具有宽视角的液晶显示器的制作方法

专利名称：具有宽视角的液晶显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示器(LCD)，更具体而言，涉及一种将像素划分为多个域(domain)以增大视角的LCD。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是目前广泛采用的平板显示器类型。LCD包括两个基板，所述基板配有诸如像素电极和公共电极的场发生电极，以及插入其间的液晶(LC)层。LCD将电压施加到场发生电极以在LC层中产生电场，电场决定着LC层中LC分子的取向以调节穿过LC层的光的偏振，从而显示图像。
已经提出了各种用于增大视角的技术。具体而言，有一项技术采用垂直配向(VA)LC分子，并在每一场发生电极处提供切口(cutout)和突起(protrusion)。
通过场发生电极内的切口和场发生电极上的突起能够实现VA模式LCD的宽视角。由于所述切口和突起能够决定LC分子的取向，因此，可以利用切口和突起使光沿不同方向传播。通过控制光沿不同方向传播，拓宽了基准视角。
也可以采用域划分型LCD来拓宽视角。在域划分型LCD中，将域划分为多个组，并向相应的域组施加不同的数据电压。具体而言，将一个像素划分为至少两个域组，并向相应的域组施加不同的数据电压。
在这样的常规LCD中，在域组之间存在缝隙。在这一缝隙和连接漏电极的耦合电极连接部分之间的交叉处电场沿不同的侧面方向扰动液晶的取向。液晶配向中的扰动导致了不合要求的纹理(texture)和漏光。具体而言，当屏幕在常黑模式中从黑色转换为白色时，所述交叉处保持黑色的时间比显示器的其余部分长一会儿(被称为瞬时余像)。
希望得到一种取得宽视角而没有上述问题的方法。

发明内容
本发明提供了一种能够提供宽视角，同时避免纹理、漏光或形成瞬时余像的液晶显示器(LCD)。
一方面，本发明提供了一种液晶显示器(LCD)。所述LCD包括第一绝缘基板；形成于所述第一绝缘基板上的栅极线；与所述栅极线绝缘并基本垂直于所述栅极线延伸的数据线，其中所述栅极线和所述数据线界定像素；以及连接至所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管(TFT)。第一子像素电极连接至TFT，第二子像素电极通过耦合电极电容耦合至所述第一子像素电极，所述第二子像素电极通过缝隙与所述第一子像素电极隔开。所述LCD还包括第二绝缘基板和公共电极，所述公共电极形成于所述第二绝缘基板上并包括域划分部。在所述第一绝缘基板和第二绝缘基板之间插置液晶层。将所述TFT连接至所述耦合电极的耦合电极连接部分在沿所述像素的边缘的区域与所述缝隙交叉。
另一方面，本发明提供了一种液晶显示器(LCD)，包括第一绝缘基板；形成于所述第一绝缘基板上的栅极线；与所述栅极线绝缘并基本垂直于所述栅极线延伸的数据线，其中所述栅极线和所述数据线界定像素；以及连接至所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管(TFT)。第一子像素电极连接至TFT，第二子像素电极通过耦合电极电容耦合至所述第一子像素电极，所述第二子像素电极通过缝隙与所述第一子像素电极隔开。所述LCD还包括第二绝缘基板和公共电极，所述公共电极形成于所述第二绝缘基板上并包括域划分部。在所述第一绝缘基板和第二绝缘基板之间插置液晶层。耦合电极连接部分将所述TFT连接至所述耦合电极，所述耦合电极连接部分包括第一部分，所述第一部分沿所述耦合电极连接部分和所述缝隙的交叉处的缝隙延伸。


通过参考附图详细描述其示范性实施例，本发明的以上和其他特征和益处将变得更加显见，附图中图1A是根据本发明的示范性实施例的LCD的薄膜晶体管(TFT)显示器基板的布局图，图1B是沿图1A的Ib-Ib′线得到的截面图，图1C是沿图1A的Ic-Ic′线得到的截面图；图2是根据本发明的示范性实施例的LCD的公共电极显示器基板的布局图；图3A是图1A的TFT-LCD和图2的公共电极显示器基板的布局图，图3B是沿图3A的IIIb-IIIb′线得到的截面图；图4是根据本发明的示范性实施例的LCD的电路图；图5是图1A的A部分的放大布局图；图6是根据本发明另一实施例的LCD的TFT基板的布局图；图7是包括图6的TFT基板的LCD的布局图；图8是根据本发明又一实施例的LCD的TFT基板的布局图；图9是包括图8的TFT基板的LCD的布局图；以及图10是图8的B部分的放大布局图，其示出了像素电极和耦合电极连接部分(coupling electrode connecting portion)之间的关系。
