像素电路和包括该像素电路的有机发光显示装置的制作方法

本发明涉及一种显示装置。更具体地，本发明涉及一种包括有机发光元件(例如，有机发光二极管)、存储电容器和薄膜晶体管的像素电路以及一种包括该像素电路的有机发光显示装置。

背景技术：

通常，包括在有机发光显示装置中的像素电路包括有机发光元件、存储电容器和薄膜晶体管(例如，开关晶体管、驱动晶体管和发射晶体管等)。这里，在传统的像素电路中，开关晶体管可以由氧化物薄膜晶体管实现，驱动晶体管可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管实现，因为发射控制晶体管在发光时段期间应保持导通状态，所以发射控制晶体管可以由具有高可靠性的ltps薄膜晶体管实现。

最近，已经建议将其中所有薄膜晶体管由氧化物薄膜晶体管实现的像素电路应用于移动有机发光显示装置。然而，在该像素电路中，由于发射控制晶体管也由氧化物薄膜晶体管实现，因此发射控制晶体管会随着驱动时间的增加而容易地劣化(例如，当发射控制晶体管是n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管时，发射控制晶体管的阈值电压增加)。因此，在发光时段期间，导通电流会减小，因此即使在相同的条件下，流过有机发光元件的电流也会减小(即，亮度会降低)。

为了解决该问题，传统的像素电路可以通过增加实现发射控制晶体管的氧化物薄膜晶体管的尺寸来确保发射控制晶体管所需的高可靠性。然而，随着发射控制晶体管的尺寸的增加，在布局方面会存在缺点，因此在提高有机发光显示装置的分辨率方面会存在限制。

技术实现要素：

技术问题

本发明的一个目的是提供一种即使当发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且具有相对小的尺寸时也可以确保发射控制晶体管所需的高可靠性的像素电路。

本发明的另一目的是提供一种包括该像素电路的有机发光显示装置，所述像素电路可以确保高的操作可靠性且可以在增加有机发光显示装置的分辨率方面没有因发射控制晶体管的尺寸而受到的限制。

然而，本发明的目的不限于以上目的，并且可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行不同地扩展。

技术方案

根据实施例，像素电路可以包括：有机发光元件；开关晶体管，被构造为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被构造为存储在开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号；驱动晶体管，被构造为允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中；以及发射控制晶体管，由氧化物薄膜晶体管实现，在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且被构造为响应于发射控制信号而导通或截止。这里，像素电路可以执行通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。

在实施例中，开关晶体管和驱动晶体管中的每个可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。

在实施例中，反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加或减小而被调节。

在实施例中，发射控制晶体管可以是n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管。

在实施例中，反向偏置电压可以具有正电压电平。

在实施例中，反向偏置电压可以是高电力电压。

在实施例中，发射控制晶体管的阈值电压可以随着发射控制晶体管的驱动时间的增加而增加，并且反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加而增加。

在实施例中，发射控制晶体管可以是p沟道金属氧化物半导体(pmos)晶体管。

在实施例中，反向偏置电压可以具有负电压电平。

在实施例中，反向偏置电压可以是低电力电压。

在实施例中，发射控制晶体管的阈值电压可以随着发射控制晶体管的驱动时间的增加而减小，并且反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的减小而减小。

根据实施例，有机发光显示装置可以包括：显示面板，包括多个像素电路；数据驱动器，被构造为将数据信号提供到像素电路；扫描驱动器，被构造为将扫描信号提供到像素电路；发射控制驱动器，被构造为将发射控制信号提供到像素电路；以及时序控制器，被构造为控制数据驱动器、扫描驱动器和发射控制驱动器。另外，像素电路中的每个可以包括：有机发光元件；开关晶体管，被构造为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被构造为存储在开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号；驱动晶体管，被构造为允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中；以及发射控制晶体管，由氧化物薄膜晶体管实现，在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且被构造为响应于发射控制信号而导通或截止。这里，像素电路中的每个可以执行通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。

在实施例中，开关晶体管和驱动晶体管中的每个可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。

在实施例中，反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加或减小而被调节。

在实施例中，发射控制晶体管可以是n沟道金属氧化物半导体(nmos)晶体管。

在实施例中，反向偏置电压可以具有正电压电平。

在实施例中，发射控制晶体管的阈值电压可以随着发射控制晶体管的驱动时间的增加而增加，并且反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加而增加。

