一种背光模组的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种背光模组。

背景技术：

背光模组为显示器件的关键零部件之一，用于给显示器件提供发光的背光源。目前的背光模组为反射式背光结构，具体地：使用含碗杯状支架的直射型led灯珠，通过smt(surfacemounttechnology，表面贴装技术)工艺将该led灯珠贴设于pcb板上制成led光源，再在该led光源上盖设反射式透镜，制成该反射式背光结构。

目前使用的反射式背光结构，由于使用了反射式透镜，增加了物料的使用，同时透镜的高度使得整个背光模组的厚度增加，这样将造成背光模组的厚度较厚，应用在电视或手机等显示产品上则不利于显示产品的超薄化。

技术实现要素：

鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型提出一种背光模组，该背光模组制造工艺简单，且有利于实现显示产品的超薄化。

为实现上述目的及其他目的，本实用新型提出一种背光模组，包括：

背板，包括一底板和侧板，所述底板和所述侧板形成容纳腔体，所述容纳腔体包括一出光口；

多个光源，设置在所述底板上；

扩散板，设置在所述背板上，且所述扩散板封闭所述出光口；

量子点膜片，设置在所述扩散板上；

光学膜片，设置在所述量子点膜片上，所述光源发射的光线依次穿过所述扩散板，所述量子点膜片和所述光线膜片；

其中，所述光源包括基板，发光二极管芯片，所述发光二极管芯片倒装设置在所述基板上，所述发光二极管芯片的第一电极的第一端连接所述基板的第一焊盘，所述发光二极管芯片的第二电极的第一端连接所述基板上的第二焊盘。

进一步地，所述光源还包括透明胶层，所述透明胶层包覆所述发光二极管芯片。

进一步地，所述发光二极管芯片包括：

衬底；

发光层，包括第一半导体层，有源层和第二半导体层；

电流扩散层，位于所述第二半导体层上；

凹槽，位于衬底上，暴露出所述第一半导体层。

进一步地，所述第一电极位于所述凹槽内。

进一步地，所述第一电极的第二端连接所述第一半导体层。

进一步地，所述第二电极位于所述第一电极的一侧，所述第二电极的第二端连接所述电流扩散层。

进一步地，所述第一电极的高度大于所述第二电极的高度。

进一步地，所述有源层包括周期生长的阱层和垒层。

进一步地，所述阱层和所述垒层的总层数为40-50层。

进一步地，相邻两个所光源的距离为5-6mm。

综上所述，本实用新型提出一种背光模组，该背光模组不再需要使用透镜，减少了物料的使用，简化了生产工艺，同时由于不再需要使用透镜，使得背光模组的厚度较薄，应用在显示产品上时有利于显示产品的超薄化，并且，采用量子点膜片，量子点膜片不需要密封以阻隔空气和水汽，可直接设置在扩散板和光学膜片组件之间，降低了在背光模组中设置量子点膜片的难度，并使背光模组的出光效果更好。

附图说明

图1：本实用新型中背光模组的结构示意图。

图2：本实用新型中发光二极管芯片的示意图。

图3：本实用新型中有源层的示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

如图1所示，本实施例提出一种背光模组100，该背光模组100包括背板110，光源120，扩散板130、量子点膜片140和光学膜片150。该背板110包括底板111和侧板112，底板111和侧板112形成一个容纳腔体113，该容纳腔体113的顶部包括一个出光口，光源120发射的光线可以从出光口出射。

如图1所示，在本实施例中，底板111和侧板112一体成型。例如，侧板112与底板111之间的夹角为锐角，又例如，侧板112与底板111之间的夹角为直角。在底板111上设置有欧光源120，该光源120包括基板121，发光二极管芯片122和透明胶层123。发光二极管芯片122可以倒装设置在基板121上，在基板121上可以设置多个发光二极管芯片122，相邻两个发光二极管芯片122之间的距离可以为5-6mm。透明胶层123还可以位于基板121上，且透明胶层123可以包覆所有的发光二极管芯片122。

如图1所示，在本实施例中，该基板121可以为pcb基板，也可以为柔性电路板，基板121上可以设置有驱动电路。发光二极管芯片122可以发射蓝色光线。透明胶层123用于保护发光二极管芯片122，发光二极管芯片122被空气及水汽氧化。

