专利名称：全方向反射镜及由其制造的发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种全方向一维光子晶体(Omnidirectional One-DimensionalPhotonic Crystal)的全方向反射镜及一由其制造的发光装置。
背景技术：
在通讯及信息科技的蓬勃发展之下，针对通讯及信息领域的相关产品也随其因应运而生，并于近年来趋向普及化。因此，大型及小型显示器如液晶显示屏幕及个人移动产品等等，也因应科技的进步而形成一广大消费市场。由于发光二极管(Light Emitting Diode；LED)具有体积小的优势，而被广泛应用于小型显示器背光模块及通讯等消费市场。但目前因为亮度不够问题，尚未能广泛使用于大型液晶显示器的背光模块及平面照明等市场。因此，将发光二极管应用在大型显示器的背光模块及平面照明等领域，是研究发光二极管技术领域有待克服的一大难题。
熟知此技术领域的相关人士皆知，针对发光二极管的白光发光机制，是以蓝光或紫外光(Ultraviolet；UV)的发光二极管芯片搭配适当的磷光体(Phosphor)相互作用后，使其发光光谱(Spectrum)趋近白光而成。
美国专利第5,813,753号揭露了一发光装置，其具有一紫外光/蓝光发光二极管、一光穿透体、一磷光体及一可见光穿透(Long Wave Pass；以下简称LWP)滤波器。发光二极管被设置在一具有一反射侧壁的凹槽内。光穿透体包围发光二极管并填满凹槽。磷光体以颗粒状的形式被分散在光穿透体中。可见光穿透滤波器形成在光穿透体的一前侧。
如图1所示，美国专利第6,155,699号中揭露的一种现有的发光装置10具有一界定出一凹槽12的容装体11、一设置在该凹槽12中的发光二极管13、一封装该发光二极管13的圆顶状封装层14、一包围该封装层14的分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector；以下简称DBR)镜面15、一包围该DBR镜面15的波长转换构件(Wavelength Converting Member)16，及一封装该波长转换构件16的透镜17。
DBR镜面15为本技术领域所熟知的一多层介电结构，该多层介电结构在介电常数上具有一周期性的变化，且显示出一频率光带隙(Photonic Bandgap)的特性。该光带隙防止一特定频率范围的光在该介电结构内传递，并容许该频率范围的光全反射。
波长转换构件16通常由磷光材料(Phosphorescent Materials)制成，为本技术领域所熟知的一波长转换介质。该介质用来吸收并转换一具有一较短波长范围的一次光(例如一不可见光、一紫外光或一蓝光)，成为一具有一较长波长范围的二次光(例如可见光或白光)。
DBR镜面15具有一传递大部分一次光经过DBR镜面15到波长转换构件16的穿透性(Transmittance Characteristic)，及一防止由波长转换构件16所产生的二次光进入封装层14的反射性(Reflectance Characteristic)。在使用中，该发光二极管13发射出一穿过封装层14及DBR镜面15的一次光，且该一次光接续被波长转换构件16中的磷光材料转换成一二次光。一部分的二次光经由透镜17离开发光装置10，同时剩余的二次光照射DBR镜面15，并且后续由该DBR镜面15被反射回波长转换构件16，以便于防止该二次光进入封装层14，由此提高该发光装置10的发光效率。
由于，该一次光被转换成二次光的量，是依在波长转换构件16中的磷光材料的浓度及量子效率(Quantum Efficiency)而定，该一次光的一显著的量无法被转换，且可穿过波长转换构件16及该透镜17并进入空气中，导致发光装置10的发光效率及二次光的品质下降，例如色温(Color Temperature)及纯度(Purity)，且若一次光为一紫外光时会对环境造成伤害。因此，需要改善一次光转换成二次光的效率，以便于提高发光装置10的效率。