在实施例中，发射控制晶体管可以是p沟道金属氧化物半导体(pmos)晶体管。

在实施例中，反向偏置电压可以具有负电压电平。

在实施例中，发射控制晶体管的阈值电压可以随着发射控制晶体管的驱动时间的增加而减小，并且反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的减小而减小。

根据实施例，像素电路可以包括：有机发光元件；开关晶体管，被构造为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被构造为存储在开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号；驱动晶体管，被构造为允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中；以及发射控制晶体管，串联连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且被构造为响应于施加到发射控制晶体管的第一栅电极的发射控制信号而导通或截止。这里，像素电路可以执行通过向发射控制晶体管的第二栅电极施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。

在实施例中，发射控制晶体管可以由氧化物薄膜晶体管实现。

技术效果

即使当发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且具有相对小的尺寸时，根据本发明的实施例的像素电路也可以通过执行反向偏置操作来确保发射控制晶体管所需的高可靠性，所述反向偏置操作通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变，所述发射控制晶体管在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管(在此，施加到发射控制晶体管的反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加或减小而被调节)。

包括根据本发明的实施例的像素电路的有机发光显示装置可以确保高的操作可靠性，并且可以在增加有机发光显示装置的分辨率方面没有因发射控制晶体管的尺寸而受到的限制。

然而，本发明的效果不限于以上效果，并且可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行不同地扩展。

附图说明

图1是示出了根据实施例的像素电路的图。

图2是示出了图1的像素电路的示例的图。

图3是用于描述包括在图1的像素电路中的发射控制晶体管的结构的示例的剖视图。

图4是示出了包括在图1的像素电路中的发射控制晶体管的示例的图。

图5是示出了调节施加到图2的发射控制晶体管的反向偏置电压的方法的流程图。

图6是示出了包括在图1的像素电路中的发射控制晶体管的另一示例的图。

图7是示出了调节施加到图6的发射控制晶体管的反向偏置电压的方法的流程图。

图8是示出了根据实施例的有机发光显示装置的框图。

图9是示出了根据实施例的电子装置的框图。

图10是示出了其中图9的电子装置被实现为智能电话的示例的图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细解释本发明的实施例。

图1是示出了根据实施例的像素电路的图，图2是示出了图1的像素电路的示例的图，图3是用于描述包括在图1的像素电路中的发射控制晶体管的结构的示例的剖视图。

参照图1至图3，像素电路100可以包括驱动块120和发射控制块140。

驱动块120可以响应于扫描信号ss接收数据信号ds，并且可以输出具有与数据信号ds对应的亮度的光。为此，驱动块120可以包括有机发光元件oled、开关晶体管st、存储电容器cst和驱动晶体管dt。开关晶体管st可以响应于扫描信号ss而导通或截止。这里，开关晶体管st可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。存储电容器cst可以存储在开关晶体管st导通时通过数据线施加的数据信号ds。驱动晶体管dt可以允许与存储在存储电容器cst中的数据信号ds对应的驱动电流流入有机发光元件oled中。这里，驱动晶体管dt可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。有机发光元件oled可以输出具有与驱动电流对应的亮度的光。这里，有机发光元件oled可以是有机发光二极管，但不限于此。

发射控制块140可以控制像素电路100是否发射光。为此，发射控制块140可以包括发射控制晶体管et。发射控制晶体管et可以由氧化物薄膜晶体管实现，可以在高电力电压elvdd与低电力电压elvss之间串联连接到包括在驱动块120中的有机发光元件oled和驱动晶体管dt，并且可以响应于发射控制信号es而导通或截止。因此，像素电路100可以允许有机发光元件oled在其中发射控制晶体管et导通的发光时段期间发射光，并且可以允许有机发光元件oled在其中发射控制晶体管et截止的不发光时段期间不发射光(即，可以准备有机发光元件oled的光发射)。如上所述，由于发射控制晶体管et由氧化物薄膜晶体管实现，因此与当发射控制晶体管et由低温多晶硅薄膜晶体管实现时相比，根据发射控制晶体管et的驱动时间的特性改变(例如，发射控制晶体管et的阈值电压的改变)会相对大。为了解决该问题，像素电路100可以执行通过向发射控制晶体管et施加反向偏置电压bbv来补偿发射控制晶体管et的阈值电压的改变的反向偏置操作。这将在下面详细描述。

