显示单元、驱动单元、驱动方法及电子设备与流程

本公开内容涉及具有电流驱动型显示元件的显示单元，涉及在这种显示单元中使用的驱动单元和驱动方法，以及涉及包括这种显示单元的电子设备。

背景技术：
近年来，在执行图像显示的显示单元的领域中，已经开发了使用发光亮度响应于流动电流的值发生变化的电流驱动型光学元件，例如有机EL元件作为发光元件的显示单元(有机电致发光(EL)显示单元)并且其商业化正在进行中。与液晶元件等不同，发光元件是自发光元件，并且光源(背光)是不必要的。因此，与需要光源的液晶显示单元相比，有机EL显示单元具有图像的可视性高、功耗低、元件的响应速度快等特征。在显示单元中，驱动电路控制以矩阵排列的像素。例如，在PTL1中，公开了包括像素阵列部以及由移位寄存器和多个缓冲电路构成的控制线驱动部的显示面板。控制线驱动部通过控制线将控制信号提供给每一个像素。两个或更多电压(VDD/VSS)被提供至缓冲电路，并且基于从外面提供的设置信号和重置信号选择和输出这些电压中的一个。引用列表专利文献PTL1：日本未经审查专利申请公布号2009-223092

技术实现要素：
顺便提及，通常，鉴于成本、电路的配置面积、电路布局的自由度等，电子电路期望具有简单构造，并且显示单元中的驱动电路也被期望具有简单构造。因此，希望提供各自适用于实现简单的电路构造的显示单元、驱动单元、驱动方法以及电子设备。根据本公开内容的实施方式的一种显示单元包括：单位像素、开关以及非线性元件。该开关被配置为基于施加于第一端子的脉冲信号来执行供应DC信号的第二端子与连接至单位像素的第三端子之间的导通断开控制。非线性元件被插入第一端子与第三端子之间。根据本公开内容的实施方式的一种驱动单元包括开关和非线性元件。该开关被配置为基于施加于第一端子的脉冲信号来执行供应DC信号的第二端子与连接至单位像素的第三端子之间的导通断开控制。非线性元件被插入第一端子与第三端子之间。根据本公开内容的实施方式的一种驱动方法包括：基于施加于第一端子的脉冲信号来执行供应DC信号的第二端子与连接至单位像素的第三端子之间的导通断开控制；并且执行第一端子与第三端子之间的非线性操作。根据本公开内容的实施方式的电子设备包括上述显示单元，并且电子设备的实例可包括电视设备、数码相机、个人计算机、摄像机以及诸如移动电话的移动终端装置。根据本公开内容的各个实施方式的显示单元、驱动单元、驱动方法以及电子设备，信号基于脉冲信号来被施加于单位像素。此时，该开关被控制为基于施加于第一端子的脉冲信号在供应DC信号的第二端子与连接至单位像素的第三端子之间接通或者关断，并且通过非线性元件在第一端子与第三端子之间执行非线性操作。根据本公开内容的各个实施方式的显示单元、驱动单元、驱动方法以及电子设备，设置有基于施加于第一端子的脉冲信号来执行供应DC信号的第二端子与连接至单位像素的第三端子之间的导通断开控制的开关，以及插入第一端子与第三端子之间的非线性元件。因此，可以实现简单电路。附图说明[图1]是示出了根据本公开内容的实施方式的显示单元的构造实例的框图。[图2]是示出了图1中示出的子像素的构造实例的电路图。[图3]是示出了图1中示出的电源线驱动部的构造实例的电路图。[图4]是示出了显示单元中的电源线驱动部的配置的说明性示图。[图5]是示出了图3中示出的驱动电路及其周边部的布局构造实例的布局图。[图6]是示出了根据第一实施方式的驱动部的操作实例的时序波形图。[图7]是示出了根据第一实施方式的子像素的操作实例的时序波形图。[图8]是示出了图3中示出的驱动电路的操作实例的时序波形图。[图9]是示出了根据比较例的电源线驱动部的构造实例的电路图。[图10]是示出了图9中示出的驱动电路的操作实例的时序波形图。[图11]是示出了根据第一实施方式的变形例的电源线驱动部的构造实例的电路图。[图12]是示出了根据第一实施方式的另一变形例的电源线驱动部的构造实例的电路图。[图13]是示出了根据第二实施方式的驱动部的操作实例的时序波形图。[图14]是示出了根据第二实施方式的子像素的操作实例的时序波形图。[图15]是示出了根据第二实施方式的驱动电路的操作实例的时序波形图。[图16]是示出了根据第二实施方式的驱动电路和子像素的操作实例的说明性示图。[图17]是示出了根据第二实施方式的变形例的子像素的构造实例的电路图。[图18]是示出了根据任一实施方式的安装有显示单元的模块的构造实例的说明性示图。[图19]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例1的外观构造的透视图。[图20A]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例2的外观构造的透视图。[图20B]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例2的另一外观构造的透视图。[图21]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例3的外观构造的透视图。[图22A]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例4的外观构造的透视图。[图22B]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例4的外观构造的另一透视图。[图23A]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例5的外观构造的前视图。[图23B]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例5的外观构造的后视图。[图24]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例6的外观构造的透视图。[图25]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例7的外观构造的透视图。[图26]是示出了根据任一实施方式的显示单元的应用例8的外观构造的透视图。[图27]是示出了根据另一变形例的子像素的构造实例的电路图。具体实施方式下文将参照附图详细描述本公开内容的实施方式。应注意，将按照以下顺序进行其描述。1.第一实施方式2.第二实施方式3.应用例<1.实施方式>(构造实例)图1示出了根据第一实施方式的显示单元的构造实例。显示单元1是使用有机EL元件的有源矩阵显示单元。应注意，根据本公开内容的各个实施方式的驱动单元、驱动方法通过本实施方式来实施并且因此将在一起描述。显示单元1包括显示部10和驱动部20。显示部10由以矩阵排列的多个像素Pix构成。每一个像素Pix均包括红色、绿色和蓝色子像素11。