专利名称：陶瓷片复合结构的绝缘层、铝基板及其制造方法
技术领域：
本发明属于LED基板制造技术领域，具体涉及一种超高导热、强耐电压、高耐热的陶瓷片复合结构的绝缘层、铝基板及其制造方法。
背景技术：
随着电子、电气技术的快速发展和节能环保的理念深入人心，LED技术得到蓬勃发展，随之而来的是对元器件电路板的散热性能要求也在逐渐提高。因此，一些高散热的铝基电路板和陶瓷基电路板在市场上受到了欢迎。目前市场上的铝基板结构基本上采用在铝板上铺设一层导热绝缘片而成，其一方面可起到导热的作用，另一方面还具有绝缘的作用，而陶瓷基板是在成型的氧化铝或者氮化铝陶瓷上，采用特殊工艺直接在其上镀一层铜而成。铝基板制造最关键在于绝缘层，目前的铝基板绝缘层主要有两类一、以玻纤布浸溃添加了导热填料的树脂体系，经高温烘烤半固化成型。二、直接在PET或者PI离型膜上涂覆添加导热填料的树脂体系，经高温烘烤半固化成型后将离型膜剥离后使用。第一种制造技术所得到的绝缘层热阻大、散热性差，难以满足大功率、高散热电子产品的发展要求。第二种制造技术的绝缘层虽然散热性能有一定幅度的提高，但是导热系数仍然只能做到< 5ff/m. k，使铝基板整体导热系数难以超越50W/m. k，在超大功率LED元器件上使用仍然受到限制，并且，第二种绝缘层制造时要考虑其绝缘性和导热性的一个平衡，绝缘层太薄会使其绝缘性达不到要求，而太厚又会增加其热阻，降低散热性能。此外，上述两种制造技术的绝缘层，尺寸收缩率大，不能满足LED元器件高精度封装的要求。而陶瓷基板主要有两类，一类以氧化铝陶瓷为基体，一类以氮化铝陶瓷为基体，氧化铝陶瓷基板由于整体导热性只能在30W/m. k左右，也不能满足LED超大功率元器件的要求。虽然氮化铝陶瓷基板的导热性能优异，但是陶瓷基板有着制造成本高`、成型工艺困难、脆性大、不易加工等问题而限制了其使用范围。
发明内容
本发明提供了一种陶瓷片复合结构的绝缘层，以及包含该绝缘层的铝基板及其制造方法。本发明铝基板具有超高的导热性、绝缘性和优异的耐热性以及加工性能，其超高的导热性能能满足大功率、超大功率LED元器件的散热要求，其良好的绝缘性和耐热性能能保证元器件在高温下长期有效的运行。为实现上述目的，本发明采取如下技术方案本发明陶瓷片复合结构的绝缘层，包括至少一层陶瓷片、数层导热胶膜，所述的陶瓷片与导热胶膜间隔层叠，所述绝缘层的最外两表层为导热胶膜。本发明陶瓷片复合结构的铝基板，包括铝合金基板(4)、前述的绝缘层、铜箔(3)，铝合金基板(4 )、绝缘层、铜箔(3 )依次层叠并压制成型。本发明陶瓷片复合结构的铝基板的制造方法，按如下步骤进行步骤1、对铝合金基板做表面处理；
步骤2、在离型膜或离型纸上涂覆导热胶液，经过烘烤半固化而成导热胶膜；步骤3、在陶瓷片的两表层各覆上一导热胶膜，作为陶瓷片复合结构的绝缘层；步骤4、将步骤三绝缘层的一表层覆上步骤一的铝合金板，另一表层覆上铜箔，然后在真空中闻温闻压成型。优选的，步骤1:铝合金基板表面处理在铝合金基板表面喷涂配备好的偶联剂溶液，然后在105 120°C烘箱中烘烤18-25分钟，进一步优选为20分钟。进一步优选，表面处理剂为硅烷偶联剂。优选的，配备的偶联剂为KH560，溶液浓度(质量浓度)为5%。 1%。喷涂量为2(T50ml/ m2。铝合金板为1060型铝板、3003型铝板、5052型铝板或者6061型铝板，铝合金基板厚度为O. 5^5. 0_。步骤2:导热胶膜制作该导热胶膜体系的组分(质量份)如下环氧树脂60 100份、增韧剂I 30份、溶剂80 150份、固化剂I 20份、促进剂O. 01 2份、偶联剂O.1 5份、导热填料O 700份。将上述各组分配制成导热胶液后，由涂胶设备涂覆于经表面离型处理过离型膜或者离型纸上，经过烘烤半固化而成导热胶膜。