显示基板、显示设备及区域补偿方法
【专利摘要】一种显示基板、显示设备及区域补偿方法，该显示基板包括：像素阵列、公共阴极电流检测电路和数据信号补偿电路。公共阴极电流检测电路被配置为可采集流过每个公共阴极的总电流；数据信号补偿电路被配置为接收每个第一子像素的像素发光电流，接收公共阴极的总电流，以及根据每个第一子像素的像素发光电流和公共阴极的总电流计算每个子像素的补偿数据。该显示基板通过采集周期性设置的第一子像素中有机发光二极管的像素发光电流以及公共阴极的总电流获取每个子像素的补偿数据，不需使用具有补偿功能的子像素，即可实现阈值电压补偿。这种设置压缩了每个子像素占用面板的面积，从而有助于提高显示基板的物理分辨率。
【专利说明】
显示基板、显示设备及区域补偿方法
技术领域
[0001]本公开的实施例涉及一种显示基板、显示设备及区域补偿方法。
【背景技术】
[0002]在显示领域，有机发光二极管(OLED)显示基板具有自发光、对比度高、能耗低、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、制造简单等特点，具有广阔的发展前景。
[0003]由于上述特点，有机发光二极管(OLED)显示基板可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。
【发明内容】
[0004]本公开的实施例提供一种显示基板，包括:像素阵列、公共阴极电流检测电路和数据信号补偿电路，其中，所述像素阵列包括矩阵排布的多个子像素，每个所述子像素包括有机发光二极管，每个所述有机发光二极管包括阳极、有机发光层和阴极，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素包括像素电流采集电路，所述像素电流采集电路被配置为采集所述第一子像素中的有机发光二极管的像素发光电流;所述像素阵列划分为多个阴极共用区，每个所述阴极共用区包括M个补偿区，每个所述补偿区包括N个子像素，并且所述N个子像素中包括一个第一子像素，同一个所述阴极共用区中的MXN个子像素的有机发光二极管共用一个公共阴极，均为大于I的自然数;所述公共阴极电流检测电路被配置为可检测流过每个所述公共阴极的总电流;所述数据信号补偿电路被配置为接收所述M个补偿区中每个第一子像素的像素发光电流，接收所述公共阴极的总电流，以及根据所述M个补偿区中每个的第一子像素的像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据。
[0005]例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述数据信号补偿电路还被配置为在所述显示基板正常显示时将所述补偿数据叠加到所述子像素的显示数据中以得到更新显示数据，并向所述子像素发送所述更新显示数据。
[0006]例如，在本公开实施例提供的显示基板中，根据所述M个补偿区中每个的第一子像素的像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据包括:根据每个所述阴极共用区的公共阴极的总电流计算所述阴极共用区的平均发光电流；以及在第一子像素被施加的原始数据上叠加补偿数据，使所述像素发光电流等于所述平均电流。。
[0007]例如，本公开实施例提供的显示基板，还包括存储器，所述存储器被配置为存储每个所述子像素的补偿数据。
[0008]例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述多个所述阴极共用区为矩形并呈矩阵排布。
[0009]例如，在本公开实施例提供的显示基板中，M= 4，N=9。
[0010]例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述第一子像素还包括驱动晶体管、发光控制晶体管、数据写入晶体管、采集控制晶体管和存储电容。
[0011]例如，在本公开实施例提供的显示基板中，所述驱动晶体管的第一极与第一节点电连接，所述驱动晶体管的栅极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第三节点电连接;所述第一节点与电源线电连接以接收电源电压;所述发光控制晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述发光控制晶体管的栅极与发光控制信号线电连接以接收发光控制信号，所述发光控制晶体管的第二极与有机发光二极管的阳极电连接;所述数据写入晶体管的第一极与数据信号线电连接以获取数据信号，所述数据写入晶体管的栅极与扫描信号线连接以接收扫描信号，所述数据写入晶体管的第二极与所述第二节点电连接;所述采集控制晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述采集控制晶体管的栅极与采集控制信号线电连接以接收采集控制信号，所述采集控制晶体管的第二极与所述像素电流采集电路电连接;所述存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述存储电容的第二端与所述第二节点电连接;所述有机发光二极管的阴极为公共阴极，所述公共阴极与所述公共阴极电流检测电路电连接。
