一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及到单晶硅片的抛光生产领域，具体的说是一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置。
【背景技术】
[0002]目前，在抛光硅片表面颗粒检测设备CR-80和CR-81中，硅片支撑装置非常重要，它是颗粒检测设备的激光光路中至关重要的一环，整体高度和水平度细微的变化，就可能造成抛光硅片表面颗粒检测精度直线下降。而硅片加工工厂生产的产品结构以4英寸、5英寸、6英寸三种尺寸为主，这就要求检测设备要兼容这三个尺寸。经过研究分析表明，只要设计出合适的硅片支撑装置，满足设备内的激光光路要求，就可以达成三个尺寸兼容的目的。
【实用新型内容】
[0003]为解决现有的检测设备无法兼容三个尺寸的硅片进行检测的问题，本实用新型提供了一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，该支撑装置通过负压吸取固定抛光硅片，从而实现了三种尺寸硅片的兼容。
[0004]本实用新型为解决上述技术问题采用的技术方案为:一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，包括一基座，该基座通过螺栓固定在运动机构的横梁上，以使其随运动机构运动；在基座的中心位置设置有与产生负压的真空管路连接的负压接口，围绕负压接口均匀设置有呈矩形分布的四个沉孔，且每个沉孔的开口端上密封均设置有套管垫片，四个套管垫片的中部开设有微气孔，所述负压接口通过基座内部的真空通道与四个套管垫片上的微气孔连通，从而产生负压将硅片吸附固定在四个套管垫片上。
[0005]所述基座上的负压接口通过快速接头与产生负压的真空管路连通。
[0006]所述基座采用铝合金制成，其表面经过发黑处理，以避免对光线的反射。
[0007]所述负压接口为直径4mm的内丝孔，产生负压的真空管路通过一快速接头与其连接。
[0008]所述负压接口设置在基座的背面，围绕其呈矩形均匀分布的四个沉孔位于基座的正面。
[0009]本实用新型中，套管垫片采用PVDF或四氟材料制成。
[0010]有益效果:本实用新型通过在基座内部设置真空通道和套管垫片，当机械手将硅片放到四个套管垫片上方时，负压通过真空通路将硅片吸住，从而完成对三种硅片的兼容固定支撑；此真空应控制在-5inhg以下，以避免真空使硅片表面变形而造成测量误差。基座采用优质铝合金材质，重量轻，易加工。表面进行氧化发黑处理，最大限度避免本装置对光线的反射，减少对光路的影响。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的结构示意图；
[0012]图2为图1A-A处剖视图；
[0013]图3为图1B-B处剖视图；
[0014]图4为图1C-C处剖视图；
[0015]附图标记:1、基座，2、套管垫片，3、负压接口，4、真空通道。
【具体实施方式】
[0016]如图所示，一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，包括一基座1，该基座I通过螺栓固定在运动机构的横梁上，以使其随运动机构运动；在基座I的中心位置设置有与产生负压的真空管路连接的负压接口 3，围绕负压接口 3均匀设置有呈矩形分布的四个沉孔，且每个沉孔的开口端上密封均设置有套管垫片2，四个套管垫片2的中部开设有微气孔，所述负压接口 3通过基座I内部的真空通道4与四个套管垫片2上的微气孔连通，从而产生负压将硅片吸附固定在四个套管垫片2上。
[0017]以上为本实用新型的基本实施方式，可在以上基础上做进一步的改进和限定:
[0018]如，所述基座I上的负压接口 3通过快速接头与产生负压的真空管路连通；
[0019]又如，所述基座I采用铝合金制成，其表面经过发黑处理，以避免对光线的反射；套管垫片采用PVDF或四氟材料制成；
[0020]再如，所述负压接口 3为直径4_的内丝孔，产生负压的真空管路通过一快速接头与其连接；
[0021]最后，所述负压接口 3设置在基座I的背面，围绕其呈矩形均匀分布的四个沉孔位于基座I的正面。
【主权项】
1.一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，其特征在于:包括一基座(1)，该基座(I)通过螺栓固定在运动机构的横梁上，以使其随运动机构运动；在基座(I)的中心位置设置有与产生负压的真空管路连接的负压接口(3)，围绕负压接口(3)均匀设置有呈矩形分布的四个沉孔，且每个沉孔的开口端上密封均设置有套管垫片(2)，四个套管垫片(2)的中部开设有微气孔，所述负压接口(3)通过基座(I)内部的真空通道(4)与四个套管垫片(2)上的微气孔连通，从而产生负压将硅片吸附固定在四个套管垫片(2)上。2.根据权利要求1所述的一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，其特征在于:所述基座(I)上的负压接口(3)通过快速接头与产生负压的真空管路连通。3.根据权利要求1所述的一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，其特征在于:所述基座(I)采用铝合金制成，其表面经过发黑处理，以避免对光线的反射。4.根据权利要求1所述的一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，其特征在于:所述负压接口(3)为直径4_的内丝孔，产生负压的真空管路通过一快速接头与其连接。5.根据权利要求1所述的一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，其特征在于:所述负压接口(3)设置在基座(I)的背面，围绕其呈矩形均匀分布的四个沉孔位于基座(I)的正面。
【专利摘要】一种用于抛光硅片表面颗粒检测的硅片支撑装置，在基座的中心位置设置有与产生负压的真空管路连接的负压接口，围绕负压接口均匀设置有呈矩形分布的四个沉孔，且每个沉孔的开口端上密封均设置有套管垫片，四个套管垫片的中部开设有微气孔，负压接口通过基座内部的真空通道与四个套管垫片上的微气孔连通，从而产生负压将硅片吸附固定在四个套管垫片上，完成对三种硅片的兼容固定支撑；此真空应控制在-5inhg以下，以避免真空使硅片表面变形而造成测量误差。基座采用优质铝合金材质，重量轻，易加工。表面进行氧化发黑处理，最大限度避免本装置对光线的反射，减少对光路的影响。
【IPC分类】B25B11/00
【公开号】CN204819262
【申请号】CN201520609219
【发明人】宋松伟, 范强, 马龙峰, 高战锋, 苗亚龙
【申请人】麦斯克电子材料有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年8月14日