有机发光显示装置的制造方法
【专利摘要】一种有机发光显示装置包括：在显示区处的多个像素；在虚设区处的多个虚设像素；以及被连接到多个虚设像素并可连接到多个像素的多条修复线，其中多个虚设像素中的每个包括：补偿电容元件；驱动晶体管，被配置为输出与被施加到驱动晶体管的栅电极的数据信号对应的驱动电流；以及连接部分，在补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极之间，并且被配置为基于被施加到连接部分的物理量将补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极彼此电连接或分离。
【专利说明】有机发光显不装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]此申请要求2015年I月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2015-0013548的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]一个或多个示例实施例涉及有机发光显示装置。
【背景技术】
[0004]在有机发光显示装置的制造过程期间，在像素(例如预定的像素)的像素电路中可能引起缺陷。在此情况下，具有缺陷的像素可能始终发光而不管扫描信号和数据信号，或者像素可能被显示为黑色。如上所述的始终发光的像素被认为是亮缺陷(或白点缺陷)，并且被显示为黑色的像素被认为是暗缺陷(或黑点缺陷)。此外，因为有机发光显示装置的像素中的复杂电路，可能难以通过修复具有缺陷的像素的像素电路来克服亮缺陷或暗缺陷。
[0005]在此【背景技术】部分中公开的上述信息仅用于增强对发明背景的理解，因此它可能包含不构成现有技术的信息。
【发明内容】
[0006]一个或多个示例实施例涉及有机发光显示装置，并且更具体地，涉及可以对其应用使用虚设像素的修复过程的有机发光显示装置。
[0007]—个或多个示例实施例包括其中具有缺陷的像素被修复以正常驱动像素的有机发光显示装置，其中所使用的虚设像素的电路结构的一部分在修复过程之后被修改，从而提尚图像质量。
[0008]另外的方面将部分地在随后的描述中提出，并且部分地将从描述显而易见，或者可以通过对所给出的实施例的实践而获悉。
[0009]根据一个或多个示例实施例，有机发光显示装置包括:在显示区处的多个像素；在虚设区处的多个虚设像素；以及被连接到多个虚设像素并可连接到多个像素的多条修复线，其中多个虚设像素的每个包括:补偿电容元件；驱动晶体管，被配置为输出与被施加到驱动晶体管的栅电极的数据信号对应的驱动电流；以及连接部分，在补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极之间，并且被配置为基于被施加到连接部分的物理量将补偿电容元件的第一电极和驱动晶体管的栅电极彼此电连接或电分离。
[0010]多个虚设像素中的每个可以进一步包括:发射控制晶体管，在被连接到多条修复线中的对应修复线的输出节点与驱动晶体管之间，并且根据发射控制信号被控制；电容控制晶体管，在输出节点与补偿电容元件的第二电极之间，并且根据发射控制信号被控制；以及电容元件初始化晶体管，在电容控制晶体管与初始化电压线之间，并且根据初始化控制信号被控制。
[0011]连接部分可以包括:被连接到补偿电容元件的第一电极的第一区域；以及被连接到驱动晶体管的栅电极的第二区域，其中第一区域和第二区域彼此电分离，并且通过使用激光可彼此电连接。
[0012]连接部分可以包括:被连接到补偿电容元件的第一电极的第一区域；以及被连接到驱动晶体管的栅电极的第二区域，其中第一区域和第二区域彼此电连接，并且通过使用激光可彼此电分离。
[0013]多个像素中的每个可以包括像素电路和被可分离地连接到像素电路的发光器件，并且多个虚设像素中的每个包括虚设电路。
[0014]多个像素中的一个可以包括缺陷像素，并且缺陷像素可以包括与缺陷像素的像素电路分离、并通过多条修复线中的对应修复线被连接到多个虚设像素中的对应虚设像素的虚设电路的发光器件。
[0015]多个像素可以包括第一像素和第二像素，并且多个虚设像素中的每个可以进一步包括:发射控制晶体管，在被连接到多条修复线中的对应修复线的输出节点与驱动晶体管之间，并且根据发射控制信号被控制；电容控制晶体管，在输出节点与补偿节点之间，并且根据发射控制信号被控制；电容元件初始化晶体管，在补偿节点与初始化电压线之间，并且根据初始化控制信号被控制；如果缺陷像素是第一像素，则连接部分可以被配置为基于被施加到所述连接部分的物理量将补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极彼此电分离，而如果缺陷像素是第二像素，则连接部分可以被配置为基于被施加到连接部分的物理量将补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极彼此电连接。
[0016]对应虚设像素的虚设电路可以被配置为通过对应修复线向缺陷像素的发光器件提供驱动电流。
[0017]根据一些示例实施例，有机发光显示装置包括:在显示区处的第一像素和第二像素；在虚设区处并包括补偿电容元件的虚设像素；以及被连接到虚设像素并可连接到第一像素和第二像素的修复线，其中虚设像素包括:驱动晶体管，被配置为输出与被施加到驱动晶体管的栅电极的数据信号对应的驱动电流；以及连接部分，在补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极之间，并且基于被施加到连接部分的物理量将补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极彼此电连接或电分离。
[0018]虚设像素可以进一步包括:发射控制晶体管，在被连接到修复线的输出节点与驱动晶体管之间，并且根据发射控制信号被控制；电容控制晶体管，在输出节点与补偿电容元件的第二电极之间，并且根据发射控制信号被控制；以及电容元件初始化晶体管，在电容控制晶体管与初始化电压线之间，并且根据初始化控制信号被控制。
[0019]连接部分可以包括:被连接到补偿电容元件的第一电极的第一区域；以及被连接到驱动晶体管的栅电极的第二区域，其中第一区域和第二区域彼此电分离，并且通过使用激光可彼此电连接。
[0020]连接部分可以包括:被连接到补偿电容元件的第一电极的第一区域；以及被连接到驱动晶体管的栅电极的第二区域，其中第一区域和第二区域彼此电连接，并且通过使用激光可彼此电分离。
[0021 ] 第一像素和第二像素中的每个可以包括像素电路和被可分离地连接到像素电路的发光器件，并且虚设像素可以包括虚设电路。
[0022]第一像素和第二像素中的一个可以包括缺陷像素，并且缺陷像素的发光器件可以与缺陷像素的像素电路分离并通过修复线被连接到虚设像素的虚设电路。
[0023]虚设像素可以进一步包括:发射控制晶体管，在被连接到修复线的输出节点与驱动晶体管之间，并且根据发射控制信号被控制；电容控制晶体管，在输出节点与补偿节点之间，并且根据发射控制信号被控制；电容元件初始化晶体管，在补偿节点与初始化电压线之间，并且根据初始化控制信号被控制；如果第一像素是缺陷像素，则连接部分可以被配置为基于被施加到所述连接部分的物理量将补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极彼此电分离，而如果第二像素是缺陷像素，则连接部分可以被配置为基于被施加到连接部分的物理量将补偿电容元件的第一电极与驱动晶体管的栅电极彼此电连接。
[0024]虚设像素的虚设电路可以被配置为通过修复线向缺陷像素的发光器件提供驱动电流。
【附图说明】
[0025]从结合附图对示例实施例的下述描述中，这些和/或其它方面将变得显而易见并更易于理解，附图中:
[0026]图1示意性示出根据本发明示例实施例的有机发光显示装置；
[0027]图2示意性示出根据示例实施例的图1中所示的显示单元；
[0028]图3是用于解释通过使用修复线修复图2所示的显示单元中的具有缺陷的像素的方法的图；
[0029]图4示意性示出与图2所示的显示单元类似的根据另一示例实施例的显示单元；
[0030]图5是示出根据本发明示例实施例的像素的电路图；
[0031]图6是示出根据本发明示例实施例的虚设像素的电路图；
[0032]图7是示出根据本发明另一示例实施例的虚设像素的电路图；
[0033]图8是示出根据本发明另一示例实施例的虚设像素的电路图；
