金属嵌错工艺品及其制作方法

文档序号:2661093阅读:262来源:国知局
金属嵌错工艺品及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种金属工艺品,特别是在甲金属基体上嵌错乙金属的金属工艺品。为了解决本发明的技术问题,所采用的技术方案是:金属嵌错工艺品包括已制成嵌错所需纹饰沟槽的基体,在上述基体的纹饰沟槽内内植嵌入的别种金属,上述嵌入金属与基体金属在晶格结合和机械结合两方面连为一体。同时还提供制作该工艺品的方法。为了更好地实现本发明的技术方案,嵌入金属在金属基体的纹饰沟槽内成型并与之连为一体。采用本发明的金属嵌错工艺品,适用于有复杂嵌错纹饰设计和对基体金属与嵌错金属结合质量有更高要求的金属工艺品生产,为实现原有工艺不能完成的复杂艺术设计和制造质量更高、用材更广的金属嵌错工艺品打开了新的空间,具有广阔的市场前景。
【专利说明】金属嵌错工艺品及其制作方法
所属【技术领域】
[0001]本发明涉及一种工艺品,特别是在某种金属基体上嵌错别种金属的金属工艺品及其制作方法。
【背景技术】
[0002]现有的金属嵌错工艺品,一般都是采用先在金属基体上制作纹饰沟槽,然后再把事先准备好的尺寸合适的待嵌入金属丝、片通过手工用各种工具的机械压力嵌入沟槽内,完成金属之间的镶嵌结合并为后续的错磨创造条件。这种流传数千年的传统工艺品对制作人工艺水平的要求很高,对纹饰设计的实现方式也有很大的限制,而且嵌入金属与基体金属之间的结合强度不高,两者的联结界面会留下许多不能通过机械压力压实的空隙,容易在制作过程和使用过程中造成纹饰脱落和残断等现象。同时通过手工工具嵌入的金属丝、片的接头会保留难以消除的接痕,影响嵌错工艺品的艺术表现效果。这种工艺的固有特性对嵌入金属的延展性也要求很高,只有金、银、铜、锡等少量延展性极佳的金属可以作为嵌入金属的备选材料,从而极大地限制了金属嵌错工艺品的材料选择范围和艺术表现力。
[0003]为了消除上述金属基体与嵌入金属联结界面之间的空隙,使金属基体与嵌入金属紧密结合,或者为了消除金属嵌错工艺品表面嵌入金属的接头接痕,人们进行了各种实验。以各种粘接剂可以填实手工嵌入金属时不能压实的空隙并使金属基体与嵌入金属结合力增强,但所有粘接剂都会随着时间老化在一段时间后影响金属基体与嵌入金属的结合质量,并且也不能解决金属嵌错工艺品表面嵌入金属的接头接痕问题;在用传统方法嵌入金属后,用局部焊接后打磨的办法来消除嵌入金属表面接头接痕,也是人们的努力方向之一,但这种方法对焊接的材质和技术要求很高,不适合基体金属熔点较低的产品,并且常常会因为热应力等原因导致嵌接强度本来不高的产品出现脱层等新的质量问题。上述努力并没有从根本上解决金属嵌错工艺品基体金属与嵌入金属结合面空隙及结合强度不高,嵌入金属表面残留接头接痕等问题。

【发明内容】

[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种能让基体金属沟槽型腔与嵌入金属基层在金属晶格水平上直接融合或在金属晶体层面实现机械结合,工艺品表面嵌入金属没有接头接痕,金属基体与嵌入金属之间结合质量高,并且可以充分实现复杂纹饰设计的嵌错金属工艺品,同时提供制造该嵌错金属工艺品的方法。
[0005]为了解决本发明的技术问题,所采用的技术方案是:金属嵌错工艺品包括某种金属制成有所需造型和表面纹饰沟槽的基体,在上述金属基体纹饰沟槽所形成的型腔内生成充满整个型腔的别种嵌入金属晶体,上述嵌入金属的基层晶体直接生长在基体金属纹饰沟槽型腔金属晶体表面或者基体金属纹饰沟槽型腔表面金属的晶格内部。
[0006]为了更好地实现本发明的技术方案,基体金属沟槽型腔成为嵌入金属晶体生长的型范,基体金属沟槽表面与嵌入金属基层以晶格结合和机械结合两种方式融为一体。[0007]解决本发明技术问题所采用的制作方法是:通过铸造、机加工、蚀刻、錾刻加工的方法制得任意造型且表面带有纹饰沟槽的甲金属基体,用绝缘材料屏蔽甲金属基体除嵌错纹饰沟槽之外的外表面和内表面,把嵌错纹饰沟槽的型腔制成可使乙金属离子有效定向沉积的铸型,再采用电沉积铸造方法铸制乙金属嵌入体。
[0008]在对纹饰沟槽金属表面进行活化处理后,整个待嵌错工件已成为可以有效引导乙金属离子流沉积到甲铸型的适用浇铸系统,用公知的电沉积技术将待嵌入金属乙的金属离子定向沉积到纹饰沟槽表面,使甲金属纹饰沟槽与乙金属嵌入体连接界面以晶格结合和机械结合的方式融为一体。在机械结合方面,由于乙金属嵌入体实际上是以甲金属纹饰沟槽作为铸型的电铸成品,其机械结合强度会大大高于普通的电沉积金属层与其基层金属的机械结合强度。
[0009]待乙金属嵌入体完全充满甲金属基体的纹饰沟槽型腔,或其电沉积金属层已高出纹饰沟槽的设计表面,将工件从电解槽取出并按传统方法错磨即可得到基体金属沟槽型腔表面与嵌入金属基层之间完全没有可见空隙,嵌入金属表面没有接头接痕的金属嵌错工艺品。
[0010]在制造本发明的金属嵌错工艺品时,甲金属基体的纹饰沟槽的深度和宽度可任意设定,乙金属嵌入体的厚度和宽度将会与甲金属基体纹饰沟槽型腔的深度和宽度完全匹配并连为一体。
[0011]采用本发明的金属嵌错工艺品,解决了传统嵌错工艺无法解决的基体金属与嵌入金属结合面空隙及结合强度不高,嵌入金属表面残留接头接痕等问题,首次实现了嵌错工艺设计的理想产品形态,适用于以传统嵌错工艺无法完成的高质量金属嵌错工艺品的生产。主要作为传统金属嵌错工艺品的换代产品。可丰富和拓展传统金属嵌错工艺品的表现形式和设计思路,也拓宽了嵌入金属的选材范围和金属嵌错工艺品的艺术表现力,为金属嵌错工艺品创造了新的市场空间,有广阔的市场前景。
【专利附图】