如图1所示，在本实施例中，扩散板130设置在背板110上，具体地，扩散板130设置在侧板112上，且封闭出光口。在扩散板130上还设置有量子点膜片140，量子点膜片140与扩散板130贴合，在量子点膜片140上还设置有光学膜片150，光学膜片150与量子点膜片140贴合，也就是说光源120发射的光线依次穿过扩散板130，量子点膜片140和光学膜片150。扩散板130用于将发光二极管芯片122发射的蓝光光学进行扩散，以使光线更加均匀。由于量子点膜片140的强度弱，扩散板130还用于支撑量子点膜片140。

如图1所示，在本实施例中，量子点膜片140用于使蓝光光线通过时激发其中的有色量子点颗粒从而转换成白光光线，以作为显示产品需要的背光光源。例如，量子点膜片具有红色量子点和绿色量子点，红色量子点和绿色量子点可获得ntsc(nationaltelevisionstandardscommittee，国家电视标准委员会)色域值≥95％的背光模组，例如可以获得ntsc色域值为110％的背光模组。量子点膜片140由于是已成型的膜片，不会受外界空气和水汽的影响，因此采用量子点膜片140相对于量子点涂层，不需要将量子点膜片140密封以阻隔空气和水汽，可直接设置在扩散板140和光学膜片150之间，降低了在背光模组中设置量子点膜片140的难度，并使背光模组的出光效果更好。

如图1所示，在本实施例中，光学膜片150用于对光线进行扩散和增亮等，以获得均匀和亮度高的光线。光学膜片150由扩散片、增亮片和复合膜等组成，其中，光学膜片150采用一种或多种不同的膜片进行组合的不同的搭配方式，能获得不同的亮度增益。

如图1所示，在本实施例中，为了使蓝光光线均匀地从透明胶层130射出，所述透明胶层130背向所述基板121的一侧具有平整的表面。由于光线需从透明胶层123的表面射出，如果透明胶层123的表面不平整光线易在表面发生多次的折射和反射等，造成光线散乱不均匀，通过使得透明胶层123背向基板121的一侧具有平整的表面，避免了光线在出射时发生折射和反射等，从而使得光线能够均匀地从透明胶层123射出。

如图2所示，本实施例将介绍发光二极管芯片122的结构，该发光二极管芯片122包括衬底210，发光层220，发光层220位于衬底210上。本实用新型衬底210的材料可以为蓝宝石、碳化硅或硅，也可以为其他半导体材料。

如图2所示，在衬底210的第二表面上形成有发光层220，发光层220可以包括第一半导体层221，有源层222和第二半导体层223。第一半导体层221位于衬底210的第二表面上，有源层222位于第一半导体层221上，第二半导体层122位于有源层222上，第一半导体层221可以为n型氮化镓层，第二半导体层223可以为p型氮化镓层。第一半导体层221，有源层222和第二半导体层223可以定义为外延层120。在形成所述第一半导体层221时，可以将衬底210放置在沉积腔体内，然后向沉积腔体内通入ga源(三甲基镓)和n源(氨气)，然后将沉积腔体的温度升高至1100-1200℃，从而可以在衬底110上生长第一半导体层221。第一半导体层221的厚度可以为4-5微米。在一些实施例中，第一半导体层221还可以为硅掺杂的半导体层。需要说明的是，在衬底210和发光层220之间还可以形成有缓冲层，来降低应力。

如图2所示，在本实施例中，该有源层222可以包括阱层2221和垒层2222。阱层2221位于第一半导体层221上，阱层2221和垒层2222交替周期排列，阱层2221和垒层2222的总层数可以为20-30层，阱层2221和垒层2222的厚度可以相同，阱层2221的厚度可以为5-6nm，垒层2222的厚度可以为5-6nm。当然，该有源层222还可以包括缓冲层，在形成缓冲层时，将衬底210放置在沉积腔体中，然后将沉积腔体加热至1100℃时，向沉积腔体内通入氢气，通入氢气的时间为6-7分钟，然后将沉积腔体降低至900-1000℃时，向沉积腔体内通入ga源(三甲基镓)和n源(氨气)，然后在第一半导体层221上形成缓冲层。所述缓冲层的厚度可以为30-40nm。

