一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃的制作方法

文档序号:2415357阅读:229来源:国知局
专利名称:一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜玻璃,尤其是一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃。
背景技术
现有技术中生产高透低辐射镀膜玻璃,生产难度较大,且只能采用先钢化后镀膜的生产方式,不能承受长途运输,易损坏。
发明内容为解决以上技术问题,本实用新型提供一种质量可靠,具有加强型效果的可异地 加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,其透过率在79%以上。为实现以上发明目的,本实用新型的技术方案为一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,其包括基片玻璃,所述基片玻璃为浮法玻璃,其不同之处为自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层,第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOx,第一保护层、第二保护层均为NiCrOx,第三电介质层为TiOx,第四电介质层为Si3N4介质层,第一电介质层的膜层厚度为22nm 28nm,第二电介质层的膜层厚度为13nm 17nm,第一保护层的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm, Ag层的膜层厚度为IOnm 13nm,第二保护层的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm,第三电介质层的膜层厚度为74nm 76nm,第四电介质层的膜层厚度为35nm 40nmo本实用新型的有益效果是本实用新型提供了一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,可实现先镀膜再进行改切、磨边、钢化等后续加工。在膜层中含有一层具有反射红外线能力的银层和具有减少可见光反射以及保护银层作用的电介质层和耐磨电介质层,极大地降低了玻璃表面辐射率,起到了较好的隔热保温效果,同时也提高了整个玻璃的强度,抗氧化性能更好,能够承受长途运输,生产难度小。

图I是本实用新型可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃的结构示意图;图2是本实用新型可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃的一个实施例结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型实施例作进一步的描述。如图I,本实用新型实施例可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,其包括基片玻璃,所述基片玻璃为浮法玻璃,自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层。[0010]如图2所示,本实用新型提供的可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃的一个实施例,其中,GLASS指新鲜透明的优质浮法玻璃,第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOx,第一保护层、第二保护层均为NiCrOx,第三电介质层为TiOx,第四电介质层为Si3N4介质层。优选的,第一电介质层的Si3N4的膜层厚度为22nm 28nm,第二电介质层的ZnAlOx的膜层厚度为13nm 17nm,第一保护层的NiCrOx的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm, Ag层的膜层厚度为IOnm 13nm,第二保护层的NiCrOx的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm,第三电介质层TiOx的膜层厚度为74nm 76nm,第四电介质层的Si3N4介质层的膜层厚度为35nm 40nm。上述膜层的加工工艺为所有Si3N4膜层采用双阴极旋转靶在中频电源下溅射,工艺气体为Ar和N2的混合气体,溅射功率为40kw llOkw,中频电源频率为20kHz 55kHz。AlZnOx膜层膜层采用双阴极旋转靶在中频电源下溅射,工艺气体为Ar和O2的混合气体,溅射功率为15kw 20kw,中频电源频率为IOkHz 50kHz。
·[0013]TiOx膜层采用双阴极旋转靶在中频电源下溅射,工艺气体为Ar和O2的混合气体,溅射功率为50kw 80kw,中频电源频率为IOkHz 50kHz。NiCrOx膜层采用平面阴极在直流电源下溅射,工艺气体为Ar和O2的混合气体,溅射功率为3kw 9kw。所有Ag膜层采用平面阴极在直流电源下溅射,工艺气体为Ar,溅射功率为5kw 10kw。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
权利要求1.一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,所用基片玻璃为浮法玻璃,其特征在于自基片玻璃向外依次包括第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层,第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOx,第一保护层、第二保护层均为NiCrOx,第三电介质层为TiOx,第四电介质层为Si3N4介质层,第一电介质层的膜层厚度为22nm 28nm,第二电介质层的膜层厚度为13nm 17nm,第一保护层的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm, Ag层的膜层厚度为IOnm 13nm,第二保护层的膜层厚度为O. 8nm I. 2nm,第三电介质层的膜层厚度为74nm 76nm,第四电介质层的膜层厚度为35nm 40nm。
专利摘要本实用新型涉及一种镀膜玻璃,尤其是一种可异地加工加强型单银高透低辐射镀膜玻璃,其包括基片玻璃,所述基片玻璃为浮法玻璃,其不同之处为自基片玻璃向外依次设置有第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、Ag层、第二保护层、第三电介质层、第四电介质层,第一电介质层为Si3N4电介质层,第二电介质层为ZnAlOX,第一保护层、第二保护层均为NiCrOX,第三电介质层为TiOX,第四电介质层为Si3N4介质层,第一电介质层的膜层厚度为22nm~28nm,第二电介质层的膜层厚度为13nm~17nm。本实用新型提供一种质量可靠,具有加强型效果的可异地加工加强型高透单银低辐射镀膜玻璃,其透过率在79%以上。
文档编号B32B9/04GK202608165SQ20122009229
公开日2012年12月19日 申请日期2012年3月13日 优先权日2012年3月13日
发明者王桂荣, 陈德成, 陈飞, 杨真理, 李蕾 申请人:武汉长利玻璃(汉南)有限公司
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