骤S103)。例如，通过清洁过程去除抛光碎肩和磨料(浆液)以获得干净的表面。作为清洁方法，可以执行水清洁或者有机清洁，并且另外，可以执行超声波清洁或者任何其他清洁。可以进一步执行UV(紫外线)清洁或者臭氧清洁。
[0069](预处理)
[0070]在清洁材料衬底10的表面之后，在形成平坦化膜20之前，执行预处理(在图1中的步骤S104)。在预处理中，可以执行UV处理、等离子体处理、涂布硅烷偶联剂、或者用于改进平坦化膜20的粘合力的任何其他预处理。
[0071](在材料衬底10的表面上形成平坦化膜20的过程)
[0072]在完成预处理之后，在材料衬底10的表面上形成平坦化膜20，如图5所图示的(在图1中的步骤S105)。由此，用平坦化膜20填充存在于材料衬底10的表面上的凹进缺陷12和由抛光过程导致的抛光瑕疵13。与此同时，用平坦化膜20覆盖在抛光之后余留的突出缺陷11。由此，形成平坦化膜20的平滑表面。
[0073]平坦化膜20可以是树脂膜或者无机膜。树脂膜的非限制示例可以包括丙烯酸树脂膜和聚酰亚胺基树脂膜。无机膜的非限制示例可以包括S1x膜、SiNx膜、S1N膜、和A1203膜。而且，平坦化膜20可以是树脂膜和无机膜的混合膜。平坦化膜20可以由TE0S(原硅酸四乙酯)制成，并且即使凹进缺陷12存在于材料衬底10的表面上，也可以容易地整平平坦化膜20的表面。
[0074]作为形成平坦化膜20的技术，在树脂膜的情况下，可以使用诸如狭缝涂布、丝网印刷、凹版涂布、旋转涂布、和喷涂等方法。在无机膜的情况下，除了前述方法之外，可以使用CVD (化学汽相沉积)、ALD (原子层沉积)、溅射方法、和任何其他方法。
[0075]在平坦化膜20与材料衬底10之间的热行为存在很大差异的情况下，由制造过程中的热过程累积了应变应力。例如，在热膨胀系数之差较大的情况下，在加热过程中可能会发生衬底翘曲或者膜剥离，并且在热收缩率之差较大的情况下，当温度在加热过程之后回到室温时可能会发生衬底翘曲或者膜剥离。为此，平坦化膜20可以优选地由具有相同或者基本相同的热行为(诸如，热膨胀系数和热收缩率)的材料制成。而且，平坦化膜20可以优选地由，例如但不限于，对用于材料衬底10的化学组分和官能团具有高亲和性的材料制成。另外，平坦化膜20可以优选地对在稍后过程中形成功能区3期间的温度具有耐热性。
[0076]平坦化膜20的厚度T20可以优选地小于材料衬底10的厚度T10。在材料衬底10比平坦化膜20更薄的情况下，可能不会覆盖到在对材料衬底10的表面抛光之后余留的突出缺陷11。而且，当平坦化膜20的热收缩率较大时，在稍后过程中形成功能区期间的加热过程增加了平坦化膜20的膜收缩率，从而导致衬底1的翘曲。进一步地，厚度T20越大，越增加了对其的影响。因此，平坦化膜20的厚度T20可以优选地，例如，等于或者小于材料衬底10的厚度T10的五分之一，更加优选地等于或者小于七分之一，并且再更加优选地等于或者小于十分之一。
[0077](后烘焙)
[0078]在平坦化材料衬底10的表面上形成平坦化膜20之后，用例如但不限于烘箱或者IR(红外)炉对平坦化膜20执行烧结(后烘焙)(在图1中的步骤S106)。在执行该过程时的温度可以优选地等于或者低于包括材料衬底10、平坦化膜20、支撑体30和粘合层40的堆叠结构的相应层的材料的耐热温度。而且，在执行该过程时的烘焙温度可以优选地是使树脂膜在稍后过程中不分解的温度。进一步地，可以优选地充分执行加热，直到从树脂膜或者任何其他膜不再释放出气体。
[0079](形成阻挡涂层)