显示部10包括沿行方向延伸的多个扫描线WSAL和多个电源线PL，以及沿列方向延伸的多个数据线DTL。扫描线WSL、电源线PL以及数据线DTL中的每个的端部均连接至驱动部20。每个上述子像素11被布置在每一个扫描线WSL和每一个数据线DTL的交点处。图2示出了子像素11的电路构造的实例。子像素11包括写入晶体管WSTr、驱动晶体管DRTr、有机EL元件OLED以及电容器Cs和电容器Csub。换言之，在该实例中，子像素11具有由两个晶体管(写入晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr)以及两个电容器Cs和电容器Csub构成的所谓的“2Tr2C”的构造。例如，写入晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr可各自由N-沟道金属氧化物半导体(MOS)薄膜晶体管(TFT)构成。写入晶体管WSTr的栅极连接至扫描线WSL，其源极连接至数据线DTL，并且其漏极连接至驱动晶体管DRTr的栅极和电容器Cs的一端。驱动晶体管DRTr的栅极连接至写入晶体管WSTr的漏极和电容器Cs的一端，其漏极连接至电源线PL，并且其源极连接至电容器Cs的另一端和有机EL元件OLED的阳极等。电容器Cs的一端连接至驱动晶体管DRTr的栅极等，并且其另一端连接至驱动晶体管DRTr的源极等。电容器Csub的一端连接至有机EL元件OLED的阳极，并且其另一端连接至有机EL元件OLED的阴极。换言之，在这个实例中，电容器Csub并联连接至有机EL元件OLED。有机EL元件OLED是发射对应于每一个子像素11的颜色(红色、绿色或者蓝色)的光的发光元件，并且其阳极连接至驱动晶体管DRTr的源极等，以及其阴极通过驱动部20来提供阴极电压Vcath。驱动部20基于从外面提供的影像信号(picturesignal)Sdisp和同步信号Ssync来驱动显示部10。如图1中所示，驱动部20包括影像信号处理部21、时序生成部22、扫描线驱动部23、电源线驱动部26和数据线驱动部27。影像信号处理部21对从外部提供的影像信号Sdisp执行预定的信号处理以产生影像信号Sdisp2。预定的信号处理的实例可包括伽马校正和过驱动校正。时序生成部22是基于从外部提供的同步信号Ssync，向扫描线驱动部23、电源线驱动部26和数据线驱动部27的每一个提供控制信号，并且控制这些部彼此同步操作的电路。扫描线驱动部23根据从时序生成部22提供的控制信号顺次将扫描信号WS施加至多个扫描线WSL，以在行的基础上顺次选择子像素11。电源线驱动部26根据从时序生成部22提供的控制信号顺次将电力信号DS施加至多个电源线PL，以在行基础上控制子像素11的发光操作和消光操作。电力信号DS在电压Vccp和电压Vini之间转换。如稍后将描述的，电压Vini是使子像素11初始化的电压，并且电压Vccp是允许电流Ids流过驱动晶体管DRTr以允许有机EL元件OLED发光的电压。图3示出了电源线驱动部26的构造实例。电源线驱动部26包括电压生成部31、移位寄存器32和多个驱动电路33。电压生成部31生成电压Vccp。电压生成部31通过配线L1将电压Vccp供应给每个驱动电路33。移位寄存器32基于从时序生成部22提供的控制信号(未示出)生成用于选择要被驱动的像素线的多个扫描信号Ss。每个扫描信号Ss对应于显示部10中的每个像素线。具体地，例如，第k个扫描信号Ss(k)对应于第k个像素线。每个扫描信号Ss均是在高电平电压VH与低电平电压VL之间转换的信号。低电平电压VL是比电压Vini低了驱动电路33的晶体管35(稍后描述)的阈值电压Vth的量的电压(Vini-Vth)。例如，移位寄存器32可以通过第k个配线L2(k)将扫描信号Ss(k)供应给第k个驱动电路33(k)。每个驱动电路33基于从电压生成部31供应的电压Vccp和从移位寄存器32供应的扫描信号Ss生成电力信号DS。每个驱动电路33被设置为对应于显示部10中的每个像素线。具体地，例如，第k个驱动电路33(k)基于电压Vccp和第k个扫描信号Ss(k)生成第k个电力信号DS(k)。然后，驱动电路33(k)在第k个像素线中将电力信号DS(k)施加至电源线PL(k)。每个驱动电路33均包括晶体管34和晶体管35。例如，各个晶体管34和晶体管35可由与写入晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr相似的N-沟道MOSTFT构成。在驱动电路33(k)中，晶体管34的栅极连接至晶体管35的源极和配线L2(k)，其漏极连接至配线L1以及其源极连接至晶体管35的漏极和栅极和电源线PL(k)。在驱动电路33(k)中，晶体管35的漏极连接至晶体管35的栅极、晶体管34的源极和电源线PL(k)，其源极连接至晶体管34的栅极和配线L2(k)。换言之，晶体管35是所谓的二极管连接。晶体管34形成为具有的沟道宽度W大于晶体管35的沟道宽度W。利用该构造，在驱动电路33(k)中，当扫描信号Ss(k)的电压是高电平电压VH时，导通晶体管34并且截止晶体管35。因此，驱动电路33(k)将电压Vccp输出为电力信号DS(k)。此外，当扫描信号Ss(k)的电压是低电平电压VL时，截止晶体管34并且瞬时导通晶体管35。因此，驱动电路33(k)将比低电平电压VL(＝Vini-Vth)高了晶体管35的阈值电压Vth的量的电压Vini输出为电力信号DS(k)。图4示出了显示单元1中的电源线驱动部26的配置。在这个实例中，扫描线驱动部23被布置在基板30的设置有显示部10的区域的左侧上的边框区域中，并且电源线驱动部26被布置在其右侧的边框区域中。在设置有电源线26的区域中，配线L1被如此设置以沿着垂直方向延伸。进一步地，移位寄存器32被布置在配线L1的右侧，并且多个驱动电路33被布置在配线L1的左侧上的区域39中。图5示出了驱动电路33及其周边部的布局构造实例。在这个实例中，显示单元1使用适于形成两个金属层(即，下层金属M1和上层金属M2)的制造工艺进行制造。例如，下层金属M1可由钼Mo形成，并且例如，上层金属M2可由铝Al形成。上层金属M2的片电阻低于下层金属M1的片电阻。各个晶体管34和晶体管35的栅极(栅极部分GP)由下层金属M1构成，并且各个晶体管34和晶体管35的漏极和源极被连接至上层金属M2。配线L1由上层金属M2形成并且连接至晶体管34的漏极。配线L2在除了与配线L1相交的一部分之外的部分中由上层金属M2形成，并且在与配线L1相交的一部分中由下层金属M1形成。配线L2连接至晶体管34的栅极(栅极部分GP)，并且通过接触CT连接至上层金属M2，该上层金属M2连接至晶体管35的源极。电源线PL由上层金属M2形成，且连接至晶体管34的源极和晶体管35的漏极，并且通过接触CT连接至晶体管35的栅极。