在实施例中，如图2中所示，像素电路100可以具有3t-1c结构(即，包括三个晶体管st、dt和et以及一个存储电容器cst的结构)，并且所有三个晶体管st、dt和et可以由nmos晶体管实现。具体地，驱动块120可以包括有机发光元件oled、开关晶体管st、存储电容器cst和驱动晶体管dt，发射控制块140可以包括发射控制晶体管et。有机发光元件oled可以包括连接到第二节点n2的阳极和低电力电压elvss施加到其的阴极。开关晶体管st可以包括数据信号ds施加到其的第一电极、连接到第一节点n1的第二电极以及扫描信号ss施加到其的栅电极。存储电容器cst可以包括连接到第一节点n1的第一电极和连接到第二节点n2的第二电极。驱动晶体管dt可以包括连接到发射控制晶体管et的第二电极的第一电极、连接到第二节点n2的第二电极以及连接到第一节点n1的栅电极。发射控制晶体管et可以包括高电力电压elvdd施加到其的第一电极、连接到驱动晶体管dt的第一电极的第二电极、发射控制信号es施加到其的上栅电极以及反向偏置电压bbv施加到其的下栅电极。

虽然在图2中描述了像素电路100包括有机发光元件oled、开关晶体管st、存储电容器cst、驱动晶体管dt和发射控制晶体管et，但是应理解的是，有机发光元件oled、开关晶体管st、存储电容器cst、驱动晶体管dt和发射控制晶体管et仅被提及为像素电路100通过其可操作的最小组件。换句话说，除了有机发光元件oled、开关晶体管st、存储电容器cst、驱动晶体管dt和发射控制晶体管et之外，像素电路100还可以包括其它组件。例如，像素电路100还可以包括用于补偿驱动晶体管dt的阈值电压(例如，外部补偿或内部补偿)的组件以及/或者用于使第一节点n1和第二节点n2初始化的组件。另外，图2中所示的像素电路100的组件(即，有机发光元件oled、开关晶体管st、存储电容器cst、驱动晶体管dt和发射控制晶体管et)之中的连接结构是示例。因此，像素电路100的组件之中的连接结构可以不同地改变。例如，当像素电路100还包括用于补偿驱动晶体管dt的阈值电压的组件以及/或者用于使第一节点n1和第二节点n2初始化的组件时，像素电路100的组件之中的连接结构可以改变为与添加的组件(即，用于补偿驱动晶体管dt的阈值电压的组件以及/或者用于使第一节点n1和第二节点n2初始化的组件)形成连接。

如上所述，像素电路100可以执行通过向发射控制晶体管et施加反向偏置电压bbv来补偿发射控制晶体管et的阈值电压的改变的反向偏置操作。为此，发射控制晶体管et可以附加地包括反向偏置电压bbv施加到其的下栅电极。例如，发射控制晶体管et可以具有图3中所示的剖面结构。具体地，发射控制晶体管et可以具有其中顺序地形成(或设置)有基底10、下栅电极20、栅极绝缘层30、有源层40、蚀刻停止层150、第一电极60和第二电极70、栅极绝缘层80以及上栅电极90的剖面结构。基底10可以是硅半导体基底、玻璃基底、塑料基底等。下栅电极20可以形成在基底10上。例如，下栅电极20可以通过在基底10上沉积金属且通过使沉积的金属图案化来形成。栅极绝缘层30可以形成在栅电极20上同时覆盖栅电极20。有源层40可以形成在栅极绝缘层30上。有源层40可以提供沟道区、源区和漏区，其中，中心区域(例如，图3中向上突出的区域)与沟道区对应，外围区域与源区和漏区对应。蚀刻停止层50可以形成在有源层40上，并且可以覆盖有源层40的部分区域。第一电极60和第二电极70可以形成在蚀刻停止层50上，并且可以分别接触源区和漏区(即，有源层40的暴露区域)。栅极绝缘层80可以形成在蚀刻停止层50以及第一电极60和第二电极70上，同时覆盖蚀刻停止层50以及第一电极60和第二电极70。上栅电极90可以形成在栅极绝缘层80上。例如，上栅电极90可以通过在栅极绝缘层80上沉积金属且通过使沉积的金属图案化来形成。然而，由于图3中所示的剖面结构是示例，因此发射控制晶体管et可以具有不同的剖面结构。

