一种3D打印珐琅的渐变色制作方法与流程

本发明涉及珐琅的烧结工艺，尤其涉及一种3d打印珐琅的渐变色制作方法。

背景技术：

传统珐琅的制作是在金属板上填涂珐琅粉末，该传统珐琅制造方法制作出的首饰和工艺品只能从单一角度观赏，且需要对金属材料做预前处理。而本专利所属珐琅饰品为3d打印立体结构，且烧结后为渐变彩色珐琅品。

目前从未实现过对无基板或无支撑珐琅材料的烧结。传统珐琅中的渐变颜色是由两种或以上颜色的珐琅粉末分区填涂而成，同种颜色的珐琅粉末烧结最终颜色为单一颜色，从未出现过一种珐琅颜料烧结出渐变色的现象。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明的实施例提供了一种能够实现单色珐琅烧制出多色渐变效果的3d打印珐琅的渐变色制作方法。

本发明的实施例提供一种3d打印珐琅的渐变色制作方法，包括以下步骤：

s1.设计珐琅的模型；

s2.根据步骤s1设计的珐琅模型进行3d建模，并导入参数设定软件中；

s3.根据导入参数设定软件中的模型参数应用浆料挤出成型技术3d打印单色半成品珐琅，所述半成品珐琅为三维立体结构，无需基板支撑；

s4.将半成品珐琅放入纳米级碳粉，半成品珐琅根据渐变色的设计部分埋入碳粉中，部分暴露在空气中；

s5.将放入半成品珐琅的碳粉一同放入烤箱中，设定温度梯度进行脱脂和烧结，即得到沿竖直方向颜色渐变，且不同颜色在水平方向平行的成品珐琅。

进一步，所述步骤s3中，应用浆料挤出成型技术3d打印单色半成品珐琅的原料为单一色，原料的粒度范围为5-10微米，原料中的粘接剂采用中高温可挥发的有机粘结剂，将原料和粘接剂混合搅拌后进行3d打印。

进一步，所述步骤s4中，半成品珐琅的80％需埋入碳粉中，20％需暴露在空气中。

进一步，所述步骤s5中，在自然通风的条件下设定温度梯度，第一温度梯度进行脱脂，第一温度梯度的温度为200-300℃，时间为4-5h；第二温度梯度进行烧结，第二温度梯度的温度为590-650℃，时间为1-2h。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：方法简便，操作方便，能广泛适用；突破了传统珐琅工艺的二维彩色填涂局限，实现了珐琅工艺品从二维平面向三维立体的转换；通过后期烧结工序的调整，将纯色三维立体珐琅变成彩色三维立体珐琅工艺品，而且，突破了传统珐琅有基板支撑的缺陷，渐变色更均匀，提高了观赏性。

附图说明

图1是本发明一种3d打印珐琅的渐变色制作方法的一流程图。

图2是本发明一实施例制得渐变色珐琅的一示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地描述。

请参考图1，本发明的实施例提供了一种3d打印珐琅的渐变色制作方法，包括以下步骤：

s1设计珐琅的模型；

s2.根据步骤s1设计的珐琅模型进行3d建模，并导入参数设定软件中；

s3.根据导入参数设定软件中的模型参数应用浆料挤出成型技术3d打印单色半成品珐琅，所述半成品珐琅为三维立体结构，无需基板支撑；应用浆料挤出成型技术3d打印单色半成品珐琅的原料为单一色，原料的粒度范围为5-10微米，原料中的粘接剂采用中高温可挥发的有机粘结剂。

s4.将半成品珐琅放入纳米级碳粉，半成品珐琅根据渐变色的设计部分埋入碳粉中，部分暴露在空气中；优选地，半成品珐琅的80％需埋入碳粉中，20％需暴露在空气中；

s5.将放入半成品珐琅的碳粉一同放入烤箱中，设定温度梯度进行脱脂和烧结，优选在自然通风的条件下设定温度梯度，第一温度梯度进行脱脂，第一温度梯度的温度为200-300℃，时间为4-5h；第二温度梯度进行烧结，第二温度梯度的温度为590-650℃，时间为1-2h，即得到沿竖直方向颜色渐变，且不同颜色在水平方向平行的成品珐琅(如图2所示)。

本发明方法简便，操作方便，能广泛适用；突破了传统珐琅工艺的二维彩色填涂局限，实现了珐琅工艺品从二维平面向三维立体的转换；通过后期烧结工序的调整，将纯色三维立体珐琅变成彩色三维立体珐琅工艺品，而且，突破了传统珐琅有基板支撑的缺陷，渐变色更均匀，提高了观赏性。

在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种3D打印珐琅的渐变色制作方法，包括应用浆料挤出成型技术3D打印单色半成品珐琅，所述半成品珐琅为三维立体结构，无需基板支撑；将半成品珐琅放入纳米级碳粉，半成品珐琅根据渐变色的设计部分埋入碳粉中，部分暴露在空气中，将放入半成品珐琅的碳粉一同放入烤箱中，并在自然挥发的通风条件下烧结至少6h，即得到沿竖直方向颜色渐变，且不同颜色在水平方向平行的成品珐琅。本发明具突破了传统珐琅工艺的二维彩色填涂局限，实现了珐琅工艺品从二维平面向三维立体的转换。

技术研发人员：郝亮;王雨珅;唐丹娜
受保护的技术使用者：中国地质大学（武汉）
技术研发日：2018.06.13
技术公布日：2018.12.11