在图1中，根据从影像信号处理部21供应的影像信号Sdisp2和从时序生成部22供应的控制信号，数据线驱动部27生成包括指示每个子像素11的发光亮度的像素电压Vsig以及用于执行稍后描述的Vth校正的电压Vofs的信号Sig，并且将信号Sig施加至每个数据线DTL。利用该构造，如稍后将描述的，驱动部20在子像素11上执行校正(Vth校正)以抑制驱动晶体管DRTr的元件变化对图像质量的影响。然后，驱动部20在子像素11上执行像素电压Vsig的写入并且执行不同于上述Vth校正的μ(迁移率，mobility)校正。然后，此后，每个子像素11的有机EL元件OLED以对应于写入的像素电压Vsig的亮度发光。在此，子像素11对应于本公开内容中的“单位像素”的特定但非限制性实例。电容器Cs对应于本公开内容中的“第一电容器”的特定但非限制性实例。电容器Csub对应于本公开内容中的“第二电容器”的特定但非限制性实例。有机EL元件OLED对应于本公开内容中的“显示元件”的特定但非限制性实例。晶体管34对应于本公开内容中的“开关”的特定但非限制性实例。晶体管35对应于本公开内容中的“非线性元件”的特定但非限制性实例。扫描信号Ss对应于本公开内容中的“脉冲信号”的特定但非限制性实例。配线L2对应于本公开内容中的“第一配线”的特定但非限制性实例，并且配线L1对应于本公开内容中的“第二配线”的特定但非限制性实例。高电平电压VH对应于本公开内容中的“第一电压”的特定但非限制性实例，并且低电平电压VL对应于本公开内容中的“第二电压”的特定但非限制性实例。电压Vini对应于本公开内容中的“第三电压”的特定但非限制性实例，并且电压Vccp对应于本公开内容中的“第四电压”的特定但非限制性实例。电压Vofs对应于本公开内容中的“重置电压”的特定但非限制性实例。(操作和功能)随后，将描述根据本实施方式的显示单元1的操作和功能。(总体操作概要)首先，参考图1，描述显示单元1的总体操作概要。影像信号处理部21对从外部提供的影像信号Sdisp执行预定的信号处理以产生影像信号Sdisp2。时序生成部22基于从外部提供的同步信号Ssync，向各扫描线驱动部23、电源线驱动部26和数据线驱动部27提供控制信号，以控制这些部彼此同步操作。扫描线驱动部23根据从时序生成部22提供的控制信号顺次将扫描信号WS施加至多个扫描线WSL中的每一个，以在行基础上顺次选择子像素11。电源线驱动部26根据从时序生成部22提供的控制信号顺次将电力信号DS施加至多个电源线PL中的每一个，以在行基础上控制子像素11的发光操作和消光操作。根据从影像信号处理部21供应的影像信号Sdisp2和从时序生成部22供应的控制信号，数据线驱动部27生成包括指示每个子像素11的发光亮度的像素电压Vsig和用于执行Vth校正的电压Vofs的信号Sig，并且将信号Sig施加至每个数据线DTL。显示部10基于从驱动部20提供的扫描信号WS、电力信号DS和信号Sig来执行显示。(详细操作)图6是驱动部20的操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号WS的波形，(B)示出了电力信号DS的波形，以及(C)示出了信号Sig的波形。在图6的(A)中，扫描信号WS(k)表示驱动第k个线中的子像素11的扫描信号WS。同样地，扫描信号WS(k+1)、WS(k+2)和WS(k+1)表示分别驱动第(k+1)个线、第(k+2)个线和第(k+3)个线中的子像素11的扫描信号WS。上述情况也适用于电力信号DS(图6的(B))。驱动部20的扫描线驱动部23顺次将具有两个脉冲PP1和脉冲PP2的扫描信号WS施加至每个扫描线WSL(图6的(A))。这时，在一个水平期间(1H)，扫描线驱动部23将两个脉冲PP1和脉冲PP2施加至一个扫描线WSL。电源线驱动部26将仅在包含脉冲PP1的开始时刻(例如时刻t1)的预定时间段(例如，从时刻t0至时刻t2的时间段)中变为电压Vini并且在其他时间段中变为电压Vccp的电力信号DS施加至每一个电源线PL(图6的(B))。数据线驱动部27在包括脉冲PP2的预定时间段(例如，从时刻t4至时刻t7的时间段)将像素电压Vsig施加至每一个数据线DTL，并且在其他时间段将电压Vofs施加至每一个数据线DTL(图6的(C))。以此方式，驱动部20在一个水平期间(例如，从时刻t1至时刻t7)驱动第k个线中的子像素11，并且在下一个水平期间(例如，从时刻t7至时刻t8)驱动第(k+1)个线的子像素11。然后，驱动部20在一个帧期间驱动显示部10的所有子像素11。图7是子像素11在从时刻t0至时刻t7的时间段的操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号WS的波形，(B)示出了电力信号DS的波形，(C)示出了信号Sig的波形，(D)示出了驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg的波形，以及(E)示出了驱动晶体管DRTr的源极电压Vs的波形。在图7的(B)至(E)中，使用相同的电压轴示出各波形。驱动部20在一个水平期间(1H)执行子像素11的初始化(初始化期间P1)，执行Vth校正以抑制驱动晶体管DRTr的元件变化对图像质量的影响(Vth校正期间P2)，以及执行像素电压Vsig对子像素11的写入以及μ校正(写入和μ校正期间P3)。然后，此后，每个子像素11的有机EL元件OLED以对应于写入的像素电压Vsig的亮度发光(发光期间P4)。在此，初始化期间P1对应于本公开内容中的“第一子期间”的特定但非限制性实例，Vth校正期间P2对应于本公开内容中的“第二子期间”的特定但非限制性实例。以下将描述其细节。首先，在初始化期间P1之前的时刻t0，电源线驱动部26将电力信号DS从电压Vccp改变到电压Vini(图7的(B))。因此，驱动晶体管DRTr导通，并且驱动晶体管DRTr的源极电压Vs被设置为电压Vini(图7的(E))。接下来，驱动部20在时刻t1至时刻t2的时间段(初始化期间P1)对子像素11进行初始化。具体地，在时刻t1时，数据线驱动部27将信号Sig设置为电压Vofs(图7的(C))，并且扫描线驱动部23将扫描信号WS的电压从低电平改变为高电平(图7的(A))。因此，写入晶体管WSTr导通，并且驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg被设置为电压Vofs(图7的(D))。以此方式，驱动晶体管DRTr的栅极-源极电压Vgs(＝Vofs-Vini)被设置为大于驱动晶体管DRTr的阈值电压Vth的电压，这使子像素11初始化。接下来，驱动部20在时刻t2至时刻t3的时间段期间执行Vth校正(Vth校正期间P2)。具体地，电源线驱动部26在时刻t2时将电力信号DS从电压Vini改变为电压Vccp(图7的(B))。