一种基于物联网的智能流量计的制作方法

本实用新型涉及智能流量计领域，具体涉及一种基于物联网的智能流量计。

背景技术：

智能流量计有智能电磁流量计，智能涡街流量计，智能旋进漩涡气体流量计，金属管浮子流量计等智能型产品。其中智能电磁流量计测量原理是法拉第电磁感应定律，传感器主要组成部分是：测量管、电极、励磁线圈、铁芯与磁轭壳体。它主要用于测量封闭管道中的导电液体和浆液中的体积流量。包括酸、碱、盐等强腐蚀性的液体。该产品广泛应用于石油、化工、冶金、纺织、食品、制药、造纸等行业以及环保、市政管理，水利建设等领域。

现有的基于物联网的智能流量计系统存在显示效果差，显示承载能力差的技术问题。因此，提供一种显示能力强的基于物联网的智能流量计系统就很有必要。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是现有技术中存在的显示效果差、显示承受负载能力弱的技术问题。提供一种新的基于物联网的智能流量计，该基于物联网的智能流量计具有承受负责能力强、能够适应现有的设计，改动性小，成本低的特点。

为解决上述技术问题，采用的技术方案如下：

一种基于物联网的智能流量计，所述基于物联网的智能流量计包括流量传感器，与流量传感器连接的处理器，与处理器连接的矩型显示屏，所述矩型显示屏包括公共电极组合和像素区；公共电极组合包括位于像素区外围的电极主体，以及位于电极主体与像素区之间的第二连接支线；第二连接支线围绕成矩型状，第二连接支线的四个顶角各设有第一连接支线到电极主体；所述电极主体底边设置有集成电路；所述公共电极组合还包括公共电极辅助线，公共电极辅助线重叠设置在集成电路下方，公共电极辅助线一端连接到电极主体底边，另一端连接到第二连接支线底边。

本实用新型的工作原理：在现有公共电极的方案上，增加一条从像素区外围穿过IC到面板外围的公共电极辅助线，从而减小负载，多增加的公共电极辅助线，可以增加像素区外围一圈公共电极的负载能力。

上述方案中，为优化，进一步地，所述公共电极辅助线设置在电极主体底边中心处和第二连接支线底边中心处。

进一步地，所述公共电极辅助线为偶数条，偶数条公共电极辅助线以电极主体底边中心处左右横向对称设置。

进一步地，所述公共电极辅助线数量为奇数条，奇数条公共电极辅助线中在电极主体底边中心处设置一条，其余的以电极主体底边中心处左右横向对称设置。

进一步地，所述公共电极辅助线上涂覆有绝缘涂层。

进一步地，所述的像素区的像素设有存储电容，存储电容为金属绝缘层金属MIM结构。

进一步地，所述像素包括栅极线层，有源层，数据线层，过孔层以及像素电极层；所述栅极线层包括第一栅极线和第二栅极线，第一栅极线与第二栅极线之间设置第一缝隙；所述第二栅极线为矩型环状栅极线，第二栅极线的下边与第一栅极线之间设置有矩型锯齿状栅极线。

进一步地，所述数据线层包括第一数据线和第二数据线，第二数据线连接有第三数据线，第三数据线为与第二栅极线位置对应的矩型环状数据线。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过在物联网智能流量计的显示屏的驱动电路中的公共电极设计上增加一条从像素区外围穿过IC到面板外围的公共电极辅助线，从而减小负载，多增加的公共电极辅助线，可以增加像素区外围一圈公共电极的负载能力；通过对现有公共电极的改进，保留了现有公共电极的设计，适应性更强，改造成本低廉；本实用新型的结构简单，易于制造。将像素的存储电容CS做成金属绝缘层金属MIM结构，通过减少存储电容的距离，来增加存储电容，提升产品性能；实现了结构简单就能够提高像素开口率的目的，进一步提高了显示效果。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1，实施例1中基于物联网的智能流量计。

图2，矩型显示屏的公共电极示意图。

图3，像素的栅极线层示意图。

图4，像素中有源层示意图。

图5，像素中数据线层示意图。

图6，像素中过孔层示意图。

图7，像素中的像素电极层示意图。

图中附图标记说明：1-电极主体，2-第二连接支线，3-第一连接支线，4-集成电路，5-公共电极辅助线，6-第一栅极线，7-第二栅极线，8-第一数据线，9-第二数据线，10-第三数据线，11-矩型锯齿状栅极线。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

