制造衬底的方法和制造电子器件的方法

文档序号:9621043
制造衬底的方法和制造电子器件的方法
【技术领域】
[0001]本技术涉及一种制造可专门适用于形成具有高挠性的电子器件的衬底的方法、以及一种通过使用制造衬底的方法来制造电子器件的方法。
【背景技术】
[0002]在诸如显示单元等电子器件中,在衬底表面上设置有包括电子电路、显示器本体和其他部件的功能区。在衬底表面具有诸如刮痕和凹痕等缺陷的情况下,为了减少对电子电路的损害,需要在形成电子电路之前修复这种缺陷。例如,在专利文件1中,提出了将修复材料注入到衬底表面上,该衬底表面诸如是具有诸如刮痕和凹痕等缺陷的玻璃,并且将修复材料硬化,并且之后,对硬化的修复材料局部地抛光以使衬底表面平坦化。
[0003]引用列表
[0004]专利文件
[0005]专利文件1:日本特开2010-15123号公报

【发明内容】

[0006]衬底表面不仅具有诸如刮痕和凹痕等凹进缺陷,而且还具有诸如突出等突出缺陷,但是尚不存在能够同时处理凹进缺陷和突出缺陷的平坦化技术。
[0007]需要提供一种制造允许增强衬底表面平滑度的衬底的方法、以及一种通过使用制造衬底的方法来制造电子器件的方法。
[0008]—种制造根据本公开的一个实施例的衬底的方法包括:对材料衬底的表面抛光;以及,在对材料衬底的表面抛光之后,在材料衬底的表面上形成平坦化膜。
[0009]在制造根据本公开的实施例的衬底的该方法中,当对材料衬底的表面抛光时,去除存在于材料衬底的表面上的诸如突出等突出缺陷。之后,当在衬底材料的表面上形成平坦化膜时,用平坦化膜来填充存在于材料衬底的表面上的诸如凹槽等凹进缺陷或者由抛光引起的瑕疵。
[0010]一种制造根据本公开的实施例的衬底的方法包括:形成衬底;以及在衬底上形成功能区,并且通过前述制造根据本公开的衬底的方法来执行衬底的形成。
[0011]根据制造根据本公开的实施例的衬底的方法或者制造根据本公开的实施例的电子器件的方法,在对材料衬底的表面抛光之后,在材料衬底的表面上形成平坦化膜;因此,这些方法能够同时处理在衬底表面上的凹进缺陷和突出缺陷,从而允许增强衬底表面的平滑度。
【附图说明】
[0012]图1是制造根据本公开的实施例的衬底的方法的流程的示意图。
[0013]图2是材料衬底的示例的截面图。
[0014]图3是在图2中图示的材料衬底粘结至支撑体的状态的截面图。
[0015]图4是对在图3中图示的材料衬底的表面抛光的过程的截面图。
[0016]图5是在图4中图示的材料衬底的表面上形成平坦化膜的过程的截面图。
[0017]图6是在图5中图示的材料衬底的表面上形成阻挡涂层的过程的截面图。
[0018]图7是制造根据本公开的实施例的电子器件(显示单元)的方法的流程的示意图。
[0019]图8是在图6中图示的衬底上形成TFT层的过程的截面图。
[0020]图9是在TFT层上形成显示器本体的过程的截面图。
[0021]图10是从支撑体去除包括材料衬底和平坦化膜的衬底本体的过程的截面图。
[0022]图11是切割衬底本体以形成模块的过程的截面图。
[0023]图12是切割衬底以形成模块的过程的透视图。
[0024]图13是从支撑体去除包括材料衬底和平坦化膜的衬底本体的过程的截面图。
[0025]图14是作为在图8中图示的显示器本体的示例的电泳器件的配置的平面图。
[0026]图15是图示了在图14中图示的电泳器件的配置的截面图。
[0027]图16是包括在图14中图示的电泳器件的电子器件(显示单元)的配置的截面图。
[0028]图17是用于描述在图16中图示的电子器件(显示单元)的动作的截面图。
[0029]图18是制造根据修改示例1的电子器件(显示单元)的方法的流程的示意图。