[0034]图9是示出根据本发明另一示例实施例的虚设像素的电路图；以及
[0035]图10是示出根据本发明另一示例实施例的虚设像素的操作的时序图。
【具体实施方式】
[0036]下文将参考附图更详细地描述示例实施例，图中相同的附图标记始终指代相同的元件。然而，本发明可以以各种不同的形式体现，并且不应当被解释为仅限于本文所示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将全面和完整，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的方面和特征。因此，可能没有描述对于本领域普通技术人员完整理解本发明的方面和特征不是必需的过程、元件和技术。除非另外指出，贯穿附图和书面描述，相同的附图标记指代相同的元件，因此其描述将不重复。在图中，元件、层和区域的相对尺寸可能为了清楚被放大。
[0037]现在将更详细地参考附图中示出了其示例的示例实施例，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这方面，本示例实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中提出的描述。因此，下面仅通过参考图描述示例实施例来解释本说明书的各方面。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关联列出项的任意和所有组合。诸如“…中的至少一个”之类的表述当放在一列要素之前时修饰整列要素，而不修饰该列的单个要素。
[0038]因为本发明可以具有各种修改和若干实施例，所以示例实施例在图中示出并将被详细描述。方面、特征以及实现方面、特征的方法将参考在下面更详细描述的示例实施例连同附图来说明。然而，示例实施例可具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中提出的描述。
[0039]下面将参考附图更详细地描述本发明的示例实施例。相同或相对应的那些组件呈现相同的附图标记而不管图号，并且冗余解释被省略。
[0040]将理解，虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语限制。这些术语仅用来区分一个组件与另一个组件。除非在上下文中另有定义，单数表达包括复数表达。将进一步理解，在本文中使用的术语“包括”和/或“具有”指定存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征或组件。
[0041]为了易于解释，在本文中可能使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述一个元件或特征相对于另一个元件(其它元件)或特征(其它特征)的关系，如图中所示。将理解，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“下面”可以包括上方和下方两种方位。装置可被另外定向(例如旋转90度或者在其它方向)，并且本文使用的空间相对描述符应当相应地被解释。
[0042]将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。另外，将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
[0043]本文使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本发明。如本文所用，单数形式“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。将进一步理解，术语“包括”和“包含”当在此说明书中使用时表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关联列出项的任意和所有组合。诸如“…至少一个”之类的表述当放在一列要素之前时修饰整列要素，而不修饰该列的单个要素。
[0044]如本文所用，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似的术语，而不是作为程度的术语，并且旨在包括本领域普通技术人员公认的在测量或计算的值中的固有公差。进一步，当描述本发明的实施例时，使用“可以”指的是“本发明的一个或多个实施例”。如本文所用，术语“使用”和“被使用”可以被认为分别与术语“利用”和“被利用”同义。此外，术语“示例性”意指示例或图示。
[0045]根据本文中描述的本发明实施例的电子或电设备和/或任何其它相关设备或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如专用集成电路)、软件、或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些设备的各种组件可以被形成在一个集成电路(IC)芯片上或分离的IC芯片上。进一步，这些设备的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者被形成在一个基板上。进一步，这些设备的各种组件可以是进程或线程，该进程或线程在一个或多个计算设备中的一个或多个处理器上运行、执行计算机程序指令、并且与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统组件交互。计算机程序指令被存储在存储器中，存储器可利用标准存储器设备，诸如例如随机存取存储器(RAM)，被实现在计算设备中。计算机程序指令还可以被存储在其他的非临时性计算机可读介质中，诸如例如CD-ROM、闪存驱动器等。此外，本领域技术人员应认识到，各种计算设备的功能可以被组合或集成到单个计算设备中，或者特定计算设备的功能可以跨一个或多个其它计算设备分布，而不脱离本发明示例性实施例的精神和范围。
[0046]除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
[0047]图1示意性示出根据本发明示例实施例的有机发光显示装置100。
[0048]参考图1，有机发光显示装置100可包括显示单元110、栅驱动器120、源驱动器130、控制器140和电源单元150。栅驱动器120、源驱动器130、控制器140和电源单元150可以被形成在不同的半导体芯片上或单个的半导体芯片上。另外，栅驱动器120和/或源驱动器130可以被形成在与显示单元110相同的基板上。有机发光显示装置100可以是诸如智能电话、平板个人电脑、笔记本电脑、监视器或电视之类的电子设备的图像显示元件。
[0049]有源区(显示区)AA和虚设区DA可以被限定在显示单元110中。虚设区DA可被布置在或位于与有源区AA相邻的非显示区中。虚设区DA可被布置在或位于有源区AA的左侧和/或右侧。根据另一示例实施例，虚设区DA可被布置在或位于有源区AA的上方和/或下方。
[0050]被联接到在第一方向(例如行方向)上延伸的多条控制线CLl至CLn和在第二方向(例如列方向)上延伸的多条数据线DLl至DLm的多个像素P可以被布置在有源区AA中。在虚设区DA中，可以布置被分别联接到虚设数据线DDL和多条控制线CLl至CLn中的对应控制线(例如控制线CLi)的多个虚设像素DP。虚设像素DP可以在第二方向上被布置在虚设区DA中。
[0051]尽管控制线CLl至CLn在图1中被各自示出为单条信号线，控制线CLl至CLn中的每条可以包括多条信号线。例如，第一控制线CLl可以包括三条线，通过该三条线可以分别施加扫描信号GW、初始化控制信号GI和发射控制信号EM。
[0052]显示单元110可包括平行于控制线CLl至CLn延伸的多条修复线RLl至RLn。修复线RLl至RLn可以被连接到虚设像素DP，或者可被设置成可连接到像素P。
[0053]单元像素可以包括分别显示多种颜色的多个子像素，以显示各种颜色。在本说明书中，像素P主要是指单个子像素。然而，本发明的示例实施例不局限于此，并且像素P也可以指包括多个子像素的单元像素。也就是说，根据说明书，像素P可被理解为包括一个子像素或包括形成一个单元像素的多个子像素。这同样适用于虚设像素DP。例如，虚设像素DP可以被理解为包括一个虚设像素或包括与形成一个单元像素的子像素的数量对应的虚设子像素。如果一个虚设像素被理解为包括多个虚设子像素，那么被连接到该虚设像素的虚设数据线还包括被分别连接到多个虚设子像素的多条数据线。
