一种像素驱动芯片、方法及像素结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及像素驱动技术领域，特别是一种像素驱动芯片、方法及像素结构。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，0LED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
[0003]OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型和有源矩阵型两大类。其中，有源矩阵型OLED显示装置的像素结构中均设置有一个用于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管(本文中称之为驱动晶体管)。而驱动晶体管的阈值电压会随着工作时间的变化而变化，同时，不同的驱动晶体管的阈值电压也不相同。因此，AMOLED显示装置通常需要对驱动晶体管的进行补偿，否则将会出现显示不均匀现象。
[0004]同时，在显示装置中，由于不同像素结构距离电源信号供应节点的距离不同，导致电源电压在不同像素结构处的电压降并不相同。因此，AMOLED显示装置通常还需要对电压降进行补偿，否则也会出现显示不均匀现象。
[0005]对上述的阈值电压和/或电压降进行补偿有两种方式，其中一种为:电路补偿方式，其通过在像素结构中设置补偿电路进行补偿，而另一种为:驱动补偿方式，其通过修改数据信号的电压进行补偿。
[0006]驱动补偿方式中，需要确定每一个驱动晶体管的阈值电压和/或电压降，进而根据每一个阈值电压和/或电压降对数据信号进行补偿，以实现显示均匀。现有的驱动补偿方式中，驱动晶体管的阈值电压和/或电压降是在显示装置的正常工作过程中通过复用显示信号来获取，因此，现有的驱动补偿方式具有不可控和灵活性较差的缺点，说明如下。
[0007]在显示装置的正常工作过程中，为了保证显示装置的正常和准确工作，所有的信号都是确定的，无法进行更改，因此现有技术的驱动补偿方式不管是在测量时机方面，还是在测量结果方面都不具备可控性，灵活性较差。
【发明内容】
[0008]本发明实施例的目的在于提供一种像素驱动芯片、方法及像素结构，实现可控性较高，灵活性较好的电压补偿。
[0009]为实现上述目的，本发明实施例提供了一种像素驱动芯片，用于向一像素结构输出目标数据信号，所述像素结构包括一发光器件和与所述发光器件连接的驱动晶体管，所述像素驱动芯片包括:
[0010]控制模块，用于生成并输出电压激励信号，利用所述电压激励信号控制所述驱动晶体管处于对应的测试状态；
[0011]获取模块，用于获取处于所述测试状态下的驱动晶体管的源极测试电压；
[0012]计算模块，用于根据处于所述测试状态下的驱动晶体管的源极测试电压计算一电压补偿参数;所述电压补偿参数为所述驱动晶体管的阈值电压和/或所述驱动晶体管的源极对应于电源电压的压降；
[0013]存储模块，用于存储所述电压补偿参数；
[0014]补偿模块，用于利用存储的所述电压补偿参数对源数据信号进行电压补偿，得到目标数据信号；
[0015]输出模块，用于输出所述目标数据信号到所述驱动晶体管的栅极。
[0016]上述的像素驱动芯片，其中，还包括:
[0017]触发模块，用于启动时触发所述获取模块、计算模块和存储模块；
[0018]关闭模块，用于在得到并存储所述电压补偿参数后关闭所述获取模块、计算模块和存储模块。
[0019]上述的像素驱动芯片，其中，所述电压补偿参数为所述驱动晶体管的阈值电压时，所述电压激励信号包括输出到所述驱动晶体管的栅极的第一测试信号(Vl)和输出到所述驱动晶体管的漏极的第二测试信号(V2)，以控制所述驱动晶体管进入到阈值测试状态，所述驱动晶体管的阈值电压为所述源极测试电压与所述第一测试信号的电压的差值。
[0020]上述的像素驱动芯片，其中:
[0021]所述控制模块具体用于向所述驱动晶体管输出多组电压不同的电压激励信号，每一组电压激励信号均能控制所述驱动晶体管进入到所述阈值测试状态；
