一种液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种液晶显示装置。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD)是一种采用液晶材料制作的显 示器，具有轻薄、功耗小和显示信息量大等特点。
[0003] IXD通常包括用于显示画面的显示面板和用于向显示面板提供信号的电路部分。 该显示面板通常包括阵列基板和彩膜基板，它们通过封框胶彼此粘接并由间隙隔开，而液 晶材料填充在阵列基板和彩膜基板之间的间隙中。该电路部分通常包括栅极驱动电路，液 晶显示装置显示图像时通常采用逐行扫描的方式，每一行像素显示单元中的薄膜晶体管 (Thin Film Transistor，简称TFT)的导通和截止由一条栅线控制，栅极驱动电路通常包括 多个移位寄存器，每个移位寄存器包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管结合位于液晶显 示装置台阶区域的集成电路输入的信号生成栅极驱动信号，所述栅极驱动信号发送给阵列 基板上像素显示单元中的薄膜晶体管。
[0004] 然而，薄膜晶体管一般包括非晶硅层，非晶硅的迀移率会随着温度的降低而降低， 薄膜晶体管的开态电阻随着温度的降低而升高，当温度过低时，会使得移位寄存器由于迀 移率太低而延迟增大，导致驱动不足，引发液晶显示装置显示异常。此外，随着温度的降低， 液晶材料的响应速度会变慢，当温度更低时，液晶材料会变为粘稠状，甚至"结晶"，从而导 致液晶显示装置在低温启动工作时，会发生显示画面变色、亮度低、出现"拖尾"等显示异 常现象。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，本发明提出了一种液晶显示装置，以解决液晶显示装置在低温环境下 的驱动能力不足和液晶响应速度慢的问题。
[0006] 本发明提供了一种液晶显示装置，包括：
[0007] 相对设置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板和所述对向基板均包括显示区域 和围绕所述显示区域的边框区域；
[0008] 位于所述阵列基板的边框区域的探测模块和反馈模块，以及位于所述阵列基板或 者位于所述阵列基板和所述对向基板上的加热模块，所述加热模块包括单晶硅开关；
[0009] 所述探测模块、所述反馈模块和所述加热模块依次电连接，所述探测模块用于探 测所述液晶显示装置的温度，并将探测到的温度信号传输到所述反馈模块，所述反馈模块 用于当所述探测模块输出的所述液晶显示装置的温度低于预设阈值时控制所述加热模块 开启，所述加热模块用于根据所述反馈模块的控制为所述液晶显示装置进行加热。
[0010] 本发明提供的液晶显示装置，通过在所述阵列基板或者在所述阵列基板和所述对 向基板上设置加热模块，所述加热模块包括单晶硅开关，当温度低于预设阈值时，加热模块 对液晶显示装置中的液晶材料和薄膜晶体管中的非晶硅进行加热，可使得液晶材料的温度 上升，并提升移位寄存器中非晶娃的迁移率，从而加快液晶材料的响应速度并能够提尚移 位寄存器的驱动能力。
【附图说明】
[0011] 通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它 特征、目的和优点将会变得更明显：
[0012] 图1是本发明的液晶显示装置的示意图；
[0013] 图2为图1中阵列基板的俯视图；
[0014] 图3A是本发明第一实施方式提供的探测模块的结构图；
[0015] 图3B为图3A中晶体管a的漏极电压为10V时不同温度下测量的Id-Vg仿真曲 线；
[0016] 图3C是晶体管a单位宽长比等效电阻的阻值与温度的关系曲线图；
[0017] 图4是本发明第一实施方式提供的反馈模块的结构图；
[0018] 图5是本发明第一实施方式提供的加热模块的结构图；
[0019] 图6是本发明第一实施方式提供的探测模块、反馈模块和加热模块的各输入端的 输入信号的时序图；
[0020] 图7A和图7B是本发明第一实施方式中电阻走线Rc在阵列基板的边框区域的位 置关系的结构图；
[0021] 图8A-图8D是本发明第一实施方式中电阻走线Rc的形状示意图；
[0022] 图9A为本发明第二实施方式对向基板的俯视图；
[0023] 图9B为本发明第二实施方式中阵列基板的俯视图；