该导热胶膜具有柔性和高密度性，解决了传统铝基板的脆性问题。优选的，树脂选用无卤环氧树脂的组合。在该组合中，环氧树脂当量在150 500g/eq,树脂A和树脂B的质量比为1:0. 4 O. 5，其中，组分A为无色液体，固含量在75% 85% ;组分B为无色液体，固含量在90% 100%。(注当量指含有一当量环氧基的环氧树脂克数。固含量体系中纯 树脂所占的比例，其余部分为溶剂。)优选的，增韧剂为醋酸乙烯乳液、酚氧树脂、丁腈橡胶、丙烯酸酯橡胶、聚乙烯醇缩丁醛、聚醋酸乙烯、聚氨酯中的一种或多种的组合。该组合的分子量在20000 70000。当选择前述不同的三种增韧剂时，增韧剂A、增韧剂B和增韧剂C的比例为1:0. Γ2 :0. Γ2,其中，组分A为黄色液体，固含量为20% 50%，分子量为20000 50000 ;组分B为白色晶体，分子量在40000 70000 ;组分C为黄色胶体，固含量为100%，分子量在20000 70000。添加增韧剂是为了增加胶膜的柔韧性，以改善脆性问题。优选的，高导热填料为氧化镁、氮化铝、氮化硼、硅微粉、陶瓷粉中的一种或者多种的组合。平均粒径为O. 05 25 μ m。进一步优选的，高导热填料为氮化铝、氮化硼、陶瓷粉一种或者两种以上的组合。优选的，表面处理剂为硅烷偶联剂；溶剂为丙酮、丙二醇甲醚乙酸酯、丁酮、二甲基甲酰胺中的一种或多种的组合；固化剂为双氰胺、酚醛树脂、二氨基二苯砜、二氨基二苯胺中的一种或多种的组合；促进剂为二甲基咪唑、二苯基咪唑、二乙基四甲基咪唑中的一种或多种的组合。其中，添加偶联剂为了改善填料的分散性和粘结性，使之能在胶液中能够更好地混溶均匀。优选的，离型膜为PET、PI离型膜。导热胶膜的制造方法，按如下步骤一、将重量为I 20份的固化剂和O. 01 I份的促进剂溶解在80 150份的溶剂中，充分搅拌直至固化剂完全溶解；二、在第一步的溶液中加入重量为I 30份的增韧剂，充分搅拌直至完全溶解；
三、在第二步的溶液中加入重量为60 100份的环氧树脂、O. 5 7份偶联剂和O 700份高导热填料，充分搅拌直至混合均匀，配制成导热胶液体系；四、将第三步的导热胶液体系涂覆于经表面处理的离型膜或离型纸上，经1200C 200°C烘箱烘烤3 lOmin，得到导热胶膜。上述导热胶膜的制造方法有以下优选方案优选的，树脂选用无卤环氧树脂组合。在该组合中，树脂环氧当量在150 500 g/eq，树脂A和树脂B的质量比为1:0. 4 O. 5，其中，组分A为无色液体，固含量在75% 85% ;组分B为无色液体，固含量在90% 100%。(注当量指含有一当量环氧基的环氧树脂克数。固含量体系中纯树脂所占的比例，其余部分为溶剂。)优选的，增韧剂为醋酸乙烯乳液、酚氧树脂、丁腈橡胶、丙烯酸酯橡胶、聚乙烯醇缩丁醛、聚醋酸乙烯、聚氨酯中的一种或多种的组合。该组合的分子量在20000 70000。当选择前述不同的三种增韧剂时，增韧剂A、增韧剂B和增韧剂C的比例为1:0. Γ2 O. Γ2,其中，组分A为黄色液体，固含量为20% 50%，分子量为20000 50000 ;组分B为白色晶体，分子量在40000 70000 ;组分C为黄色胶体，固含量为100%，分子量在20000 70000。优选的，高导热填料为氧化镁、氮化铝、氮化硼、硅微粉、陶瓷粉中的一种或者多种的组合。平均粒径为O. 05 15 μ m。进一步优选的，高导热填料为氮化铝、氮化硼、陶瓷粉一种或者两种以上的组合。优选的，溶剂为丙酮、丙二醇甲醚乙酸酯、丁酮、二甲基甲酰胺中的一种或多种的组合；固化剂为双氰胺、酚醛树脂、二氨基二苯砜、二氨基二苯胺中的一种或多种的组合；促进剂为二甲基咪唑、二苯基咪唑、二乙基四甲基咪唑中的一种或多种的组合。