补偿amoled电压降的方法及系统的制作方法

文档序号:8499156阅读:458来源:国知局
补偿amoled电压降的方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种补偿AMOLED电压降的方法及系统。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,0LED)显示装置具有自发 光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围 宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示 装置。
[0003] 0LED按照驱动方式可以分为无源驱动和有源驱动两大类,即直接寻址和薄膜晶体 管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,有源驱动也称为有源矩阵(Active Matrix,AM)型,AMOLED中的每个发光单元都由TFT寻址独立控制。发光单元和TFT寻址电 路组成的像素结构需要通过导线对其加载直流电源电压(〇Vdd)进行驱动。
[0004] 随着时代及技术的进步,大尺寸、高分辨率的AMOLED显示装置逐渐发展起来,相 应的,大尺寸AMOLED显示装置也需要较大尺寸的面板及较多数量的像素,面板导线长度 将越来越长,导线电阻也越大。不可避免的,电源电压(〇Vdd)会在导线上产生电压降(IR Drop),导线的电阻值使得每一个像素电路获得的电源电压不同,从而使得在相同的数据信 号电压输入下,不同的像素有不同的电流、亮度输出,导致整个面板的显示亮度不均匀,并 且画面不同,像素的IR drop也会跟着不同。
[0005] 图1所示为一种大尺寸AMOLED显示装置的结构示意图,该AMOLED显示装置为 OVdd单驱型,包括显示面板l、0Vdd走线2、X向基板(Xboard)3、覆晶薄膜端(Chip On Film, C0F)端4。通常,在靠近C0F端4即靠近OVdd电源供电位置区域的电源电压相比离供电位 置较远区域的电源电压要高。图2所示为图1所示AMOLED显示装置中一个像素的驱动电 路图,由两个N型薄膜晶体管T10、T20与一个电容C10组成,即最常见的2T1C结构,其中第 一薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管,受扫描信号Gate控制,用于传递数据信号Data,第二 薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管,受数据信号Data控制,用于驱动有机发光二极管0LED 发光,电容C10为存储电容。该2T1C结构的像素驱动电路,仅能起到将电压变换为电流从 而驱动有机发光二极管发光的作用,不具有任何补偿功能。
[0006] 图3所示为现有的一种55英寸AMOLED显示面板的亮度分布图,此时,画面灰阶是 255。如图3所示,该显示面板的最大亮度为111. 6,最低亮度为88. 1,结合图4,设最大亮度 值111. 6为100%亮度,以最大亮度值为基准将其余位置的亮度值转换为最大亮度值的百 分比形式,则最低的亮度值仅为78. 9%,可见该AMOLED显示面板的亮度均匀性较差。进一 步地,请参阅图5,图5为图3所示AMOLED显示面板中一个像素的驱动电路图,由三个N型 薄膜晶体管T10、T20、T30与一个电容C10组成,即3T1C结构,其中,第一薄膜晶体管T10仍 为开关薄膜晶体管,第二薄膜晶体管T20仍为驱动薄膜晶体管,增设的第三薄膜晶体管T30 接入一外部信号线monitor line,电容C10为存储电容。该3T1C结构的像素驱动电路能够 补偿有机发光二极管0LED及驱动薄膜晶体管T20的阈值电压,但无法补偿IR Drop,所以 AMOLED显示面板的亮度均匀性依旧较差。
[0007] 上述图5所示的3T1C结构的像素驱动电路,采用的是AMOLED外部补偿方法中的 电性补偿,只能补偿驱动TFT和0LED的阈值电压,无法补偿IR Drop;此外,AMOLED外部补 偿方法还包括光学补偿,光学补偿虽能补偿IR Drop,却无法做到实时补偿。相对的,AMOLED 的补偿方法还包括内部补偿,AMOLED内部补偿只有针对驱动TFT的阈值电压(Vth)或沟道 迀移率(i〇做补偿,很少能补偿IR drop。内部补偿电路要补偿IR Drop,由于多设置了多 个TFT和电容,开口率会牺牲很多,所需控制信号也较多。