前面所提及的DBR镜面15及LWP滤波器是具有呈对的高低折射率(Refractive Index)层的介电结构。众所周知，现有的DBR镜面及LWP滤波器，对于反射或穿透相对于介电结构的一表面的一法线的大范围角度的入射光而言，其所呈现出来的功效无法满足具广角度散射的发光装置的需求。
美国专利第6,130,780号揭露了一由一全方向一维光子晶体所制成的全方向反射镜。该全方向一维光子晶体具有一全方向光带隙，使得当一入射光的频率(或波长)落入该光带隙时，可全反射任何一入射角及偏极化(Polarization)的光。此处所揭露的全方向反射镜，是由复数呈对的高低折射率层的介电材料所构成。该两介电材料之间折射率的差异，必须足够高才可以形成全方向光带隙。
由上述可知，如何将发光二极管或其它发光源所发射的大角度的光充分利用，借而提高光源与萤光体的作用，以便于有效地应用在显示器的背光模块或平面照明设备上，是当前研究发光二极管及设计背光模块的业者不断努力的方向。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种全方向一维光子晶体的全方向反射镜。
本发明的另一目的在于提供一种具有全方向一维光子晶体的全方向反射镜的发光装置，以克服前面现有发光装置所提到的缺失。
本发明中全方向一维光子晶体的全方向反射镜包含一介电体，在介电常数上具周期性变化并具有至少一介电单元，该介电单元至少具有一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，这些介电层在折射率上相互不同，以至于全方向反射镜具有一反射性及一穿透性，该反射性实质地全反射一具有一第一波长范围的一次光，该穿透性传递一具有第一波长范围以外的第二波长范围的二次光。
本发明中具有全方向一维光子晶体的全方向反射镜的发光装置包含
一发光单元，可产生一具有一第一波长范围的一次光；一波长转换构件，连接于发光单元用于转换部分一次光成为一具有一第二波长范围的二次光；及一全方向光子晶体的第一全方向反射镜，连接于所述波长转换构件用于接收该二次光，及未被波长转换构件转换的剩余的一次光。
该全方向反射镜是一在介电常数上具有周期性变化的介电结构，且具有至少一介电单元，该介电单元至少具有一第一介电层及一第二介电层，这些介电层的折射率相互不同，以致于该全方向反射镜具有一传递二次光经过全方向反射镜的穿透性，及一实质地全反射以任何入射角及偏极化的剩余一次光回波长转换构件的反射性。
图1是现有一种发光装置的示意图；图2是本发明发光装置第一较佳实施例的侧视剖面示意图；图3是图2中所示发光装置的局部放大示意图，该图示出了两全方向一维光子晶体的全方向反射镜的细部结构；图4是一光带的结构图，该图示出了全方向一维光子晶体的光带结构；图5是一平均反射率及穿透率的光谱图，其中，水平坐标表示波长，垂直坐标表示平均反射率及穿透率；图6是一平均反射率及穿透率的光谱图；图7是本发明发光装置第二较佳实施例的侧视局部剖面示意图；图8是本发明发光装置第三较佳实施例的侧视局部剖面示意图；图9是图8中所示发光装置另一侧视局部剖面示意图，该图示出了复数发光组件呈两一维数组的排列方式；图10是本发明发光装置第四较佳实施例的侧视局部剖面示意图；图11是本发明发光装置第五较佳实施例的侧视局部剖面示意图。
具体实施例方式
下面将结合附图对本发明中的具体实施例作进一步详细说明。
发光二极管的白光发光机制是以蓝光或紫外光的发光二极管芯片搭配适当的萤光体相互作用后，使其发光光谱趋近白光而成。例如以蓝光发光二极管与黄光萤光体搭配，或是以紫外光发光二极管搭配红绿蓝(RGB)萤光体所组成。
然而，如上面所提到的方法所形成的白光，通常具有色温(ColorTemperature)偏高和光源色度控制不易等缺点。色温偏高是由于蓝光占发光光谱的大部分，为降低蓝光强度或提升黄光部分的强度，必须提高蓝光与萤光体作用的机会。而光源色度则取决于激发光与萤光体的作用效率。当激发光为紫外光时，由于紫外光对光源色度上贡献极小，因此，欲得到色温及色度均匀的高亮度白光，则需提高紫外光与萤光体的作用率，以减少紫外光被传递到萤光体外。