优选的，烘箱烘烤温度为140°C 180°C，烘烤时间为3mirT7min。步骤3:绝缘层的覆合在陶瓷片上下各覆上一层步骤2中制作的导热胶膜，整体作为铝基板的绝缘层。优选的，陶瓷片为氧化铝陶瓷片或者氮化铝陶瓷片，陶瓷片的尺寸为(I OOmnT 1200mm) X (lOOmnTllOOmm)，陶瓷片的厚度为 30 μ m 150 μ m。优选的，单层导热胶膜的厚度为5 μ πΓ25 μ m。优选的，绝缘层(包括陶瓷片和导热胶膜)的厚度为40μπΓ 50μπι。4 :铝基板的成型将步骤3所得的绝缘层上下分别覆上一张铜箔和一张铝板，在真空压机中压制成型。压制参数真空度70(T760mmHg((r0.008MPa)，压力250 480PSI,热盘温度为120。。 200°C，压制时间 120 180min。优选的，压制过程中，真空度72(T760mmHg((T0.005MPa)，压力250 480PSI，热盘温度为120°C 200°C，压制时间120 180min。本发明通过铝基板结构和配方的设计及工艺的调整而实现，本发明铝基板具有超高导热、优异的耐电压性和良好的耐热性能等优点。
图1是实施例一陶瓷片复合结构的绝缘层结构示意图。图2是实施例一陶瓷片复合结构的铝基板结构示意图。
图3是实施例二陶瓷片复合结构的绝缘层结构示意图。图4是实施例二陶瓷片复合结构的铝基板结构示意图。图示中，3-铜箔，2.1、2. 3、2. 5-导热胶膜，2. 2,2. 4-陶瓷片，4_铝合金基板。2. 1,2. 2,2. 3或2. 1,2. 2,2. 3,2. 4,2. 5构成陶瓷片复合结构铝基板的绝缘层。
具体实施例方式下面结合附图对本发明实施例作详细说明。陶瓷片复合结构的绝缘层实施例一参见图1，本实施例绝缘层包括一层陶瓷片2. 2，两层导热胶膜2. 1,2. 3，陶瓷片
2.2的上下两表层分别覆上导热胶膜2. 1,2. 3。陶瓷片为氧化铝陶瓷片或氮化铝陶瓷片，陶瓷片的尺寸为100mnTl200mm X lOOmnTllOOmm,陶瓷片的厚度为30 μ πΓ 50 μ m ;导热胶膜的厚度为5 μ m 25 μ m。陶瓷片复合结构的铝基板实施例一参见图2，本实 施例铝基板包含有实施例一的绝缘层，铝合金基板4、绝缘层、铜箔3依次层叠并压制成型。招合金基板的尺寸为IOOmm 1200_ X IOOmm 1100mm,厚度为
O.5mm 5. 0mm。铜猜的尺寸为 105mm 1205mm X 105mm 1105mm,厚度为 8Mm 102Mm。陶瓷片复合结构的绝缘层实施例二 参见图3，本实施例绝缘层包括两层陶瓷片2. 2,2. 4，三层导热胶膜2. 1,2. 3,2. 5，导热胶膜2.1、陶瓷片2. 2、导热胶膜2. 3、陶瓷片2. 4、导热胶膜2. 5依次层叠而成。陶瓷片为氧化铝陶瓷片或氮化铝陶瓷片，陶瓷片的尺寸为100mnTl200mm X lOOmnTllOOmm，陶瓷片的厚度为30 μ πΓ 50 μ m ;导热胶膜的厚度为5 μ πΓ25 μ m。陶瓷片复合结构的铝基板实施例二 参见图4，本实施例铝基板包含有实施例二的绝缘层，铝合金基板4、绝缘层、铜箔3依次层叠并压制成型。招合金基板的尺寸为IOOmm 1200_ X IOOmm 1100mm,厚度为