通常，当氧化物薄膜晶体管是nmos晶体管时且当氧化物薄膜晶体管的阈值电压增加(即，在正方向上移动)时，氧化物薄膜晶体管的导通电流会在相同的条件下减小。这里，当具有正电压电平的反向偏置电压bbv施加到氧化物薄膜晶体管时，可以发生减小氧化物薄膜晶体管的阈值电压的效果(即，使氧化物薄膜晶体管的阈值电压在负方向上移动的效果)，因此氧化物薄膜晶体管的导通电流在相同的条件下不会减小。另外，当氧化物薄膜晶体管是pmos晶体管时且当氧化物薄膜晶体管的阈值电压减小(即，在负方向上移动)时，氧化物薄膜晶体管的导通电流会在相同的条件下减小。这里，当具有负电压电平的反向偏置电压bbv施加到氧化物薄膜晶体管时，可以发生增加氧化物薄膜晶体管的阈值电压的效果(即，使氧化物薄膜晶体管的阈值电压在正方向上移动的效果)，因此氧化物薄膜晶体管的导通电流在相同的条件下不会减小。虽然上面描述了在像素电路100中，发射控制晶体管et由氧化物薄膜晶体管实现，并且开关晶体管st和驱动晶体管dt由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现，但是优选的是，发射控制晶体管et、开关晶体管st和驱动晶体管dt全部由氧化物薄膜晶体管实现，以简化像素电路100的制造工艺。

如上所述，因为像素电路100中的发射控制晶体管et由具有相对低的可靠性(即，根据发射控制晶体管et的驱动时间的特性改变相对大)的氧化物薄膜晶体管实现，所以像素电路100可以通过向形成在发射控制晶体管et中的下金属层(即，下栅电极20)施加反向偏置电压bbv来补偿发射控制晶体管et的阈值电压的改变，以便确保发射控制晶体管et的高可靠性，而不增加发射控制晶体管et的尺寸。这里，当发射控制晶体管et的阈值电压随着发射控制晶体管et的驱动时间的增加而增加或减小时，可以调节施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv。在实施例中，如图2中所示，发射控制晶体管et可以是nmos晶体管。在这种情况下，反向偏置电压bbv可以具有正电压电平。在一些实施例中，反向偏置电压bbv可以是外部施加的具有正电压电平的恒定电压，或者是高电力电压elvdd。在这种情况下，发射控制晶体管et的阈值电压可以随着发射控制晶体管et的驱动时间的增加而增加(即，在正方向上移动)，施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv可以随着发射控制晶体管et的阈值电压的增加而增加(即，在正方向上移动)。在另一实施例中，发射控制晶体管et可以是pmos晶体管。在这种情况下，反向偏置电压bbv可以具有负电压电平。在一些实施例中，反向偏置电压bbv可以是外部施加的具有负电压电平的恒定电压，或者是低电力电压elvss。在这种情况下，发射控制晶体管et的阈值电压可以随着发射控制晶体管et的驱动时间的增加而减小(即，在负方向上移动)，施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv可以随着发射控制晶体管et的阈值电压的减小而减小(即，在负方向上移动)。

简而言之，即使当发射控制晶体管et由氧化物薄膜晶体管实现且具有相对小的尺寸时，像素电路100也可以通过执行反向偏置操作来充分地确保发射控制晶体管et所需的高可靠性，所述反向偏置操作通过向发射控制晶体管et施加反向偏置电压bbv来补偿发射控制晶体管et的阈值电压的改变，所述发射控制晶体管et在高电力电压elvdd与低电力电压elvss之间串联连接到有机发光元件oled和驱动晶体管dt(这里，施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv可以随着发射控制晶体管et的阈值电压的增加或减小而被调节)。因此，包括像素电路100的有机发光显示装置可以确保高的操作可靠性，并且可以在增加有机发光显示装置的分辨率方面没有因发射控制晶体管的尺寸而受到的限制。虽然在图2中示出了开关晶体管st、驱动晶体管dt和发射控制晶体管et由nmos晶体管实现，但是根据需要，开关晶体管st、驱动晶体管dt和发射控制晶体管et可以由pmos晶体管或者由nmos晶体管和pmos晶体管的组合来实现。