[0012]例如，本公开实施例提供的显示基板，还包括:扫描驱动器、数据驱动器、电源、控制器、电源线、发光控制信号线、数据信号线、扫描信号线以及采集控制信号线，其中，所述扫描驱动器被配置为分别通过所述发光控制信号线、所述扫描信号线和所述采集控制信号线向所述子像素提供所述发光控制信号、所述扫描信号和所述采集控制信号;所述数据驱动器被配置为通过所述数据信号线向所述子像素提供所述数据信号;所述电源被配置为通过所述电源线向所述子像素提供所述电源电压;所述控制器被配置为控制所述公共阴极电流检测电路、所述数据信号补偿电路、所述像素电流采集电路、所述扫描驱动器、所述数据驱动器以及所述电源以使所述显示基板正常工作。
[0013]本公开的实施例还提供一种显示设备，包括本公开任一实施例提供的显示基板。
[0014]本公开的实施例还提供一种用于本公开任一实施例提供的显示基板的区域补偿方法，包括:向一个阴极共用区中的MXN个子像素施加相同的原始数据信号且驱动所述MXN个子像素发光;采集所述阴极共用区中所述M个补偿区中每个的第一子像素中有机发光二极管的像素发光电流;采集流过所述阴极共用区中公共阴极的总电流;根据所述像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据。
[0015]例如，在本公开实施例提供的区域补偿方法中，在正常显示时，将每个所述子像素补偿数据叠加到所述子像素的显示数据中以得到更新显示数据；向所述子像素发送所述更新显示数据以使所述子像素中的有机发光二极管发光。
[0016]例如，在本公开实施例提供的区域补偿方法中，根据所述像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据包括:用所述公共阴极的总电流除以所述阴极共用区中所述子像素的数量MXN以得到平均发光电流;在所述阴极共用区中第一子像素被施加的原始数据上叠加补偿数据，使所述像素发光电流等于所述平均发光电流。
[0017]例如，本公开实施例提供的区域补偿方法，还包括存储每个所述子像素的补偿数据。
[0018]例如，在本公开实施例提供的区域补偿方法中，所述阴极共用区中每个所述补偿区中的N个子像素的补偿数据相同。
[0019]例如，在本公开实施例提供的区域补偿方法中，所述显示基板每次开机启动时执行所述区域补偿方法，或者所述显示基板在工作过程中依照预定时间段周期执行所述区域补偿方法。
【附图说明】
[0020]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。
[0021 ]图1是本公开实施例提供的一种显示基板的示意图；
[0022]图2是本公开实施例提供的一种第一子像素的示意图；
[0023]图3是本公开实施例提供的一种第二子像素的示意图；
[0024]图4是本公开实施例提供的一种阴极共用区的示意图之一；
[0025]图5是本公开实施例提供的一种阴极共用区的示意图之二；
[0026]图6A是本公开实施例提供的一种子像素的驱动时序图之一；
[0027]图6B是本公开实施例提供的一种子像素的驱动时序图之二；
[0028]图7是本公开实施例提供的一种显示设备的示意图；
[0029]图8是本公开实施例提供的一种区域补偿方法的流程图；以及
[0030]图9是本公开实施例提供的如图8所示的区域补偿方法中步骤S40—个示例的流程图。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本公开的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。本公开省略了已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本公开的示例实施例模糊。所给出的示例仅旨在有利于理解本公开示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，这些示例不应被理解为对本公开的实施例的范围的限制。