0.5mm 5. 0mm。铜猜的尺寸为 105mm 1205mm X 105mm 1105mm,厚度为 8Mm 102Mm。下面对本发明种陶瓷片复合结构的铝基板制造方法的实施例予以详细说明。实施例一1、铝合金基板处理配制偶联剂溶液，偶联剂为KH560，溶液浓度为8%。。铝合金板选用5052型铝合金板，厚度为1. 0mm，表面偶联剂溶剂喷涂量为30ml/ m2。2、导热胶膜制作①、先将重量为14份固化剂(双氰胺二氨基二苯砜为1:10)和0. 06份促进剂(二甲基咪唑)溶解在重量为100份溶剂中(二甲基甲酰胺(DMF)和丁酮(MEK)混合溶剂(1:1))，充分搅拌直至固化剂完全溶解。②、在上述溶液中加入重量为30份增韧剂(酚氧树脂聚乙烯醇缩丁醛丁腈橡胶为1:0. 35 :0. 65)，充分搅拌直至完全溶解。③、再将无卤环氧树脂(树脂A :树脂B为1:0. 4)、硅烷偶联剂和陶瓷粉组合以100份6份600份固体重量比依次加入，搅拌5小时以上，直至充分混合均匀，形成固含量约为80%的无卤高耐热导热胶液体系。
④、将上述胶液体系经过涂覆机涂覆在表面处理的PET离型膜上，经过160°C烘箱中烘烤5分钟，得到厚度为25 μ m的无卤导热胶膜。3、绝缘层的覆合选用氧化铝陶瓷片，陶瓷片厚度为50 μ m，尺寸300mmX 300mm，在陶瓷片上下各覆上一张步骤2制作的与陶瓷片尺寸相同的25 μ m厚度导热胶片作为绝缘层。4、铝基板的成型将步骤3的绝缘层，上面覆上一张35 μ m厚度铜箔，下面覆上步骤I所处理的铝板。在真空压机中压制成型，压制中压机真空度为O. 005Mpa，压力300PSI，压制时间150min，热盘温度 200°C。实施例二1、铝合金基板处理配制偶联剂溶液，偶联剂为KH560，溶液浓度为8%。。铝合金板选用5052型铝合金板，厚度为1. 0mm，表面偶联剂溶剂喷涂量为30ml/ m2。2、导热胶膜制作
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①、先将重量为14份固化剂(双氰胺二氨基二苯砜为1:10)和O. 06份促进剂(二甲基咪唑)溶解在重量为100份溶剂中(二甲基甲酰胺(DMF)和丁酮(MEK)混合溶剂(1:1))，充分搅拌直至固化剂完全溶解。②、在上述溶液中加入重量为30份增韧剂(酚氧树脂聚乙烯醇缩丁醛丁腈橡胶为1:0. 35 :0. 65)，充分搅拌直至完全溶解。③、再将无卤环氧树脂(树脂A :树脂B为1:0. 4)、硅烷偶联剂和陶瓷粉组合以100份6份600份固体重量比依次加入，搅拌5小时以上，直至充分混合均匀，形成固含量约为80%的无卤高耐热导热胶液体系。④、将上述胶液体系经过涂覆机涂覆在表面处理的PET离型膜上，经过160°C烘箱中烘烤4分钟，得到厚度为5 μ m的无卤导热胶膜。3、绝缘层的覆合选用氧化招陶瓷片，陶瓷片厚度为90 μ m,尺寸300mmX 300mm,在陶瓷片上下各覆上一张步骤2制作的与陶瓷片尺寸相同的5 μ m厚度导热胶膜作为绝缘层。4、铝基板的成型将步骤3的绝缘层，上面覆上一张35 μ m厚度铜箔，下面覆上步骤I所处理的铝板。在真空压机中压制成型，压制中压机真空度为O. 005Mpa，压力300PSI，压制时间150min，热盘温度 200°C。实施例三1、铝合金基板处理配制偶联剂溶液，偶联剂为KH560，溶液浓度为1%。铝合金板选用5052型铝合金板，厚度为1. 0mm，表面偶联剂溶剂喷涂量为30ml/ m2。2、导热胶膜制作①、先将重量为14份固化剂(双氰胺二氨基二苯砜为1:10)和O. 06份促进剂(二甲基咪唑)溶解在重量为100份溶剂中(二甲基甲酰胺(DMF)和丁酮(MEK)混合溶剂(1:1))，充分搅拌直至固化剂完全溶解。