[0080]在完成后烘焙之后，在平坦化膜20的表面上形成阻挡涂层50，如图6所图示的(在图1中的步骤S107)。阻挡涂层50可以优选地具有，例如，数十纳米至数百纳米(包括数十纳米和数百纳米)的厚度，并且可以优选地由诸如S1x膜、SiNx膜、S1N膜、A1203膜、和TE0S膜等无机膜制成。由此，完成衬底1。
[0081](制造电子器件(显示单元)的方法)
[0082]参照图7至图13，下面将对制造根据本实施例的电子器件(显示单元)的方法进行描述。一种制造根据本实施例的电子器件2的方法包括:在通过前述制造衬底1的方法形成衬底1之后，在衬底1上形成功能区3，该功能区3具有所需的功能，诸如显示图像或者传感；并且执行切割和模块形成。
[0083](形成功能区3的过程)
[0084]首先，在衬底1的阻挡涂层50的表面上形成TFT层60，如图8所图示的(在图7中的步骤S201)。
[0085]接下来，在TFT层60上形成显示器本体70，如图9所图示的(在图7中的步骤S202)。由此，在衬底1上形成显示图像的功能区3。
[0086](执行切割和模块形成的过程)
[0087]在衬底1上形成功能区3之后，如图10中的箭头R1所示，从支撑体30和粘合层40去除包括材料衬底10、平坦化膜20和阻挡涂层50的衬底本体4 (在图7中的步骤S301)。
[0088]接下来，如图11所图示的，将衬底本体4和功能区3沿着切割线CL切割为具有预定尺寸的预定形状，并且将它们耦合至柔韧的布线衬底5以形成模块6(在图7中的步骤S302)。最后，将模块6并入外壳(未图不)中，以完成电子器件2。
[0089]可替代地，在执行切割和模块6的形成之后，可以从支撑体30去除衬底本体4。在这种情况下，例如，在衬底1上形成功能区3之后，如图12所图示的，将衬底1和功能区3沿着切割线CL切割为具有预定尺寸的预定形状，并且将它们耦合至柔韧的布线衬底5以形成模块6 (在图7中的步骤S303)。
[0090]接下来，如图13中的箭头R2所示，在由此获得的模块6中，从支撑体30和粘合层40去除包括材料衬底10、平坦化膜20、和阻挡涂层50的衬底本体4(在图7中的步骤S304)。最后，将模块6并入外壳(未图不)中，以完成电子器件2。
[0091](形成电泳器件作为显示器本体70的示例)
[0092]参照图14至图17，将对形成电泳器件作为显示器本体70并且制造电子纸显示器作为电子器件2的示例进行说明。
[0093]图14图示了作为显示器本体70的示例的电泳器件71的平面配置，并且图15图示了电泳器件71的截面配置。电泳器件71配置为借助电泳现象提供对照，并且可以应用于，例如，诸如显示单元等各种电子设备。电泳器件71包括在绝缘液体72中的迀移粒子73(第一粒子)和具有细孔74A的多孔层74。注意，图14和图15示意性地图示了电泳器件71的配置，并且其尺寸及其形状可以与实际尺寸和实际形状不同。
[0094]绝缘液体72可以由，例如，诸如石蜡或者异链烷烃等有机溶剂制成。作为绝缘液体72，可以使用一种有机溶剂或者多种有机溶剂。绝缘液体72的粘性和折射率可以优选地尽可能低。当绝缘液体72的粘性较低时，提高了迀移粒子73的迀移率(响应速度)。而且，因此减少了迀移粒子73的移动所需的能量(功耗)。当绝缘液体72的折射率较低时，增加了绝缘液体72与多孔层74之间的折射率之差，以增加多孔层74的反射率。
[0095]例如，可以向绝缘液体72添加着色剂、电荷控制剂、分散稳定剂、粘性改性剂、表面活性剂、树脂、或者任何其他添加剂。
[0096]分散在绝缘液体72中的迀移粒子73是一个或者两个或者更多个带电粒子，并且这种带电迀移粒子73根据电场移动穿过细孔74A。迀移粒子73具有任何给定的光学反射特性(光反射率)，并且在迀移粒子73与多孔层74之间的光反射率之差提供了对照。例如，可以由迀移粒子73执行在亮态下的显示并且由多孔层74执行在暗态下的显示，并且可替代地，可以由迀移粒子73执行在暗态下的显示并且由多孔层74执行在亮态下的显示。