如图3所示，在形成缓冲层之后，将沉积腔体的温度降低至800-900℃，通入in源，ga源，n源生长阱层2221，阱层2221位于缓冲层上，然后在阱层2221上生长垒层2222。在本实施例中，阱层2221和垒层2222依序周期交替生长，因此可以在发光层220中形成至少一个复合阱，复合阱可以提高发光二极管芯片的发光效率。阱层2221的厚度可以为5-6nm，垒层2222的厚度可以为5-6nm。

如图3所示，在本实施例中，阱层2221和垒层2222周期交替生长，阱层2221和垒层2222的总层数可以为40-50层，例如为42-425层。需要说明的是，在形成阱层2221时，不需掺杂离子，在形成垒层2222时，还可以掺杂硅离子，硅离子的掺杂浓度可以为10¹⁸-3×10¹⁸/cm³。

如图2所示，在本实施例中，第二半导体层223位于有源层222上，第二半导体层223的形成过程可以参考第一半导体层221的生长过程。在第二半导体层223上还形成有电流扩散层230。电流扩散层230的材料可以包括ito，zito，zio，gio，zto，fto，azo，gzo，in4sn3o12或niau等透明导电层，不以此为限。本实施例可采用热蒸镀或者溅射的方式形成所述电流扩散层230，所述电流扩散层230的厚度介于60nm-240nm，例如为100nm。在形成电流扩散层230之后，还可以进行快速热退火工艺，从而对电流扩散层230进行退火。在一些实施例中，还可以在第二半导体层223和电流扩散层230之间形成电流阻挡层，从而可以防止漏电的发生。

如图2所示，在本实施例中，在形成电流扩散层230之后，然后对电流扩散层230和外外延层120进行刻蚀，从而在发光层220中形成一个凹槽240，凹槽240暴露出第一半导体层221。凹槽240的厚度可以等于电流扩散层230，第二半导体层223和有源层222的厚度之和。在形成凹槽240之后，在凹槽240和电流扩散层230上形成绝缘层250，绝缘层250还位于凹槽240的侧壁上，绝缘层250还包括两个开口。其中一个开口位于凹槽240内，暴露出第一半导体层221，另一个开口位于电流扩散层230上，暴露出电流扩散层230。在凹槽240内形成有第一电极260，在电流扩散层230上形成有第二电极270，第一电极260与第一半导体层221接触，第二电极270与电流扩散层230接触。所述第一电极260和所述第二电极270材料为多层金属结构，所述多层金属结构包括依次叠层排列的craltinitinitiniau或cralniptniptniptau。

如图2所示，在本实施例中，第一电极260的高度大于第二电极270的高度，且第一电极260和第二电极270的高度平齐。因此在将第一焊盘1211和第二焊盘1212焊接在第一电极52和第二电极53上不在需要使用其他的金属电极。第一焊盘1211和第二焊盘1212分别设置在基板121上，第一焊盘1211可以和第一电极260连接，也就是说第一电极260的第一端与第一焊盘1211连接，第一电极260的第二端与第一半导体层221连接。第二焊盘1212可以和第二电极270连接，也就是说第二电极270的第一端与第二焊盘1212连接，第二电极270的第二端与电流扩散层230连接。第一焊盘1211和第二焊盘1212的材料可以为锡焊材料。

综上所述，本实用新型提出一种背光模组，该背光模组不再需要使用透镜，减少了物料的使用，简化了生产工艺，同时由于不再需要使用透镜，使得背光模组的厚度较薄，应用在显示产品上时有利于显示产品的超薄化，并且，采用量子点膜片，量子点膜片不需要密封以阻隔空气和水汽，可直接设置在扩散板和光学膜片组件之间，降低了在背光模组中设置量子点膜片的难度，并使背光模组的出光效果更好。

以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明，本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的实用新型范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述实用新型构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案，例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

除说明书所述的技术特征外，其余技术特征为本领域技术人员的已知技术，为突出本实用新型的创新特点，其余技术特征在此不再赘述。