如图2和图3所示，本发明具有全方向一维光子晶体的全方向反射镜的发光装置的第一较佳实施例，包含一发光单元51、一波长转换构件4、一第一基板31、一第二基板32、一全方向一维光子晶体的第一全方向反射镜6、一全方向一维光子晶体的第二全方向反射镜8，及一金属反射镜71。
发光单元51具有复数发光组件511。这些发光组件511可产生一由350nm到470nm的第一波长范围的一次光。适用于本发明的发光组件选自于发光二极管、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode；OLED)或高分子有机发光二极管(Polymer Light Emitting Diode；PLED)的发光组件。在该第一较佳实施例中，使用370nm波长的紫外光发光二极管。
波长转换构件4是一萤光体。该波长转换构件4具有一上表面41(即发光装置的出光面)，及一相反于该上表面41的下表面42(即发光装置的背光面)。使这些发光组件511以一二维数组(Array)的排列方式，镶嵌在波长转换构件4内且位于波长转换构件4的下表面42。适用于本发明的波长转换构件4是以适量的溶剂(Solvent)为母材(Matrix)，将萤光粉(Fluorescent Powder)分散在母材中所制备而得的萤光体。在该第一较佳实施例中，波长转换构件4是利用适量的红绿蓝三原色萤光粉，分散在母材中所制备而得。借波长转换构件4转换部分一次光成为一由400nm到700nm的第二波长范围的二次光(由红蓝绿三原色所混成的白光)。
第一及第二基板31、32分别设置在波长转换构件4的上表面41及下表面42。在该第一较佳实施例中，前面所提到的波长转换构件4是利用旋转涂布(Spin Coating)形成在第二基板32的一上表面。
由两全方向一维光子晶体所制成的这些全向反射镜6、8，分别形成在第一基板31的一上表面及第二基板32的一下表面，用于接收二次光及未被波长转换构件4转换的剩余的一次光。这些全方向反射镜6、8分别是一在介电常数上具有周期性变化的介电结构，且分别具有十四个介电单元61、81。这些介电单元61、81分别具有一第一介电层611、811、一第二介电层612、812及一第三介电层613、813。这些介电层611、612、613、811、812、813的折射率是相互不同的，以致于这些全方向反射镜6、8具有一传递二次光经过这些全方向反射镜6、8的穿透性，及一实质地全反射以任何入射角及偏极化的剩余一次光回该波长转换构件4的反射性。
每一第一介电层611、811、第二介电层612、812及第三介电层613、813，具有一第一折射率、一第二折射率及一第三折射率。该第一全方向反射镜6的这些第二介电层612，分别设置于第一及第三介电层611、613之间。第二全方向反射镜8的第二介电层812分别设置于第一及第三介电层811、813之间。且第二折射率低于第一及第三折射率，第三折射率低于第一折射率。适用于本发明的介电层611、612、613、811、812、813选自于下列所构成群组中的三介电材料二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氟化镁(MgF2)、氟化钡(BaF2)及氟化钙(CaF2)。在该第一较佳实施例中，这些第一介电层611、811、第二介电层612、812及第三介电层613、813分别是二氧化钛、二氧化硅及五氧化二钽。