图4是示出了包括在图1的像素电路中的发射控制晶体管的示例的图，图5是示出了调节施加到图2的发射控制晶体管的反向偏置电压的方法的流程图。

参照图4和图5，发射控制晶体管et可以是nmos晶体管。发射控制晶体管et可以包括源电极source、漏电极drain、上栅电极gate和下栅电极(未示出)。反向偏置电压bbv可以施加到发射控制晶体管et的下栅电极(即，下金属层)。在这种情况下，发射控制晶体管et可以在当施加到发射控制晶体管et的上栅电极gate的发射控制信号es具有正电压电平时导通，形成在发射控制晶体管et内部的沟道可以是n沟道，发射控制晶体管et的阈值电压可以随着发射控制晶体管et的驱动时间的增加而增加(即，在正方向上移动)。因此，施加到发射控制晶体管et的下栅电极的反向偏置电压bbv可以具有正电压电平。在实施例中，反向偏置电压bbv可以是外部施加的具有正电压电平的恒定电压。在另一实施例中，反向偏置电压bbv可以是具有正电压电平的高电力电压elvdd。如图5中所示，像素电路100可以(例如，以通过检查发射控制晶体管et的所累积的驱动时间来估算发射控制晶体管et的阈值电压的方式，或者以使用外部感测电路来感测发射控制晶体管et的阈值电压的方式)测量发射控制晶体管et的阈值电压(s110)，并且可以检查发射控制晶体管et的阈值电压是否增加(即，在正方向上移动)(s120)。这里，当检查到发射控制晶体管et的阈值电压增加时，像素电路100可以增加施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv(即，使施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv在正方向上移动)(s130)。另一方面，当检查到发射控制晶体管et的阈值电压未增加时，像素电路100可以保持施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv(s140)。

图6是示出了包括在图1的像素电路中的发射控制晶体管的另一示例的图，图7是示出了调节施加到图6的发射控制晶体管的反向偏置电压的方法的流程图。

参照图6和图7，发射控制晶体管et可以是pmos晶体管。发射控制晶体管et可以包括源电极source、漏电极drain、上栅电极gate和下栅电极(未示出)。反向偏置电压bbv可以施加到发射控制晶体管et的下栅电极(即，下金属层)。在这种情况下，发射控制晶体管et可以在当施加到发射控制晶体管et的上栅电极gate的发射控制信号es具有负电压电平时导通，形成在发射控制晶体管et内部的沟道可以是p沟道，发射控制晶体管et的阈值电压可以随着发射控制晶体管et的驱动时间的增加而减小(即，在负方向上移动)。因此，施加到发射控制晶体管et的下栅电极的反向偏置电压bbv可以具有负电压电平。在实施例中，反向偏置电压bbv可以是外部施加的具有负电压电平的恒定电压。在另一实施例中，反向偏置电压bbv可以是具有负电压电平的低电力电压elvss。如图7中所示，像素电路100可以(例如，以通过检查发射控制晶体管et的所累积的驱动时间来估算发射控制晶体管et的阈值电压的方式，或者以使用外部感测电路来感测发射控制晶体管et的阈值电压的方式)测量发射控制晶体管et的阈值电压(s210)，并且可以检查发射控制晶体管et的阈值电压是否减小(即，在负方向上移动)(s220)。这里，当检查到发射控制晶体管et的阈值电压减小时，像素电路100可以减小施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv(即，在负方向上移动施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv)(s230)。另一方面，当检查到发射控制晶体管et的阈值电压未减小时，像素电路100可以保持施加到发射控制晶体管et的反向偏置电压bbv(s240)。