具体实施例方式
参考以下的对优选实施例的详细说明和附图可以更容易地理解本发明的优点和特征以及实现方法。不过，本发明可以以许多不同的形式实施，不应被视为受限于此处所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开透彻和完全，并将充分地把本发明的原理传达给本领域的技术人员，本发明仅由权利要求界定。在说明书中始终采用类似的附图标记表示类似的元件。
在下文中将参照根据本发明实施例的液晶显示器的方法的图示对本发明予以说明。
根据本发明的液晶显示器(LCD)包括包括TFT的薄膜晶体管(TFT)基板，基本上平行于所述TFT基板布置的公共电极基板，以及插置在所述TFT基板和公共电极基板之间的液晶层。由栅极线和数据线界定TFT。公共电极基板常常包括滤色器。通过对液晶分子配向，使得其主轴基本垂直于所述TFT基板和公共电极基板。
首先，将参照图1A到图1C对TFT基板予以详细说明。图1A是根据本发明的示范性实施例的LCD的TFT基板的布局图，图1B是沿图1A的Ib-Ib′线得到的横截面图，图1C是沿图1A的Ic-Ic′线得到的横截面图。
栅极线22在绝缘基板10上沿第一方向延伸，并形成从栅极线22分支出来的栅电极26。在栅极线22的末端形成栅极线端部24，以接收来自另一层或外电路的栅极信号，并将接收到的栅极信号传输至栅极线22。使栅极线端部24宽于栅极线22，从而便于与外电路的连接。栅极线22、栅电极26和栅极线端部24形成了栅极线(22，26，24)。在绝缘基板10上形成存储电极线28。存储电极线28基本平行于栅极线22沿第一方向延伸，沿像素中的第一和第二子像素电极82a和82b的边缘形成存储电极线28，在下文中将对其予以说明。为了提高LCD的开口率，可以以各种方式改变存储电极线28的形状和分布，只要其能够结合第一和第二子像素电极82a、82b形成存储电容器。
栅极线(22，24，26)和存储电极线28优选由下述材料构成诸如Al和Al合金的含Al金属、诸如Ag和Ag合金的含Ag金属、诸如Cu和Cu合金的含Cu金属、诸如Mo和Mo合金的含Mo金属、Cr、Ti或Ta。此外，栅极线(22，24，26)和存储电极线28具有多层结构，所述多层结构包括具有不同物理特性的两个导电膜(未示出)。所述两个膜中的一个优选由诸如含Al金属、含Ag金属或含Cu金属的低电阻率金属构成，从而降低栅极线(22，24，26)和存储电极线28中的信号延迟或电压降。另一个膜优选由具有良好的物理、化学特性以及与诸如氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)的其他材料之间良好的电接触特性的材料构成，例如含Mo金属、Cr、Ta或Ti。所述两个膜的示范性组合为下部Cr膜结合上部Al膜。另一种组合为下部Al膜和上部Mo膜。但是，这些不是对本发明的限制，栅极线(22，24，26)和存储电极线28可以由各种金属或导体组合构成。
在栅极线(22，24，26)和存储电极线28上形成栅极绝缘层30。
在栅极绝缘层30上形成由氢化非晶硅或多晶硅构成的半导体层40。可以对半导体层40构形(shaped)，使得从平面上看像岛状或者为线状。例如，在图1A的示范性实施例中，形成作为岛的半导体层40。在形成作为直线的半导体层40的不同实施例中，其可以位于数据线62之下，并延伸至栅电极26。
在半导体层40上形成由硅化物或者掺有高浓度n型杂质的n+氢化非晶硅构成的欧姆接触层55和56。欧姆接触层55和56可以形成岛或线。例如，在图1B的示范性实施例中，在漏电极66和源电极65之下形成作为岛的欧姆接触层55和56。可以将线状欧姆接触层布置为在数据线62之下延伸。
在欧姆接触层55和56以及栅极绝缘层30上形成数据线62和漏电极66。数据线62沿第二方向延伸，并与栅极线22(从平面上看)交叉，以界定像素。数据线62可以基本垂直于栅极线22延伸。源电极65从数据线62开始在半导体层40上延伸。在数据线62的末端处形成数据线端部68，以接收来自另一层或外电路的数据信号，并将接收到的数据信号传输至数据线62。使数据线端部68宽于数据线62，从而便于与外电路的连接。将漏电极66与源电极65隔开，漏电极66位于半导体层40之上，从而使它们跨过栅电极26相互面对。