[0054]在本说明书中，措辞“可连接的”或“可连接地”可以指示元件在修复过程中通过使用激光等是可连接的。例如，可以理解，当第一构件和第二构件被布置为彼此可连接时，第一构件和第二构件当前实际上并未彼此连接，但是可以在修复过程中彼此连接。从结构的角度看，彼此“可连接”的第一构件和第二构件可被布置为在重叠区域中彼此交叉，并且在第一构件和第二构件之间插入有绝缘层。当激光在修复过程中被照射到重叠区域时，重叠区域中的绝缘层被破坏，使得第一构件和第二构件被彼此电连接。
[0055]此外，在本说明书中，措辞“可分离的”或“可分离地”可以指示元件在修复过程中使用激光等是可分离的。例如，可以理解，当第一构件和第二构件可分离地连接时，第一构件和第二构件当前实际上彼此连接，但是可以在修复过程中彼此分离(或电隔离)。从结构的角度看，彼此可分离地连接的第一构件和第二构件可以被布置成通过使用导电连接构件彼此连接。当激光在修复过程中被照射到导电连接构件时，导电连接构件的激光照射到其上的一部分被熔化，使得导电连接构件被切断，并且第一构件和第二构件彼此电断开(或电隔离)。例如，导电连接构件可以包括可由激光熔化的硅层。作为另一示例，导电连接构件可通过由于电流而产生的焦耳热被熔化，从而被切断。
[0056]显示单元110可以包括可被连接到虚设数据线DDL并被布置为可连接到多条数据线DLl至DLm的连接线GL。连接线GL可以在第一方向上延伸。连接线GL可以被布置在有源区AA和虚设区DA的外部中的死空间中。死空间可以指显示单元110的没有布置像素P和虚设像素DP的区域。由于连接线GL被布置在死空间中，连接线GL可以具有大的设计余量。例如，为了减小电阻，连接线GL可以具有更大的宽度和/或厚度。多条连接线GL可以被布置在显示单元110中。
[0057]栅驱动器120可以经由多条控制线CLl至CLn将多个控制信号提供给像素P和虚设像素DP，并且源驱动器130可通过数据线DLl至DLm将数据信号提供给像素P。如图1所示，源驱动器130可以不直接连接到虚设数据线DDL。作为另一示例，源驱动器130可以被直接连接到虚设数据线DDL，从而将数据信号直接提供给虚设像素DP。
[0058]控制器140可控制栅驱动器120、源驱动器130和电源单元150。控制器140可以基于水平同步信号和垂直同步信号将用于控制栅驱动器120、源驱动器130和/或电源单元150的控制信号以及图像数据输出到栅驱动器120、源驱动器130和/或电源单元150。电源单元150可以向像素P和/或虚设像素DP施加第一电源电压ELVDD、第二电源电压ELVSS、第一初始化电压VINITl和第二初始化电压VINIT2。第一初始化电压VINITl可以被供应至像素P，并且第二初始化电压VINIT2可以被供应至虚设像素DP。第一初始化电压VINITl和第二初始化电压VINIT2可以是相同或不同的电压。
[0059]像素P可以包括发光器件和被可分离地连接到发光器件的像素电路。虚设像素DP可包括虚设电路。例如，如果图1中所示的像素P是有缺陷的像素，有缺陷的像素的发光器件可以从有缺陷的像素的像素电路分离，并且有缺陷的像素的发光器件可通过修复线RLl至RLn中的对应修复线RLi连接到虚设像素DP中的对应虚设像素DP。此外，数据线DLl至DLm中被连接到有缺陷的像素的数据线DLj可以经由连接线GL被连接到虚设数据线DDL。被施加到有缺陷的像素的数据信号通过数据线DLj、被连接到数据线DLj的连接线GL、以及被连接到连接线GL的虚设数据线DDL被施加到虚设像素DP。虚设像素DP生成与数据信号相对应的驱动电流，并经由修复线RLi将驱动电流供应至有缺陷的像素的发光器件。发光器件发射与数据信号对应的亮度的光。因此，有缺陷的像素的发光器件由于虚设像素DP而正常操作。
[0060]在说明书中，措辞“对应的”或“以与…对应”可根据上下文指示元件被布置在相同的列或行上。例如，当第一构件被连接到多个第二构件中的“对应的”第二构件时，可以指示第一构件被连接到布置在与第一构件相同的列或行上的第二构件。
[0061]图2示意性示出根据示例实施例的图1中所示的显示单元110。
[0062]参考图2，显示单元110可以包括经由发光显示图像的有源区AA和在有源区AA周边的虚设区DA。
[0063]被布置在有源区AA中的像素P可以包括像素电路C和通过从像素电路C接收驱动电流而发光的发光器件E。发光器件E与像素电路C可以彼此可分离地连接。像素电路C可以包括至少一个薄膜晶体管和至少一个电容元件。在本说明书中，电容元件可以指电容器。像素P可以发射单色光，并且可以发射红光、蓝光、绿光和白光中的一种。然而，本发明的示例实施例不限于此，并且像素P也可以发射除了红光、蓝光、绿光或白光之外的其他颜色的光。
[0064]像素P的发光器件E可以与相同行的修复线绝缘，并且可以在随后的修复过程中被电连接到该修复线。也就是说，像素P的发光器件E可以被布置为可连接至相同行的修复线。例如，发光器件E可以被电连接到第一连接构件11，并且第一连接构件11可以被形成为与修复线部分重叠，在第一连接构件11和修复线之间包括有绝缘层。第一连接构件11可以包括由导电材料形成的至少一个导电层。在修复过程中，当激光照射到第一连接构件11和修复线之间的重叠区域时，绝缘层被破坏，并且第一连接构件11和修复线被短路，从而彼此被电连接。因此，发光器件E可以被电连接到修复线。
[0065]根据图2的示例实施例，虚设区DA被布置在有源区AA的左侧，并且虚设像素DP被布置在每行上。被连接到虚设像素DP的虚设数据线DDL可以被布置在虚设区DA中。虚设数据线DDL可被布置为平行于数据线DLl至DLm。修复线RLl至RLn和控制线CLl至CLn也可以在虚设区DA中延伸。
[0066]虚设像素DP包括虚设电路DC，但不包括发光器件。虚设电路DC可以与像素电路C相同。根据另一示例实施例，虚设电路DC可以与像素电路C不同。例如，虚设电路DC可以是省略和/或添加了晶体管和/或电容元件的像素电路C，并且可以在晶体管和电容元件的尺寸和特性上不同。
[0067]连接线GL可以被布置在有源区AA和虚设区DA的外部中。连接线GL和数据线DLl至DLm彼此绝缘，并且连接线GL和数据线DLl至DLm中的一条可以在修复过程中彼此电连接。例如，数据线DLl至DLm可以被布置为与连接线GL的一部分重叠，在数据线DLl至DLm与连接线GL之间包括有绝缘层。当激光照射到被连接至有缺陷的像素的数据线与连接线GL之间的重叠区域时，绝缘层被破坏，使得数据线和连接线GL短路，并且被连接到有缺陷的像素的数据线和连接线GL彼此电连接。
[0068]图3是用于解释通过使用修复线修复图2所示的显示单元110中的具有缺陷的像素的方法的图。
[0069]在下文中，将描述例如当被形成于有源区AA中的多个像素P中的像素Pij的像素电路C具有缺陷时，缺陷产生在像素Pij中的示例实施例，其中像素Pij被连接到第i控制线CLi和第j数据线DLj。在本示例实施例中，像素Pij将被称作缺陷像素Pij。
[0070]参考图3，缺陷像素Pij的发光器件E可从像素电路C分离。例如，缺陷像素Pij的发光器件E可以通过向发光器件E和像素电路C之间的连接区域照射激光来切断连接区域，而从像素电路C分离。
[0071]接下来，缺陷像素Pij的发光器件E以及虚设像素DPi的虚设电路DC可以彼此电连接。为此，缺陷像素Pij的发光器件E可被连接到相同行的修复线RLi。例如，通过向被连接到缺陷像素Pij的发光器件E的第一连接构件11与相同行的修复线RLi之间的重叠区域照射激光，发光器件E可被电连接到修复线RLi。由于修复线RLi被连接到虚设电路DC,缺陷像素Pij的发光器件E可被连接到虚设像素DPi的虚设电路DC。
[0072]接下来，被连接到缺陷像素Pij的数据线DLj和虚设数据线DDL可以彼此电连接。为此，数据线DLj可以被连接到连接线GL。例如，数据线DLj和连接线GL可以通过向数据线DLj和连接线GL之间的重叠区域照射激光而彼此电连接。连接线GL被连接到虚设数据线DDL，因此数据线DLj和虚设数据线DDL可以彼此连接。
[0073]缺陷像素Pij的像素电路C和虚设像素DPi的虚设电路DC可同期(例如同时)响应于沿控制线CLi施加到相同扫描线的扫描信号。被连接到缺陷像素Pij的像素电路C的数据线DLj经由连接线GL被连接到虚设数据线DDL，因此，被施加到缺陷像素Pij的像素电路C的数据信号Dj也可以被施加到虚设像素DPi的虚设电路DC。虚设电路DC可生成与数据信号Dj对应的驱动电流Iij，并且可以通过修复线RLi将驱动电流Iij提供给缺陷像素Pij的发光器件E。缺陷像素Pij的发光器件E可以经由驱动电流Iij发射与数据信号Dj对应的亮度的光。因此，缺陷像素Pij可被修复成正常像素。
