专利名称：陶瓷遮罩在ic制备过程的应用的制作方法
技术领域：
本发明提供一种陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，将以往所使用的光罩改为陶瓷遮罩，并应用在IC制备过程中以达到与光罩相同的功效，可减少光罩数及繁复制备过程并可降低成本。
而本发明的陶瓷遮罩为在陶瓷板制造所需图形，放置于晶圆上；如此可以减少光罩的使用及减少使用光罩的成本，更可以减少去光阻等相关配合制备过程。
另外，在晶片中有不同的区块及层次，且每一区块及层次都有不同的制备过程，而这些不同的制备过程整合将会非常重要。其中，这些不同的区块及层次的大部分需要高精密准确度的制备过程及遮罩，(如整合硅晶片(system on chip，SOC)的设计，须将嵌入式记忆体逻辑电路等置于不同区块、不同厚度的氧化硅的栅极氧化层中；又如电容器需植于动态随机存储器(DRAM)深沟槽处。但对此不同制备过程条件的各区块及层次，可以使用陶瓷遮罩并配合光阻定出一样式图形，以对不同条件的制备过程的区块及层次来进行部分区块遮罩程序。
本发明的次要目的，在于降低遮罩制备过程中的成本，做部分遮罩的程序也简易化。
本发明的陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，能减少光罩数并会主导未来市场及成本的降低。
图2为晶圆置于陶瓷遮罩板底下的示意图。
图3为陶瓷遮罩板及晶圆在制备过程中的示意图。
图4为晶圆制备过程后所呈现的状态。
图5为另一陶瓷遮罩板示意图。
图6为晶圆的区块示意图。
图7为晶圆的区块位于陶瓷遮罩板下方的示意图。
图8为陶瓷遮罩板及晶圆在制备过程中的示意图。其中10陶瓷遮罩板11图形20晶圆 21区块
30陶瓷遮罩板 31图形陶瓷遮罩板也可使用在部分遮罩制备过程中，部分遮罩对于晶圆20上的区块21，做一遮罩程序。
如图5至图8所示，将晶圆20放至陶瓷遮罩板30下方。其中，该遮罩板也是先经过光阻、曝光及蚀刻处理，所以在该遮罩板的面上也呈现出另一图形31；而后将晶圆20与陶瓷遮罩板30进行部分遮罩制备过程，则蚀刻、长膜及离子植入等制备过程将透过陶瓷遮罩板30作用于晶圆20的某一区块21上，直到制备过程结束后，将晶圆20移出。同理，若有其余的陶瓷遮罩板要对晶圆20上的其余区块做部分遮罩时，只要再重覆一次同样的制备过程即可，由此可见陶瓷遮罩板可满足在不同区块下完成不同的部分遮罩制备过程的需求。
权利要求
1.一种陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，其包括将选定好的遮罩板经光阻、曝光等前处理以形成一个样式图形后，再利用蚀刻将图形吃出；将晶圆放置于蚀刻完成后的遮罩板的底下，立刻开始蚀刻、长膜及离子植入等制备过程，直到制备过程结束将晶圆取出。
2.如权利要求1所述的陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，其特征在于，该遮罩板的材质为陶瓷材质。
3.如权利要求1所述的陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，其特征在于，利用干蚀刻将遮罩板上的图形吃出。
4.如权利要求1所述的陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，其特征在于，利用湿蚀刻将遮罩板上的图形吃出。
5.如权利要求1所述的陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，其特征在于，在整个遮罩制备过程中，不再需要透过光罩，来达到IC的制造。
6.如权利要求2所述的陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，其特征在于，该陶瓷遮罩可在高精密、高准确度遮罩制备过程中使用，同时也可在不需高精密、高准确度遮罩制备过程中使用。
全文摘要
本发明提供一种陶瓷遮罩在IC制备过程的应用，选定一陶瓷材质所制的遮罩板，该遮罩板经光阻、曝光后以形成一个样式图形后，再使用干蚀刻或湿蚀刻将陶瓷遮罩板上的图形吃出，而后将该遮罩板放置于晶圆上，即开始对晶圆进行蚀刻、长膜和离子植入等相关制备过程，直到制备过程结束将晶圆取出。
文档编号G03F1/68GK1412818SQ0113647
公开日2003年4月23日 申请日期2001年10月18日 优先权日2001年10月18日
发明者林智富 申请人:帆宣系统科技股份有限公司