将漏电极66构造为条，以及从所述条延伸的延伸图案。所述条位于所述半导体层40上。所述延伸图案具有大面积和接触孔76。在与漏电极66相同的层上形成由与漏电极66相同的材料构成的耦合电极69，耦合电极69通过耦合电极连接部分67连接至漏电极66。耦合电极69宽于耦合电极连接部分67，从而与第二子像素电极82b交叠，并形成耦合电容器。耦合电极连接部分67包括参照图1A沿数据线62纵向延伸的第一部分67a和参照图1A斜向延伸的第二部分67b。第二部分67b连接第一部分67a和耦合电极69。提供耦合电极69和耦合电极连接部分67的目的在于防止产生纹理、漏光和瞬时余像等不合要求的效应，在下文中将参照图5对其予以说明。
数据线62、数据线端部68、源电极65、漏电极66、耦合电极69和耦合电极连接部分67形成了数据线(62，68，65，66，69，67)。
数据线(62，68，65，66，69，67)优选由难熔金属构成，例如Cr、Mo、Ti、Ta或其合金。而且，数据线(62，68，65，66，69，67)可以具有多层结构，所述多层结构包括低电阻率膜(未示出)和接触增强膜(未示出)。多层结构的例子包括具有下部Cr膜和上部Al膜的的双层结构，具有下部Al膜和上部Mo膜的双层结构，以及具有下部Mo膜、中间Al膜和上部Mo膜的三层结构。
源电极65与半导体层40的至少一部分交叠。漏电极66跨过栅电极26与源电极65相对，并与所述半导体层40的至少一部分交叠。这里，欧姆接触层55和56插置在半导体层40和源电极65和漏电极67每者之间，以降低半导体层40和源电极/漏电极65、67之间的接触电阻。
在数据线62、漏电极66和半导体层40的暴露部分上形成由有机绝缘层构成的钝化层70。这里，钝化层70优选由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘体、具有良好平坦度特征的感光有机材料、或者诸如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料构成，钝化层70通过等离子增强化学气相淀积(PECVD)形成。或者，钝化层70可以是具有下部无机膜和上部有机膜的双层结构，以保护暴露的半导体层40，同时保持作为有机层的良好特性。
在钝化层70上形成暴露漏电极66和数据线端部68的接触孔76和78，在钝化层70和栅极绝缘层30上形成暴露栅极线端部24的接触孔74。
在钝化层70上基本循着像素轮廓形成像素电极82。如上所述，像素电极82包括第一和第二子像素电极82a和82b。通过与偏振板的透射轴1成大约45度或-45度角的缝隙83分隔第一和第二子像素电极82a、82b。第二子像素电极82b形成尖端部分削平的旋转“V”形并位于像素区中间。在未形成第二子像素电极82b的像素区部分上形成第一子像素电极82a。这里，可以在第一和第二子像素电极82a和82b中或上沿相对于图1A的斜向形成多个切口(未示出)或突起(未示出)。
第一子像素电极82a之一通过接触孔76电连接到漏电极66，第二子像素电极82b通过从漏电极66延伸的耦合电极67耦合(非直接耦合)至漏电极66。
辅助栅极线端部86和辅助数据线端部88形成于钝化层70上，并分别通过接触孔74和78连接至栅极线端部24和数据线端部68。像素电极82以及辅助栅极线端部86和辅助数据线端部88优选由诸如ITO或IZO的透明导体，或者诸如Al的反射导体构成。分别采用辅助栅极线端部86和辅助数据线端部88将栅极线端部24和数据线端部68连接至外部装置。
第一子像素电极82a通过接触孔76电连接到漏电极66。第二子像素电极82b未直接连接至漏电极66，但是其通过耦合电极连接单元67和从漏电极66延伸的耦合电极69耦合至漏电极66。
第一子像素电极82a之一通过接触孔76从物理和电的角度连接至漏电极66，漏电极66向第一子像素电极82a施加数据电压。第二子像素电极82b处于电浮置状态，并且通过耦合电极67电容耦合至第一子像素电极82a，第一子像素电极82a连接至漏电极66并与第二子像素电极82b交叠。换言之，第二子像素电极82b的电压根据连接至漏电极66的第一子像素电极82a的电压而变化。第二子像素电极82b的电压的绝对值可以总是小于第一子像素电极82a的电压的绝对值。但是，本发明不局限于该实施例。例如，在另一个实施例中，可以将数据电压施加到第二子像素电极82b上，第一子像素电极82a可以电容耦合至第二子像素电极82b。