【附图说明】
[0012]下面结合附图对本发明做进一步的详细说明
[0013]图1是本发明的主剖面图。
【具体实施方式】
[0014]如图1所示,本发明金属嵌错工艺品的基体为甲金属制成,在甲金属基体I的造型表面上有若干纹饰沟槽2,在上述纹饰沟槽2内植有充满纹饰沟槽2型腔的乙金属嵌入体3。
[0015]在制造本发明的金属嵌错工艺品时,先通过铸造、机加工、蚀刻、錾刻加工的方法制得有任意造型,表面带纹饰沟槽2的甲金属基体1,在对纹饰沟槽2之外的甲金属基体I的内外表面进行绝缘处理之后,纹饰沟槽2被制成可用来定向沉积待嵌入金属的湿法冶铸金属铸型,该铸型无须进行普通铸型需要的脱型表面处理,而是要先行通过机加工和化学活化等方法使该铸型与其铸成品之间形成不易脱型的结合力,再采用电沉积工艺在上述纹饰沟槽2中成型乙金属嵌入体3,使乙金属嵌入体3基层与甲金属基体I的纹饰沟槽2型腔表层在晶格水平和机械结合两方面融为一体。[0016]在采用该方法制成金属嵌错工艺品时,甲金属基体I的造型及其表面嵌错纹饰沟槽2可设计成任意形态,乙金属嵌入体3的金属种类也可以是任意可电沉积金属,从而大大突破了传统嵌入金属金、银、铜、锡的选材范围,并从根本上解决了传统金属嵌错工艺无法解决的乙金属嵌入体3与嵌错纹饰沟槽2之间机械结合面空隙多、结合强度不高,以及嵌入金属表面接头接痕明显等问题,取得传统金属嵌错工艺品不能企及的实用和装饰效果。
【权利要求】
1.金属嵌错工艺品,其特征在于:在上述甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2中内植有乙金属嵌入体3,上述乙金属嵌入体3与嵌错纹饰沟槽2的型腔完全一致。
2.如权利要求1所述金属嵌错工艺品,其特征在于:所述乙金属嵌入体3的植入部分基层金属与甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2的型腔表层金属在晶格水平上融为一体。
3.如权利要求1所述金属嵌错工艺品,其特征在于:所述乙金属嵌入体3的植入部分基层金属与甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2的型腔表层金属完全消除了可见空隙,并在晶体层面达成了机械结合。
4.如权利要求2所述金属嵌错工艺品,其特征在于:所述乙金属嵌入体3的基层金属晶体直接生长在甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2型腔表面金属的晶格上面。
5.如权利要求3所述金属嵌错工艺品,其特征在于:所述乙金属嵌入体3的基层金属晶体是直接在甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2型腔表面甲金属晶体上面聚集乙金属原子为晶核后形成的金属晶体。
6.如权利要求1所述的金属嵌错工艺品的制作方法,其特征在于:用绝缘材料屏蔽甲金属基体I除嵌错纹饰沟槽2之外的外表面和内表面,把嵌错纹饰沟槽2的型腔制成可使乙金属离子有效定向沉积的铸型,再采用电沉积铸造方法铸制乙金属嵌入体3。
7.如权利要求6所述的金属嵌错工艺品的制作方法,其特征在于:所述乙金属嵌入体3是以甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2作为铸型的电沉积铸造成品。
8.如权利要求6所述的金属嵌错工艺品的制作方法,其特征在于:所述甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2是用以定向沉积乙金属嵌入体3的铸型。
9.如权利要求7或8所述的金属嵌错工艺品的制作方法,其特征在于:所述甲金属基体I的嵌错纹饰沟槽2作为铸型与其铸造成品乙金属嵌入体3之间没有对分型界面进行脱型处理,并且进行了不易脱型和不脱型工艺处理。
10.如权利要求6所述的金属嵌错工艺品的制作方法,其特征在于:所述乙金属嵌入体3是连续铸造体,表面没有传统嵌错工艺所制作的金属嵌入体通常可见的接头接痕。
11.如权利要求6所述的金属嵌错工艺品的制作方法,其特征在于:所述乙金属嵌入体3的金属材料是可以以电沉积方法进行湿法冶铸的任意金属及合金。
【文档编号】B44C1/26GK103660754SQ201210319988
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月3日 优先权日:2012年9月3日
【发明者】蒋荣昌 申请人:蒋荣昌
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