[0032]除非另外特别定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。此外，在本公开各个实施例中，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
[0033]在OLED显示基板中，分辨率主要受制于光刻工艺水平和高精度金属掩模板(FineMetal Mask，FFM)的尺寸。在光刻工艺水平和高精度金属掩模板的制造水平达到一定程度的情况下，OLED显示基板的分辨率很难提高。因此，需要另辟蹊径以应对高分辨率的问题。
[0034]OLED显示基板通常采用有源驱动方式，包括多个排列为阵列的子像素。每个最基本的子像素为2T1C(即包括两个晶体管以及一个存储电容)的模式。为了改善整个面板的显示均一性，则可以采用具有补偿功能的子像素，例如6T1C(即包括六个晶体管以及一个存储电容)的子像素。然而，相比于基本的2T1C的子像素，采用具有补偿功能的子像素的OLED显示基板虽然能够获得更好的亮度均一性，但是每个子像素中晶体管的数量增加导致占据的面板区域面积增加，不利于获得高分辨率OLED显示基板。
[0035]本公开实施例提供一种显示基板、显示设备及区域补偿方法，通过采集周期性设置的第一子像素中有机发光二极管的像素发光电流以及公共阴极的总电流获取每个子像素的补偿数据，不需使用具有补偿功能的子像素，即可实现阈值电压补偿。这种设置压缩了每个子像素占用面板的面积，从而有助于提高显示基板的物理分辨率。
[0036]本公开的实施例提供一种显示基板10，如图1所示，显示基板10包括像素阵列、公共阴极电流检测电路14和数据信号补偿电路15。像素阵列包括矩阵排布的多个子像素;每个子像素包括有机发光二极管OLED(图1中未示出，参见图2和图3);每个有机发光二极管OLED包括阳极、有机发光层和阴极。这些多个子像素包括第一子像素A和第二子像素B;第一子像素A包括像素电流采集电路13(参见图2)，而第二子像素B中不包括像素电流采集电路。像素电流采集电路13被配置为检测第一子像素A中的有机发光二极管OLED的像素发光电流Il0
[0037]如图1所示，像素阵列划分为多个阴极共用区11;每个阴极共用区11包括M个补偿区12(例如，图1中M = 4，即每个阴极共用区11包括4个补偿区12);每个补偿区12包括N个子像素(例如，图1中N = 9，即每个补偿区12包括9个子像素)，并且N个子像素中包括一个第一子像素A(例如，每个补偿区12包括I个第一子像素A和8个第二子像素B)。同一个阴极共用区11中的M X N个(例如，图1中4 X 9 = 36个)子像素的有机发光二极管OLED共用一个公共阴极，其中，均为大于I的自然数。公共阴极电流检测电路14被配置为可检测(例如采集)流过每个公共阴极的总电流12;数据信号补偿电路15被配置为接收像素电流采集电路13检测的像素发光电流Il，接收公共阴极电流检测电路14检测的流过每个公共阴极的总电流12，以及根据像素发光电流Il和公共阴极的总电流12计算每个子像素的补偿数据Datal。
[0038]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，数据信号补偿电路15还可以被配置为在显示基板10正常显示时将补偿数据Datal叠加到子像素的显示数据Data2中以得到更新显示数据Data3，并向子像素发送更新显示数据Data3。
[0039]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，根据M个补偿区中每个的第一子像素的像素发光电流Il和公共阴极的总电流12计算每个子像素的补偿数据Datal包括:根据每个所述阴极共用区11的公共阴极的总电流12计算所述阴极共用区的平均发光电流13，例如，用公共阴极的总电流12除以阴极共用区11中子像素的数量(MXN)以得到平均发光电流13，也就是说13 = I2/(MXN);在第一子像素A被施加的原始数据DataO上叠加补偿数据Datal，使像素发光电流Il等于平均发光电流13。
[0040]例如，数据信号补偿电路15可以通过计算像素发光电流Il以及平均发光电流13的差值，通过驱动晶体管DT的电流电压模型，利用查表法得到补偿数据Datal;也可以通过有限次实验的方法得到补偿数据Data I。
[0041 ]例如，如图1所示，本公开实施例提供的显示基板10还可以包括存储器20，存储器20用于存储补偿数据Datal。
[0042]例如，存储器20用于存储每个子像素的补偿数据Datal。例如，每个补偿区12中子像素的补偿数据相同，不同补偿区12中子像素的补偿数据不同。