图8是示出了根据实施例的有机发光显示装置的框图。

参照图8，有机发光显示装置500可以包括显示面板510、数据驱动器520、扫描驱动器530、发射控制驱动器540和时序控制器550。

显示面板510可以包括多个像素电路511。显示面板510可以通过数据线连接到数据驱动器520，通过扫描线连接到扫描驱动器530，并且通过发射控制线连接到发射控制驱动器540。数据驱动器520可以通过数据线将数据信号ds提供到显示面板510。也就是说，数据驱动器520可以将数据信号ds提供到像素电路511。扫描驱动器530可以通过扫描线将扫描信号ss提供到显示面板510。也就是说，扫描驱动器530可以将扫描信号ss提供到像素电路511。发射控制驱动器540可以通过发射控制线将发射控制信号es提供到显示面板510。也就是说，发射控制驱动器540可以将发射控制信号es提供到像素电路511。时序控制器550可以产生多种控制信号ctl(1)、ctl(2)和ctl(3)，并且可以将控制信号ctl(1)、ctl(2)和ctl(3)提供到扫描驱动器530、数据驱动器520和发射控制驱动器540。也就是说，时序控制器550可以控制扫描驱动器530、数据驱动器520和发射控制驱动器540。在一些实施例中，时序控制器550可以接收图像数据，可以对图像数据执行特定数据处理(例如，劣化补偿等)且将图像数据提供到数据驱动器520，并且可以将处理后的图像数据提供到数据驱动器520。

在实施例中，包括在显示面板510中的像素电路511可以包括发射控制晶体管，所述发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管。这里，因为像素电路511中的发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且根据发射控制晶体管的驱动时间而具有相对大的特性改变(例如，发射控制晶体管的阈值电压的改变)，所以像素电路511不会确保发射控制晶体管通常所需的高可靠性。因此，像素电路511可以执行通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。结果，即使当发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且具有相对小的尺寸时，像素电路511也可以确保发射控制晶体管所需的高可靠性。为此，像素电路511可以包括有机发光元件、开关晶体管、存储电容器、驱动晶体管和发射控制晶体管，开关晶体管响应于扫描信号ss而导通或截止，存储电容器存储在开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号ds，驱动晶体管允许与存储在存储电容器中的数据信号ds对应的驱动电流流入有机发光元件中，发射控制晶体管响应于发射控制信号es而导通或截止。如上所述，像素电路511可以执行通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。在一些实施例中，包括在像素电路511中的开关晶体管和驱动晶体管中的每个可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。然而，与发射控制晶体管一样，优选的是，开关晶体管和驱动晶体管中的每个由氧化物薄膜晶体管实现，以简化像素电路511的制造工艺。

当像素电路511执行通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作时，施加到发射控制晶体管的反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加或减小而被调节。在实施例中，发射控制晶体管可以是nmos晶体管。这里，施加到发射控制晶体管的反向偏置电压可以具有正电压电平。在这种情况下，发射控制晶体管的阈值电压可以随着发射控制晶体管的驱动时间的增加而增加，施加到发射控制晶体管的反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加而增加。在另一实施例中，发射控制晶体管可以是pmos晶体管。这里，施加到发射控制晶体管的反向偏置电压可以具有负电压电平。在这种情况下，发射控制晶体管的阈值电压可以随着发射控制晶体管的驱动时间的增加而减小，施加到发射控制晶体管的反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的减小而减小。由于以上参照图1至图7描述了这些操作，因此将不再重复与其相关的重复描述。简而言之，即使当发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且具有相对小的尺寸时，像素电路511也可以通过执行反向偏置操作来确保发射控制晶体管所需的高可靠性，所述反向偏置操作通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变。因此，包括像素电路511的有机发光显示装置500可以确保高的操作可靠性，并且可以在增加有机发光显示装置500的分辨率方面没有因发射控制晶体管的尺寸而受到的限制。