因此，驱动晶体管DRTr操作在饱和区中，并且电流Ids从漏极流动至源极。电流Ids增加源极电压Vs(图7的(E))。这时，因为源极电压Vs低于有机EL元件OLED的阴极的电压Vcath，所以有机EL元件OLED保持反向偏压状态，并且电流不流过有机EL元件OLED。源极电压Vs以此方式增加，这减少栅极-源极电压Vgs。因此，电流Ids减少。电流Ids通过负反馈操作向“0”(零)收敛(converge)。换言之，驱动晶体管DRTr的栅极-源极电压Vgs收敛为等于驱动晶体管的阈值电压Vth(Vgs＝Vth)。接着，扫描线驱动部23在时刻t3时将扫描信号WS的电压从高电平改变为低电平(图7的(A))。因此，写入晶体管WSTr截止。然后，数据线驱动部27在时刻t4时将信号Sig设置为像素电压Vsig(图7的(C))。然后，在从时刻t5至时刻t6期间(写入和μ校正期间P3)，驱动部20执行像素电压Vsig对子像素11的写入，并且执行μ校正。具体地，扫描线驱动部23在时刻t5将扫描信号WS的电压从低电平改变为高电平(图7的(A))。因此，写入晶体管WSTr导通，并且驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg从电压Vofs升高到像素电压Vsig(图7的(D))。此时，驱动晶体管DRTr的栅极-源极电压Vgs变得大于阈值电压Vth(Vgs>Vth)，并且电流Ids从漏极流动至源极。因此，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs增加(图7的(E))。利用这样的负反馈操作，驱动晶体管DRTr的元件变化的影响被抑制(μ(迁移率)校正)，并且驱动晶体管DRTr的栅极-源极电压Vgs被设置为与像素电压Vsig对应的电压Vemi。然后，驱动部20在时刻t6之后的时间段允许子像素11发光(发光期间P4)。具体地，扫描线驱动部23在时刻t6时将扫描信号WS的电压从高电平改变为低电平(图7的(A))。因此，写入晶体管WSTr截止，并且驱动晶体管DRTr的栅极变得浮动。因此，此后，电容器Cs的端子间电压，即，驱动晶体管DRTr的栅极-源极电压被保持。进一步地，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs在电流Ids流过驱动晶体管DRTr时增加(图7的(E))，并且驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg相应地增加(图7的(D))。然后，当驱动晶体管DRTr的源极电压Vs变得大于这种自举操作的有机EL元件OLED的阈值Vel电压Vcath的和(Vel+Vcath)时，电流在有机EL元件OLED的阳极和阴极之间流动，并且有机EL元件OLED发光。换言之，源极电压Vs根据有机EL元件OLED的元件变化增加并且有机EL元件OLED发光。此后，在显示单元1中，在预定期间(一个帧期间)过去之后，发生从发光期间P4至初始化期间P1的转换。驱动部20执行驱动以重复一系列操作。以此方式，在显示单元1中，执行Vth校正和μ校正两者。因此，可以抑制由驱动晶体管DRTr的元件变化所引起的图像质量的劣化。此外，在显示单元1中，在发光期间P4允许根据有机EL元件OLED的元件变化增加源极电压Vs。因此，可以抑制由有机EL元件OLED的元件变化所引起的图像质量的劣化。(驱动电路33的操作)接下来，将描述驱动电路33的详细操作。驱动电路33基于从电压生成部31供应的电压Vccp和从移位寄存器32供应的扫描信号Ss生成电力信号DS。图8是驱动电路33操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号Ss的波形，以及(B)示出了电力信号DS的波形。首先，扫描信号Ss的电压在时刻t11从低电平电压VL改变至高电平电压VH(图8的(A))。因此，驱动电路33的晶体管34导通，晶体管35截止，并且通过电压生成部31生成的电压Vccp通过晶体管34相应地被施加至电源线PL。以此方式，电力信号DS改变至电压Vccp(图8的(B))。然后，在Vth校正期间P2、写入和μ校正期间P3以及发光期间P4，驱动电路33将电流供应给连接至电源线PL的每一个子像素11。然后，扫描信号Ss的电压在时刻t12从高电平电压VH改变至低电平电压VL(＝Vini-Vth)(图8的(A))。因此，驱动电路33的晶体管34截止，晶体管35瞬时导通，并且电源线PL的电压相应地减少(图8的(B))。然后，当电源线PL的电压减少至电压Vini时，晶体管35截止。此后，在初始化期间P1，在连接至电源线PL的每一个子像素11中执行初始化。驱动电路33重复上述操作。因此，连接至电源线PL的每一个子像素11重复从初始化至发光的一系列操作。如上所述，在显示单元1中，使用起到开关作用的晶体管34和起到非线性元件(二极管)作用的晶体管35来配置驱动电路33。因此，如将使用比较例所描述的，可以简化电源线驱动部26的电路构造。此外，在驱动电路33中，制成的晶体管34的沟道宽度W大于晶体管35的沟道宽度W。因此，可以促进子像素11的驱动，并且抑制驱动电路33的电路面积。具体地，在Vth校正期间P2、写入和μ校正期间P3以及发光期间P4，驱动电路33使晶体管34导通以将电流供应至子像素11。具体地，在发光期间P4，驱动电路33供应允许有机EL元件OLED发光的驱动电流。随着有机EL元件OLED的发光亮度升高，驱动电流增加。因此，晶体管34的导通电阻理想地的是足够低，并且晶体管34的沟道宽度W理想地地是较宽。另一方面，在初始化期间P1，驱动电路33将电压Vini施加至电源线PL以将子像素11的源极电压Vs设置为电压Vini。在这种情况下，电流瞬时流过晶体管35但是电流不持续流过晶体管35。因此，可以减小晶体管35的沟道宽度W。该构造促进子像素11的驱动并且使得可以抑制驱动电路33的电路面积。另外，如图5中所示，在电源线驱动部26中，配线L1由具有低片电阻的上层金属M2形成。因此，可以减小配线L1的电阻值，并且促进子像素11的驱动。此外，如图4和图5中所示，在电源线驱动部26中，配线L1被布置在驱动电路33与移位寄存器32之间。因此，可以促进子像素11的驱动。具体地，例如，当配线L1被布置在显示部10与驱动电路33之间时，配线L1与电源线PL相交。换言之，在这种情况下，必须通过具有高片电阻的下层金属M1形成配线L1或者电源线PL，并且在交叉点处无意地形成有寄生电容。因此，施加至电源线PL的电力信号DS的上升时间tr增加，并且例如，难以生成具有短时宽度的脉冲。另一方面，在电源线驱动部26中，配线L1被布置在驱动电路33与移位寄存器32之间。