其中，适用于制作本发明的这些介电层611、612、613、811、812、813的方法，是一选自于电子束蒸镀(E-Beam Evaporation)、射频溅镀(R.F.Sputtering)、溶胶-凝胶法(Sol-Gel)或化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition；CVD)的薄膜沉积技术。在该第一较佳实施例中，上述的二氧化钛、二氧化硅及五氧化二钽是利用射频溅镀法形成。另外，在第一较佳实施例中，位于第一基板31上表面的全方向反射镜6是利用射频溅镀法沉积在第一基板31的上表面，也可以是直接形成在波长转换构件4的上表面41上。
如图4所示，表示出了由第一、第二及第三介电层611、811、612、812、613、813所制成的全方向一维光子晶体的光带结构。当此光子晶体的晶格间隙(Lattice Spacing)a为110.0nm时，光子晶体具有一频率介于0.298(a/c)至0.295(a/c)之间的全方向光带隙(波长范围为369nm至373nm)，其频率相当于由图4中点201到点202。图4中的波数(Wave Number；ky)及波偏极化TE及TM的定义，见美国专利第6,130,780号的说明书。
如图5所示，示出了上述全方向一维光子晶体所形成的全方向反射镜对于从空气中以所有入射角及偏极化的入射光的平均穿透率(Transmittance)与反射率(Reflectance)的光谱。其中，可看到在波长介于366nm和378nm之间，平均反射率皆大于99％，此结果与图4中光带隙的分析相符合。
如图6所示，示出发全方向一维光子晶体(TiO2/SiO2/Ta2O5；three-some)所制成的全方向反射镜6、8，与一由TiO2/SiO2(pair)所制成的全方向反射镜的平均穿透率与反射率光谱的比较图。此处是以两种一维光子晶体，对从波长转换构件4中以0到90度入射的紫外光，进行平均穿透及反射特性的比较。其中，可看出TiO2/SiO2/Ta2O5的平均反射率皆大于99％，且TiO2/SiO2/Ta2O5的波形较TiO2/SiO2的波形窄，其表示在没有减少一次光的反射率下，TiO2/SiO2/Ta2O5更能有效地把二次光(可见光)传递出去。因此，不论发光单元51是以何种角度或是偏极化方向射出，皆可被完全局限在波长转换构件4内多次且多方向地散射，而无法传递出波长转换构件4。
值得一提的是，由于在本发明的第一较佳实施例中，第二全方向反射镜8主要是全反射往发光装置的背光面方向发射的一次光回波长转换构件4中，因此，如图6所示，每一介电单元81也可以是只由TiO2及SiO2所构成，便可达成全反射一次光的要求。
如图2所示，金属反射层71形成在第二全方向反射镜8的一下表面。
传统的发光装置中，于发光单元的底部会形成有一金属反射层，用于反射一次光及二次光回波长转换构件中。但是，当一次光为不可见光(例如UV光)时，此金属反射层将会吸收掉部分的一次光，并降低此发光装置的发光效率。
在第一较佳实施例中，该一次光是被由全方向一维光子晶体所制成的第二全方向反射镜8全反射回波长转换构件4中。另外，二次光(白光)又可借由金属层71反射回波长转换构件4，并由波长转换构件4传递出第一全方向反射镜6，由此提高本发明的发光装置的发光效率。
如图7所示，本发明具有全方向一维光子晶体的全方向反射镜的发光装置的第二较佳实施例，大致上与第一较佳实施例相同，其不同之处在于，第一全方向反射镜6呈一半球形状，用于增加二次光传递过第一全方向反射镜6的穿透率，并进一步地提升第二较佳实施例的发光装置的发光效率。
如图8和图9所示，本发明具有全方向一维光子晶体的全方向反射镜的发光装置的第三较佳实施例，大致上与第一较佳实施例相同，其不同之处在于，该发光装置包含有两金属反射层72，且波长转换构件4更具有两呈相反平行设置的侧面43。另外，发光单元51的排列关系也不同于第一较佳实施例。
该波长转换构件4的两侧面43分别与上、下表面41、42连接。
该发光单元51具有复数发光组件512，这些发光组件512分别呈两一维数组的排列方式镶嵌在波长转换构件4的侧面43上。
这些金属反射层72分别形成在侧面43，且覆盖发光组件512。