[0074]在本示例实施例中，由于虚设数据线DDL通过连接线GL被连接到数据线DLj，虚设数据线DDL不需要被另外驱动。因此，没有必要为了驱动虚设数据线DDL改变另一时序或源驱动器，并且可以使用驱动单元而不对其进行改变。
[0075]图4示意性示出与图2中所示的显示单元110相似的根据另一示例实施例的显示单元210。
[0076]参考图4，除了一些差异之外，显示单元210与图2中所示的显示单元110基本相似。这里，对相同元件的描述将被省略，并且描述将集中在差异上。另外，为了更容易理解本示例实施例，在图4中，正常像素P被省略而仅示出了缺陷像素BPa和BPb，并且控制线也被省略。
[0077]显示单元210可包括被布置在有源区AA的左侧的第一虚设区DAl和被布置在有源区AA的右侧的第二虚设区DA2。第一虚设数据线DDLl和被连接到第一虚设数据线DDLl的多个第一虚设像素(例如DPa)可以被布置在第一虚设区DAl中。第二虚设数据线DDL2和被连接到第二虚设数据线DDL2的多个第二虚设像素(例如DPb)可以被布置在第二虚设区DA2中。第一虚设区DAl和第二虚设区DA2可对应于图1的虚设区DA。
[0078]有源区AA可以被划分成第一有源区AAl和第二有源区AA2。被连接到第一虚设数据线DDLl的第一连接线GLl可以被布置在第一有源区AAl上方，并且被连接到第二虚设数据线DDL2的第二连接线GL2可以被布置在第二有源区AA2上方。第一连接线GLl和第二连接线GL2可以彼此绝缘。第一连接线GLl和第二连接线GL2也可以被布置在第一有源区AAl和第二有源区AA2下方。第一有源区AAl上的数据线DLa可以被布置为可连接到第一连接线GLl。第二有源区AA2上的数据线DLb可以被布置为可连接到第二连接线GL2。
[0079]显示单元210可以包括从第一虚设区DAl的第一虚设像素DPa延伸到第一有源区AAl的第一修复线(例如RLa)和从第二虚设区DA2的第二虚设像素DPb延伸到第二有源区AA2的第二修复线(例如RLb)。第一修复线RLa和第二修复线RLb可以彼此绝缘。
[0080]第一有源区AAl中的至少一个缺陷像素BPa可以通过使用第一修复线RLa、第一连接线GLl和第一虚设数据线DDLl来修复。被布置在相同行上的多个缺陷像素BPa可一起修复，而无需额外的连接线或额外的虚设数据线。第一有源区AAl的缺陷像素BPa的发光器件E可以从像素电路C分离，并且可以通过第一修复线RLa被连接到在相同行上的第一虚设像素DPa的虚设电路DC。被连接到缺陷像素BPa的数据线DLa可被连接到第一连接线GL1，并且被施加到数据线DLa的数据信号也可以被施加到虚设电路DC。虚设电路DC可生成与数据信号对应的驱动电流，且驱动电流可通过第一修复线RLa被提供给缺陷像素BPa的发光器件E，并且发光器件E可以基于驱动电流发光。
[0081]第二有源区AA2中的至少一个缺陷像素BPb可以通过使用第二修复线RLb、第二连接线GL2和第二虚设数据线DDL2来修复。第二有源区AA2的缺陷像素BPb的发光器件E可以从像素电路C分离，并且可以通过第二修复线RLb被连接到在相同行上的第二虚设像素DPb的虚设电路DC。被连接到缺陷像素BPb的数据线DLb可以被连接到第二连接线GL2，并且被施加到数据线DLb的数据信号也可以被施加到虚设电路DC。虚设电路DC可生成与数据信号对应的驱动电流，且驱动电流可通过第二修复线RLb被提供给缺陷像素BPb的发光器件E，并且发光器件E可以基于驱动电流发光。
[0082]根据本示例实施例，第一有源区AAl中的至少一个缺陷像素BPa和第二有源区AA2中的至少一个缺陷像素BPb可以被修复。此外，根据本示例实施例，甚至相同行上的两个缺陷像素可以被修复。
[0083]在上述实施例中，描述了其中相同行上的缺陷像素和虚设像素DP经由相同行上的修复线被连接的修复过程。然而，本发明的示例实施例不限于此，并且当不同行的缺陷像素和虚设像素DP通过被布置在与缺陷像素相同行上的修复线而彼此连接时，也可以应用修复过程。
[0084]图5是示出根据本发明示例实施例的像素P的电路图。
[0085]图5中所示的像素P是被包括在第η行中的像素P中的一个，并且可以被连接到与第η行对应的扫描线GWLn、第一初始化控制线GILn和发射控制线EMLn，以接收扫描信号Gff [η]、第一初始化控制信号GI [η]和发射控制信号ΕΜ[η]。像素P也可以通过与第η行对应的第二初始化控制线接收第二初始化控制信号GB [η]。
[0086]根据本示例实施例的显示装置的像素P可以包括像素电路C和作为被连接到像素电路C并发光的发光器件E的有机发光器件0LED。有机发光器件OLED可以包括像素电极(阳极)、对电极(阴极)以及在阳极和阴极之间的发射层。
[0087]像素电路C可以包括驱动晶体管Tl、开关晶体管Τ2、补偿晶体管Τ3、初始化晶体管Τ4、操作控制晶体管Τ5、发射控制晶体管Τ6、旁路晶体管Τ7和存储电容元件。存储电容元件可以是电容器，并且本说明书中的存储电容元件可被称为存储电容器Cst I。
[0088]驱动晶体管Tl的栅电极可以被连接到栅节点Ng。驱动晶体管Tl的源电极可以通过源节点Ns经过操作控制晶体管T5被连接到驱动电压线ELVDDL。驱动晶体管Tl的漏电极可以通过漏节点Nd经过发射控制晶体管T6被电连接到有机发光器件OLED的阳极。流到有机发光器件OLED的电流基于驱动晶体管Tl的栅电极和源电极之间的电压差来确定。流到有机发光器件OLED的电流量可确定有机发光器件OLED的发射程度。
[0089]开关晶体管T2的栅电极可以被连接到扫描线GWLn。开关晶体管T2的第一电极可以被连接到数据线DL，并且开关晶体管T2的第二电极可以被连接到驱动晶体管Tl的源电极。开关晶体管T2可以根据通过扫描线GWLn传送的扫描信号GW[n]导通，以将传送到数据线DL的数据信号DATA传送给驱动晶体管Tl的源电极，并且数据信号DATA可以经由与开关晶体管T2同期(例如同时)导通的补偿晶体管T3被传送给驱动晶体管Tl的栅电极。
[0090]补偿晶体管T3的栅电极可以被连接到扫描线GWLn。补偿晶体管T3的第一电极可以被连接到驱动晶体管Tl的漏电极，并且补偿晶体管T3的第二电极可以被连接到栅节点Ng0补偿晶体管T3可以根据通过扫描线GWLn传送的扫描信号GW[n]导通，以将驱动晶体管Tl的栅电极和漏电极彼此连接，从而二极管式连接驱动晶体管Tl并补偿驱动晶体管Tl的阈值电压Vth。
[0091]初始化晶体管T4的栅电极可以被连接到第一初始化控制线GILn。初始化晶体管T4的第一电极可以被连接到初始化电压线IL，并且初始化晶体管T4的第二电极可被连接到栅节点Ng。初始化晶体管T4可根据从第一初始化控制线GILn施加的第一初始化控制信号GI [η]导通，以将初始化电压VINIT传送给栅节点Ng，从而初始化栅节点Ng。初始化电压VINIT可以被设置为第二电源电压ELVSS或比第二电源电压ELVSS高的电压。
[0092]操作控制晶体管T5的栅电极可以被连接到发射控制线EMLn。操作控制晶体管T5的第一电极可以被连接到驱动电压线ELVDDL，并且操作控制晶体管T5的第二电极可以被连接到驱动晶体管Tl的源电极。
[0093]发射控制晶体管T6的栅电极可以被连接到发射控制线EMLn。发射控制晶体管T6的第一电极可以被连接到驱动晶体管Tl的漏电极，并且发射控制晶体管T6的第二电极可以经由输出节点No被电连接到有机发光器件OLED的阳极。操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以根据从发射控制线EMLn施加的发射控制信号EM[n]同期(例如同时)导通，使得第一电源电压ELVDD被施加到驱动晶体管Tl，并且驱动电流可以流到有机发光器件 OLED0
[0094]旁路晶体管T7的栅电极可以被连接到第二初始化控制线。旁路晶体管T7的第一电极可以经由输出节点No被连接到有机发光器件OLED的阳极，并且旁路晶体管T7的第二电极可以被连接到初始化电压线IL。旁路晶体管T7可以由从第二初始化控制线施加的第二初始化控制信号GB[n]导通，以初始化有机发光器件OLED的阳极。第二初始化控制信号GB[η]可以与第一初始化控制信号GI [η]相同或不同。
[0095]存储电容器Cstl可被连接在驱动电压线ELVDDL与栅节点Ng之间。驱动电压线ELVDDL和栅节点Ng之间的电压差可被存储在存储电容器Cstl中。