[0022]所述存储模块具体用于存储每一组电压激励信号对应的阈值电压；
[0023]所述补偿模块具体包括:
[0024]匹配单元，用于从多组电压激励信号中确定与所述源数据信号匹配的一组电压激励信号；
[0025]补偿单元，用于利用与所述源数据信号匹配的一组电压激励信号对应的阈值电压对源数据信号进行电压补偿得到所述目标数据信号。
[0026]上述的像素驱动芯片，其中，所述电压补偿参数为所述压降时，所述电压激励信号包括输出到所述驱动晶体管的栅极的第三测试信号和输出到所述驱动晶体管的源极的电源信号(Vdd)，以控制所述驱动晶体管截止，所述驱动晶体管的源极对应于电源电压的压降为:所述驱动晶体管的源极测试电压与所有像素结构的驱动晶体管的源极测试电压的最大值或最小值的差值。
[0027]上述的像素驱动芯片，其中，所述驱动晶体管为P型管时，所述第三测试信号为电源信号。
[0028]上述的像素驱动芯片，其中，所述电压激励信号还包括输出到所述驱动晶体管的漏极，以清除所述发光器件的电压的清除信号(V4)。
[0029]为实现上述目的，本发明实施例还提供了一种像素驱动方法，用于向一像素结构输出目标数据信号，所述像素结构包括一发光器件和与所述发光器件连接的驱动晶体管，其特征在于，所述像素驱动方法包括:
[0030]控制步骤，生成并输出电压激励信号，利用所述电压激励信号控制所述驱动晶体管处于对应的测试状态；
[0031]获取步骤，获取处于所述测试状态下的驱动晶体管的源极测试电压；
[0032]计算步骤，根据处于所述测试状态下的驱动晶体管的源极测试电压计算一电压补偿参数;所述电压补偿参数为所述驱动晶体管的阈值电压和/或所述驱动晶体管的源极对应于电源电压的压降；
[0033]存储步骤，存储所述电压补偿参数；
[0034]补偿步骤，利用存储的所述电压补偿参数对源数据信号进行电压补偿，得到目标数据信号；
[0035]输出步骤，用于输出所述目标数据信号到所述驱动晶体管的栅极。
[0036]上述的像素驱动方法，其中，还包括:
[0037]触发步骤，启动时触发所述获取步骤、计算步骤和存储步骤；
[0038]关闭步骤，在得到并存储所述电压补偿参数后结束所述获取步骤、计算步骤和存储步骤。
[0039]上述的像素驱动方法，其中，所述电压补偿参数为所述驱动晶体管的阈值电压时，所述电压激励信号包括输出到所述驱动晶体管的栅极的第一测试信号(Vl)和输出到所述驱动晶体管的漏极的第二测试信号(V2)，以控制所述驱动晶体管进入到阈值测试状态，所述驱动晶体管的阈值电压为所述源极测试电压与所述第一测试信号的电压的差值。
[0040]上述的像素驱动方法，其中，
[0041]所述控制步骤具体包括:向所述驱动晶体管输出多组电压不同的电压激励信号，每一组电压激励信号均能控制所述驱动晶体管进入到所述阈值测试状态；
[0042]所述存储步骤具体包括:存储每一组电压激励信号对应的阈值电压；
[0043]所述补偿步骤具体包括:
[0044]从多组电压激励信号中确定与所述源数据信号匹配的一组电压激励信号；
[0045]利用与所述源数据信号匹配的一组电压激励信号对应的阈值电压对源数据信号进行电压补偿得到所述目标数据信号。
[0046]上述的像素驱动方法，其中，所述电压补偿参数为所述压降时，所述电压激励信号包括输出到所述驱动晶体管的栅极的第三测试信号和输出到所述驱动晶体管的源极的电源信号(Vdd)，以控制所述驱动晶体管截止，所述驱动晶体管的源极对应于电源电压的压降为:所述驱动晶体管的源极测试电压与所有像素结构的驱动晶体管的源极测试电压的最大值或最小值的差值。
[0047]上述的像素驱动方法，其中，所述驱动晶体管为P型管时，所述第三测试信号为电源信号。
[0048]上述的像素驱动方法，其中，所述电压激励信号还包括输出到所述驱动晶体管的漏极，以清除所述发光器件的电压的清除信号(V4)。
[0049]为实现上述目的，本发明实施例还提供了一种像素结构，包括发光器件和与所述发光器件连接的驱动晶体管，所述像素结构还包括:
[0050]与所述晶体管连接的状态控制单元，用于利用像素驱动芯片输出的电压激励信号，