因此，可以通过具有低片电阻的上层金属M2形成配线L1，并且减少电力信号DS等的上升时间tr。顺便提及，如图5中所示，在电源线驱动部26中，配线L1与配线L2相交，并且必须通过具有高片电阻的下层金属M1在交叉点处形成配线L2。然而，配线L2被连接至晶体管34和晶体管35，并且与在显示面板10中延伸的电源线PL不同，电容负荷较低。因此，移位寄存器32相对容易地驱动配线L2。因此，可以减少电力信号DS的波形迟钝的可能性。(比较例)接下来，将描述根据比较例的电源线驱动部26R。在本比较例中，电压生成部31R生成电压Vccp和电压Vini，并且驱动电路33R选择和输出电压Vccp和电压Vini中的一个。它的其他构造与在本实施方式中(图1)中的那些构造相似。图9示出了根据比较例的电源线驱动部26R的构造实例。电源线驱动部26R包括电压生成部31R、移位寄存器32RA和移位寄存器32RB以及多个驱动电路33R。电压生成部31R生成电压Vccp以通过配线L1将电压Vccp供应给每一个驱动电路33R，并且生成电压Vini以通过配线L3将电压Vini供应给每一个驱动电路33R。移位寄存器32RA基于从时序生成部22供应的控制信号(未示出)生成用于选择要被驱动的像素线的多个扫描信号SsA。例如，移位寄存器32RA可以通过第k个配线L2A(k)将扫描信号SsA(k)供应给第k个驱动电路33R(k)。同样地，移位寄存器32RB基于从时序生成部22供应的控制信号(未示出)生成用于选择要被驱动的像素线的多个扫描信号SsB。例如，移位寄存器32RB可以通过第k个配线L2B(k)将扫描信号SsB(k)供应给第k个驱动电路33R(k)。基于从电压生成部31R供应的电压Vccp和电压Vini、从移位寄存器33RA供应的扫描信号SsA以及从移位寄存器33RB供应的扫描信号SsB，每一个驱动电路33R生成电力信号DS。每一个驱动电路33R包括晶体管35R。例如，晶体管35R可由类似于晶体管34等的N-沟道MOSTFT构成。在驱动电路33R(k)中，晶体管35R的漏极连接至晶体管34的源极和电源线PL(k)，其栅极连接至配线L2B(k)，以及其源极连接至配线L3。图10是驱动电路33R的操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号SsA的波形，(B)示出了扫描信号SsB的波形，以及(C)示出了电力信号DS的波形。首先，扫描信号SsB的电压在时刻t21时从高电平电压VH改变至低电平电压VL(图10的(B))。因此，晶体管35R截止，并且停止电压Vini施加至电源线PL。然后，扫描信号SsA的电压在时刻t22时从低电平电压VL改变至高电平电压VH(图10的(A))。因此，晶体管34导通，通过电压生成部31R生成的电压Vccp通过晶体管34被施加至电源线PL，并且电力信号DS改变至电压Vccp(图10的(C))。接下来，扫描信号SsA的电压在时刻t23时从高电平电压VH改变至低电平电压VL(图10的(A))。因此，晶体管34截止，并且停止电压Vccp施加至电源线PL。然后，扫描信号SsB的电压在时刻t24时从低电平电压VL改变至高电平电压VH(图10的(B))。因此，晶体管35R导通，通过电压生成部31R生成的电压Vini通过晶体管35R被施加至电源线PL，并且电力信号DS相应地改变至电压Vini(图10的(C))。以此方式，在电源线驱动部26R中，电压生成部31R生成电压Vccp和电压Vini，并且驱动电路33R基于通过移位寄存器32RA和移位寄存器32RB分别生成的两个扫描信号SsA和SsB，选择和输出电压Vccp和电压Vini中的一个。在根据比较例的电源线驱动部26R中，驱动电路33R使用用作这样的开关的两个晶体管34和晶体管35R构成。因此，电源线驱动部26R必须具有执行两个晶体管34和晶体管35R的导通截止控制的两个移位寄存器32RA和移位寄存器32RB以及分别传输电压Vccp和电压Vini的两个配线L1和配线L3。因此，增加电源线驱动部26R的电路大小，增加电路和配线的配置面积，并且因此可削弱电路布局的自由度。此外，可削弱作为整个显示单元的产品设计的自由度。具体地，近年来，在产品设计方面期望具有窄边框的面板。然而，因为电源线驱动部26R形成在类似于图4的情况的所谓边框区域中，所以可能难以减少边框区域。另一方面，在根据本实施方式的电源线驱动部26中，驱动电路33使用起到开关作用的晶体管34和起到非线性元件(二极管)作用的晶体管35构成。因此，在电源线驱动部26中，可实现由一个移位寄存器34和一个配线L1构成的简单构造，并且可实现相当于电源线驱动部26R的作用。因此，在电源线驱动部26中，可以减少电路大小，以减少电路和配线的配置面积，并且增强电路布局的自由度。此外，因为可实现具有窄边框区域的面板，这使得可以增强整个显示单元的产品设计的自由度。(效果)如上所述，在本实施方式中，驱动电路使用起到开关作用的晶体管和起到非线性元件(二极管)作用的晶体管构成。因此，可以简化电源线驱动部的构造。因此，可以减少电路大小、减少电路和配线的配置面积，以及增强电路布局的自由度，并且增强作为整个显示单元的产品设计的自由度。此外，在本实施方式中，制成的晶体管34的沟道宽度W大于晶体管35的沟道宽度W。这促进子像素的驱动并且使得可以抑制驱动电路的电路面积。此外，在本实施方式中，配线L1由具有低片电阻的上层金属形成。因此，可以减小配线L1的电阻值，并且促进子像素的驱动。进一步地，在本实施方式中，配线L1被布置在驱动电路与移位寄存器之间。因此，可以促进子像素的驱动。此外，在本实施方式中，显示部在不使用PMOS晶体管的情况下仅使用NMOS晶体管构成。因此，即使通过不可以制造PMOS晶体管的工艺，如利用氧化物TFT(TOSTFT)工艺也能够制造显示部。(变形例1-1)在上述实施方式中，二极管连接的晶体管35被设置在每个驱动电路33中。然而，这不是限制性的，并且可替代地，例如，如图11中所示，可以设置二极管35B。电源线驱动部26B包括驱动电路33B。在驱动电路33B(k)中，二极管35B的阳极连接至电源线PL(k)，并且其阴极连接至配线L2(k)。(变形例1-2)在上述实施方式中，驱动电路的各个晶体管34和晶体管35由N-沟道MOSTFT构成。然而，晶体管不限于此，并且例如，如图12中所示，各个晶体管34和晶体管35可由P-沟道MOSTFT构成。根据本变形例的电源线驱动部26C包括驱动电路33C、电压生成部31C和移位寄存器32C。每个驱动电路33C包括晶体管36和晶体管37。每个晶体管36和晶体管37均是P-沟道MOSTFT。晶体管36起到非线性元件(二极管)的作用，以及晶体管37起到开关的作用。电压生成部31C生成电压Vini。移位寄存器32C基于从时序生成部22供应的控制信号(未示出)生成用于选择要被驱动的像素线的多个扫描信号Ss。