[0024] 图10A至图10D以及图10E至图10K是本发明第二实施方式中电阻走线Rc的形 状不意图；
[0025] 图11A和图11B是本发明第二实施方式中电阻走线Rc在对向基板上的位置关系 的结构图。
【具体实施方式】
[0026] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描 述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便 于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0027] 图1是本发明的液晶显示装置的示意图，该液晶显示装置包括阵列基板11和与阵 列基板11相对设置的对向基板12,以及封装在阵列基板11和对向基板12之间的液晶材 料13。其中，阵列基板11包括相互交叉的多条数据线112和栅线111，在栅线111和数据 线112的交叉处设置有像素电极15。对向基板12可以为彩膜基板，所述彩膜基板包括色 阻层和包围色阻层的黑色矩阵16。阵列基板11上的两条数据线和两条栅线交叉形成的区 域与彩膜基板上的一个色阻（如图1中所示的R或G或B)相对应，构成了一个像素显示单 元，图1中一个色阻构成彩膜基板上的一个像素显示区域。也就是说，多条数据线和多条扫 描线围成了多个像素显示单元，多个这样的像素显示单元构成了阵列基板11的显示区域， 阵列基板11的显示区域之外的区域称为阵列基板的边框区域17,多条栅线和多条数据线 分别从阵列基板11的显示区域延伸到阵列基板的边框区域17,进而连接到外部的数据线 驱动电路和栅极驱动电路上。多个像素显示区域构成了对向基板12的显示区域，对向基板 12的显示区域之外的区域称为对向基板的边框区域18。
[0028] 注意，图1所示的液晶显示装置中彩膜基板上的色阻仅示出了红色（R)、绿色（G) 和蓝色（B)三色，这仅仅是示例性的，色阻还可以包括其他颜色，例如白色（W)和黄色（Y) 等，这些均包括在本发明的保护范围内。
[0029] 液晶显示装置还包括用于贴合阵列基板11和对向基板12的导电封框胶（图1中 未示出），所述导电封框胶位于阵列基板11和对向基板12的边框区域，并与阵列基板11 和彩膜基板12形成液晶盒。
[0030] 液晶显示装置还包括位于阵列基板的边框区域17的探测模块和反馈模块（图1 中未示出），以及位于阵列基板11上的加热模块（图1中未示出），该加热模块也可以位于 阵列基板11和对向基板12上，所述加热模块包括单晶硅开关（图1中未示出）。所述探测 模块、所述反馈模块和所述加热模块依次电连接，所述探测模块用于探测液晶显示装置的 温度，并将探测到的温度信号传输到所述反馈模块，所述反馈模块用于当所述探测模块输 出的所述液晶显示装置的温度低于预设阈值时控制所述加热模块开启，所述加热模块用于 根据所述反馈模块的控制为所述液晶显示装置进行加热。
[0031] 接下来，用第一实施方式来具体说明上述加热模块位于阵列基板上的方案，用第 二实施方式来具体说明上述加热模块位于阵列基板和对向基板上的方案。
[0032] 第一实施方式
[0033] 图2为图1中阵列基板的俯视图，阵列基板11包括显示区域A和围绕显示区域的 阵列基板的边框区域17。在阵列基板的边框区域17包括依次电连接的探测模块19、反馈 模块20和加热模块21，所述加热模块21包括单晶硅开关TFT h。
[0034] 阵列基板的边框区域17包括栅极驱动电路（图2中未示出），所述栅极驱动电路 通常包括多个移位寄存器（图2中未示出），在栅极驱动电路中每一帧扫描过程中，通常需 要对所有移位寄存器进行一次扫描前复位，以保证显示图像的品质。其中，移位寄存器进行 扫描前复位的时间段为液晶显示装置显示一帧中的探测时间段。例如：液晶显示装置显示 一帧的时间为16. 7ms，选取其中的5ms作为探测时间段，剩余的11. 7ms作为显示时间段。 当然也可根据1C芯片（位于液晶显示装置的台阶区域，图2中未示出）的处理能力，适当 的调整两者的时长，在此不作限定。在每一帧的探测时间段，探测模块19探测液晶显示装 置的温度，当探测模块19输出的所述液晶显示装置的温度等于或低于预设阈值时，加热模 块21为所述液晶显示装置进行加热，第一个移位寄存器输出栅极驱动信号时，探测时间段 结束，显示时间段开始，此时所述液晶显示装置进行显示，当最后一个移位寄存器输出栅极 驱动信号后，液晶显示装置结束当前帧的显示，之后进入下一帧的探测时间段，探测模块19 探