[0030]图19是在材料衬底的表面上形成平坦化膜的过程的截面图。
[0031]图20是作为在根据修改示例2的电子器件(显示单元)中的在图8中图示的显示器本体的另一示例的有机EL器件的配置的截面图。
[0032]图21是包括在图20中图示的有机EL器件的电子器件(显示单元)的整个配置的示意图。
[0033]图22是在图21中图示的像素驱动电路的示例的示意图。
[0034]图23是电子器件的应用示例1的外观的透视图。
[0035]图24是应用示例1的外观的另一个透视图。
[0036]图25是电子器件的应用示例2的外观的透视图。
[0037]图26是电子器件的应用示例3的外观的透视图。
[0038]图27是电子器件的应用示例4的外观的透视图。
[0039]图28是从电子器件的应用示例5的正面看到的外观的透视图。
[0040]图29是从应用示例5的背面看到的外观的透视图。
[0041]图30是电子器件的应用示例6的外观的透视图。
[0042]图31是电子器件的应用示例7的外观的透视图。
[0043]图32是在电子器件的应用示例8打开的状态下的透视图。
[0044]图33是在电子器件的应用示例8关闭的状态下的透视图。
[0045]图34是在电子器件的应用示例9关闭的状态下的示意图。
[0046]图35是在电子器件的应用不例9打开的状态下的不意图。
【具体实施方式】
[0047]下面将参照附图对本公开的一些实施例进行详细描述。注意,将按照以下顺序进行说明。
[0048]1、实施例(形成树脂膜作为平坦化膜并且在平坦化膜的表面上形成由无机膜制成的阻挡涂层的示例)
[0049]2、修改示例1 (平坦化形成还用作阻挡涂层的无机膜作为平坦化膜的示例)
[0050]3、修改示例2 (包括有机EL (电致发光)器件作为显示器本体的示例)
[0051]4、应用示例
[0052](制造衬底的方法)
[0053]首先,下面将参照图1至图6对制造根据本公开的实施例的衬底的方法进行描述。该制造根据本实施例的衬底1的方法涉及:使用具有挠性的材料衬底10,诸如塑料膜,并且整平存在于材料衬底10的表面上的凹进缺陷和突出缺陷以形成具有高度平滑表面的衬底1。该制造根据本实施例的衬底1的方法包括:对材料衬底10的表面抛光;以及在对材料衬底10的表面抛光之后,在材料衬底10的表面上形成平坦化膜20。由此获得的衬底1用于制造诸如显示单元和传感器等电子器件。
[0054](将材料衬底10粘结至支撑体30的过程)
[0055]衬底10可以由具有挠性的树脂片(塑料片)制成,例如,如图2所图示的。更加具体地,材料衬底10的厚度可以优选地是,例如,200 μ m或者更小,并且更加优选地是50 μ m或者更小。材料衬底10的材料的非限制示例可以包括由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、聚烯烃、聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、环氧树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺甲醛树脂、硅树脂、和丙烯酸树脂制成的塑料片。
[0056]突出缺陷11和凹进缺陷12存在于材料衬底10的表面上,仍如图2所图示的。突出缺陷11的示例可以包括离参照表面10A 2 μπι或者更大高度的高突出11Α以及离参照表面10Α 2 μπι或者更小高度的低突出11Β。凹进缺陷12的示例可以包括以坑状形式从参照表面10Α凹进的沉降12Α和以楔形形状从参照表面10Α掘入的刮痕12Β。注意,离沉降12Α的参照表面10Α的深度可以是,例如,2.0 μπι或者更小,并且离刮痕12Β的参照表面10Α的深度可以是,例如,1.0 μπι或者更小。