图9是示出了根据实施例的电子装置的框图，图10是示出了其中图9的电子装置被实现为智能电话的示例的图。

参照图9和图10，电子装置1000可以包括处理器1010、存储器装置1020、存储装置1030、输入/输出(i/o)装置1040、电源1050和有机发光显示装置1060。这里，有机发光显示装置1060可以是图8的有机发光显示装置500。另外，电子装置1000还可以包括用于与视频卡、声卡、存储卡、通用串行总线(usb)装置、其它电子装置等通信的多个端口。在实施例中，如图10中所示，电子装置1000可以被实现为智能电话。然而，电子装置1000不限于此。例如，电子装置1000可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板pc、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示(hmd)装置等。

处理器1010可以执行各种计算功能。处理器1010可以是微处理器、中央处理单元(cpu)、应用处理器(ap)等。处理器1010可以经由地址总线、控制总线、数据总线等结合到其它组件。此外，处理器1010可以结合到诸如外围组件互连(pci)总线的扩展总线。存储器装置1020可以存储用于电子装置1000的操作的数据。例如，存储器装置1020可以包括非易失性存储器装置(诸如可擦除可编程只读存储器(eprom)装置、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(pram)装置、电阻随机存取存储器(rram)装置、纳米浮栅存储器(nfgm)装置、聚合物随机存取存储器(poram)装置、磁随机存取存储器(mram)装置、铁电随机存取存储器(fram)装置等)和/或易失性存储器装置(诸如动态随机存取存储器(dram)装置、静态随机存取存储器(sram)装置、移动dram装置等)。存储装置1030可以包括固态驱动器(ssd)装置、硬盘驱动器(hdd)装置、cd-rom装置等。i/o装置1040可以包括输入装置(诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等)和输出装置(诸如打印机、扬声器等)。在一些实施例中，有机发光显示装置1060可以包括在i/o装置1040中。电源1050可以提供用于电子装置1000的操作的电力。有机发光显示装置1060可以经由总线或其它通信链路结合到其它组件。

如上所述，有机发光显示装置1060可以包括执行反向偏置操作的像素电路，所述反向偏置操作通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变，所述发射控制晶体管在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管。因此，有机发光显示装置1060可以确保高的操作可靠性，并且可以在增加有机发光显示装置1060的分辨率方面没有因发射控制晶体管的尺寸而受到的限制。为此，有机发光显示装置1060可以包括显示面板，所述显示面板包括像素电路、将数据信号提供到像素电路的数据驱动器、将扫描信号提供到像素电路的扫描驱动器、将发射控制信号提供到像素电路的发射控制驱动器以及控制数据驱动器、扫描驱动器和发射控制驱动器的时序控制器。另外，像素电路中的每个可以包括有机发光元件、开关晶体管、存储电容器、驱动晶体管和发射控制晶体管，开关晶体管响应于扫描信号而导通或截止，存储电容器存储在开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号，驱动晶体管允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中，发射控制晶体管响应于发射控制信号而导通或截止，其中，发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管。这里，像素电路中的每个可以执行通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作(这里，施加到发射控制晶体管的反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加或减小而被调节)。因此，即使当发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且具有相对小的尺寸时，像素电路中的每个也可以确保发射控制晶体管所需的高可靠性。然而，由于以上描述了这些，因此将不再重复与其相关的重复描述。

工业实用性

本发明可以应用于有机发光显示装置和包括该有机发光显示装置的电子装置。例如，本发明可以应用于蜂窝电话、智能电话、视频电话、智能板、智能手表、平板pc、汽车导航系统、电视、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示(hmd)装置、mp3播放器等。

前述内容是实施例的说明，而不被解释为实施例的限制。虽然已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易地理解的是，在实质上不脱离本发明的新颖教导和优点的情况下，可以在实施例中进行许多修改。因此，所有这些修改旨在包括在如权利要求中限定的本发明的范围内。因此，将理解的是，前述内容是各种实施例的说明，而不被解释为限于所公开的具体实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其它实施例旨在包括在所附权利要求的范围内。

<附图标记的描述>

100：像素电路120：驱动块

140：发射控制块oled：有机发光元件

st：开关晶体管dt：驱动晶体管

et：发射控制晶体管cst：存储电容器

500：有机发光显示装置510：显示面板

511：像素电路520：数据驱动器

530：扫描驱动器540：发射控制驱动器

550：时序控制器1000：电子装置

1010：处理器1020：存储器装置

1030：存储装置1040：i/o装置

1050：电源1060：有机发光显示装置