[0096]有机发光器件OLED的阳极可被连接到修复线RLn，并可从像素电路C分离。有机发光器件OLED的阴极可以被连接到从其施加第二电源电压ELVSS的第二电源。有机发光器件OLED可从驱动晶体管Tl接收驱动电流，从而发光并显示图像。第一电源电压ELVDD可以是高电平电压(例如预定的高电平电压)，并且第二电源电压ELVSS可以低于第一电源电压ELVDD或是接地电压。
[0097]在下文中，将描述像素P的操作。在初始化周期中，低电平的第一初始化控制信号GI [η]可通过第一初始化控制线GILn被供应至初始化晶体管Τ4，并且低电平的第二初始化控制信号GB[n]可通过第二初始化控制线被供应至旁路晶体管T7。结果，初始化晶体管Τ4和旁路晶体管Τ7可以被分别导通。从初始化电压线IL供应的初始化电压VINIT可以通过初始化晶体管Τ4被传送给驱动晶体管Tl的栅电极，并且可以通过旁路晶体管Τ7被传送给有机发光器件OLED的阳极。因此，驱动晶体管Tl的栅电极和有机发光器件OLED的阳极的电压可以被初始化。
[0098]其后，在数据写入周期中，低电平的扫描信号GW[n]可通过扫描线GWLn被供应，并且开关晶体管T2和补偿晶体管T3可以被导通。开关晶体管T2可以将来自数据线DL的数据信号DATA传送到驱动晶体管Tl的源电极，并且驱动晶体管Tl可以经由补偿晶体管T3被二极管式连接。然后，通过从数据信号DATA减去驱动晶体管Tl的阈值电压所得到的补偿电压可以被施加给驱动晶体管Tl的栅电极。
[0099]第一电源电压ELVDD和补偿电压可被分别施加到存储电容器Cst I的两端，并且与存储电容器Cstl的两端之间的电压差对应的电荷可被存储在存储电容器Cstl中。
[0100]然后，在发射周期中，通过发射控制线EMLn供应的发射控制信号EM[n]可以从高电平改变到低电平，并且操作控制晶体管T5和发射控制晶体管T6可以被导通。然后，根据驱动晶体管Tl的栅电极和第一电源电压ELVDD之间的差的驱动电流可以被生成，并且由于驱动电流通过发射控制晶体管T6被供应至有机发光器件0LED，从而发光。
[0101]图6是示出根据本发明示例实施例的虚设像素DPl的电路图。
[0102]图6中所示的虚设像素DPl可以是位于第η行的虚设像素。虚设像素DPl可以被连接到与第η行对应的扫描线GWLn、第一初始化控制线GILn和发射控制线EMLn，以分别接收第η个扫描信号GW[η]、第η个第一初始化控制信号GI [η]和第η个发射控制信号EM[η]。
[0103]虚设像素DPl可包括虚设电路DCl，并且虚设电路DCl可以包括驱动晶体管DTl、开关晶体管DT2、补偿晶体管DT3、初始化晶体管DT4、操作控制晶体管DT5、发射控制晶体管DT6、电容控制晶体管DT7、电容元件初始化晶体管DT8、存储电容元件和补偿电容元件。存储电容元件和补偿电容元件可以是电容器，并且在本说明书中，存储电容元件可被称为存储电容器Cst2，而补偿电容元件可被称为补偿电容器Ccomp。虚设电路DCl的元件可以与像素电路C的元件在尺寸和电容上不同。
[0104]除了一些差异之外，虚设像素DPl的虚设电路DCl与图5中所示的像素P的像素电路C类似或几乎相同。因此，对一些相同元件的描述将被省略，并且描述将集中在差异上。
[0105]电容控制晶体管DT7的栅电极可以被连接到发射控制线EMLn，以接收发射控制信号EM[n]。电容控制晶体管DT7的第一电极可以通过输出节点DNo被连接到修复线RLn，并且电容控制晶体管DT7的第二电极可以被连接到补偿节点DNc。电容控制晶体管DT7可以根据发射控制信号EM[n]导通，以将被存储在补偿电容器Ccomp中的能量供应至修复线RLn0
[0106]电容元件初始化晶体管DT8的栅电极可以被连接到第二初始化控制线，以接收第二初始化控制信号GB [η]。电容元件初始化晶体管DT8的第一电极可以被连接到补偿节点DNc，并且电容元件初始化晶体管DT8的第二电极可以被连接到初始化电压线IL。电容元件初始化晶体管DT8可以根据第二初始化控制信号GB[η]导通，以将初始化电压VINIT供应至补偿电容器Ccomp，使得与第一电源电压ELVDD和初始化电压VINIT之间的差对应的电荷量被存储在补偿电容器Ccomp中。
[0107]第一电源电压ELVDD和补偿节点DNc的电压可以被施加到补偿电容器Ccomp的两端，并且与补偿电容器Ccomp的两端之间的电压差对应的电荷可以被存储在补偿电容器Ccomp 中。
[0108]虚设像素DPl可以不包括发光器件E。然而，虚设像素DPl可以根据设计包括发光器件。当虚设像素DPl包括发光器件时，发光器件可以实际上不发光，而是用作电路元件。例如，发光器件可以用作被包括在虚设像素中的电容器。
[0109]在下文中，将描述虚设像素DPl的操作。在初始化周期中，低电平的第一初始化控制信号GI [η]可通过第一初始化控制线GILn被供应至初始化晶体管DT4，并且低电平的第二初始化控制信号GB[n]可通过第二初始化控制线被供应至电容元件初始化晶体管DT8。结果，初始化晶体管DT4和电容元件初始化晶体管DT8可以被分别导通。从初始化电压线IL供应的初始化电压VINIT可以通过初始化晶体管DT4被传送到驱动晶体管DTl的栅电极，并可以通过电容元件初始化晶体管DT8被传送到补偿节点DNc。因此，驱动晶体管DTl的栅电极的电压可以被初始化，并且与第一电源电压ELVDD和初始化电压VINIT之间的差对应的电荷量可以被充入补偿电容器Ccomp中。
[0110]此后，在数据写入周期中，低电平的扫描信号GW[n]可通过扫描线GWLn被供应，并且开关晶体管DT2和补偿晶体管DT3可以被导通。开关晶体管DT2可以将来自虚设数据线DDL的数据信号DATA传送到驱动晶体管DTl的源电极，并且驱动晶体管DTl可以经由补偿晶体管DT3被二极管式连接。然后，通过从数据信号DATA减去驱动晶体管DTl的阈值电压所得到的补偿电压可以被施加给驱动晶体管DTl的栅电极。
[0111]第一电源电压ELVDD和补偿电压可被分别施加到存储电容器Cst2的两端，并且与存储电容器Cst2的两端之间的电压差对应的电荷可被存储在存储电容器Cst2中。
[0112]然后，在发射周期中，通过发射控制线EMLn供应的发射控制信号EM[n]可以从高电平改变到低电平，并且操作控制晶体管DT5和发射控制晶体管DT6可被导通。然后，根据驱动晶体管DTl的栅电极和第一电源电压ELVDD之间的差的驱动电流可以被生成，并且驱动电流通过发射控制晶体管DT6沿修复线RLn被供应至有机发光器件OLED。缺陷像素的被供应至有机发光器件OLED的电流可以通过被存储在补偿电容器Ccomp中的能量增加或减少。也就是说，当发射控制信号EM[n]从高电平改变为低电平时，电容控制晶体管DT7可以被导通，并且由于充入补偿电容器Ccomp中的电荷量所引起的能量可以被供应至输出节点DNo，且由于该能量供应所引起的输出节点DNo的电位的变化可以改变通过修复线RLn供应的电流量。
[0113]被形成在有源区AA中的像素P可以根据像素类型具有不同的电特性。例如，可以假设像素P包括第一像素和第二像素。在第一像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此远离，使得在栅节点Ng和阳极之间不生成电容或生成相对小的电容，而在第二像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此接近，使得在栅节点Ng和阳极之间生成相对大的电容。在此情况下，如果第一像素中的一个是缺陷像素，通过缺陷像素的像素电路C供应的驱动电流可以与在修复过程之后通过虚设电路DC供应的驱动电流几乎相同。然而，如果第二像素中的一个是缺陷像素，通过缺陷像素的像素电路C供应的驱动电流可以与在修复过程之后通过虚设电路DC供应的驱动电流不同。因此，如果修复过程对被包括在第二像素中的像素执行，则在高灰度级图像中可能引起壳缺陷O
[0114]图7是示出根据本发明另一示例实施例的虚设像素DP2的电路图。
[0115]除了一些差异之外，图7中所示的虚设像素DP2的虚设电路DC2与图6中所示的虚设像素DPl的虚设电路DCl几乎相同。因此，对相同元件的描述将被省略，并且描述将集中在差异上。
[0116]虚设电路DC2可包括驱动晶体管DTl、开关晶体管DT2、补偿晶体管DT3、初始化晶体管DT4、操作控制晶体管DT5、发射控制晶体管DT6、电容控制晶体管DT7、电容元件初始化晶体管DT8、存储电容元件、第二补偿电容元件以及连接部分。