[0043]例如，图1所示的显示基板10仅仅是本公开实施例的一个示例，显示基板10中每个阴极共用区11可以包括其它数量的补偿区12，每个补偿区12可以包括其它数量的子像素。例如，如图4所示，每个阴极共用区11包括2个补偿区12，每个补偿区12包括25个子像素，25个子像素中包括I个第一子像素A和围绕子像素A设置的24个第二子像素B。
[0044]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，如图1所示，多个阴极共用区11为矩形。
[0045]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，如图1所示，多个阴极共用区11呈矩阵排布。
[0046]例如，如图5所示，多个阴极共用区11也可以为三角形，多个阴极共用区中的公用阴极通过该三角形的一个侧边与公共阴极电流检测电路14电连接。例如，三角形的阴极共用区11可以便于布线，简化显示基板的设计及生产。
[0047]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，如图2所示，第一子像素A还包括驱动晶体管DT、发光控制晶体管ET、数据写入晶体管ST、采集控制晶体管RT和存储电容C。
[0048]例如，图3是本公开实施例提供的一种第二子像素B的示意图，第二子像素B包括有机发光二极管0LED、驱动晶体管DT’、存储电容C’、数据写入晶体管ST’。第二子像素B中各电路部件的连接方式与第一子像素A类似，具体如下所述。
[0049]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，如图2所示，在第一像素A中，驱动晶体管DT的第一极与第一节点NI电连接;驱动晶体管DT的栅极与第二节点N2电连接;驱动晶体管DT的第二极与第三节点N3电连接。第一节点NI与电源线电连接以接收电源电压Vdd。发光控制晶体管ET的第一极与第三节点N3电连接;发光控制晶体管ET的栅极与发光控制信号线电连接以接收发光控制信号EM;发光控制晶体管ET的第二极与有机发光二极管OLED的阳极电连接。数据写入晶体管ST的第一极与数据信号线电连接以获取数据信号Data(例如，数据信号Data是指通过数据信号线向数据写入晶体管ST的第一极施加的任何数据信号，包括原始数据DataO、显示数据Data2以及更新显示数据Data3等)；数据写入晶体管ST的栅极与扫描信号线连接以接收扫描信号Gate;数据写入晶体管ST的第二极与第二节点N2电连接。采集控制晶体管RT的第一极与第三节点N3电连接;采集控制晶体管RT的栅极与采集控制信号线电连接以接收采集控制信号Reset;采集控制晶体管RT的第二极与像素电流采集电路13电连接。例如，当采集控制晶体管RT导通，发光控制晶体管ET关断时，像素电流采集电路13可通过采集控制晶体管RT获取有机发光二极管OLED的像素发光电流II。存储电容C的第一端与第一节点NI电连接;存储电容C的第二端与第二节点N2电连接。有机发光二极管OLED的阴极为公共阴极，公共阴极与公共阴极电流检测电路14电连接。例如，当OLED发光时，电流采集电路14可采集流过每个公共阴极的总电流12。
[0050]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，各子像素A和B中的驱动晶体管DT和DT’、发光控制晶体管ET、数据写入晶体管ST和ST’、采集控制晶体管RT可以均为P型晶体管。例如，采用相同类型的晶体管可以统一制作工艺流程，便于产品生产。
[0051]例如，在本公开实施例提供的显示基板10中，各子像素A和B中的驱动晶体管DT和DT’、发光控制晶体管ET、数据写入晶体管ST和ST’、采集控制晶体管RT可以均为薄膜晶体管。
[0052]需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管除栅极之外的两极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本公开实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。例如，本公开实施例的晶体管的第一极可以为源极，第二极可以为漏极;或者，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。此夕卜，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型晶体管，本公开的实施例以驱动晶体管DT、发光控制晶体管ET、数据写入晶体管ST和采集控制晶体管RT均为P型晶体管为例进行说明。基于本公开对该实现方式的描述和教导，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下能够容易想到本公开实施例采用N型晶体管或N型和P型晶体管组合的实现方式，因此，这些实现方式也是在本公开的保护范围内的。