每个扫描信号Ss的高电平电压VH是比电压Vccp高驱动电路33C的晶体管36的阈值电压的绝对值|Vth|的电压(Vccp+|Vth|)。利用该构造，在驱动电路33C(k)中，当扫描信号Ss(k)的电压是低电平电压VL时，晶体管37导通并且晶体管36截止。因此，驱动电路33C(k)将电压Vini输出为电力信号DS(k)。此外，当扫描信号Ss(k)的电压是高电平电压VH时，晶体管37截止并且瞬时导通晶体管36。因此，驱动电路33C(k)将比高电平电压VH(＝Vccp+|Vth|)低了晶体管36的阈值电压的绝对值|Vth|的电压Vccp输出为电力信号DS(k)。在这个实例中，例如，晶体管36的沟道宽度(W)可大于晶体管37的沟道宽度(W)。(变形例1-3)在上述实施方式中，电源线驱动部26使用驱动电路33构成。然而，该构造不限于此，可替换地或者除此之外，扫描线驱动部23可以使用驱动电路33构成。在这种情况下，可以简化扫描线驱动部23的构造(变形例1-4)在上述实施方式中，该技术应用于使用有机EL元件的显示单元。然而，该应用不限于此，并且可替代地，例如，该技术可以应用于使用液晶显示元件的显示单元。具体地，例如，该技术可以应用于选择像素电压所写入的电路(对应于上述实施方式中的扫描线驱动部23)。(变形例1-5)在上述实施方式中，如图7等中所示，在Vth校正期间P2之前设置一个初始化期间P1。然而，这不是限制性的，并且可替代地，例如，可以设置多个初始化期间P1。在这种情况下，可跨过多个水平期间设置多个初始化期间P1。因此，确保较长的初始化期间P1，这使得可以更加安全地使子像素11初始化。同样地，在上述实施方式中，如图7等中所示，在初始化期间P1与写入和μ校正期间P3之间设置一个Vth校正期间P2。然而，这不是限制性的，并且可替代地，例如，可以设置多个Vth校正期间P2。在这种情况下，可以跨(over)多个水平期间设置多个Vth校正期间P2。因此，确保较长的Vth校正期间P2，这使得可以更加安全地执行Vth校正。<2.第二实施方式>接下来，将描述根据第二实施方式的显示单元2。在本实施方式中，电压Vofs在子像素11初始化之前被写至子像素11以执行消光操作。应注意，相同的标号用于表示根据上述第一实施方式的显示单元1的基本上相同的部件，并且适当省略其描述。如图1中所示，显示单元2包括驱动部40。驱动部40包括扫描线驱动部43。如以下所示，扫描线驱动部43顺次将具有三个脉冲PP0至脉冲PP2的扫描信号WS施加至扫描线WSL。图13是驱动部40的操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号WS的波形，(B)示出了电力信号DS的波形，以及(C)示出了信号Sig的波形。驱动部40的扫描线驱动部43在一个水平期间(1H)中将脉冲PP0施加至一个扫描线WSL，并且在下一个水平期间(1H)中将两个脉冲PP1和脉冲PP2施加至扫描线WSL。具体地，根据第一实施方式的扫描线驱动部23在一个水平期间(1H)中将两个脉冲PP1和脉冲PP2施加至一个扫描线WSL，然而，根据本实施方式的扫描线驱动部43在一个水平期间(1H)之前的一个水平期间(1H)中进一步将脉冲PP0施加至扫描线WSL。具体地，在信号Sig表示电压Vofs以及与要供应脉冲PP0的与像素线有关的电力信号DS表示电压Vccp的期间中的预定时间段(例如，从时刻t31至t32)期间施加脉冲PP0。图14是显示单元2中的子像素11的操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号WS的波形，(B)示出了电力信号DS的波形，(C)示出了信号Sig的波形，(D)示出了驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg的波形，以及(E)示出了驱动晶体管DRTr的源极电压Vs的波形。首先，驱动部40在初始化期间P1之前的从时刻t31至时刻t32的时间段(消光操作期间P0)中执行消光操作。具体地，在数据线驱动部27将电压Vofs施加至数据信号线DTL的期间中的时刻t31，扫描线驱动部43将扫描信号WS的电压从低电平变为高电平(图14的(A)和(C))。因此，写入晶体管WSTr导通，驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg从基于在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig的电压减少，并且驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg被设置为电压Vofs(图14的(D))。因此，驱动晶体管DRTr的源极电压Vs也减少，并且驱动晶体管DRTr的电流Ids变成“0”(零)。因此，有机EL元件OLED截止，并且发光期间P4结束。在此，消光操作期间P0对应于本公开内容中的“第三子期间”的特定但非限制性实例。此后，在时刻t32时，扫描线驱动部43将扫描信号WS的电压从高电平变成低电平(图14的(A))。因此，写入晶体管WSTr截止。接下来，在时刻t0时，类似于第一实施方式，电源线驱动部26将电力信号DS从电压Vccp变成电压Vini(图14的(B))。因此，驱动晶体管DRTr导通，并且驱动晶体管DRTr的源极电压VS减少至被设置的电压Vini(图14的(E))。此时，随着源极电压Vs的减少，驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg也减少(图14的(D))。在图14中，为了便于描述，电力信号DS被示出为在时刻t0时从电压Vccp急速变成电压Vini。然而，实际上，电力信号DS在如以下示出的某个时间常数从电压Vccp变成电压Vini。图15是驱动部40的操作的时序图，其中，(A)示出了扫描信号WS的波形，(B)示出了扫描信号Ss的波形，以及(C)示出了电力信号DS的波形。图16示出了驱动电路33和子像素11的操作。电源线驱动部26的移位寄存器32在时刻t0时将扫描信号Ss的电压从高电平电压VH变成低电平电压VL(图15的(B))。因此，在每个驱动电路33中的晶体管35被瞬时导通。如图16中所示，电流I1通过晶体管35相应地从连接至电源线PL的多个子像素11的驱动晶体管DRTr流过移位寄存器32。因此，如图14的(E)中所示，在某个时间常数内驱动晶体管DRTr的源极电压Vs被设置为电压Vini，并且如通过图15的(C)中的波形W1所示，在某个时间常数内电力信号DS从电压Vccp变成电压Vini。此时，在显示单元2中，子像素11的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg和源极电压Vs在时刻t0之前立即被设置为独立于像素电压Vsig的预定电压。