如图10所示，本发明具有全方向一维光子晶体的全方向反射镜的发光装置的第四较佳实施例，大致上与第一较佳实施例相同，其不同之处在于，发光单元51、第二全方向反射镜8、金属反射层71及第二基板32的设置位置。
该发光单元51具有一发光组件513。该发组件513镶嵌在波长转换构件4中，并具有一下表面501。在该第四较佳实施例中，发光组件513由一磊晶(Epitaxy)基材及一形成在磊晶基材上的发光晶体所构成。适用于本发明的磊晶基材是一选自于蓝宝石(Sapphire)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)或氮化镓(GaN)的磊晶基材。在该第四较佳实施例中，磊晶基材使用蓝宝石。
第二全方向反射镜8被嵌埋该波长转换构件4的下表面42，并且具有一上表面801及一相反于上表面801的下表面802。该第二全方向反射镜8的上表面801形成在发光组件513的下表面501(即磊晶基材的下表面)。
该金属反射层71形成在波长转换构件4的下表面42，且覆盖第二全方向反射镜8的下表面802。
第二基板32形成在金属反射层71的一下表面，并且覆盖金属反射层71。
如图11所示，本发明具有全方向一维光子晶体的全方向反射镜的发光装置的第五较佳实施例，大致上与第四较佳实施例相同。其不同之处在于金属反射层71形成在第二基板32的下表面，并且覆盖第二基板32。
另外值得一提的是，在本发明的较佳实施例中，是利用这些全方向反射镜6、8的全方向光带隙的特性，使其光带隙位于入射光源为370nm紫外光的波长范围内，并配合三原色萤光粉以形成白光的发光机制。而本发明的应用并不局限在这些较佳实施例的限制条件内，也可以是针对不同颜色的发光机制并配合色彩学(Chromatics)的应用，设计出具有一预定波长范围的光带隙的全方向一维光子晶体的全方向反射镜，使得所选用的萤光粉可配合该预定波长范围的入射光源，以形成其它颜色的发光机制。
比较这些较佳实施例，可得到以下几个结果(一)、上面所提到的全方向反射镜6、8，可以有效阻隔波长为370nm的紫外光，并避免此高能量的紫外光直接传递到外界，降低对人体所造成的伤害。
(二)、根据上述的结果(一)，本发明中的全方向反射6、8，可使一次光(紫外光)与波长转换构件4(萤光体)充分作用，借以提高白光的发光亮度及稳定光源色度。
(三)、在第一及第二较佳实施例中，由于一次光的光分布，是被这些全方向反射镜8散射开来，因此可调宽发光组件511、512之间的距离。而在调宽这些发光组件511、512的间距后，不但仍可保持发光装置发光面的均匀性，也因此解决了发光装置过热的问题。
(四)、在这些较佳实施例中，由于一次光被这些全方向反射镜6、8完全局限在波长转换构件4(萤光体)中。所以，即使波长转换构件4的层厚极薄或是萤光体的密度不高，仍可使一次光与其充分作用。所以具有提高本发明发光装置发光亮度与缩小发光装置体积的优点。
综上所述，本发明具有全方向反射镜的发光装置，具有降低对人体所造成的伤害、提高白光的发光亮度、光源色度稳定、解决发光装置过热的问题及重量体积轻薄化等特点，所以确实能达到本发明的目的。
权利要求
1.一种全方向反射镜，其特征在于其包含一介电体，在介电常数上具周期性变化并具有至少一介电单元，该介电单元至少具有一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，这些介电层在折射率上相互不同，以至于全方向反射镜具有一反射性及一穿透性，该反射性实质地全反射一具有一第一波长范围的一次光，该穿透性传递一具有第一波长范围以外的第二波长范围的二次光。
2.根据权利要求1中所述的全方向反射镜，其特征在于所述第一、第二及第三介电层分别具有一第一折射率、一第二折射率及一第三折射率，该第二介电层设置于第一及第三介电层之间，且第二折射率低于第一及第三折射率，第三折射率低于第一折射率。
3.根据权利要求1中所述的全方向反射镜，其特征在于所述第一、第二及第三介电层是由选自于下列所构成群组中的至少三介电材料层组成二氧化钛、二氧化硅、五氧化二钽、氧化铝、氧化镁、氧化锆、氟化镁、氟化钡及氟化钙。