[0057]在抛光过程之前,使用粘合层40将该材料衬底10粘结至支撑体30,如图3所图示的(在图1中的步骤S101)。这使得可以在材料衬底10粘结至支撑体30的状态下执行抛光的过程和形成平坦化膜20的过程,以确保材料衬底10的后表面的平面性。
[0058]例如,将材料衬底10粘结至支撑体30可以如下执行。首先,通过印刷方法进行涂布,诸如旋转涂布、裸片涂布或者凹版涂布,或者通过附接粘合带,在支撑体30或者材料衬底10上形成粘合层40。接下来,通过层合机将材料衬底10键合并且固定至支撑体30。
[0059]对于支撑体30,可以优选地使用具有500°C或者更高熔点的材料,诸如石英玻璃、耐热玻璃、金属、或者陶瓷。支撑体30的线性膨胀系数可以优选地是,例如,10ppm/K或者更小。更加优选地,支撑体30的线性膨胀系数可以是从0.lppm/K至10ppm/K (包括0.lppm/K和10ppm/K)。根据机械强度和处理,支撑体30的厚度T30可以优选地是,例如,0.3mm或者更大。更加优选地,支撑体30的厚度T30可以是从0.3mm至2.0mm (包括0.3mm和2.0mm)。
[0060]作为粘合层40,可以使用通用粘合剂或者通用粘合带。这使得可以从支撑体30去除材料衬底10而不执行弱化粘合力的特殊过程,并且可以在衬底1上形成稍后将描述的功能区3和任何其他部件。更加具体地,作为粘合层40,可以使用丙烯酸基粘合剂、硅基粘合剂、娃氧烧基粘合剂、天然橡胶基粘合剂、合成橡胶基粘合剂、或者任何其他粘合剂。
[0061 ](对材料衬底10的表面抛光的过程)
[0062]在将材料衬底10固定至支撑体30之后,使用抛光构件P对材料衬底10的表面抛光,如图4所图示的(在图1中的步骤S102)。由此,将存在于材料衬底10的表面上的突出缺陷11刮掉。
[0063]此处使用的抛光方法可以是机械抛光或者是通过使用,例如但不限于,具有用于提高抛光效率的适当调节的PH的磨料(浆液)的抛光。更加具体地,作为抛光方法,可以使用诸如CMP(化学机械抛光)、带抛光、和乳辊抛光等技术。
[0064]在该抛光过程中,可以优选地对材料衬底10的整个表面抛光。当对材料衬底10的表面的一部分局部抛光时,突出缺陷11可能会余留在尚未执行抛光的区域中。余留的突出缺陷11可能不会被待在稍后过程中形成的平坦化膜20覆盖(这取决于余留的突出缺陷的高度),从而导致衬底1的表面平滑度下降。
[0065]在该抛光过程中,可以优选地执行抛光直到将突出缺陷11的高度减小到等于或者小于待在稍后过程中形成的平坦化膜20的厚度的值。当突出缺陷11的高度是1 ym或者更小时,可以用待在稍后过程中形成的平坦化膜20覆盖突出缺陷11。
[0066]在抛光过程中,在材料衬底10的表面上形成抛光瑕疵13是可接受的。抛光瑕疵13导致表面面积增加,这增加了在材料衬底10与平坦化膜20之间的接触面积并且导致固着效应,从而影响改进粘合力的效果。抛光瑕疵13的深度D13可以优选地等于或者小于待在稍后过程中形成的平坦化膜20的厚度,例如,3 μ m或者更小,并且更加优选地1 μ m或者更小。只要抛光瑕疵13具有该深度D13,便可以通过待在稍后过程中形成的平坦化膜20进行平坦化。
[0067](清洁)
[0068]在对材料衬底10的表面抛光之后,清洁材料衬底10的表面,为在后续过程中形成平坦化膜20做准备(在图1中的步
再多了解一些
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