[0097]当从外部看电泳器件71时，在由迀移粒子73执行在亮态下的显示的情况下，可以直观地将迀移粒子73识别为，例如，白色或者接近白色的颜色，并且，在由迀移粒子73执行在暗态下的显示的情况下，可以直观地将迀移粒子73识别为，例如，黑色或者接近黑色的颜色。该迀移粒子73的颜色不做特别限制，只要可以提供对照即可。
[0098]迀移粒子73可以由，例如，有机颜料、无机颜料、染料、碳材料、金属材料、金属氧化物、玻璃、或者高分子材料(树脂)的粒子(粉末)制成。对于迀移粒子73而言，可以使用这些材料中的一种或者这些材料中的两种或者更多种。迀移粒子73可以由粉状粒子、胶囊粒子、或者包括前述粒子的树脂固体的任何其他粒子制成。注意，与前述碳材料、前述金属材料、前述金属氧化物、前述玻璃、或者前述高分子材料对应的材料被排除在与有机颜料、无机颜料、或者染料对应的材料之外。迀移粒子73的粒子直径可以是，例如，30nm至300nm (包括 30nm 和 300nm)。
[0099]前述有机颜料的示例可以包括偶氮基颜料、金属复合物偶氮基颜料、聚缩偶氮基颜料、黄烷士酮基颜料、苯并咪唑酮基颜料、酞菁基颜料、喹吖啶酮基颜料、蒽醌基颜料、二萘嵌苯基颜料、环酮基颜料、蒽并吡啶基颜料、皮蒽酮基颜料、二恶嗪基颜料、硫靛基颜料、异吲哚啉酮基颜料、喹酞酮基颜料、和阴丹士林基颜料。无机颜料的示例可以包括锌白、锑白、铁黑、硼化钛、氧化铁红、玛皮珂黄、铅丹、镉黄、硫化锌、锌钡白、硫化钡、砸化镉、碳酸钙、硫酸钡、铬酸铅、硫酸铅、碳酸钡、铅白和矾土白。染料的例子可以包括苯胺黑基染料、偶氮基染料、酞菁基染料、喹诺酞酮基染料、蒽醌基染料和次甲基染料。碳材料的例子可以包括碳黑。金属材料的例子可以包括金、银和铜。金属氧化物的示例可以包括氧化钛、氧化锌、氧化锆、钛酸钡、钛酸钾、铜铬氧化物、铜锰氧化物、铜铁锰氧化物、铜铬锰氧化物和铜铁铬氧化物。高分子材料的示例可以包括引入有在可见光区域中具有光吸收区域的官能团的高分子化合物。只要高分子化合物在可见光区域中具有光吸收区域，该高分子化合物的类型不做特别限制。
[0100]例如，可以基于迀移粒子73在提供对照中所起的作用，来选择迀移粒子73的具体材料。在由迀移粒子73执行在亮态下的显示的情况下，例如，可以将诸如氧化钛、氧化锌、氧化锆、碳酸钡、或者碳酸钾等金属氧化物用于迀移粒子73。在由迀移粒子73执行在暗态下的显示的情况下，例如，可以将诸如碳黑等碳材料、诸如铜铬氧化物、铜锰氧化物、铜铁锰氧化物、铜铬锰氧化物、和铜铁铬氧化物等金属氧化物用于迀移粒子73。具体而言，碳材料可以优选地用于迀移粒子73。由碳材料制成的迀移粒子73显示出高化学稳定性、高迀移率、和高光吸收率。
[0101]在绝缘液体72中的迀移粒子73的含量(浓度)可以是，例如，但不特别限于，在0.1界1:%至10界1:%范围内(包括0.1界1:%和10wt% )。在该浓度范围内，确保了迀移粒子73的遮蔽性能和迀移率。更加具体地，当迀移粒子73的含量小于0.1被％时，迀移粒子73难以遮蔽(隐蔽)多孔层74，并且存在难以提供足够对照的可能性。当迀移粒子10的含量大于10wt %时，迀移粒子73的分散性降低，并且因此，迀移粒子73变得难以迀移，并且可能从而凝聚结块。
[0102]可以优选的是，迀移粒子73易于分散在绝缘液体72中并且长时间带电，并且变得难以被多孔层74吸收。为此，例如，可以向绝缘液体72添加分散剂。而且，可以同时使用分散剂和电荷控制剂。
[0103]该分散剂或者该电荷控制剂可以具有，例如，正电荷和负电荷中的一种或者两种，并且用于增加在绝缘液