4.根据权利要求1中所述的全方向反射镜，其特征在于所述第一、第二及第三介电层分别由二氧化钛、二氧化硅及五氧化二钽制成。
5.一种由全方向反射镜制成的发光装置，其特征在于其包含一发光单元，可产生一具有一第一波长范围的一次光；一波长转换构件，连接于发光单元用于转换部分一次光成为一具有一第二波长范围的二次光；及一全方向光子晶体的第一全方向反射镜，连接于所述波长转换构件用于接收该二次光，及未被波长转换构件转换的剩余的一次光。
6.根据权利要求5中所述的发光装置，其特征在于所述第一全方向反射镜具有至少一介电单元，该介电单元至少具有一第一介电层及一第二介电层，这些介电层的折射率相互不同，以致于第一全方向反射镜具有一传递二次光经过第一全方向反射镜的穿透性，及一实质地全反射剩余一次光回波长转换构件的反射性。
7.根据权利要求5中所述的发光装置，其特征在于所述第一全方向反射镜具有至少一介电单元，该介电单元至少具有一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，这些介电层的折射率相互不同，以致于第一全方向反射镜具有一传递二次光经过第一全方向反射性的穿透镜，及一实质地全反射剩余一次光回波长转换构件的反射性。
8.根据权利要求7中所述的发光装置，其特征在于所述第一、第二及第三介电层分别具有一第一折射率、一第二折射率及一第三折射率，第二介电层设置于第一及第三介电层之间，且第二折射率低于第一及第三折射率，第三折射率低于第一折射率。
9.根据权利要求8中所述的发光装置，其特征在于所述发光单元具有至少一发光组件，该发光组件选自于发光二极管、有机发光二极管或高分子有机发光二极管。
10.根据权利要求9中所述的发光装置，其特征在于所述发光组件为能发射出波长范围为350nm到470nm的一次光的发光二极管。
11.根据权利要求10中所述的发光装置，其特征在于所述波长转换构件为一萤光体，使发光二极管所发射出的一次光可被该萤光体转变成为由400nm到700nm波长范围的二次光。
12.根据权利要求11中所述的发光装置，其特征在于所述波长转换构件具有一上表面及一相反于上表面的下表面，所述第一全方向反射镜设置在该波长转换构件的上表面，所述发光组件镶嵌在所述波长转换构件内且位在波长转换构件的下表面。
13.根据权利要求12中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一全方向光子晶体的第二全方向反射镜、一第一基板及一第二基板，该第一及第二基板分别设置在波长转换构件的上表面及下表面，发光组件镶嵌在波长转换构件内且位在下表面，第一及第二全方向反射镜分别形成在第一及第二基板上。
14.根据权利要求13中所述的发光装置，其特征在于所述第二全方向反射镜具有至少一介电单元，该介电单元具有至少二折射率相互不同的介电层。
15.根据权利要求13中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一金属反射层，该金属反射层形成在所述第二全方向反射镜上。
16.根据权利要求11中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一全方向光子晶体的第二全方向反射镜、一第一基板及一第二基板，该波长转换构件具有一上表面、一相反于上表面的下表面及复数侧面，该第一及第二基板分别设置在波长转换构件的上表面及下表面，第一及第二全方向反射镜分别形成在第一及第二基板上，发光组件镶嵌在波长转换构件的其中的一侧面上。
17.根据权利要求16中所述的发光装置，其特征在于所述发光单元具有复数发光组件，这些发光组件镶嵌在波长转换构件的其中至少一侧面上。
18.根据权利要求17中所述的发光装置，其特征在于所述第二全方向反射镜具有至少一介电单元，该介电单元具有至少二折射率相互不同的介电层。