[0053]例如，以下结合图6A和图6B描述显示基板10的工作过程。
[0054]例如，在显示基板10正常工作之前，向一个阴极共用区11中的N个子像素施加相同的原始数据信号DataO。
[0055]例如，如图6A所示，在数据写入阶段tl，扫描信号Gate为低电平(例如，0V)，数据写入晶体管ST处于导通状态，原始数据信号DataO通过数据写入晶体管ST传输到第二节点N2(即驱动晶体管DT的栅极)，存储电容C将该数据信号存储。在像素电流采集阶段t2，发光控制信号EM为高电平(例如，5V)，发光控制晶体管ET关断；采集控制信号Reset为低电平(例如，O V)，采集控制晶体管RT开启，像素电流采集电路13即可通过采集控制晶体管RT采集有机发光二极管OLED的发光电流Il。
[0056]例如，如图6B所示，在数据写入阶段t3，扫描信号Gate为低电平(例如，0V)，数据写入晶体管ST处于导通状态，原始数据信号DataO通过数据写入晶体管ST传输到第二节点N2(即驱动晶体管DT的栅极)，存储电容C将该数据信号存储。在发光阶段t4，发光控制信号EM为低电平，发光控制晶体管ET导通;采集控制信号Reset为高电平(例如，5V)，采集控制晶体管RT关断，有机发光二极管OLED发光，电流采集电路14即可采集流过每个公共阴极的总电流12。
[0057]例如，数据信号补偿电路15接收像素发光电流II，接收公共阴极的总电流12，并将公共阴极的总电流12除以阴极共用区11中子像素的数量(MXN)以得到平均发光电流13。在第一子像素A被施加的原始数据DataO上叠加补偿数据Datal，使像素发光电流Il等于平均发光电流13;以及存储补偿数据Datal。
[0058]例如，当显示基板10正常显示时，数据信号补偿电路15将补偿数据Datal叠加到该补偿区中子像素的显示数据Data2中以得到更新显示数据Data3，并向该补偿区中的子像素发送更新显示数据Data3。
[0059]例如，数据信号补偿电路15通过数据驱动器17将补偿数据Datal叠加到该补偿区中子像素的显示数据Data2中以得到更新显示数据Data3，并通过数据驱动器17向该补偿区中的子像素发送更新显示数据Data3。
[0060]例如，在正常显示时，子像素的驱动时序可参照图6B所示的驱动时序，在此不再赘述。
[0061]需要说明的是，由于显示基板中相近区域的工艺特性比较接近，相近区域的驱动晶体管的阈值电压及漂移特性也较为接近。因此，可以利用第一子像素中驱动晶体管的阈值电压补偿与其处于同一补偿区中的第二子像素中驱动晶体管的阈值电压，不需使用具有补偿功能的子像素，即可实现阈值电压补偿。这种设置压缩了每个子像素占用面板的面积，从而有助于提高显示基板的物理分辨率。
[0062]例如，本公开实施例提供的显示基板10，如图1所示，显示基板10还包括:扫描驱动器16，数据驱动器17、电源18和控制器19。扫描驱动器16被配置为向子像素提供发光控制信号EM、扫描信号Gate和采集控制信号Reset;数据驱动器17被配置为向子像素提供数据信号；电源18被配置为向子像素提供电源电压Vdd;控制器19被配置为控制公共阴极电流检测电路14、数据信号补偿电路15、像素电流采集电路13、扫描驱动器16、数据驱动器17以及电源18以使显示基板10正常工作。
[0063]例如，本公开实施例提供的显示基板10，还包括电源线、发光控制信号线、数据信号线、扫描信号线以及采集控制信号线(图1中未示出)。扫描驱动器16被配置为分别通过发光控制信号线、扫描信号线和采集控制信号线向子像素提供发光控制信号EM、扫描信号Gate和采集控制信号Reset;数据驱动器17被配置为通过数据信号线向子像素提供数据信号；电源18被配置为通过电源线向子像素提供电源电压Vdd。
[0064]本公开的实施例还提供一种显示设备I，如图7所示，显示设备I包括本公开任一实施例提供的显不基板10。
[0065]例如，本公开实施例提供的显示设备可以包括手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0066]本公开的实施例还提供一种用于本公开任一实施例提供的显示基板10的区域补偿方法，如图8所示，该区域补偿方法包括如下步骤:
[0067]步骤SlO:向一个阴极共用区11中的MX N个子像素施加相同的原始数据信号DataO且驱动M X N个子像素发光；
[0068]步骤S20:采集阴极共用区11中所述M个补偿区中每个的第一子像素A中有机发光二极管OLED的像素发光电流Il;
[0069]步骤S30:采集流过阴极共用区11中公共阴极的总电流12;以及
[0070]步骤S40:根据像素发光电流Il和公共阴极的总电流12计算每个子像素的补偿数据 Datal ο
[0071 ]例如，如图8所示，区域补偿方法还包括如下步骤:
[0072]步骤S50:在正常显示时，将每个子像素的补偿数据Datal叠加到每个子像素的显示数据Data2中以得到更新显示数据Data3;以及
[0073]步骤S60:向子像素发送更新显示数据Data3，以使子像素中的有机发光二极管OLED发光。
[0074]例如，在本公开实施例提供的区域补偿方法中，如图9所示，根据像素发光电流11和公共阴极的总电流12计算每个子像素的补偿数据Datal(即上述步骤S40)包括:
[0075]步骤S41:用公共阴极的总电流12除以阴极共用区11中子像素的数量(MXN)以得到平均发光电流13;
[0076]步骤S42:在阴极共用区11中第一子像素A被施加的原始数据DataO上叠加补偿数据Datal，使像素发光电流Il等于平均发光电流13。
[0077]例如，如图9所示，根据像素发光电流Il和公共阴极的总电流12计算每个子像素的补偿数据Datal (即上述步骤S40)还包括:
[0078]步骤S43:存储每个子像素的补偿数据Datal。
[0079]例如，阴极共用区的每个补偿区中的N个子像素的补偿数据相同。
[0080]例如，显示基板每次开机启动时执行区域补偿方法，或者显示基板在工作过程中依照预定时间段周期执行区域补偿方法。
[0081]本公开实施例提供的显示基板、显示设备及区域补偿方法，通过采集周期性设置的第一子像素中有机发光二极管的像素发光电流以及公共阴极的总电流获取每个子像素的补偿数据，不需使用具有补偿功能的子像素，即可实现阈值电压补偿。这种设置压缩了每个子像素占用面板的面积，从而有助于提高显示基板的物理分辨率。
[0082]虽然上文中已经用一般性说明及【具体实施方式】，对本公开作了详尽的描述，但在本公开实施例基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本公开要求保护的范围。
【主权项】
1.一种显示基板，包括:像素阵列、公共阴极电流检测电路和数据信号补偿电路，其中， 所述像素阵列包括矩阵排布的多个子像素，每个所述子像素包括有机发光二极管，每个所述有机发光二极管包括阳极、有机发光层和阴极，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第一子像素还包括像素电流采集电路，所述像素电流采集电路被配置为采集所述第一子像素中的有机发光二极管的像素发光电流； 所述像素阵列划分为多个阴极共用区，每个所述阴极共用区包括M个补偿区，每个所述补偿区包括N个子像素，并且所述N个子像素中包括一个第一子像素，同一个所述阴极共用区中的M X N个子像素的有机发光二极管共用一个公共阴极，M和N均为大于I的自然数； 所述公共阴极电流检测电路被配置为可检测流过每个所述公共阴极的总电流； 所述数据信号补偿电路被配置为接收所述M个补偿区中每个的第一子像素的像素发光电流，接收所述公共阴极的总电流，以及根据所述M个补偿区中每个的第一子像素的像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据。2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述数据信号补偿电路还被配置为在所述显示基板正常显示时将所述补偿数据叠加到所述子像素的显示数据中以得到更新显示数据，并向所述子像素发送所述更新显示数据。3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，根据所述M个补偿区中每个第一子像素的像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据包括: 根据所述阴极共用区的公共阴极的总电流计算所述阴极共用区的平均发光电流；以及 在第一子像素被施加的原始数据上叠加补偿数据，使所述像素发光电流等于所述平均电流。4.根据权利要求1所述的显示基板，还包括存储器，其中，所述存储器被配置为存储每个所述子像素的补偿数据。5.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其中，所述多个所述阴极共用区为矩形并呈矩阵排布。