在以上述方式在像素区内布置时，补偿了施加到第一和第二子像素电极82a和82b上的数据电压之间的差异，以降低伽玛(gamma)曲线的畸变，并拓宽基准视角。在下文中将参照图4对第一子像素电极82a和第二子像素电极82b之间的耦合关系予以更为详细的说明。
可以在像素电极82、辅助栅极线端部86、辅助数据线端部88和钝化层70上形成用于对液晶层配向的配向层(未示出)。
在下文中，将参照图2到图3B对根据本发明实施例的LCD的公共电极基板以及包括所述公共电极基板的LCD予以说明。图2是根据本发明的示范性实施例的LCD的公共电极显示器基板的布局图，图3A是图1A的TFT-LCD和图2的公共电极显示器基板的布局图，图3B是沿图3A的IIIb-IIIb′线得到的截面图。
参照图2到图3B，在由诸如玻璃的透明绝缘材料构成的绝缘基板96上形成用于防止光泄漏的黑矩阵94和依次布置在像素中的红色、绿色和蓝色滤色器98。所述黑矩阵优选含有诸如铬或氧化铬的金属或金属氧化物，或者有机黑色抗蚀剂。
公共电极90包括诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料。在滤色器98上形成切口92。为了有效调整切口92之下的液晶的方向，优选在切口92的预定部分内形成缺口2，如图2所示。
公共电极90基本平行于像素电极82，公共电极90包括切口92，切口92相对于偏振板的透射轴1成大约45度或-45度的角。公共电极90可以包括突起(未示出)而不是切口92。在本文中，将切口92或突起称为域划分部(domain divider)。
如上所述，像素电极82和切口92相对于偏振板的透射轴1倾斜45度或-45度角。在形成突出部分而不是切口92的情况下，可以在与切口92相同的位置处形成突出部分。
可以在公共电极90上涂覆配向层(未示出)，在所述配向层中对液晶分子配向。
如图3A所示，可以通过布置公共电极90的切口92，将划分像素电极82的缝隙83布置在两个切口92之间。
如图3B所示，组合TFT基板100和公共电极基板200并将其相互耦合，在所述TFT基板100和公共电极基板200之间形成液晶层300。对液晶层300垂直配向，由此形成根据本发明实施例的LCD的基本结构。
对液晶层300中的液晶分子配向，使得它们的主轴的取向在没有电场时垂直于TFT基板100和公共电极基板200。液晶层300中的液晶分子具有负介电常数各相异性。布置TFT基板100和公共电极基板200，使得像素电极82与滤色器98交叠。之后，通过公共电极90的切口92和像素电极82的缝隙83将像素划分为多个域。将像素划分为左侧域和右侧域。但是，由于在像素的弯曲区域的第一部分和第二部分之间液晶分子的配向方向不同，因此，将像素划分为第一域和第二域。换言之，根据在施加电场时包含在液晶层中的液晶分子的主定向子(main director)的配向方向将像素划分为多个域。
通过将偏振板、背光、补偿板等与上述基本结构组合完成LCD的制作。
可以将偏振板(未示出)安装在具有所述基本结构的任一基板上，在安装时采用这样的方式使得第一透射轴平行于栅极线22，第二透射轴垂直于栅极线22。
凭借具有上述结构的LCD，对像素的每一域内的液晶配向，使得在向液晶施加电场时其主轴垂直于缝隙83或切口92。因此，所述域中的液晶相对于所述偏振板的透射轴1形成了大约45度或-45度角。缝隙83或切口92中的横向电场有助于对所述域中的液晶配向。
在这一LCD中，从TFT将图像信号电压施加到第一子像素电极82a上，第二子像素电极82b电容耦合至第一子像素电极82a。于是，第二子像素电极82b的电压根据施加到第一子像素电极82a上的图像信号电压而变化。第二子像素电极82b的电压的绝对值小于第一子像素电极82a的电压的绝对值。因此，如上所述，有可能通过在像素中布置具有不同电压的第一和第二子像素电极82a和82b而降低伽玛曲线畸变的可能性，如上所述，布置第一和第二子像素电极82a和82b的方式是使它们互补。
将参照图4说明使第二子像素电极82b的电压保持在低于第一子像素电极82a的电压的电平上的原因。图4是根据本发明实施例的LCD的电路图。
在图3A和图4中，Clca表示在第一子像素电极82a和公共电极90之间形成的液晶电容，Cst表示在第一子像素电极82a和存储电极线28之间形成的维持电容，Clcb表示在第二子像素电极82b和公共电极90之间形成的液晶电容，Ccp表示在第一子像素电极82a和第二子像素电极82b之间形成的，即通过第二子像素电极82b和耦合电极69之间的耦合形成的耦合电容。