19.根据权利要求18中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含至少一金属反射镜，该金属反射镜形成在所述侧面，且覆盖这些发光组件。
20.根据权利要求11中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一第一基板，所述波长转换构件具有一上表面及一相反于上表面的下表面，第一基板形成在波长转换构件的上表面，第一全方向反射镜形成在第一基板上，发光组件被嵌埋在波长转换构件的下表面。
21.根据权利要求20中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一全方向光子晶体的第二全方向反射镜及一金属反射层，所述发光组件具有一下表面，该第二全方向反射镜被嵌埋在波长转换构件的下表面，且具有一上表面及一相反于上表面的下表面，该第二全方向反射镜的上表面形成在发光组件的下表面，该金属反射层形成在该波长转换构件的下表面且覆盖第二全方向反射镜的下表面。
22.根据权利要求21中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一形成在金属反射层上的第二基板。
23.根据权利要求17中所述的发光装置，其特征在于所述第二全方向反射镜具有至少一介电单元，该介电单元具有至少二折射率相互不同的介电层。
24.根据权利要求20中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一全方向光子晶体的第二全方向反射镜及一第二基板，该发光元件具有一下表面，该第二全方向反射镜嵌埋在该波长转换构件的下表面，并具有一上表面及一相反于上表面的下表面，该第二全方向反射镜的上表面形成在该发光组件的下表面，该第二基板形成在该波长转换构件的下表面并覆盖该第二全方向反射镜。
25.根据权利要求24中所述的发光装置，其特征在于所述发光装置更包含一形成在第二基板上的金属反射镜，且金属反射镜覆盖住第二基板。
26.根据权利要求25中所述的发光装置，其特征在于所述第二全方向反射镜具有至少一介电单元，该介电单元具有至少二折射率相互不同的介电层。
27.根据权利要求7中所述的发光装置，其特征在于所述第一、第二及第三介电层选自于下列所构成群组中的至少三介电材料二氧化钛、二氧化硅、五氧化二钽、氧化铝、氧化镁、氧化锆、氟化镁、氟化钡及氟化钙。
28.根据权利要求7中所述的发光装置，其特征在于所述第一、第二及第三介电层分别由二氧化钛、二氧化硅及五氧化二钽所制成。
29.根据权利要求21中所述的发光装置，其特征在于所述发光组件由一磊晶基材及一形成在该磊晶基材上的发光晶体构成，该第二全方向反射镜形成在该磊晶基材的下表面，该磊晶基材是一选自于蓝宝石、硒化锌、氧化锌或氮化镓的磊晶基材。
30.根据权利要求29中所述的发光装置，其特征在于所述磊晶基材是蓝宝石。
31.根据权利要求24中所述的发光装置，其特征在于所述发光组件由一磊晶基材及一形成在磊晶基材上的发光晶体构成，该第二全方向反射镜形成在该磊晶基材的下表面，该磊晶基材是一选自于蓝宝石、硒化锌、氧化锌或氮化镓的磊晶基材。
32.根据权利要求31中所述的发光装置，其特征在于所述磊晶基材是蓝宝石。
全文摘要
本发明公开了一种全方向反射镜及由其制造的发光装置，其中发光装置包含一可产生一具有一第一波长范围的一次光的发光单元、一连接于发光单元用于转换部分一次光成为一具有一第二波长范围的二次光的波长转换构件，及至少一连接于波长转换构件用于接收二次光，及未被波长转换构件转换的剩余一次光的全方向反射镜。该反射镜由一全方向一维光子晶体所制成，并具有一传递二次光经过该反射镜的穿透性，及一全反射该剩余一次光回该波长转换构件的反射性。
文档编号G02B1/00GK1577902SQ20031011692
公开日2005年2月9日 申请日期2003年12月1日 优先权日2003年7月18日
发明者林仲相 申请人:汉欣企业有限公司