②、在上述溶液中加入重量为30份增韧剂(酚氧树脂聚乙烯醇缩丁醛丁腈橡胶为1:0. 35 :0. 65)，充分搅拌直至完全溶解。③、再将无卤环氧树脂(树脂A :树脂B为1:0. 4)、硅烷偶联剂和陶瓷粉组合以100份6份600份固体重量比依次加入，搅拌5小时以上，直至充分混合均匀，形成固含量约为80%的无卤高耐热导热胶液体系。④、将上述胶液体系经过涂覆机涂覆在表面处理的PET离型膜上，经过160°C烘箱中烘烤5分钟，得到厚度为25 μ m的无卤导热胶膜。3、绝缘层的覆合选用氮化铝陶瓷片，陶瓷片厚度为50 μ m，尺寸300mmX 300mm，在陶瓷片上下各覆上一张步骤2制作的与陶瓷片尺寸相同的25 μ m厚度导热胶膜作为绝缘层。4、铝基板的成型将步骤3的绝缘层，上面覆上一张35 μ m厚度铜箔，下面覆上步骤I所处理的铝板。在真空压机中压制成 型，压制中压机真空度为O. 005Mpa，压力300PSI，压制时间150min，热盘温度 200°C。实施例四1、铝合金基板处理配制偶联剂溶液，偶联剂为KH560，溶液浓度为1%。铝合金板选用5052型铝合金板，厚度为1. 0mm，表面偶联剂溶剂喷涂量为30ml/ m2。2、导热胶膜制作①、先将重量为14份固化剂(双氰胺二氨基二苯砜为1:10)和O. 06份促进剂(二甲基咪唑)溶解在重量为100份溶剂中(二甲基甲酰胺(DMF)和丁酮(MEK)混合溶剂(1:1))，充分搅拌直至固化剂完全溶解。②、在上述溶液中加入重量为30份增韧剂(酚氧树脂聚乙烯醇缩丁醛丁腈橡胶为1:0. 35 :0. 65)，充分搅拌直至完全溶解。③、再将无卤环氧树脂(树脂A :树脂B为1:0. 4)、硅烷偶联剂和陶瓷粉组合以100份6份600份固体重量比依次加入，搅拌5小时以上，直至充分混合均匀，形成固含量约为80%的无卤高耐热导热胶液体系。④、将上述胶液体系经过涂覆机涂覆在表面处理的PET离型膜上，经过160°C烘箱中烘烤4分钟，得到厚度为5 μ m的无卤导热胶膜。3、绝缘层的覆合选用氮化铝陶瓷片，陶瓷片厚度为90 μ m，尺寸300mmX 300mm，在陶瓷片上下各覆上一张步骤2制作的与陶瓷片尺寸相同的5 μ m厚度导热胶膜作为绝缘层。4、铝基板的成型将步骤3的绝缘层，上面覆上一张35 μ m厚度铜箔，下面覆上步骤I所处理的铝板。在真空压机中压制成型，压制中压机真空度为O. 005Mpa，压力300PSI，压制时间150min，热盘温度 200°C。性能参数对比表1:实施例1-4所制得陶瓷片复合结构铝基板的性能与现有导热胶膜铝基板的性能比对表
权利要求
1.陶瓷片复合结构的绝缘层，其特征是包括至少一层陶瓷片、数层导热胶膜，所述的陶瓷片与导热胶膜间隔层叠，所述绝缘层的最外两表层为导热胶膜。
2.陶瓷片复合结构的铝基板，其特征是包括铝合金基板(4)、如权利要求1所述的绝缘层、铜箔(3)，铝合金基板(4)、绝缘层、铜箔(3)依次层叠并压制成型。
3.陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是所述的铝基板包括铝合金基板(4)、如权利要求1所述的绝缘层、铜箔(3)，所述铝基板制造方法按如下步骤进行 步骤一、对铝合金基板做表面处理； 步骤二、在离型膜或离型纸上涂覆导热胶液，经过烘烤半固化而成导热胶膜； 步骤三、在陶瓷片的两表层各覆上一层导热胶膜，作为陶瓷片复合结构的绝缘层； 步骤四、将步骤三绝缘层的一表层覆上步骤一的铝合金基板，另一表层覆上铜箔，然后在真空中高温高压成型。
4.如权利要求3所述的陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是步骤一在铝合金基板表面喷涂硅烷偶联剂溶液，然后在105 120°C烘箱中烘烤18-25分钟。
5.如权利要求4所述的陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是铝合金基板为1060型铝板、3003型铝板、5052型铝板或6061型铝板，铝合金基板厚度为O. 5 mm ^5. Omm ；偶联剂为KH560，溶液浓度为5%。 1%，喷涂量为2(T50ml/ m2。