6.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其中，M=4，N=9。7.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，其中，所述第一子像素还包括驱动晶体管、发光控制晶体管、数据写入晶体管、采集控制晶体管和存储电容。8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述驱动晶体管的第一极与第一节点电连接，所述驱动晶体管的栅极与第二节点电连接，所述驱动晶体管的第二极与第三节点电连接;所述第一节点与电源线电连接以接收电源电压;所述发光控制晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述发光控制晶体管的栅极与发光控制信号线电连接以接收发光控制信号，所述发光控制晶体管的第二极与有机发光二极管的阳极电连接;所述数据写入晶体管的第一极与数据信号线电连接以获取数据信号，所述数据写入晶体管的栅极与扫描信号线连接以接收扫描信号，所述数据写入晶体管的第二极与所述第二节点电连接;所述采集控制晶体管的第一极与所述第三节点电连接，所述采集控制晶体管的栅极与采集控制信号线电连接以接收采集控制信号，所述采集控制晶体管的第二极与所述像素电流采集电路电连接;所述存储电容的第一端与所述第一节点电连接，所述存储电容的第二端与所述第二节点电连接;所述有机发光二极管的阴极为公共阴极，所述公共阴极与所述公共阴极电流检测电路电连接。9.根据权利要求1-4任一项所述的显示基板，还包括: 扫描驱动器、数据驱动器、电源、控制器、电源线、发光控制信号线、数据信号线、扫描信号线以及采集控制信号线，其中， 所述扫描驱动器被配置为分别通过所述发光控制信号线、所述扫描信号线和所述采集控制信号线向所述子像素提供所述发光控制信号、所述扫描信号和所述采集控制信号； 所述数据驱动器被配置为通过所述数据信号线向所述子像素提供所述数据信号； 所述电源被配置为通过所述电源线向所述子像素提供所述电源电压； 所述控制器被配置为控制所述公共阴极电流检测电路、所述数据信号补偿电路、所述像素电流采集电路、所述扫描驱动器、所述数据驱动器以及所述电源以使所述显示基板正常工作。10.—种显示设备，包括如权利要求1-9任一项所述的显示基板。11.一种用于如权利要求1-9任一项所述显示基板的区域补偿方法，包括: 向一个阴极共用区中的MXN个子像素施加相同的原始数据信号且驱动所述MXN个子像素发光； 采集所述阴极共用区中所述M个补偿区中每个的第一子像素中有机发光二极管的像素发光电流； 采集流过所述阴极共用区中公共阴极的总电流； 根据所述M个补偿区中每个的第一子像素中有机发光二极管的像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据。12.根据权利要求11所述的区域补偿方法，其中， 在正常显示时，将每个所述子像素的补偿数据叠加到所述子像素的显示数据中以得到更新显示数据； 向所述子像素发送所述更新显示数据以使所述子像素中的有机发光二极管发光。13.根据权利要求11所述的区域补偿方法，其中，根据所述像素发光电流和所述公共阴极的总电流计算每个所述子像素的补偿数据包括: 用所述公共阴极的总电流除以所述阴极共用区中所述子像素的数量MXN以得到平均发光电流； 在所述阴极共用区中第一子像素被施加的原始数据上叠加补偿数据，使所述像素发光电流等于所述平均电流。14.根据权利要求11所述的区域补偿方法，还包括存储每个所述子像素的补偿数据，其中，所述阴极共用区中每个所述补偿区中的N个子像素的补偿数据相同。15.根据权利要求11-14任一项所述的区域补偿方法，其中，所述显示基板每次开机启动时执行所述区域补偿方法，或者所述显示基板在工作过程中依照预定时间段周期执行所述区域补偿方法。
【文档编号】G09G3/3233GK106097962SQ201610697075
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月19日 公开号201610697075.9, CN 106097962 A, CN 106097962A, CN 201610697075, CN-A-106097962, CN106097962 A, CN106097962A, CN201610697075, CN201610697075.9
【发明人】杨盛际, 董学, 吕敬, 陈小川, 刘冬妮, 王磊, 肖丽, 付杰, 卢鹏程, 岳晗
【申请人】京东方科技集团股份有限公司