参考图4，每一个像素的TFTQ为三端子器件，其具有连接至栅极线G22的控制端子(或栅电极26)，连接至数据线D62的输入端子(或源电极65)，以及连接至液晶电容器Clca和Clcb以及存储电容器Cst的输出端子(或漏电极66)。
分别由Va和Vb表示跨越所述第一和第二子像素电极82a和82b的电压。由所述电压分布规律可得Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb)]。
由于根据分压器法则Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb)]，并且Ccp/(Ccp+Clcb)始终小于1，因此Vb始终小于Va。可以通过调整Ccp调整Vb与Va的比率，可以通过调整第二子像素电极82b和耦合电极69之间的交叠面积或距离调整Ccp。因此，可以改变耦合电极69的分布。
在下文中，将参照图3A到图5对根据本发明的LCD中防止产生纹理、漏光或瞬时余像的原理予以说明。图5是图1A的A部分的局部放大布局图，便于解释像素电极82和耦合电极连接部分67之间的关系。
如上所述，漏电极66和耦合电极69通过耦合电极连接部分67耦合，像素电极82包括由缝隙83分隔的第一子像素电极82a和第二子像素电极82b。缝隙83相对于偏振板的透射轴1成大约45度或-45度的角。在工作于常黑模式的垂直配向LCD中，当屏幕从黑色变为白色时，向连接至漏电极66的第一子像素电极82a上施加数据电压V1。通过耦合电极连接部分67将数据电压V1传递至耦合电极69，耦合电极连接部分67还连接至漏电极66。通过耦合电极69和第二子像素电极82b之间的电容耦合将绝对值小于数据电压V1的数据电压V2传递至第二子像素电极82b。
如图5所示，施加到第一子像素电极82a和耦合电极连接部分67上的数据电压V1越高，施加到第二子像素电极82b上的数据电压V2越小。由于向第一子像素电极82a和耦合电极连接部分67施加了相同的电压，因此，在第一子像素电极82a中的液晶配向方面不存在问题。但是，由于向第二子像素电极82b和耦合电极连接部分67施加了不同电压，因此，扰动了第二子像素电极82b中的液晶配向。更具体地说，位于与缝隙83邻接的第二子像素电极82b的周围区域②中的液晶通过配向使得它们的主轴垂直于缝隙83的长向。但是，由于施加到耦合电极连接部分67的数据电压V1高于施加到第二子像素电极82b的电压，因此，位于耦合电极连接部分67的周围区域①内的液晶沿垂直于耦合电极连接部分67的方向瞬时倾斜，并逐渐像其他液晶一样沿倾斜(oblique)方向倾斜。因此，当平面从黑色变为白色时，可能残留瞬时黑色余像(瞬时余像)，或者在缝隙83和耦合电极连接部分67之间的交叉处可能产生纹理或漏光。
为了解决瞬时余像、纹理或漏光问题，如图3A所示，根据本发明的耦合电极连接部分67包括第一部分67a和第二部分67b，第一部分67a从与数据线62邻接的漏电极66开始并沿数据线62延伸，第二部分67b从第一部分67a延伸至耦合电极69。第二部分67b与公共电极90的切口92交叠。照此，耦合电极连接部分67，具体而言，第一部分67a和缝隙83之间的交叉处位于沿着像素边缘的区域，在该处亮度未受到很大影响，由此改善了LCD的显示特性。此外，如图3A所示，第一部分67a和缝隙83之间的交叉处与公共电极90的切口92交叠，由此减少了可能产生纹理的区域。
此外，在第一部分67a和缝隙83之间的交叉处形成黑矩阵94，由此防止产生瞬时余像和/或漏光。
由于耦合电极连接部分67的第二部分67b位于倾斜方向，以交叠公共电极90的切口92，因此能够提高开口率。
在下文中，将参照图6和图7对根据本发明另一实施例的LCD予以说明。
图6是根据本发明另一实施例的LCD的TFT基板的布局图，图7是包括图6的TFT基板的LCD的布局图。在图6和图7中采用相同的附图标记标示与图1A到图5所示的实施例中起相同作用的部件，将省略重复说明。如图6和图7所示，根据本发明当前实施例的LCD具有与根据本发明的上述实施例的LCD相似的结构，除了下述特征。
如图6到图7所示，根据本发明的耦合电极连接部分567包括第一部分567a和第二部分567b。第一部分567a与公共电极90的切口92交叠，并从漏电极66开始沿相对于图6的斜向延伸。第二部分567b从第一部分567a沿数据线62延伸至耦合电极69。因此，由于耦合电极连接部分567，具体而言，对应于第二部分567b和缝隙83之间的交叉处的部分，位于亮度未受很大影响的像素边缘，因此，能够改善LCD的显示特性。
