一定位环22进行运动，对uv膜进行压紧，压紧后，顶升组件4带动切割组件5上升，首先使位于切割轴承52内的加热管7靠近uv膜，对uv膜进行加热，使其扩张，扩张后，第二定位组件3的第二定位气缸31驱动第二定位环32运动，由第二定位环32与支撑块9配合对uv膜进行压紧，压紧后，调节气缸8驱动切刀53伸出，由切割电机51通过带轮结构驱动切割轴承52进行运动，进而带动uv膜进行转动，在转动过程中实现对uv膜的裁切，裁切完成之后，各组件复位。
22.在本实施例中，第一定位组件2包括第一定位气缸21以及位于第一定位气缸21活塞杆端的第一定位环22，第一定位环22与配合压环6位置对应。
23.进一步地，第一定位环22通过连接块与第一定位气缸21的活塞杆连接，连接块数量为三个且沿第一定位环22周向间隔分布。
24.在本实施例中，第二定位组件3包括第二定位气缸31与位于第二定位气缸31活塞杆端的第二定位环32，第二定位环32与配合压环6位置对应。
25.在本实施例中，顶升组件4包括顶升电机41、位于顶升电机41转轴端的丝杠42以及能够沿丝杠42长度方向进行运动的顶升块43，切割组件5通过支架与顶升块43连接。
26.进一步地，支架一侧设置有调节气缸8，切刀53通过连接块与调节气缸8的活塞杆连接。
27.在本实施例中，切割轴承52通过带轮结构与切割电机51连接，切割轴承52上设置有从动轮，切割电机51的转轴上设置有主动轮。
28.进一步地，切割轴承52顶部设置有支撑块9，支撑块9对膜进行支撑。
29.总而言之，本实用新型采用加热方式对uv膜进行扩张，使单颗芯片均匀拉开距离，而后对扩张后的uv膜进行定位，定位后自动将边缘处多余的膜切除，使芯片仍然贴在uv膜上，不会掉落。
30.以上依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。