具体地，在时刻t0之前的从时刻t31至时刻t32的时间段(消光操作期间P0)，当驱动部40执行电压Vofs对子像素11的写入时，栅极电压Vg和源极电压Vs在时刻t0之前立即成为独立于在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig的预定电压。因此，以基本上相同但与在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig无关的方式，在从时刻t0至时刻t2期间电力信号DS从电压Vccp减少至电压Vini。此后，与根据第一实施方式的驱动部20相似，驱动部40执行子像素11的初始化(初始化期间P1)，执行Vth校正(Vth校正期间P2)，并且执行像素电压Vsig对子像素11写入以及执行μ校正(写入和μ校正期间P3)。然后，此后，子像素11的有机EL元件OLED以对应于写入的像素电压Vsig的亮度发光(发光期间P4)。以此方式，在显示单元2中，在子像素11的初始化之前电压Vofs被写入子像素11以执行消光操作。因此，以基本上相同的但与在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig无关的方式，在从时刻t0至时刻t2的时间段中可以将电力信号DS从电压Vccp减少至电压Vini。因此，在显示单元2中，可以减少图像质量的劣化的可能性。换言之，如果在子像素11的初始化之前不执行消光操作，子像素11在时刻t0之前立即执行发光操作。此时，每个子像素11的驱动晶体管DRTr的栅极电压Vg和源极电压Vs是对应于在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig的电压，并且对应于像素电压Vsig的电流流过有机EL元件OLED。因此，时刻t0之后的电力信号DS的电压变化可以根据在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig而变化。换言之，例如，当在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig足够低时，电流在时刻t0之前几乎不立即流过有机EL元件OLED。因此，如通过图15的(C)中的波形W1所示，电力信号DS的电压在某个时间常数内变化。另一方面，例如，当在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig较高时，大量电流在时刻t0之前立即流过有机EL元件OLED。因此，如图15的(C)中的波形W2所示，与像素电压Vsig较低的情况相比，电力信号DS的电压可以在较长时间常数内发生变化。以此方式，因为电力信号DS的电压变化根据在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig而变化，例如，在时刻t2时电力信号DS的电压可以根据像素电压Vsig而发生变化。因此，Vth校正的程度在Vth校正期间P2可以根据之前一个帧期间写入的像素电压Vsig而改变，这可导致图像质量的劣化。此外，例如，当在之前一个帧期间写入的像素电压Vsig较高并且电力信号DS的电压在时刻t1时不能足够低时，存在在初始化期间P1子像素11没有彻底初始化的可能性，这可能导致图像质量的劣化。另一方面，在根据本实施方式的显示单元2中，在子像素11的初始化之前电压Vofs被写入至子像素11。因此，在从时刻t0至时刻t2期间，电力信号DS以与之前基本相同而与之前一个帧期间写入的像素电压Vsig无关的方式从电压Vccp减少至电压Vini。此外，因为在子像素11的初始化之前执行消光操作，在时刻t0之前电流几乎不能立即流过有机EL元件OLED。因此，允许电力信号DS在短时间常数内从电压Vccp减少至电压Vini。因此，可以减少显示单元2中的图像质量的劣化的可能性。如上所述，在本实施方式中，预定电压在子像素的初始化之前被写入至子像素。因此，可以减少图像质量的劣化的可能性。此外，在本实施方式中，在子像素的初始化之前执行消光操作。因此，可以减少图像质量的劣化的可能性。其他效果与上述第一实施方式中的效果相似。(变形例2-1)在上述实施方式中，如图14等中所示，在初始化期间P1之前设置一个消光操作期间P0。然而，这不是限制性的，并且可替代地，例如，可以设置多个消光操作期间P0。在这种情况下，例如，可以跨过多个水平期间设置多个消光操作期间P0。因此，确保较长的消光操作期间P0，这使得可以更加安全地执行消光操作。(变形例2-2)在上述实施方式中，在初始化期间P1之前的消光操作期间P0期间，电压Vofs通过写入晶体管WSTr施加至驱动晶体管DRTr的栅极。然而，这不是限制性的。例如，如图17中示出的子像素11A，可以设置控制晶体管CTr，并且电压Vofs可以通过控制晶体管CTr施加至驱动晶体管DRTr的栅极。在该实例中，控制晶体管CTr的漏极连接至驱动晶体管DRTr的栅极，其栅极供应有控制信号CTL，并且其源极供应有电压Vofs。然后，当导通控制晶体管CTr时，电压Vofs被施加至驱动晶体管DRTr的栅极。顺便提及，在该实例中，电压Vofs通过控制晶体管CTr施加至驱动晶体管DRTr的栅极。然而，这不是限制性的，并且不同于电压Vofs的电压可以施加至驱动晶体管DRTr的栅极。此外，在该实例中，控制晶体管CTr用于消光操作。然而，这不是限制性的，并且控制晶体管CTr可用于一个或多个消光操作、初始化期间P1中的初始化操作以及Vth校正期间P2中的Vth校正操作。(其他变形例)上述第一实施方式的任何变形例可以应用于根据上述实施方式的显示单元2。<3.应用例>接下来，将描述上述实施方式中所描述的显示单元的应用例。根据上述实施方式的任何显示单元适用于各种领域中的将外部输入影像信号或者内部生成影像信号显示为图像或者影像的电子设备的显示单元，例如，电视设备、数码相机、笔记本式个人计算机、诸如移动电话、摄像机等的移动终端装置等。任何上述显示单元可以植入在根据以下所描述的应用例的电子设备中，例如，如图18中示出的模块。在模块中，例如，显示部920以及驱动电路930A和驱动电路930B可以形成在基板910上。用于连接驱动电路93与外部装置的外部连接终端(未示出)形成在被布置在基板910的一侧上的区域940中。在该实例中，用于输入和输出信号的挠性印制电路(FPC)950连接至外部连接终端。显示部920包括显示部10，并且每个驱动电路930A和驱动电路930B均包括所有或者一部分驱动部20或者驱动部40。(应用例1)图19示出了电视设备的外观。电视设备包括主体部110和显示部120，并且显示部120是由上述任一显示单元构成。(应用例2)图20A示出了电子书的外观，以及图20B示出了其他电子书的外观。