此外，如图7所示，在第二部分567b和缝隙83之间的交叉处形成黑矩阵94，由此防止瞬时余像或漏光。
此外，由于与公共电极90的切口92交叠的耦合电极连接部分567的第一部分567a沿斜向布置，因此，能够提高开口率。
在下文中，将参照图8到图10对根据本发明另一实施例的LCD予以说明。
图8是根据本发明又一实施例的LCD的TFT基板的布局图，图9是包括图8的TFT基板的LCD的布局图，图10是图8的部分B的放大布局图，便于解释像素电极和耦合电极连接部分767之间的关系。在图8、图9和图10中采用相同的附图标记标示与图1A到图5所示的实施例中起相同作用的部件，将省略重复说明。如图8和图10所示，根据本发明当前实施例的LCD具有与根据本发明的上述实施例的LCD相似的结构，除了下述特征。
如图8到图9所示，根据本发明的耦合电极连接部分767包括第一部分767a和第二部分767b。第一部分767a沿关于图8的纵向，从漏电极66延伸至耦合电极69。第二部分767b沿相对于图8的斜向，在第一部分767a和缝隙83的交叉处，从第一部分767a开始沿缝隙83延伸。虽然耦合电极连接部分767在像素的中央区与缝隙83交叠，但是，第二部分767b形成于耦合电极连接部分767的第二部分767b和缝隙83之间的交叉处，由此防止了不合要求的纹理、漏光或瞬时余像的产生。
具体而言，如图10所示，位于与缝隙83邻接的第二子像素电极82b的周围区域③和④内的液晶沿垂直于缝隙83的方向倾斜，形成相对于栅极线的角度。位于第二部分767b和缝隙83之间的交叉处的周围区域①和②内的液晶在由第二子像素电极82b和第二部分767b引起的横向电场的作用下，通过配向使其主轴的取向相对于栅极线成某一角度。
耦合电极连接部分767的第二部分767b处于关于栅极线成某一角度的方向，并与缝隙83交叠，由此提高了开口率。
如上所述，本发明防止了纹理、漏光或瞬时余像的产生，同时提高了开口率。
本领域的技术人员应当理解，在基本不背离本发明的原理的情况下，可以对优选实施例做出很多改变和修改。因此，仅在一般和说明性的意义上采用所公开的本发明的优选实施例，而不是出于限制的目的。
本申请要求于2005年7月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2005-0061967的优先权，在此将其全文引入以供参考。
权利要求
1.一种液晶显示器，包括第一绝缘基板；形成于所述第一绝缘基板上的栅极线；与所述栅极线绝缘并基本垂直于所述栅极线延伸的数据线，所述栅极线和所述数据线界定像素；连接至所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管；连接至所述薄膜晶体管的第一子像素电极；通过耦合电极电容耦合至所述第一子像素电极的第二子像素电极，所述第二子像素电极通过缝隙与所述第一子像素电极隔开；第二绝缘基板；形成于所述第二绝缘基板上的公共电极，其包括域划分部；以及插置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间的液晶层，其中，将所述薄膜晶体管连接至所述耦合电极的耦合电极连接部分在沿所述像素的边缘的区域与所述缝隙交叉。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述耦合电极连接部分包括平行于所述数据线的第一部分和相对于所述栅极线基本形成大约45度或-45度角的第二部分。
3.如权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述第一部分从所述薄膜晶体管沿所述数据线延伸，所述第二部分从所述第一部分延伸至所述耦合电极。
4.如权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述第一部分和所述缝隙彼此交叉。
5.如权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述耦合电极连接部分和所述缝隙之间的交叉处与所述域划分部交叠。
6.如权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述第二部分相对于所述数据线沿一角度延伸，所述第一部分与所述数据线邻接且沿着所述数据线从所述第二部分延伸至所述耦合电极。
7.如权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述第一部分和所述缝隙彼此交叉。