[0117]存储电容元件和第二补偿电容元件可以是电容器，并且在本说明书中，存储电容元件可被称为存储电容器Cst2，而第二补偿电容元件可以被称为第二补偿电容器Ccomp2。第二补偿电容器Ccomp2和连接部分可以被串联连接在栅节点DNg和补偿节点DNc之间。例如，连接部分的第一电极可以被连接到栅节点DNg，并且连接部分的第二电极可以被连接到第二补偿电容器Ccomp2的第一电极，且第二补偿电容器Ccomp2的第二电极可以被连接到补偿节点DNc。在此情况下，第二补偿电容器Ccomp2的电容可以与被形成在有源区AA中的像素P的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极之间生成的电容对应。
[0118]虚设电路DC2可包括第一补偿电容元件。第一补偿电容元件可以是电容器，并且第一补偿电容元件可在本说明书中被称作第一补偿电容器Ccomp I ο第一电源电压ELVDD和补偿节点DNc的电压可被分别施加到第一补偿电容器Ccompl的两端，并且与第一补偿电容器Ccompl的两端之间的电压差对应的电荷可被存储在第一补偿电容器Ccompl中。
[0119]连接部分可以被用来基于被施加到连接部分的物理量将第二补偿电容器Ccomp2的第一电极和栅节点DNg彼此电连接或分离。例如，连接部分可以是其中其第一电极和第二电极彼此电分离的连接元件S0，并且当物理量通过使用激光等被施加到第一电极和第二电极时，第一电极和第二电极彼此连接。
[0120]在下文中，将描述虚设像素DP2的操作。在初始化周期中，低电平的第一初始化控制信号GI [η]可通过第一初始化控制线GILn被供应至初始化晶体管DT4，并且低电平的第二初始化控制信号GB[n]可通过第二初始化控制线被供应至电容元件初始化晶体管DT8。结果，初始化晶体管DT4和电容元件初始化晶体管DT8可以被分别导通。从初始化电压线IL供应的初始化电压VINIT可以通过初始化晶体管DT4被传送给驱动晶体管DTl的栅电极，并且可以通过电容元件初始化晶体管DT8被传送到补偿节点DNc。因此，驱动晶体管DTl的栅电极可以被初始化，并且与第一电源电压ELVDD和初始化电压VINIT之间的差对应的电荷量可以被充入第一补偿电容器Ccompl中。
[0121]随后，在数据写入周期中，低电平的扫描信号GW[η]可通过扫描线GWLn被供应，并且开关晶体管DT2和补偿晶体管DT3可以被导通。开关晶体管DT2可将来自虚设数据线DDL的数据信号DATA传送到驱动晶体管DTl的源电极，并且驱动晶体管DTl可以经由补偿晶体管DT3被二极管式连接。然后，通过从数据信号DATA减去驱动晶体管DTl的阈值电压所得到的补偿电压可以被施加给驱动晶体管DTl的栅电极。
[0122]第一电源电压ELVDD和补偿电压可被分别施加到存储电容器Cst2的两端，并且与存储电容器Cst2的两端之间的电压差对应的电荷可被存储在存储电容器Cst2中。
[0123]然后，在发射周期中，通过发射控制线EMLn供应的发射控制信号EM[n]可以从高电平改变到低电平，并且操作控制晶体管DT5和发射控制晶体管DT6可被导通。然后，根据驱动晶体管DTl的栅电极和第一电源电压ELVDD之间的差的驱动电流可以被生成，并且驱动电流通过发射控制晶体管DT6沿修复线RLn被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED。
[0124]被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED的电流可以通过被存储在第一补偿电容器Ccompl中的能量增加或减少。也就是说，当发射控制信号EM[n]从高电平改变为低电平时，电容控制晶体管DT7可以被导通，并且由于充入第一补偿电容器Ccompl中的电荷量所引起的能量可以被供应至输出节点DNo，且由于该能量供应所引起的输出节点DNo的电位的变化可以改变通过修复线RLn供应的电流量。
[0125]此外，被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED的电流可以基于连接元件SO的状态通过被充入第二补偿电容器Ccomp2的能量增加或减少。如果没有特定的物理量被施加到连接元件S0，因而连接元件SO的第一电极和第二电极彼此电分离，则第二补偿电容器Ccomp2可以不影响通过修复线RLn供应的电流量。
[0126]此外，当激光被施加到连接元件SO的第一电极和第二电极以电连接连接元件SO的第一电极和第二电极时，由于充入第二补偿电容器Ccomp2的电荷量所引起的能量在电容控制晶体管DT7被导通时可以被供应至输出节点DNo，并且通过修复线RLn供应的电流量可以因输出节点DNo的电位由于该能量供应所引起的变化而改变。
[0127]在修复过程后流到缺陷像素的有机发光器件OLED的电流量可以通过使用图7中所示的虚设电路DC2通过改变连接部分的形状或通过修复信号来调整。
[0128]例如，可以假设像素P包括第一像素和第二像素。在第一像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此远离，使得在栅节点Ng和阳极之间不生成电容或生成相对小的电容，而在第二像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此接近，使得在栅节点Ng和阳极之间生成相对大的电容。
[0129]如果第一像素中的一个是缺陷像素，虚设电路DC2可以被配置成使得连接元件SO的第一电极和第二电极开路。此外，如果第二像素中的一个是缺陷像素，虚设电路DC2可以被配置成使得连接元件SO的第一电极和第二电极短路。结果，不管向第一像素和第二像素中的哪个像素应用修复过程，通过对应像素的像素电路C供应的驱动电流可以与在修复过程后通过虚设电路DC2供应的驱动电流几乎相同。
[0130]图8是示出根据本发明另一示例实施例的虚设像素DP3的电路图。
[0131]除了一些差异之外，图8中所示的虚设像素DP3的虚设电路DC3与图7中所示的虚设像素DP2的虚设电路DC2相似或几乎相同。因此，对相同元件的描述将被省略，并且描述将集中在差异上。
[0132]虚设电路DC3可包括驱动晶体管DTl、开关晶体管DT2、补偿晶体管DT3、初始化晶体管DT4、操作控制晶体管DT5、发射控制晶体管DT6、电容控制晶体管DT7、电容元件初始化晶体管DT8、存储电容元件、第一补偿电容元件、第二补偿电容元件以及连接部分。
[0133]存储电容元件、第一补偿电容元件和第二补偿电容元件可以是电容器，并且在本说明书中，存储电容元件可被称为存储电容器Cst2，而第一补偿电容元件可被称为第一补偿电容器Ccompl，并且第二补偿电容元件可以被称为第二补偿电容器Ccomp2。在此情况下，第二补偿电容器Ccomp2的电容可以与被形成在有源区AA中的像素P的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极之间生成的电容对应。
[0134]连接部分可以被用来基于被施加到连接部分的物理量将第二补偿电容器Ccomp2的第一电极和栅节点DNg彼此电连接或分离。例如，连接部分可以是其中其第一电极和第二电极彼此电连接的连接元件S0，并且当物理量通过使用激光等被施加到第一电极和第二电极时，第一电极和第二电极被彼此分离。例如，连接部分可以是多晶硅电阻器PR。在此情况下，如果没有施加特定的物理量，为多晶硅电阻器PR的两端的第一电极和第二电极被彼此电连接。然而，通过使用激光加热多晶硅电阻器PR，多晶硅电阻器PR可以被切断，以将多晶硅电阻器PR的第一电极和第二电极彼此电分离。
[0135]在通过发射控制线EMLn供应的发射控制信号EM[n]从高电平改变为低电平之前图8的虚设像素DP3的操作与图7的虚设像素DP2的操作相同，因此，在本文中将描述之后的操作。在发射周期中，通过发射控制线EMLn供应的发射控制信号EM[n]可以从高电平改变到低电平，并且操作控制晶体管DT5和发射控制晶体管DT6可以被导通。然后，根据驱动晶体管DTl的栅电极的电压和第一电源电压ELVDD之间的差的驱动电流可以被生成，并且驱动电流通过发射控制晶体管DT6沿修复线RLn被供应至缺陷像素的有机发光器件0LED。