本实施例提供一种基于物联网的智能流量计，如图1，所述基于物联网的智能流量计包括流量传感器，与流量传感器连接的处理器，与处理器连接的矩型显示屏和现有的混沌通信装置，如图2，所述矩型显示屏包括公共电极组合和像素区；公共电极组合包括位于像素区外围的电极主体1，以及位于电极主体1与像素区之间的第二连接支线2；第二连接支线2围绕成矩型，第二连接支线2的四个顶角各设有第一连接支线3到电极主体1；所述电极主体1底边设置有集成电路4；所述公共电极组合还包括公共电极辅助线5，公共电极辅助线5重叠设置在集成电路4下方，公共电极辅助线5一端连接到电极主体1底边，另一端连接到第二连接支线2底边。公共电极辅助线5的材质与公共电极的材质相同。

本实施例的改进点在于矩型显示屏，为矩型IPS显示器，矩型显示屏的驱动电路采用现有的驱动电路，仅仅在公共电极设置方式以及存储电容设计方式上进行改进。公共电极是矩形IPS显示屏驱动电路中的VCOM端，作用是提供一个参考电压，与像素电极形成一个水平电场，用于驱动液晶偏转，同时与像素电极交叠，形成存储电容。

现有的基于物联网的智能流量计如图1，与现有的公共电极相比，本实施例在像素区外围穿过IC到面板外围的增加一条公共电极辅助线5，从而减小负载，减小了负载，就能够承受更大的实际负载，因此，本实施例的设计可以增加像素区外围一圈公共电极的负载能力。

具体地，如图2，所述公共电极辅助线5设置在电极主体1底边中心处和第二连接支线2底边中心处。

所述公共电极辅助线5为偶数条时，偶数条公共电极辅助线5以电极主体1底边中心处左右横向对称设置。所述公共电极辅助线5数量为奇数条时，奇数条公共电极辅助线5中在电极主体1底边中心处设置一条，其余的以电极主体1底边中心处左右横向对称设置。

为了提高稳定性、可靠性，优选地，所述公共电极辅助线5上涂覆有绝缘涂层。

具体地，所述的像素区的像素设有存储电容，存储电容为金属绝缘层金属MIM结构。

像素以及存储电容的结构如图3-图7，包括栅极线层，有源层，数据线层，过孔层以及像素电极层。其中有源层、过孔层和像素电极层与传统的像素结构相同。本实施例仅改进了栅极线层和数据线层的结构。栅极线层如图1用来加电压控制TFT的开和关。绝缘层为过孔层，如图3，上设置有过孔用于隔离栅极线层和数据线层。如图4，有源层用于TFT电子流动的通道。数据线层如图5用来传输信号电压。像素电极层用来和彩色滤光片上的电极形成电场，使液晶分子偏转。

如图3，所述栅极线层包括第一栅极线6和第二栅极线7，第一栅极线6与第二栅极线7之间设置第一缝隙；所述第二栅极线7为矩型环状栅极线，第二栅极线7的下边与第一栅极线6之间设置有矩型锯齿状栅极线11。

如图5，具体地，所述数据线层包括第一数据线8和第二数据线9，第二数据线9连接有第三数据线10，第三数据线10为与第二栅极线7位置对应的矩型环状数据线。

本实施例中，存储电容的2个电极板是栅极线层的矩型环状栅极线和数据线层的矩型环状数据线。根据平板电容的计算公式，与传统的像素结构相比，本实施例的存储电容的极板间距离减小，并且极板的相对面积增大，从而增大了高存储电容的液晶显示装置中像素的存储电容容值。达到了预想的效果。

本实施例中高存储电容的液晶显示装置除了像素结构与传统高存储电容的液晶显示装置不同外，其余的均相同。因此，本实施例主要对像素结构进行详细介绍，并介绍该像素结构对于存储电容的结构改进，从而达到增加存储电容的目的，进而提高开口率。

尽管上面对本实用新型说明性的具体实施方式进行了描述，以便于本技术领域的技术人员能够理解本实用新型，但是本实用新型不仅限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员而言，只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本实用新型精神和范围内，一切利用本实用新型构思的实用新型创造均在保护之列。