6.如权利要求3所述的陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是步骤二导热胶膜体系的组分如下环氧树脂60 100份、增韧剂I 30份、溶剂80 150份、固化剂I 20份、促进剂O. 01 2份、偶联剂O.1 5份、导热填料O 700份，将上述各组分配制成导热胶液后，由涂胶设备涂覆于经表面离型处理过离型膜或者离型纸上，经过烘烤半固化而成导热胶膜。
7.如权利要求3或6所述的陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是导热胶膜按如下步骤制造 一、将重量为I 20份的固化剂和O.01 I份的促进剂溶解在80 150份的溶剂中，充分搅拌直至固化剂完全溶解； 二、在第一步的溶液中加入重量为I 30份的增韧剂，充分搅拌直至完全溶解； 三、在第二步的溶液中加入重量为60 100份的环氧树脂、O.5 7份偶联剂和O 700份高导热填料，充分搅拌直至混合均匀，配制成导热胶液体系； 四、将第三步的导热胶液体系涂覆于经表面处理的离型膜或离型纸上，经1200C 200°C烘箱烘烤3 lOmin，得到导热胶膜。
8.如权利要求7所述的陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是环氧树脂选用无卤环氧树脂组合，在该组合中，环氧树脂当量在150 500 g/eq，树脂组分A和树脂组分B的质量比为1:0. 4 O. 5，其中，树脂组分A为无色液体，固含量在75% 85% ;树脂组分B为无色液体，固含量在90% 100%。
9.如权利要求7所述的陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是增韧剂为醋酸乙烯乳液、酚氧树脂、丁腈橡胶、丙烯酸酯橡胶、聚乙烯醇缩丁醛、聚醋酸乙烯、聚氨酯中的一种或多种的组合，该组合的分子量在20000 70000 ； 或者，溶剂为丙酮、丙二醇甲醚乙酸酯、丁酮、二甲基甲酰胺中的一种或多种的组合；固化剂为双氰胺、酚醛树脂、二氨基二苯砜、二氨基二苯胺中的一种或多种的组合；促进剂为二甲基咪唑、二苯基咪唑、二乙基四甲基咪唑中的一种或多种的组合。
10.如权利要求3所述的陶瓷片复合结构的铝基板制造方法，其特征是 所述的陶瓷片为氧化铝陶瓷片或氮化铝陶瓷片，陶瓷片的尺寸为100mnTl200mm XIOOmm^l 100mm,陶瓷片的厚度为30 μ m 150 μ m ； 或者，所述的导热胶膜的厚度为5 μ πΓ25 μ m ； 或者，步骤四的压制参数真空度700 760臟取(0 0. 008MPa)，压力25(T480PSI，热盘温度为120°C 200°C，压制时间120 180min。
全文摘要
本发明公开了陶瓷片复合结构的绝缘层、铝基板及其制造方法。本发明陶瓷片复合结构的绝缘层，包括至少一层陶瓷片、数层导热胶膜，所述的陶瓷片与导热胶膜间隔层叠，所述绝缘层的最外两表层为导热胶膜。本发明陶瓷片复合结构的铝基板，包括铝合金基板(4)、前述的绝缘层、铜箔(3)，铝合金基板(4)、绝缘层、铜箔(3)依次层叠并压制成型。本发明铝基板具有超高导热、优异的耐电压性和良好的耐热性能等优点。
文档编号B32B15/20GK103066186SQ20131000568
公开日2013年4月24日 申请日期2013年1月7日 优先权日2013年1月7日
发明者蒋伟, 应雄锋, 沈宗华, 董辉 申请人:浙江华正新材料股份有限公司