[0136]被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED的电流可以通过被存储在第一补偿电容器Ccompl中的能量增加或减少。也就是说，当发射控制信号EM[n]从高电平改变为低电平时，电容控制晶体管DT7可以被导通，并且由于充入第一补偿电容器Ccompl中的电荷量所引起的能量可以被供应至输出节点DNo，且由于该能量供应所引起的输出节点DNo的电位的变化可以改变通过修复线RLn供应的电流量。
[0137]此外，被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED的电流可以基于多晶硅电阻器PR的连接状态通过充入第二补偿电容器Ccomp2中的能量增加或减少。如果没有特定的物理量被施加到多晶硅电阻器PR，因而多晶硅电阻器PR的第一电极和第二电极彼此电连接，则充入第二补偿电容器Ccomp2中的电荷量在电容控制晶体管DT7被导通时可以被供应至输出节点DNo，并且通过修复线RLn供应的电流量可以因输出节点DNo的电位由于该能量供应所引起的变化而改变。另一方面，如果激光被照射到多晶硅电阻器PR的第一电极和第二电极以将多晶硅电阻器PR的第一电极和第二电极电分离，第二补偿电容器Ccomp2可以不影响通过修复线RLn供应的电流量。
[0138]在修复过程后流到缺陷像素的有机发光器件OLED的电流量可以通过使用图8中所示的虚设电路DC3通过改变连接部分的形状或通过修复信号来调整。例如，可以假设像素P包括第一像素和第二像素。在第一像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此远离，使得在栅节点Ng和阳极之间不生成电容或生成相对小的电容，而在第二像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此接近，使得在栅节点Ng和阳极之间生成相对大的电容。如果第一像素中的一个是缺陷像素，虚设电路DC3可以被配置成使得多晶硅电阻器PR的第一电极和第二电极开路。此外，如果第二像素中的一个是缺陷像素，虚设电路DC3可以被配置成使得多晶硅电阻器PR的第一电极和第二电极短路。结果，不管向第一像素和第二像素中的哪个像素应用修复过程，通过对应像素的像素电路C供应的驱动电流可以与在修复过程后通过虚设电路DC3供应的驱动电流几乎相同。
[0139]图9是示出根据本发明另一示例实施例的虚设像素DP4的电路图。
[0140]除了一些差异之外，图9中所示的虚设像素DP4的虚设电路DC4与图7中所示的虚设像素DP2的虚设电路DC2几乎相同。因此，对相同元件的描述将被省略，并且描述将集中在差异上。
[0141]虚设电路DC4可包括驱动晶体管DTl、开关晶体管DT2、补偿晶体管DT3、初始化晶体管DT4、操作控制晶体管DT5、发射控制晶体管DT6、第一电容控制晶体管DT7、电容元件初始化晶体管DT8、第二电容控制晶体管DT9、第三电容控制晶体管DT10、存储电容元件、第一补偿电容元件、第二补偿电容元件、以及保持电容元件。存储电容元件、第一补偿电容元件、第二补偿电容元件和保持电容元件可以是电容器，并且在本说明书中，存储电容元件可被称为存储电容器Cst2，而第一补偿电容元件可被称为第一补偿电容器Ccompl，并且第二补偿电容元件可被称为第二补偿电容器Ccomp2，且保持电容元件可被称为保持电容器Chold0在此情况下，第二补偿电容器Ccomp2的电容可以与被形成在有源区AA中的像素P的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极之间生成的电容对应。
[0142]第二补偿电容器Ccomp2和第二电容控制晶体管DT9可以被串联连接在栅节点DNg和第一补偿节点DNcl之间。例如，第二补偿电容器Ccomp2的第一电极可以被连接到栅节点DNg，并且第二补偿电容器Ccomp2的第二电极可以被连接到第二电容控制晶体管DT9的第一电极，且第二电容控制晶体管DT9的第二电极可以被连接到第一补偿节点DNcl。第二电容控制晶体管DT9的栅电极可以接收第二补偿节点DNc2的电压。
[0143]第三电容控制晶体管DTlO的栅电极可以被连接到扫描线GWLn，以接收扫描信号Gff [η]。第三电容控制晶体管DTlO的第一电极可以被连接到修复信号REP通过其被供应的线，并且第三电容控制晶体管DTlO的第二电极可被连接到第二补偿节点DNc2。
[0144]第一电源电压ELVDD和第二补偿节点DNc2的电压可被分别施加到保持电容器Chold的两端，并且与保持电容器Chold的两端之间的电压差对应的电荷可被存储在保持电容器Chold中。
[0145]在通过发射控制线EMLn供应的发射控制信号EM[n]从高电平改变为低电平之前图9的虚设像素DP4的操作与图7的虚设像素DP2的操作相同，因此在本文中将描述之后的操作。在发射周期中，通过发射控制线EMLn供应的发射控制信号EM[n]可以从高电平改变到低电平，并且操作控制晶体管DT5和发射控制晶体管DT6可以被导通。
[0146]然后，根据驱动晶体管DTl的栅电极和第一电源电压ELVDD之间的电压差的驱动电流可以被生成，并且驱动电流可以通过发射控制晶体管DT6沿修复线RLn被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED。被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED的电流可以通过被存储在第一补偿电容器Ccompl中的能量增加或减少。
[0147]也就是说，当发射控制信号EM[n]从高电平改变为低电平时，第一电容控制晶体管DT7可以被导通，并且由于充入第一补偿电容器Ccompl中的电荷量所引起的能量可以被供应至输出节点DNo，且由于该能量供应所引起的输出节点DNo的电位的变化可以改变通过修复线RLn供应的电流量。此外，被供应至缺陷像素的有机发光器件OLED的电流可以基于第二电容控制晶体管DT9的状态通过充入第二补偿电容器Ccomp2中的能量增加或减少。
[0148]也就是说，如果第二补偿节点DNc2的电压是高电平，高电平的电压可以被供应至第二电容控制晶体管DT9的栅电极，并且第二补偿电容器Ccomp2可以不影响通过修复线RLn供应的电流量。
[0149]此外，如果第二补偿节点DNc2的电压是低电平，低电平的电压可以被供应至第二电容控制晶体管DT9的栅电极，并且第二电容控制晶体管DT9可以被导通。结果，由于充入第二补偿电容器Ccomp2中的电荷量所引起的能量可以被供应至输出节点DNo，并且通过修复线RLn供应的电流量可以因输出节点DNo的电位由于该能量供应所引起的变化而改变。影响第二电容控制晶体管DT9导通的第二补偿节点DNc2的电压电平可以基于修复信号REP确定。
[0150]在修复过程后流到缺陷像素的有机发光器件OLED的电流量可以通过使用图9中所示的虚设电路DC4通过改变连接部分的形状或通过修复信号来调整。例如，可以假设像素P包括第一像素和第二像素。在第一像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此远离，使得在栅节点Ng和阳极之间不生成电容或生成相对小的电容，而在第二像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此接近，使得在栅节点Ng和阳极之间生成相对大的电容。
[0151]如果第一像素中的一个是缺陷像素，修复信号REP可以被设置成高电平信号，并且相应地，修复信号REP可以被设置为使得第二电容控制晶体管DT9总是截止。此外，如果第二像素中的一个是缺陷像素，每当与缺陷像素对应的图像数据被输出时修复信号REP可以被设置成具有低电平，使得第二电容控制晶体管DT9在每个对应的时刻被导通。结果，不管向第一像素和第二像素中的哪个像素应用修复过程，通过对应像素的像素电路C供应的驱动电流可以与在修复过程后通过虚设电路DC4供应的驱动电流几乎相同。
[0152]图10是示出根据图7至图9的示例实施例的虚设像素的操作的时序图。
[0153]参考图10，在当发射控制信号EM[n]从低电平转变到高电平的第一时间TMl和当发射控制信号EM[n]从高电平转变到低电平的第五时间TM5之间，扫描信号GW[n]、第一初始化控制信号GI[n]和第二初始化控制信号GB[η]可被转变数次，并且缺陷像素的阳极(有源阳极)、修复线RLn被连接到其上的输出节点DNo、补偿节点DNc、以及栅节点DNg的电压电平可以被改变。
[0154]首先，在第一时间TM1，发射控制信号EM[n]从低电平转变到高电平，以便开始其中有机发光器件OLED不发光的周期。