【发明内容】

[0008] 本发明的目的在于提供一种补偿AMOLED电压降的方法,能够改善AMOLED显示面 板的亮度均匀性,解决由IR Drop引起的亮度不均问题。
[0009] 本发明的目的还在于提供一种补偿AMOLED电压降的系统,能够改善AMOLED显示 面板的亮度均匀性,解决由IR Drop引起的亮度不均问题。
[0010] 为实现上述目的,本发明首先提供一种补偿AMOLED电压降的方法,包括如下步 骤:
[0011] 步骤1、提供一 AMOLED显示面板,包括:计算单元、存储单元、补偿单元、及多个像 素驱动电路;所述像素驱动电路至少包括两个N型薄膜晶体管、一个电容、及一个有机发光 二级管,其中连接有机发光二极管的N型薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管;
[0012] 首先使用存储单元将串联于同一电源走线上的各个像素驱动电路的电源电压均 设置为标准电源电压,即设置:
[0013] 0Vdd1=0Vdd2=...... = OVdd^^ OVdd n= OVdd (1)
[0014] 其中,0¥(1(11、0¥(1(12、0¥(1(111_1、0¥(1(1 11分别表示第1个、第2个、第11-1个、第11个像素 驱动电路的电源电压,OVdd表示标准电源电压;
[0015] 步骤2、计算单元从存储单元中读取各个像素驱动电路的电源电压,并计算出对应 于各个像素驱动电路的电源电压的驱动电流,计算公式为:
[0016] VGSi= Vdataj-^Si+AVSi) (2)
[0017] VDSi= OVddi-^Si+AVSi) (3)
[0018] IdSi= KX (VGS「|Vth|)2X (1+入? VDS) (4)
[0019] IdSi表示第i个像素驱动电路的的驱动电流,K表示各个像素驱动电路中驱动薄 膜晶体管的结构参数,VGSi表示第i个像素驱动电路中驱动薄膜晶体管的栅源极电压,Vth 表示各个像素驱动电路中驱动薄膜晶体管的阈值电压,A表示一系数,VDSi表示第i个像 素驱动电路中驱动薄膜晶体管的源漏极电压;
[0020] Vdatai表示预输入第i个像素驱动电路的数据信号电压的初始值,VS i表示第i个 像素驱动电路中驱动薄膜晶体管的源极电压,AVSi表示VS i的变化值;
[0021] i = l,2,......n;
[0022] 步骤3、计算单元依据步骤2计算出的各个像素驱动电路的驱动电流1(181至Ids n, 反求各个像素驱动电路的电源电压〇^(1(11至OVdd n,计算公式为:
[0023]
【主权项】
1. 一种补偿AMOLED电压降的方法,其特征在于,包括如下步骤: 步骤1、提供一 AMOLED显示面板,包括:计算单元、存储单元、补偿单元、及多个像素驱 动电路;所述像素驱动电路至少包括两个N型薄膜晶体管、一个电容(C)、及一个有机发光 二级管(OLED),其中连接有机发光二极管(OLED)的N型薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管; 首先使用存储单元将串联于同一电源走线(L)上的各个像素驱动电路的电源电压均 设置为标准电源电压,即设置: OVdd1= OVdd2=...... = OVddn^1= OVddn= OVdd (1) 其中,(^(1(11、(^(1(12、(^(1(111_ 1、(^(1(111分别表示第1个、第2个、第11-1个、第11个像素驱动 电路的电源电压,OVdd表示标准电源电压; 步骤2、计算单元从存储单元中读取各个像素驱动电路的电源电压,并计算出对应于各 个像素驱动电路的电源电压的驱动电流,计算公式为: VGSi = Vdata 厂(VSi+ A VSi) (2) VDSi= OVdd -(VSi+A VSi) (3) Idsi= KX (VGS「|Vth|)2X (1+入? VDSi) (4) Idsi表示第i个像素驱动电路的的驱动电流,K表示各个像素驱动电路中驱动薄膜晶 体管的结构参数,VGSi表示第i个像素驱动电路中驱动薄膜晶体管的栅源极电压,Vth表示 各个像素驱动电路中驱动薄膜晶体管的阈值电压,A表示一系数,VDS i表示第i个像素驱 动电路中驱动薄膜晶体管的源漏极电压; Vdatai
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