例如，这些电子图书均可包括主体部210和显示部220，并且显示部220可以由任一上述显示单元构成。(应用例3)图21示出了智能电话的外观。例如，这些智能电话均可包括主体部310和显示部320，并且显示部320可以由任一上述显示单元构成。(应用例4)图22A和图22B各自示出了数码相机的外观，其中，图22A示出了从其前面(物体侧)观察的数码相机的外观，以及图22B示出了从其背面(图像侧)观察的数码相机的外观。例如，数码相机可包括用于闪光的发光部410、显示部420、菜单开关430以及快门按钮440，并且显示部420可由任一上述显示单元构成。(应用例5)图23A和图23B各自示出了可互换类型的单镜头反光式数码相机的外观，其中，图23A示出了从其前面(物体侧)观察的数码相机的外观，以及图23B示出了从其背面(图像侧)观察的数码相机的外观。例如数码相机可包括主体部(相机机身)450、可互换拍摄镜头单元(可互换镜头)460、抓握部470、监控器480以及取景器490，并且取景器490可以由任一上述显示单元构成。(应用例6)图24示出了笔记本式个人计算机的外观。例如，笔记本式个人计算机可包括主体部510、键盘520和显示部530，并且显示部530可以由任一上述显示单元构成。(应用例7)图25示出了摄像机的外观。例如，摄像机可包括主体部610、镜头620、启停开关630和显示部640，并且显示部640可以由任一上述显示单元构成。(应用例8)图26示出了头戴式显示器的外观。例如，头戴式显示器可包括眼镜型显示部710和耳钩部件720并且显示部710可以由任一上述显示单元构成。在上文中，尽管已参照电子单元的实施方式、变形例和应用例描述了该技术，但是该技术不限于实施方式等，并且可以进行各种变形。因为通过该技术可以实现具有窄边框区域的面板，所以可以增强电子设备的产品设计的自由度。例如，在每个上述实施方式中，电容器Csub被设置在子像素11中。然而，该构造不限于此，并且可替代地，例如，电容器Csub可以如同图27中示出的子像素11D一样而省去。具体地，在该实例中，子像素11D具有由两个晶体管(写入晶体管WSTr和驱动晶体管DRTr)和一个电容器Cs配置的所谓的“2Tr1C”的构造。应注意，本技术可以进行如下配置。(1)一种显示单元，包括：单位像素；开关，被配置为基于施加至第一端子的脉冲信号来执行第二端子与第三端子之间的导通断开控制，所述第二端子被提供有DC信号以及第三端子连接至单位像素；以及非线性元件，插入第一端子与第三端子之间。(2)根据(1)所述的显示单元，其中，非线性元件是包括漏极、栅极和源极的第一晶体管，漏极和栅极连接至第三端子，并且源极连接至第一端子，以及开关是第二晶体管，该第二晶体管的沟道宽度大于第一晶体管的沟道宽度。(3)根据(2)所述的显示单元，其中，第一晶体管的导电类型与第二晶体管的导电类型相同。(4)根据(1)所述的显示单元，其中，非线性元件是二极管，该二极管具有连接至第三端子的阳极以及连接至第一端子的阴极。(5)根据(1)至(4)中任一项所述的显示单元，进一步包括：第一配线，连接至第一端子，并且被配置为传输脉冲信号；以及第二配线，连接至第二端子并且与第一配线相交，并且被配置为传输DC信号。(6)根据(5)所述的显示单元，其中，在第一配线与第二配线的交叉点第二配线的片电阻低于第一配线的片电阻。(7)根据(1)至(6)中任一项所述的显示单元，其中，脉冲信号在第一电压与第二电压之间转换，该第一电压导通开关并且关断非线性元件，并且第二电压关断开关。(8)根据(7)所述的显示单元，其中，单位像素包括显示元件以及将驱动电流提供至显示元件的驱动晶体管，以及开关将所述驱动电流提供至驱动晶体管。(9)根据(8)所述的显示单元，其中，单位像素进一步包括第一电容器和写入晶体管，驱动晶体管包括栅极、连接至显示元件的源极以及连接至第三端子的漏极，第一电容器被插入驱动晶体管的栅极和源极之间，以及写入晶体管被导通为在写入准备期间将重置电压施加至驱动晶体管的栅极并且在写入期间将像素电压施加至驱动晶体管的栅极。(10)根据(9)所述的显示单元，其中，写入准备期间包括第一子期间和布置在第一子期间之后的第二子期间，以及脉冲信号在第一子期间处于第二电压处，并且在第二子期间和写入期间处于第一电压处。(11)根据(10)所述的显示单元，其中，非线性元件在第一子期间将对应于第二电压的第三电压施加至单位像素，以及在第二子期间和写入期间，开关将由DC信号表示的第四电压施加至单位像素。(12)根据(11)所述的显示单元，其中，在第一子期间，非线性元件通过驱动晶体管将驱动晶体管的源极电压设置为第三电压，以及在第二子期间，开关允许电流流过驱动晶体管以改变驱动晶体管的源极电压。(13)根据(10)至(12)中任一项所述的显示单元，其中，写入准备期间包括布置在第一子期间之前的第三子期间，脉冲信号在第三子期间处于第一电压处，以及在第三子期间，开关将由DC信号表示的第四电压施加至单位像素。(14)根据(13)所述的显示单元，其中，在第三子期间，驱动晶体管减少将被提供给显示元件的驱动电流的量。(15)根据(8)所述的显示单元，其中，单位像素进一步包括第一电容器和控制晶体管，驱动晶体管包括栅极、连接至显示元件的源极以及连接至第三端子的漏极，第一电容器被插入在驱动晶体管的栅极和源极之间，以及控制晶体管被导通以在被包括在布置在写入期间之前的写入准备期间中的数个子期间中的一个或多个子期间将重置电压施加至驱动晶体管的栅极。(16)根据(9)至(15)中任一项所述的显示单元，其中，所单位像素进一步包括连接至驱动晶体管的源极的第二电容器。(17)一种驱动单元，包括：开关，被配置为基于施加至第一端子的脉冲信号来执行第二端子与第三端子之间的导通断开控制，第二端子被提供有DC信号并且第三端子连接至单位像素；以及非线性元件，插入在第一端子与第三端子之间。(18)一种驱动方法，包括：基于施加至第一端子的脉冲信号执行第二端子与第三端子之间的导通断开控制，第二端子被提供有DC信号以及第三端子连接至单位像素；并且在第一端子与第三端子之间执行非线性操作。(19)一种电子设备，设置有显示单元和被配置为对显示单元执行操作控制的控制部，所述显示单元包括：单位像素；开关，被配置为基于施加至第一端子的脉冲信号来执行第二端子与第三端子之间的导通断开控制，第二端子被提供有DC信号以及第三端子连接至单位像素；以及非线性元件，插入在第一端子与第三端子之间。本申请是基于并且要求2013年1月7日向日本专利局提交的日本专利申请号2013-473以及2013年11约19日向日本专利局提交的日本专利申请号2013-239191的优先权的权益，这些申请的全部内容通过引用结合于本文中。应当理解的是，本领域技术人员可根据设计需求和其他因素做出各种变形、组合、子组合以及更改，只要它们在所附权利要求或者其等同物的范围内即可。