[0155]接着，在第二时间TM2，第一初始化控制信号GI [η]和第二初始化控制信号GB [η]从高电平转变到低电平，以便将驱动晶体管DTl的栅电极和补偿节点DNc初始化成初始化电压VINIT。接着，在第三时间ΤΜ3，第一初始化控制信号GI [η]和第二初始化控制信号GB [η]可从低电平转变到高电平。第一初始化控制信号GI [η]和第二初始化控制信号GB [η]在第二时间ΤΜ2和第三时间ΤΜ3的改变可以被重复数次。
[0156]例如，第一初始化控制信号GI [η]和第二初始化控制信号GB[n]在第二时间TM2从高电平到低电平的转变也可以发生在第四时间TM4。这里，由于缺陷像素的阳极(有源阳极)的电压电平的下降所引起的耦合效应可能引起修复线RLn的电压电平的下降(-ABoostV)。另外，当第二初始化控制信号GB[n]从高电平转变到低电平时，由于第二初始化控制线的电压电平的下降所引起的耦合效应可能引起修复线的电压电平的下降(-AGBC)，而当第二初始化控制信号GB[n]从低电平转变到高电平时，由于第二初始化控制线的电压电平的上升所引起的耦合效应可能引起修复线RLn的电压电平的上升(Δ GBC)ο
[0157]接下来，在第五时间TM5，发射控制信号EM[n]可以从高电平转变到低电平，并且发射周期可以开始。这里，缺陷像素的阳极(有源阳极)的电位可通过与数据电压对应的电压而增加。由于充入第一补偿电容器Ccompl中的电荷量所引起的能量可以被供应至输出节点DNo，并且相应地，可以生成修复线RLn的电压电平的上升(Δ Compl)。此外，当第二补偿电容器Ccomp2的第一电极和驱动晶体管DTl的栅电极彼此电连接时，由于充入第二补偿电容器Ccomp2中的电荷量所引起的能量可以被供应至输出节点DNo，并且相应地，可以生成修复线RLn的电压电平的上升(△ Comp2)。
[0158]因此，通过修复线RLn输出的电流量可基于对其应用修复过程的缺陷像素的电路结构来调整。例如，可以假设像素P包括第一像素和第二像素，并且在第一像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此远离，使得在栅节点Ng和阳极之间不生成电容或生成相对小的电容，而在第二像素中，每个像素的栅节点Ng和有机发光器件OLED的阳极可以在物理上彼此接近，使得在栅节点Ng和阳极之间生成相对大的电容。
[0159]如果第一像素中的一个是缺陷像素，则虚设电路可以被设置成使得第二补偿电容器Ccomp2的第一电极和驱动晶体管DTl的栅电极彼此电分离，因此第二补偿电容器Ccomp2可以不影响修复线RLn的电压电平。另外，如果第二像素中的一个是缺陷像素，虚设电路可以被设置成使得第二补偿电容器Ccomp2的第一电极和驱动晶体管DTl的栅电极彼此电连接，因此，由于充入第二补偿电容器Ccomp2中的电荷量所引起的能量被供应至输出节点DNo，以便生成修复线RLn的电压电平的上升(Δ Comp2)。
[0160]结果，假定图像数据是相同的，在其中布置了根据本发明示例实施例的虚设像素DP的有机发光显示装置100可以在不应用修复过程、修复过程被应用到第一像素中的一个或者修复过程被应用到第二像素中的一个的任何情况下，保持输出到有机发光器件OLED的电流的量。
[0161]在描述发明的上下文中(特别是在所附权利要求的上下文中)使用术语“一个”和“该”及类似指代被解释为涵盖单数和复数两者。此外，除非本文中另外指出，本文中值的范围的列举仅旨在用作分别引用落入该范围内的每个单独值的速记方法，且每个单独值如本文单独列举的一样被并入说明书中。
[0162]最后，除非在本文中另外指出或者与上下文明显矛盾，可以以任何合适的顺序执行在本文中描述的所有方法的步骤。使用本文提供的任何和所有示例或示例语言(例如“诸如”)仅旨在更好地阐明发明，而不是构成对发明范围的限制，除非另有要求。许多修改和调整对本领域技术人员将是容易显而易见的，而不脱离本发明的精神和范围。
[0163]应当理解，本文中描述的示例实施例应该仅在描述意义上被考虑，而不是用于限制的目的。对各示例实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他示例实施例中的其他相似特征或方面。
[0164]尽管已经参考图描述了一个或多个示例实施例，本领域普通技术人员将理解，可以在本文中对形式和细节进行各种改变，而不脱离由所附权利要求及其等同物所限定的精神和范围。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置，包括: 在显示区处的多个像素； 在虚设区处的多个虚设像素；和 被连接到所述多个虚设像素并可连接到所述多个像素的多条修复线， 其中所述多个虚设像素中的每个包括: 补偿电容元件； 驱动晶体管，被配置为输出与被施加到所述驱动晶体管的栅电极的数据信号对应的驱动电流；和 连接部分，在所述补偿电容元件的第一电极与所述驱动晶体管的所述栅电极之间，并且被配置为基于被施加到所述连接部分的物理量将所述补偿电容元件的所述第一电极与所述驱动晶体管的所述栅电极彼此电连接或电分离。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述多个虚设像素中的每个进一步包括: 发射控制晶体管，在被连接到所述多条修复线中的对应修复线的输出节点与所述驱动晶体管之间，并且根据发射控制信号被控制； 电容控制晶体管，在所述输出节点与所述补偿电容元件的第二电极之间，并且根据所述发射控制信号被控制；和 电容元件初始化晶体管，在所述电容控制晶体管与初始化电压线之间，并且根据初始化控制信号被控制。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述连接部分包括: 被连接到所述补偿电容元件的所述第一电极的第一区域；和 被连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第二区域， 其中所述第一区域和所述第二区域彼此电分离，并且通过使用激光彼此可电连接。4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述连接部分包括: 被连接到所述补偿电容元件的所述第一电极的第一区域；和 被连接到所述驱动晶体管的所述栅电极的第二区域， 其中所述第一区域和所述第二区域彼此电连接，并且通过使用激光彼此可电分离。5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述多个像素中的每个包括像素电路和被可分离地连接到所述像素电路的发光器件，并且 所述多个虚设像素中的每个包括虚设电路。6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述多个像素中的一个包括缺陷像素，并且 所述缺陷像素包括与所述缺陷像素的像素电路分离、并通过所述多条修复线中的对应修复线被连接到所述多个虚设像素中的对应虚设像素的虚设电路的发光器件。7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述多个像素包括第一像素和第二像素，并且 所述多个虚设像素中的每个进一步包括: 发射控制晶体管，在被连接到所述多条修复线中的对应修复线的输出节点与所述驱动晶体管之间，并且根据发射控制信号被控制； 电容控制晶体管，在所述输出节点与补偿节点之间，并且根据所述发射控制信号被控制; 电容元件初始化晶体管，在所述补偿节点与初始化电压线之间，并且根据初始化控制信号被控制； 其中如果所述缺陷像素是所述第一像素，则所述连接部分被配置为基于被施加到所述连接部分的物理量将所述补偿电容元件的所述第一电极与所述驱动晶体管的所述栅电极彼此电分离，并且 其中如果所述缺陷像素是所述第二像素，则所述连接部分被配置为基于被施加到所述连接部分的物理量将所述补偿电容元件的所述第一电极与所述驱动晶体管的所述栅电极彼此电连接。8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述对应虚设像素的所述虚设电路被配置为通过所述对应修复线向所述缺陷像素的所述发光器件提供驱动电流。
【文档编号】H01L27/32GK105845082SQ201510829213
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年11月25日
【发明人】朴庆泰, 郑东勋
【申请人】三星显示有限公司