8.如权利要求2所述的液晶显示器，还包括形成于所述第二绝缘基板上的黑矩阵，其中，所述耦合电极连接部分和所述缝隙之间的交叉处与所述黑矩阵交叠。
9.如权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述第二部分与所述域划分部交叠。
10.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括分别形成于所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板上的第一和第二偏振板，其中，所述缝隙关于所述偏振板的透射轴基本形成大约45度或-45度的角。
11.如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述耦合电极连接部分与邻接所述数据线的所述缝隙的端部交叠。
12.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括分别形成于所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板上的第一和第二偏振板，其中，所述域划分部关于所述偏振板的透射轴基本形成大约45度或-45度的角。
13.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，在所述域划分部的预定部分形成缺口。
14.一种液晶显示器，包括第一绝缘基板；形成于所述第一绝缘基板上的栅极线；与所述栅极线绝缘并基本垂直于所述栅极线延伸的数据线，所述栅极线和所述数据线界定像素；连接至所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管；连接至所述薄膜晶体管的第一子像素电极；通过耦合电极电容耦合至所述第一子像素电极的第二子像素电极，所述第二子像素电极通过缝隙与所述第一子像素电极隔开，所述缝隙沿与所述数据线成一角度的方向延伸；第二绝缘基板；形成于所述第二绝缘基板上的公共电极，其包括域划分部；以及插置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间的液晶层，其中，将所述薄膜晶体管连接至所述耦合电极的耦合电极连接部分包括第一部分，所述第一部分在所述耦合电极连接部分和所述缝隙的交叉处沿所述缝隙延伸。
15.如权利要求14所述的液晶显示器，其中，耦合电极连接部分包括基本沿所述数据线方向从所述薄膜晶体管延伸至所述耦合电极的第二部分，其中，所述第一部分从所述第二部分分支出来，并沿基本平行于所述缝隙的方向延伸。
16.如权利要求14所述的液晶显示器，还包括分别形成于所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板上的第一和第二偏振板，其中，所述缝隙相对于所述偏振板的透射轴基本形成大约45度或-45度的角。
17.如权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述耦合电极连接部分在所述像素的中央部分与所述缝隙交叠。
18.如权利要求14所述的液晶显示器，还包括分别形成于所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板上的第一和第二偏振板，其中，所述域划分部相对于所述偏振板的透射轴基本形成大约45度或-45度的角。
19.如权利要求14所述的液晶显示器，其中，在所述域划分部的预定部分形成缺口。
全文摘要
提出了一种能够防止产生纹理、漏光和/或瞬时余像，同时提高开口率的液晶显示器。所述LCD包括第一绝缘基板；形成于第一绝缘基板上的栅极线；与栅极线绝缘并基本垂直于栅极线延伸的数据线，其中栅极线和数据线界定像素；以及连接至栅极线和数据线的薄膜晶体管。第一子像素电极连接至TFT，第二子像素电极通过耦合电极电容耦合至第一子像素电极，第二子像素电极通过缝隙与第一子像素电极隔开。所述LCD还包括第二绝缘基板；形成于第二绝缘基板上的公共电极，其包括域划分部；以及插置在第一绝缘基板和第二绝缘基板之间的液晶层。耦合电极连接部分将TFT连接至耦合电极并在沿像素的边缘的区域与缝隙交叉。
文档编号G02F1/133GK1892388SQ200610103079
公开日2007年1月10日 申请日期2006年7月10日 优先权日2005年7月9日
发明者安顺一 申请人:三星电子株式会社